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存储器中cl是什么

发布时间: 2022-05-21 20:16:32

Ⅰ 内存中的CL9啥意思啊

CL是 CAS Latency 的缩写,是内存的一个指标,CL后面的数值代表从 memory controller(内存控制器)发出读取存储器某单元内容的要求后,到数据实际被送到输出 pin 所需要的时间(单位是时钟周期)。所以这个值越短越好。CL9 即表示从控制器发出命令到收到数据需要9个时钟周期。CL9的内存是现今第三代台式电脑内存(DDR3)的主流。

Ⅱ 内存的CL值是什么

CL是CAS Latency的缩写,是内存性能的一个重要指标,是内存纵向地址脉冲的反应时间。

当电脑需要向内存读取数据时,在实际读取之前一般都有一个“缓冲期”,而“缓冲期”的时间长度,就是这个CL。

内存延迟表示系统进入数据存取操作就绪状态前等待内存相应的时间,它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示,例如“3-4-4-8”。其中第一个数字表示内存读取数据所需的延迟时,即常说的CL值。

CL设置较低的内存

具备更高的优势,这可以从总的延迟时间来表现。内存总的延迟时间有一个计算公式,总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+存取时间(tAC)。

存取时间(tAC)的概念,tAC是Access Time from CLK的缩写,是指最大CAS延迟时的最大数输入时钟,是以纳秒为单位的,与内存时钟周期是完全不同的概念,虽然都是以纳秒为单位。存取时间(tAC)代表着读取、写入的时间,而时钟频率则代表内存的速度。

以上内容参考:网络-内存延迟

Ⅲ 什么是内存的CL值

CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写,指的是内存存取数据所需的延迟时间,简单的说,就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小,代表反应所需的时间越短。

在早期的PC133内存标准中,这个数值规定为3,而在Intel重新制订的新规范中,强制要求CL的反应时间必须为2,这样在一定程度上,对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高,同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时,这是一个不可不察的因素。

(3)存储器中cl是什么扩展阅读:

CL=2所表示的意义是此时内存读取数据的延迟时间是两个时钟周期当CL=3时。内存读取数据的延迟时间就应该是三个时钟周期,因此,这“2”与“3”之间的差别就不仅仅局限于“1”了,而是1个时钟周期。

工作在相同频率下的同种内存,将CL设置为2会得到比3更优秀的性能。为了使主板正确地为内存设定CAS延迟时间,内存生产厂商都将其内存在不同工作频率下所推荐的CAS延迟时间记录在了内存PCB板上的一块EEPROM上,这块芯片就是SPD。当系统开机时,主板BIOS会自动检测SPD中的信息并最终确定是以CL=2还是CL=3来运行。

Ⅳ 什么是内存的CL值

CL值。CL是CAS Latency的缩写,是内存性能的一个重要指标,它是内存纵向地址脉冲的反应时间。当电脑需要向内存读取数据时,在实际读取之前一般都有一个“缓冲期”,而“缓冲期”的时间长度,就是这个CL了。内存的CL值越低越好,因此,缩短CAS的周期有助于加快内存在同一频率下的工作速度。这个CL值和内存运行的频率也有关系,同样的内存,比如图中的DDR333的内存这个CL值为2.5,如果运行在266的频率下,CL值可以设为2。

Ⅳ 内存条的cl代表什么意思

两个一样的CL指的是内存的延迟,数字越小越好,延迟有四个部分如 4-4-4-12,由于一般前三个数字一样,最后一个数字是前三个的和(一般是这样)所以简写成CL=4,这两个性能差不多,不过金士顿1G DDR2 667有两种,有一种用的是美光D9颗粒,更好价格也贵一些。

采纳哦

Ⅵ 内存中的CL是指的什么

CL是CAS
Latency的缩写,一般翻译成CAS潜伏时间,是在北桥(Intel)/CPU(AMD最近的CPU)读取内存数据时的一个参数,这个参数对于内存的性能有比较大的影响。

Ⅶ 内存条上的CL是什么

CL是CAS Latency的缩写,一般翻译成CAS潜伏时间,是在北桥(Intel)/CPU(AMD最近的CPU)读取内存数据时的一个参数,这个参数对于内存的性能有比较大的影响。

Ⅷ 内存条cl16表示什么

内存条cl16代表它的地址脉冲的反应时间是16。

内存条cl值是内存条性能的一个重要指标。它是指内存纵向地址脉冲的反应时间。当电脑需要向内存读取数据时,它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示。

CL是CAS Latency的缩写,是内存性能的一个重要指标,它是内存纵向地址脉冲的反应时间。当电脑需要向内存读CL值,当电脑需要向内存读CL是CAS Latency的缩写。这个参数越小,内存性能越好,内存延迟通常采用4个数字表示,中间用,以内存延迟时间决定了内存的性能。

内存时序

内存时序是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数:CL、TRCD、TRP和TRAS,单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字,如16-18-18-36。宏旺半导体了解到,第四个参数经常被省略,而有时还会加入第五个参数:Commandrate(命令速率),通常为2T或1T,也写作2N、1N。

Ⅸ 微机原理cl什么意思

微机原理cl,即置信水平,也叫可靠度,或置信度、置信系数,它是指特定个体对待特定命题真实性相信的程度,也就是概率是对个人信念合理性的量度。

《微机原理》是一门专业基础课程,它的主要内容包括微型计算机体系结构、8086微处理器和指令系统、汇编语言设计以及微型计算机各个组成部分介绍等内容。要求考生对微机原理中的基本概念有较深入的了解,能够系统地掌握微型计算机的结构、8086微处理器和指令系统。

基础知识包括:

1、数和数制(二进制、十进制、十六进制和八进制)及其转换。

2、二进制编码。

3、二进制逻辑运算。

4、二进制算术运算。

5、BCD码。

6、计算机中字符表示。

7、计算机的组成结构。

8、补码、反码、原码之间的转换方法。

存储结构包括:

1、半导体存储器的种类。

2、读写存储器(RAM)。

3、只读存储器(ROM)。

4、PC/XT的存储结构。