⑴ 基本的静态存储元阵列学习过程中需要掌握哪些重点
掌握存储介质，存储位元，存储单元。
存储器是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。存储介质：目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储位元：一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元，均可以存储一位二进制代码。这个二进制代码位是存储器中最小的存储单位，称为存储位元。存储单元：由若干个存储位元组成一个存储单元。由许多存储单元组成一个存储器。
⑵ 在c语言中静态存储单元与动态存储单元有什么区别
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静态的内存使用的是栈空间内存,不用程序员自己来分配.动态内存由程序员根据需要来自己分配并收回.
最大的区别在于动态的内存分配时候会用new关键字或malloc或calloc函数,之所以要程序员自己来分配内存是由于有时候不能确定程序要使用多少内存,比如要通过用户或者文件或者数据库中的查询结果来确定使用多少数据,这时候程序员无法在程序的编写的时候就把内存给固定分配出来.这时候必须得让程序在运行的时候自己来为自己找到可用的内存,就一定要用动态的方式来分配内存.
举个例子,根据用户的输入一个整数来确定用户要输入的数组维数,这个整数不是一定确定的数值,我们可以用一个变量n来表示,并用它接受用户的输入,再根据n来生成一个整数数组.程序不能写成int
array[n];的形式,这样程序是不能编译通过的,这是因为n是一个不确定的数值.只能用new或malloc来通过用户的输入来分配内存.可以写成这样：
int
n;
cout
<<
"input
n:";
cin
>>
n;
cout
<<
endl;
int*
iArray
=
new
int[n];
for
(int
i
=
0;
i
<
n;
i++)
{
cin
>>iArray[i];
⑶ 静态RAM基本存储电路
那个T3，T4是有源负载，相当于电阻，T3是T1的负载电阻，T4是T2的负载电阻，都是导通的，为T1，T2提供漏极电压的。而真正导通和截止形成反相的，有两个稳定状态的是T1，T2。因为在集成电路内部不方便做电阻，所以，就用这种电路做电阻了。
⑷ 何为静态存储器、动态存储器，它们的区别是什么
静态存储器与动态存储器主要性能比较如下表:
静态和动态存储器芯片特性比较
SRAM DRAM
存储信息 触发器 电容
破坏性读出 非 是
需要刷新 不要 需要
送行列地址 同时送 分两次送
运行速度 快 慢
集成度 低 高
发热量 大 小
存储成本 高 低
动态存储器的定期刷新:在不进行读写操作时,DRAM 存储器的各单元处于断电状态,由于漏电的存在,保存在电容CS 上的电荷会慢慢地漏掉,为此必须定时予以补充,称为刷新操作
⑸ 储存中常见的磁盘阵列有哪些
常见的有：raid0、1、5、10、5e，还要一种叫jbod。
具体网络“raid”词条讲的很详细。
⑹ 常用的存储设备中什么属于静态存储器
ssd和硬盘属于静态存储器，ddr属于动态存储器。
静态存储器是指依靠双稳态触发器的两个稳定状态保存信息的存储器。双稳态电路是有源器件，需要电源才能工作，只要电源正常，就能长期稳定的保存信息，所以称为静态存储器。如果断电，信息将会丢失，属于挥发性存储器，或称易失性。
动态存储器是指在指定功能或应用软件之间共享的存储器。如果一个或两个应用软件占用了所有存储器空间，此时将无法为其他应用软件分配存储器空间。需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存。
⑺ 静态存储和动态存储的区别
1. 静态内存
静态内存是指在程序开始运行时由编译器分配的内存，它的分配是在程序开始编译时完成的，不占用CPU资源。
程序中的各种变量，在编译时系统已经为其分配了所需的内存空间，当该变量在作用域内使用完毕时，系统会
自动释放所占用的内存空间。
变量的分配与释放，都无须程序员自行考虑。
基本类型，数组
2. 动态内存
用户无法确定空间大小，或者空间太大，栈上无法分配时，会采用动态内存分配。
处理器不工作,电脑什么都做不了。
处理器的工作就是处理指令（多条指令就构成一个程序）。
处理器从内存中取指令集（程序）。
问题是如果断电的话，内存中的指令就会丢失。因而内存归类为“易失性”介质。
所以我们要把程序、数据存储在不易失性的介质中，比如硬盘和光盘。
⑻ 动态MOS存储器与静态MOS存储器各有哪些特点
现在的RAM多为MOS型半导体电路，它分为静态和动态两种。静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；动态RAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。具有静态存储信息功能的MOS随机存储器,其存储单元的核心部分是双稳电路。只要电源不断，在单元内的信息便能长期保存，不需要对所存储的信息作周期性的刷新。
一位静态存储单元是由 6个MOS晶体管组成的一位静态存储单元。由增强型和耗尽型 MOS晶体管T□～T□连接成双稳态电路，T□和T□组成向单元存信息或取信息的控制门。由输入地址信号经译码后而选出相应的静态存储单元。为了把存储在单元中的信号写入和读出，还必须配有一套静态读出和写入电路(读写电路)，以及功能控制电路。因此,MOS静态随机存储器在结构上主要包括存储单元阵列、地址缓冲译码器、读出和写入电路（读写电路），以及读出和写入控制电路（读写控制电路）四个部分
⑼ 什么是静态存储器什么是动态存储器
静态存储器(SRAM）：读写速度快,成本高,需要电源才能工作,断电信息将丢失,多用于容量较小的高速缓冲存储器.
动态存储器（DRAM）：读写速度较慢,集成度高,成本低,要求配置动态刷新电路,多用于容量较大的主存储器.
⑽ 计算机组成原理中的存储阵列是什么意思
存储阵列：由大量的存储单元组成，每个存储单元能存放1位二值数据（0,1）。通常存储单元排列成N行×M列矩阵形式。
它是把多个磁盘组成一个阵列，当作单一磁盘使用，它将数据以分段(striping)的方式储存在不同的磁盘中，存取数据时，阵列中的相关磁盘一起动作，大幅减低数据的存取时间，同时有更佳的空间利用率。磁盘阵列所利用的不同的技术，称为RAID level ，不同的level 针对不同的系统及应用，以解决数据安全的问题。
一般高性能的磁盘阵列都是以硬件的形式来达成，进一步的把磁盘快取控制及磁盘阵列结合在一个控制器(RAID controler)或控制卡上，针对不同的用户解决人们对磁盘输出/入系统的四大要求：
增加存取速度。
容错(fault tolerance )，即安全性。
有效的利用磁盘空间。
尽量的平衡CPU，内存及磁盘的性能差异，提高电脑的整体工作性能。
RAID0为例子，如果我用两个硬组成，500G两个，总容量1000G，读写速度理论是单个的两倍。不过缺点是一个硬盘坏了，全部数据都找不回来