① ddr3和ddr4内存条有什么区别
【概括而言，区别如下】：
1.DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状
2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz
3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB
4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低
【详细区别包括以下5方面】：
一、频率和电压
在频率方面，DDR4内存的工作频率将从2133MHz 起跳，最高甚至可以达到4266MHz。这个频率相比DDR3 内存有相当大的提升。在电压方面，DDR3 内存的工作电压为1.5V，而DDR4内存的工作电压将近一步的降低，预计最低可以做到1.2V。
二、传输机制
相对于DDR3，DDR4的一大改进就体现在信号传输机制上。它拥有两种规格:除了可支持Single-endedSignaling信号( 传统SE信号)外，还引入了DifferentialSignaling( 差分信号技术 )技术。
三、访问机制
对于DDR3内存来说，目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中，访问机制已经改为了点对点技术，这是DDR4整个存储系统的关键性设计。点对点相当于一条主管道只对应一个水箱（这种机制的改变其实并不会对传输速度产生太大的影响，因为主管道的大小并没有改变），这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。
四、封装技术
DDR4内存采用3DS封装技术，3DS（3-Dimensional Stack，三维堆叠）技术是DDR4内存中最关键的技术之一，它用来增大单颗芯片的容量。在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。
五、外观
DDR3内存金手指是240个，内存金手指是平直的；而DDR4内存金手指是284个，内存金手指呈弯曲状。
② FLASH存储器DDR存储器RAM存储器SRAM存储器DRAM存储器有什么区别各有什么作用
Flash存储器：
它属于内存器件的一种，是一种非易失性( Non-Volatile )内存。闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异:目前各类 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存;闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
DDR存储器：
DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
RAM存储器：
存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储单元的工作原理，随机存储器又分为静态随机存储器(英文:Static RAM，SRAM)和动态随机存储器(英文Dynamic RAM，DRAM)。
SRAM存储器：
是Static Random Access Memory的缩写，静态存储器，和动态存储器DRAM相对。由于SRAM工作原理是依靠晶体管组合来锁住电平，并不需要进行刷新，只要不断电，数据就不会丢失，因此称为静态RAM。
DRAM存储器：
DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)
③ SDR和DDR内存条有什么区别啊
1)内存设计区别:SDR是内存条上两个缺口,DDR内存条上则是一个缺口; (2)规格区别:常见到SDR都是PC133规格的(不过现在基本停产了,正规市场难以买到),DDR内存则有DDR和DDR2两种规格,有DDR333 DDR400 DDR2*533等型号; (3)性能区别:DDR支持双通道高速存取...
④ ddr3内存条和emmc的区别
ddr3
是指运行内存一种，即：RAM。
emmc是指存储内存一种，即：ROM。
如果懂RAM和ROM是什么，自然也就知道它们的区别了。
⑤ 请问内存条SDR与DDR有什么区别
DDR内存的传输速度要比SD内存快！SD内存是被淘汰的产品！
⑥ 内存条DDR是代表什么意思
DDR=Double Data Rate，即双倍数据速率。DDR SDRAM=双倍速率同步动态随机存储器，人们习惯称为DDR。
其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
几乎每一个电子设备，从智能手机到服务器，都使用了某种形式的RAM存储器。尽管闪存NAND继续流行，由于SDRAM为相对较低的每比特成本提供了速度和存储很好的结合，SDRAM仍然是大多数计算机以及基于计算机产品的主流存储器技术。
DDR是双数据速率的SDRAM内存，已经成为今天存储器技术的选择。DDR技术不断发展，不断提高速度和容量，同时降低成本，减小功率和存储设备的物理尺寸。
(6)ddr内存条与存储器扩展阅读：
性能特点：
与一般SDRAM相比，DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步。
DDR使用了DLL技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。
DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。
参考资料来源：网络-DDR（双倍数据速率）
⑦ FLASH存储器DDR存储器RAM存储器SRAM存储器DRAM存储器有啥区别各有什么作用用在那
Flash存储器又称为闪存，是一种非易失性的ROM存储器，在EEPROM的基础上发展而来，但不同于EEPROM只能全盘擦写，闪存可以对某个特定的区块进行擦写，这源于它和内存一样拥有独立地址线。闪存的读写速度快，但远不及RAM存储器；但它断电后不会像内存一样丢失数据，因此适合做外存储设备。用途：U盘、固态硬盘、BIOS芯片等。
DDR是一种技术，中文为双倍速率，并不属于一种存储器。DDR通常指DDR SDRAM存储器，全称为Double Date Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，双倍速率同步动态随机存储器。顾名思义，它有三个重要特性：Double Date Rate、Synchronous和Dynamic。首先是Dynamic（动态），表明存储元为电容，通过电容的电荷性判断数据0和1。而由于电容有漏电流，必须随时对电容进行充电，以防数据丢失，这个过程就叫动态刷新；其次是Synchronous（同步），表明读写过程由时钟信号控制，只能发生在时钟信号的上沿或下沿，是同步进行的，而不可以在随意时刻进行；最后是Double Date Rate（DDR），这是DDR内存最重要的特性，即相比SDRAM内存，DDR内存在时钟的上沿和下沿均可以完成一次数据发射，因此一个周期内可以传输两次数据，所以称为双倍速率。因此等效频率是SDRAM的两倍。用途：内存条和显存颗粒，如DDR、DDR2、DDR3、GDDR5。
RAM是Random Access Memory的缩写，中文为随机存储器。这个定义非常广，凡是可以进行随机读写的存储器，都可以称为RAM，和ROM（只读存储器）相对。用途：内存、显存、单片机、高速缓存等等
SRAM是Static Random Access Memory的缩写，静态存储器，和动态存储器DRAM相对。由于SRAM工作原理是依靠晶体管组合来锁住电平，并不需要进行刷新，只要不断电，数据就不会丢失，因此称为静态RAM。相比动态RAM，优点：1.不需要刷新操作，省去刷新电路，布线简单；2.速度远高于DRAM。缺点：1.容量远小于DRAM；2.由于晶体管规模远大于DRAM，成本远高于DRAM。用途：寄存器、高速缓存、早期内存
DRAM是Dynamic Random Access Memory的缩写，动态存储器。和上面的定义一样，由电容存储数据，需要实时刷新，因此叫动态RAM。和SDRAM的区别在于DRAM可以不需要时钟信号控制发射，但通常我们不严格区分它们，把SDRAM和DRAM都叫做DRAM。DDR SDRAM也属于一种DRAM。用途：内存、显存
⑧ 电脑内存条DDR和SDR有什么不同我用CPU_Z看了下我家的内存!
1.首先答DDRSDR区别
传统SDR
SDRAM能信号升沿进行数据传输DDR
SDRAM却信号升沿降沿都进行数据传输所DDR内存每钟周期都完两倍于SDRAM数据传输量DDR意义--Double
Data
Rate双倍数据速率举例说DDR266标准DDR
SDRAM能提供2.1GB/s内存带宽传统PC133
SDRAM却能提供1.06GB/s内存带宽
般内存条注明CL值数值越低表明内存数据读取周期越短性能越DDR
SDRAMCL见值般22.5两种
DDR
DDR双倍数据速率(Double
Data
Rate)DDR与普通同步态随机存储器(DRAM)非相象普通同步DRAM(现称SDR)与标准DRAM所同
标准DRAM接收址命令由二址字组接省输入管脚采用路传输案第址字由原始址选通(RAS)锁存DRAM芯片紧随RAS命令列址选通(CAS)锁存第二址字经RASCAS存储数据读取
同步态随机存储器(SDR
DRAM)由标准DRAM钟组RAS、CAS、数据效均钟脉冲升边沿启根据钟指示预测数据剩余指令位置数据锁存选通精确定位由于数据效窗口预计性所存储器划4区进行内部单元预充电预获取通脉冲串模式进行连续址获取必重复RAS选通连续CAS选通自相同源数据进行再现
DDR存储器与SDR存储器工作原理基本相同DDR钟脉冲升降沿均读取数据新代DDR存储器工作频率数据速率别200MHz266MHz与应钟频率100MHz133MHz
SDR
DRAM态存储器(Dynamic
RAM)缩写SDRAM英文SynchronousDRAM缩写译文同步态存储器意思技术角度讲同步态存储器(SDRAM)现标准态存储器加入同步控制逻辑(状态机)利用单系统钟同步所址数据控制信号使用SDRAM能提高系统表现能简化设计、提供高速数据传输功能类似规DRAM且需钟进行刷新说SDRAM种改善结构增强型DRAM目前SDRAM10ns8ns
2.接答内存bank交错意思
内存检查显示bank交错4路主板支持Bank交错内存交错使SDRAM内存各面刷新钟信与读写钟信号能够交错现实现CPU刷新内存面同另内存面进行读写必花费专门间各内存面进行刷新且CPU即访问串内存址别位于同内存面情况内存面交错使CPU能够实现向内存面发送址同前内存面接收数据产种流水线操作效提高SDRAM内存带宽甚至认启用内存交错于系统性能提高比内存CAS延迟间3改2要
??内存交错比较高级内存设置选项些采用VIA
694X芯片组主板由于BIOS版本较旧能没该设置项升级主板BIOS新版BIOS仍未现该设置项通某些VIA芯片组内存BANK交错启软件WPCREdit相应插件(驱家网站载)修改北桥芯片寄存器打内存交错模式
3.2-3-3-6含义
内存序标准写CL-tRCD-tRP-tRAS几符号含义别:CL(CAS
Latency):内存读写操作前列址控制器间
tRCD(RAS-to-CAS
Delay)行寻址至列寻址延迟间
tRP(RAS
Precharge
Time):
内存行址控制器预充电间
tRAS(RAS
Active
Time):
内存行效至预充电短周期
要买条内存要记着购买相同品牌相同频率DDR400DDR333般说没太问题
⑨ ddr3内存条和emmc的区别是什么
DDR3内存条和eMMC存储器区别： 1. 存储性质不同；2. 存储容量不同 ；3. 运行速度不同；4. 用途不同。