① 微机原理存储器扩展，答案是怎么做出来的
ROM容量4K，地址范围0-FFF，RAM1K ，地址范围0-3FF，如果将400H（1K）看作一页（逻辑上），ROM占4页，RAM占1页，则每页所需10位描述，页码则需要2位描述，合起来需要12位。
页码：页空间
xx：xx-xxxxxxxx
其中高2位页码对应高位地址全译码给ROM选片信号。
地址位一共16位，因此最高位地址为4位（16-12）用于选择ROM，当全1时则F000-FFFF为ROM区，全0时为0000-3FF，对应RAM区。
16位地址位定义
内存选择：页码：页空间
xxxx：xx：xx-xxxxxxxx
由此，对于ROM的每一页地址范围的位值
p0：
1111：00：00-00000000=F000
1111：00：11-11111111=F3FF
p1
1111：01：00-00000000=F400
1111：01：11-11111111=F7FF
p2
1111：10：00-00000000=F800
1111：10：11-11111111=FBFF
p3
1111：11：00-00000000=FC00
1111：11：11-11111111=FFFF
RAM的地址范围位值，实际上就是ROM地址的p0去掉最高位，其他低位一样。
0000：00：00-00000000=0000
0000：00：11-11111111=03FF
以上二进制位值之间的冒号和连接符号没有特殊含义只是为了区分不同位域。
② 微机原理 存储器扩展画图
储存器扩展，就是在扩展区增加内存条，增加缓存容量，这样能加快电脑反应速度
③ 微机原理课设 扩展存储器
俺不懂这个，是出来混分的！
④ 存储器扩展
存取外部数据存储器要通过DPTR(16位,由DPH,DPL组成)间接操作
MOVX a,@DPTR 读外部存储器
使用信号线P0(地址/数据),P2(地址),ALE(对P0地址锁存),RD(对外部数据存储器选通)
MOVX @DPTR,a 写外部存储器
P0(地址/数据),P2(地址),ALE(对P0地址锁存),WR(对外部数据存储器选通)
⑤ 微机原理与接口技术题目，求高手指点：问题如下
你没说你用的芯片是什么型号的，你的芯片有13根地址线是8K*8的。我假设你用2764（8K*8的EPROM）和6164（8K*8的RAM），则需要2716和6116各2片。采用如下图所示的电路就能实现存储器扩展，采用的全译码方式（所有地址线均参与译码）。
地址为：2764(1):80000H~81FFFH,2764(2):A0000H~A1FFFH,6164(1):C0000H~C1FFFH,6164(2):E0000H~E1FFFH
⑥ 微机原理与接口技术 实验心得
微机原理与接口技术的课程实验历时大半个学期，通过自己编写、运行程序，不仅可以巩固了以前所学过的知识，而且学到了很多在书本上所没有学到过的知识。以前对于编程工具的使用还处于一知半解的状态上，但是经过一段上机的实践，对于怎么去排错、查错，怎么去看每一步的运行结果，怎么去了解每个寄存器的内容以确保程序的正确性上都有了很大程度的提高。
前四个简单程序设计，加深了我们对初学的汇编语言指令的熟悉和理解，汇编语言直
接描述机器指令，比机器指令容易记忆和理解。通过学习和使用汇编语言，向上为理解各种软件系统的原理，打下技术理论基础；向下为掌握硬件系统的原理，打下实践应用基础。不仅巩固了书本所学的知识，还具有一定的灵活性，发挥了我们的创造才能。后面几个实验是并行输入输出接口8255和计数器8253的功能的操作，加深了我们对硬件的熟悉，锻炼了动手能力，发挥创造才能。
通过这次课程设计使我懂得了理论与实际相结合是很重要的，只有理论知识是远远不够的，只有把所学的理论知识与实践相结合起来，从理论中得出结论，才能真正提高自己的实际动手能力和独立思考的能力。在设计的过程中遇到问题，可以说得是困难重重，这毕竟第一次做的，难免会遇到过各种各样的问题，同时在设计的过程中发现了自己的不足之处，对以前所学过的知识理解得不够深刻，掌握得不够牢固。这次课程设计终于顺利完成了，在设计中遇到了很多编程问题，最后在自己的思考以及和同学的讨论中，终于迎刃而解。
⑦ 微机原理 存储器扩展&译码器，有一些疑惑！
1:低位址也有进入6264中，那个A0～A12就是
2:memr跟memw是8086系统对外的读取信号
3:圆圈代表低电平输出，6264有两个片选，一个高电平，一个低电平，两个搭配可以组成很多的组合，在这里高电平就直接接5伏，低电平从A18获得
⑧ 微机原理 存储器扩展，有人可以看一看我做的对吗
我的活法就是这样，常常独来独往，深夜总是睡不着，有时遇到生活的难也会纠结好久，好在有那么几个真心朋友，互相鼓励，日子也不那么难熬。
⑨ 微机原理中i/o接口的扩展方法有哪些
共三种：
1. 并行总线扩展方式
2. 串行口扩展方式
3. I/O端口模拟串行方式
⑩ 微机原理总的存储器字扩展问题
存储芯片的扩展包括位扩展、字扩展和字位同时扩展等三种情况。
1、位扩展
位扩展是指存储芯片的字（单元）数满足要求而位数不够，需对每个存储单元的位数进行扩展。
例： 用 1K × 4 的 2114 芯片构成 lK × 8 的存储器系统。
分析： 每个芯片的容量为 1K ，满足存储器系统的容量要求。但由于每个芯片只能提供 4 位数据，故需用 2 片这样的芯片，它们分别提供 4 位数据至系统的数据总线，以满足存储器系统的字长要求。
设计要点 ：
(1) 将每个芯片的 10 位（1k=2^10）地址线按引脚名称一一并联，按次序逐根接至系统地址总线的低 10 位。
(2) 数据线则按芯片编号连接，1 号芯片的 4 位数据线依次接至系统数据总线的 D0 -D3 ， 2 号芯片的 4 位数据线依次接至系统数据总线的 D4 -D7 。
(3) 两个芯片的 端并在一起后接至系统控制总线的存储器写信号（如 CPU 为 8086/8088，也可由 和 ／M 或 IO / 组合来承担）
(4) 引脚分别并联后接至地址译码器的输出，而地址译码器的输入则由系统地址总线的高位来承担。
当存储器工作时，系统根据高位地址的译码同时选中两个芯片，而地址码的低位也同时到达每一个芯片，从而选中它们的同一个单元。在读/写信号的作用下，两个芯片的数据同时读出，送上系统数据总线，产生一个字节的输出，或者同时将来自数据总线上的字节数据写入存储器。
2 、字扩充
字扩展用于存储芯片的位数满足要求而字数不够的情况，是对存储单元数量的扩展。
例 ： 用 2K × 8 的 2716 A存储器芯片组成 8K × 8 的存储器系统
分析：
由于每个芯片的字长为 8 位，故满足存储器系统的字长要求。但由于每个芯片只能提供 2K 个存储单元，故需用 4 片这样的芯片，以满足存储器系统的容量要求。
设计要点 ： 同位扩充方式相似。
(1) 先将每个芯片的 11(2* 2^10) 位地址线按引脚名称一一并联，然后按次序逐根接至系统地址总线的低 11 位。
(2) 将每个芯片的 8 位数据线依次接至系统数据总线的 D0 -D7 。
(3) 两个芯片的 端并在一起后接至系统控制总线的存储器读信号（这样连接的原因同位扩充方式），
(4) 它们的 引脚分别接至地址译码器的不同输出，地址译码器的输入则由系统地址总线的高位来承担。
当存储器工作时，根据高位地址的不同，系统通过译码器分别选中不同的芯片，低位地址码则同时到达每一个芯片，选中它们的相应单元。在读信号的作用下，选中芯片的数据被读出，送上系统数据总线，产生一个字节的输出。
3 、同时进行位扩充与字扩充
存储器芯片的字长和容量均不符合存储器系统的要求，需要用多片这样的芯片同时进行位扩充和字扩充，以满足系统的要求。
例 ： 用 1K × 4 的 2114 芯片组成 2K × 8 的存储器系统
分析： 由于芯片的字长为 4 位，因此首先需用采用位扩充的方法，用两片芯片组成 1K × 8 的存储器。再采用字扩充的方法来扩充容量，使用两组经过上述位扩充的芯片组来完成。
设计要点 ： 每个芯片的 10 根地址信号引脚宜接接至系统地址总线的低 10 位，每组两个芯片的 4 位数据线分别接至系统数据总线的高 / 低四位。地址码的 A 10 、 A 11 经译码后的输出，分别作为两组芯片的片选信号，每个芯片的 控制端直接接到 CPU 的读 / 写控制端上，以实现对存储器的读 / 写控制。
当存储器工作时，根据高位地址的不同，系统通过译码器分别选中不同的芯片组，低位地址码则同时到达每一个芯片组，选中它们的相应单元。在读 / 写信号的作用下，选中芯片组的数据被读出，送上系统数据总线，产生一个字节的输出，或者将来自数据总线上的字节数据写入芯片组。