❶ 标志存储器有哪几种标志
应该是在说汇编语言裏面的"标誌寄存器"吧? 如果我没记错的话16位寄存器中 第0,2,6,7,10,11分别是:CF,PF,ZF,SF,DF,OF. 他们的中文忘记了.我也懒得打.Google了下网络.直接贴给你了. 第0位 CF：进位（借位）标志位，对无符号运算有意义 第2位 PF：奇偶标志位， 偶数PF=1 第6位 ZF：结果是否是0 第7位 SF：结果是否为负 第10位 DF：方向标志位 DF：0 每次操作后SI、DI递增，使用CLD置DF为0 DF：1 每次操作后SI、DI递减，使用STD置DF为1 第11位 OF：溢出标志位，对有符号运算有意义
记得采纳啊
❷ 内存的颗粒识别，详解
您好，现在内存颗粒主要有以下厂家的产品：
samsung(三星),elpida（尔必达）,hynix,（现代）nanya,（蓝牙）infineon，（英飞凌）
在内存颗粒上都会有用激光蚀刻上去的相应的logo,您可以看得到，具体各个厂家的产品编码序列号的意思可以参考下面的内容：
DDR SDRAM：
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：
HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14
整个DDR
SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要
参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：
1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）
3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V &
VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M
4K刷新；56：256M
8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯
片）
6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU
＝MCP（UTC））
12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2
-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数
字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤
其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少
。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR200）
注：有的编码没有那么长，但几个根本的数字还是有的
LGS的内存可以说是目前市场上见到的最多，也是最广泛的内存了，所以LGS应该
首先排第一位。
LGS的内存编码规则：
GM 72 X XX XX X X X X X XXX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
定义：
1、GM代表LGS公司。
2、72代表SDRAM。
3、V代表3V电压。
4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：
128M，4K刷新；64： 64M，16K刷新。65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新。
5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。
6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK
7、I／O界面：一般为1
8、产品系列：从A至F。
9、功耗：空白则是普通，L是低功
10、封装模式：一般为T（TSOP）
11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS[
一说15NS]，PC66）， 12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）
二、HY（现代HYUNDAI）
现代是韩国着名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大。
HY的编码规则：
HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
定义：
1、HY代表现代。
2、一般是57，代表SDRAM。
3、工艺：空白则是5V，V是3V。
4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K
刷新；128：128M， 8K刷新；129：128M，4K刷新。
5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位。
6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；
7、I／O界面：一般为0
8、产品线：从A－D系列
9、功率：空白则为普通，L为低功耗。
10、封装：一般为TC（TSOP）
11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3）
，10：10NS，12： 12NS，15：15NS
三、SEC（三星SAMSUNG）
做为韩国着名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽
然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品。三星的标识不是
很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普
通SDRAM参考。
SEC编码规则：
KM4 XX S XX 0 X X XT－XX
1 2 3 4 5 6 7 89 10 11
1、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4。
2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。
3、一般均为S
4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量。
5、一般均为0
6、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK
7、I／O界面：一般为0
8、版本号
9、封装模式：一般为T：TSOP
10、功耗：F低耗，G普通
11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS。
四、MT（MICRON美凯龙）
美凯龙是美国着名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的
产品闻名全美国，被广泛的机器所采用。美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国
的产品略高。
MT48 XX XX M XX AX TG－XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
1、MT代表美凯龙MICRON
2、48代表SDRAM。
3、一般为LC：普通SDRAM
4、此数与M后位数相乘即为容量。
5、一般为M
6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位
7、AX代表write Recovery(twr)，A2则代表twr=2clk
8、TG代表TSOP封装模式。
9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X为从A到E：读取的周期分别是：
333，323，322， 222，222，所以D和E较好），10：10NS
10、如有L则为低功耗，空白则为普通。
五、HITACHI（日立HITACHI）
日立是日本的着名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还
是不错的！
HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、HM代表日立。
2、52代表SDRAM，51则为EDO
3、容量
4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位
5、一般为5
6、产品系列：A－F
7、功耗：L为低耗，空白则为普通
8、TT为TSOP封装模式
9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3）
六、SIEMENS（西门子）
西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最
大的品牌之一（另一是PHILIPS）。西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的
，产品品质还算不错。
HYB39S XX XX 0 X T X －X
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、HYB代表西门子
2、39S代表SDRAM
3、容量
4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位
5、一般为0
6、产品系列
7、一般为T
8、L为低耗，空白为普通
9、速度：
6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS
七、FUJITSU（富士通FUJITSU）
富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM商，
市场上仅有少量零售产品。
MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、MB81代表富士通的SDRAM
2、PC100标准的多为F，普通的内存为1
3、容量
4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位
5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK
6、产品系列
7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS（CL3
），100：10NS，84： 12NS，67：15NS
八、TOSHIBA（东芝）
东芝是日本着名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯
卫星等等。TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多。
TC59S XX XX X FT X－XX
1 2 3 4 5 6 7 8
1、TC代表东芝
2、59S代表普通SDRAM
3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT
4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位
5、产品系列：A－B
6、FT为TSOP封装模式
7、空白为普通，L为低功耗
8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3）
九、MITSUBISHI（三菱）
三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT业和家电业也有产
品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为
速度、品质优异，而成为INTEL的PII／PIIICPU的缓存供应商。普通SDRAM方面，
因为较贵，所以市场上少见。
M2 V XX S X 0 X TP－XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
1、M2代表三菱产品
2、I／O界面。一般为V
3、容量
4、一般为S，说明是SDRAM
5、位宽：2：4位，3：8位，4：16位
6、一般为0
7、产品系列
8、TP代表TSOP封装
9、速度：
8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS。
10、空白为普通，L为低耗。
❸ 目前内存条、内存颗粒厂都有哪些
内存颗粒目前由美光(Micron)，三星(SAMSUNG)，现代(Hynix)，英飞凌(Infineon)，勤茂(TwinMOS)，南亚(NANYA)，华邦(Winbond)，茂矽(MOSEL)，ELPIDA等半导体大厂提供。内存条大多只是内存条牌子而不是内存颗粒，也有内存颗粒厂商出自己的内存牌子，例如美光Micron，就有英睿达Crucial以及铂胜Ballistix内存。
❹ 金士顿内存kvr16n11s8/4-sp各个字母是什么意思
KVR的意思是金士顿经济型，16代表频率是1600，CAS延时是11，S代表是内存颗粒单列，8代表的意思是DRAM类型，意思是8-8*DRAN芯片 ，/4代表的意思是内存的容量4G，SP是窄版节能型。
由于内存在标签上并没有具体统一的格式，所以在识别时候有些麻烦。一般的标签都必须有的信息为容量(2048MB)、频率(1066MHz)、延迟(5-6-6-18)、电压(2.10V)等信息，这些也都是最基本的参数。
(4)存储芯片有s的logo扩展阅读：
内存条通常有8MB，16MB，32MB，64MB，128MB，256MB等容量级别，从这个级别可以看出，内存条的容量都是翻倍增加的。
目前，64MB，128MB内存已成为了主流配置，而用于诸如图形工作站的内存容量则已高达256MB或512MB，甚至更高。SDRAM内存条有双面和单面两种设计，每一面采用8颗或者9颗(多出的一颗为ECC验)SDRAM芯片。
内存又称主存，是CPU能直接寻址的存储空间，由半导体器件制成。内存的特点是存取速率快。内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。
❺ ssku 是什么品牌
SB主控芯片(MCU),相当于CPU,通过HID协议和电脑沟通,2-存储芯片,可以理解为内存上的颗粒,3-频率驱动部分,可以理解为脉搏,实际上是晶振和周边电路,现在大部分已经把晶振集成到主控芯片里了。但是,U盘行业有些技术含量不高(山寨盘）或是很多仿制 造假的（自己丝印品牌的logo)厂家，采用的主控USB芯片很多用的是残次品或返修品,就会造成上述现象,还有一种情况是主控芯片和存储 芯片不兼容,这个一般是主控芯片的版本和存储芯片的搭配有问题，主要是电路搭配方面，造成的原因是有些设计技术水平很差的山寨盘,一般不会关注每次到货的主控芯片版本(呵呵,关键是他们拿不到原厂芯片的SPEC更新)所以就想当然地按照旧版本芯片设计新版本芯片的周边电路（当然旧版本芯片不代表质量有问题,因为芯片原厂为了市场或修正bug,需要更新外观相同但是内部集成电路或Firmwar不同的主控)，因为这一点造成U盘问题很多，同时也是造成为 什么都是同样容量,但是不同品牌不同规格的U盘，传输数据竟然相差很多;还有一种问题现象是复制大数据的时候死机或提示容量不足甚至数据突然丢失。(申明,上述解释是从下面这个店铺摘的)，给大家推荐一品牌,台湾PQI(劲永国际)，08年才在中国大陆上市，他们的产品设计都高端精品,承诺“终身保固”（呵呵，什么叫终身保固,“保固”应该是保修吧)，情人节前,我从淘宝网上搜到一个叫"ALi秋秋”的店铺（给我和我女朋友买了一对情侣U盘,设计太经典了，速度简直太快了；谁要是有兴趣的话可以通过淘宝的旺旺添加“ALi秋秋”,在店铺里可以看到很多新上市的产品（掌柜好像是台湾PQI中国区运营中心的)
❻ 存储芯片包括
存储芯片，是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用。因此，无论是系统芯片还是存储芯片，都是通过在单一芯片中嵌入软件，实现多功能和高性能，以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持。按照不同的技术，存储器芯片可以细分为EPROM、EEPROM、SRAM、DRAM、FLASH、MASK ROM和FRAM等。
存储器技术是一种不断进步的技术，随着各种专门应用不断提出新的要求，新的存储器技术也层出不穷，每一种新技术的出现都会使某种现存的技术走进历史，因为开发新技术的初衷就是为了消除或减弱某种特定存储器产品的不足之处。
例如，闪存技术脱胎于EEPROM，它的一个主要用途就是为了取代用于PC机BIOS的EEPROM芯片，以便方便地对这种计算机中最基本的代码进行更新。 尽管目前非挥发性存储器中最先进的就是闪存，但技术却并未就此停步。
生产商们正在开发多种新技术，以便使闪存也拥有像DRAM和SDRAM那样的高速、低价、寿命长等特点。总之，存储器技术将会继续发展，以满足不同的应用需求。就PC市场来说，更高密度、更大带宽、更低功耗、更短延迟时间、更低成本的主流DRAM技术将是不二之选。
而在其它非挥发性存储器领域，供应商们正在研究闪存之外的各种技术，以便满足不同应用的需求，未来必将有更多更新的存储器芯片技术不断涌现。
❼ SM是哪个储存器的标识符
sm话音存储器：Speech Memory的缩写
❽ 带S标识的芯片也是威刚的内存吗
1、威刚本身不生产内存颗粒，只是用买来的内存颗粒封装成内存条。而带大S标识的是美光的芯片，镁光有一家子公司Spectek，是专门处理美光检测中不合格的降级颗粒。这些降级内存颗粒会打上Spectek的大S标志，被称为大S颗粒。大S颗粒都是美光的降级片。
2、不过不能一概而论降级片就是垃圾。如果美光生产3200MHz频率的内存颗粒，把达不到要求的给Spectek降级成2400MHz标准处理售卖，那你不能说这些颗粒达不到3200MHz要求就是垃圾颗粒，只能说是不符合3200MHz要求的颗粒。不过也有些大S颗粒是更低端的内存筛选标准筛选下来的，良率特低，这些就是垃圾颗粒了。
3、因此大S颗粒鱼龙混杂，也是很多山寨内存条喜欢用的内存颗粒，新手最好避开这种大S颗粒。
❾ 嵌入式存储芯片下面的EMMC,TSD，FSD分别是什么意思代表着什么
emmc是新一代的手机存储方案，比较经济的同时性能也很好。
❿ 这是什么牌子的固态电容c 里面 有个s ,这个logo
16V270uf，找这个规格电容就可以，跟牌子没关系，一样用。正负极别焊错了就OK。似乎是日系三洋。