请简要概述闪速存储器的特点

Ⅰ 只读存储器和随机存储器的主要特点

只读存储器的特点是用户只能读出不能随意写入信息，在主板上的ROM里面固化了一个基本输入/输出系统，称为BIOS（基本输入输出系统）。其主要作用是完成对系统的加电自检、系统中各功能模块的初始化、系统的基本输入/输出的驱动程序及引导操作系统。

随机储存器的特点是在储存器的数据被读取和斜入式，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。但随机储存器具有易失性，当电源关闭时RAM不能保留数据。

而且随机存储器对环境的静电荷极其的铭感，静电会干扰储存器内电容器的电荷，导致数据丢失，甚至是烧坏电路。随机存储器几乎是所有访问设备写入和读取速度最快的，并且现代的随机存取存储器以来电容器去存储数据。

(1)请简要概述闪速存储器的特点扩展阅读：

只读存储器工作原理

地址译码器根据输入地址选择某条输出(称字线)，由它再去驱动该字线的各位线，以便读出字线上各存储单元所储存的代码。

随机存储器的组成

RAM电路由地址译码器、存储矩阵和读写控制电路三部分组成。

存储矩阵由触发器排列而成，每个触发器能存储一位数据(0或1)。通常将每一组存储单元编为一个地址，存放一个“字”。

每个字的位数等于这一组单元的数目。存储器的容量以“字数×位数”表示。地址译码器将每个输入的地址代码译成高(或低)电平信号，从存储矩阵中选中一组单元，使之与读写控制电路接通。在读写控制信号的配合下，将数据读出或写入。

只读存储器种类

可编程只读存储器

可编程只读存储器（英文：Programmable ROM，简称：PROM）一般可编程一次。PROM存储器出厂时各个存储单元皆为1，或皆为0。

用户使用时，再使用编程的方法使PROM存储所需要的数据。 PROM需要用电和光照的方法来编写与存放的程序和信息。但仅仅只能编写一次，第一次写入的信息就被永久性地保存起来。

ROM

只读内存（Read-Only Memory）是一种只能读取资料的内存。

在制造过程中，将资料以一特制光罩（mask）烧录于线路中，其资料内容在写入后就不能更改，所以有时又称为“光罩式只读内存”（mask ROM）。此内存的制造成本较低，常用于电脑中的开机启动。

Ⅱ 存储器的分类及其各自的特点

存储器（Memory）是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。其概念很广，有很多层次，在数字系统中，只要能保存二进制数据的都可以是存储器；在集成电路中，一个没有实物形式的具有存储功能的电路也叫存储器，如RAM、FIFO等；在系统中，具有实物形式的存储设备也叫存储器，如内存条、TF卡等。计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。计算机中的存储器按用途存储器可分为主存储器（内存）和辅助存储器（外存），也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。外存通常是磁性介质或光盘等，能长期保存信息。内存指主板上的存储部件，用来存放当前正在执行的数据和程序，但仅用于暂时存放程序和数据，关闭电源或断电，数据会丢失。
存储器的分类特点及其应用
在嵌入式系统中最常用的存储器类型分为三类：
1．随机存取的RAM;
2．只读的ROM;
3．介于两者之间的混合存储器
1.随机存储器（Random Access Memory，RAM）
RAM能够随时在任一地址读出或写入内容。 RAM的优点是读/写方便、使用灵活；
RAM的缺点是不能长期保存信息，一旦停电，所存信息就会丢失。 RAM用于二进制信息的临时存储或缓冲存储
2.只读存储器（Read-Only Memory，ROM）
ROM中存储的数据可以被任意读取，断电后，ROM中的数据仍保持不变，但不可以写入数据。
ROM在嵌入式系统中非常有用，常常用来存放系统软件（如ROM BIOS）、应用程序等不随时间改变的代码或数据。
ROM存储器按发展顺序可分为：掩膜ROM、可编程ROM（PROM）和可擦写可编程ROM（EPROM）。
3. 混合存储器
混合存储器既可以随意读写，又可以在断电后保持设备中的数据不变。混合存储设备可分为三种：
EEPROM NVRAM FLASH
（1）EEPROM
EEPROM是电可擦写可编程存储设备，与EPROM不同的是EEPROM是用电来实现数据的清除，而不是通过紫外线照射实现的。
EEPROM允许用户以字节为单位多次用电擦除和改写内容，而且可以直接在机内进行，不需要专用设备，方便灵活，常用作对数据、参数等经常修改又有掉电保护要求的数据存储器。
（2） NVRAM
NVRAM通常就是带有后备电池的SRAM。当电源接通的时候，NVRAM就像任何其他SRAM一样，但是当电源切断的时候，NVRAM从电池中获取足够的电力以保持其中现存的内容。
NVRAM在嵌入式系统中使用十分普遍，它最大的缺点是价格昂贵，因此，它的应用被限制于存储仅仅几百字节的系统关键信息。
（3）Flash
Flash（闪速存储器，简称闪存）是不需要Vpp电压信号的EEPROM，一个扇区的字节可以在瞬间（与单时钟周期比较是一个非常短的时间）擦除。
Flash比EEPROM优越的方面是，可以同时擦除许多字节，节省了每次写数据前擦除的时间，但一旦一个扇区被擦除，必须逐个字节地写进去，其写入时间很长。
存储器工作原理
这里只介绍动态存储器（DRAM）的工作原理。

工作原理
动态存储器每片只有一条输入数据线，而地址引脚只有8条。为了形成64K地址，必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上，借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元，锁存信号也靠着外部地址电路产生。
当要从DRAM芯片中读出数据时，CPU首先将行地址加在A0-A7上，而后送出RAS锁存信号，该信号的下降沿将地址锁存在芯片内部。接着将列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS锁存信号，也是在信号的下降沿将列地址锁存在芯片内部。然后保持WE=1，则在CAS有效期间数据输出并保持。
当需要把数据写入芯片时，行列地址先后将RAS和CAS锁存在芯片内部，然后，WE有效，加上要写入的数据，则将该数据写入选中的存贮单元。

存储器芯片
由于电容不可能长期保持电荷不变，必须定时对动态存储电路的各存储单元执行重读操作，以保持电荷稳定，这个过程称为动态存储器刷新。PC/XT机中DRAM的刷新是利用DMA实现的。首先应用可编程定时器8253的计数器1，每隔1⒌12μs产生一次DMA请求，该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时，DMA控制器送出到刷新地址信号，对动态存储器执行读操作，每读一次刷新一行。

Ⅲ FLASH存储器是什么

什么是flash
memory存储器
介绍关于闪速存储器有关知识
近年来，发展很快的新型半导体存储器是闪速存储器(flash
memory)。它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言，flash
memory属于eeprom(电擦除可编程只读存储器)类型。它既有rom的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写，
功耗很小。目前其集成度已达4mb，同时价格也有所下降。
由于flash
memory的独特优点，如在一些较新的主板上采用flash
rom
bios，会使得bios
升级非常方便。
flash
memory可用作固态大容量存储器。目前普遍使用的大容量存储器仍为硬盘。硬盘虽有容量大和价格低的优点，但它是机电设备，有机械磨损，可靠性及耐用性相对较差，抗冲击、抗振动能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬盘的手段。由于flash
memory集成度不断提高，价格降低，使其在便携机上取代小容量硬盘已成为可能。
目前研制的flash
memory都符合pcmcia标准，可以十分方便地用于各种便携式计算机中以取代磁盘。当前有两种类型的pcmcia卡，一种称为flash存储器卡，此卡中只有flash
memory芯片组成的存储体，在使用时还需要专门的软件进行管理。另一种称为flash驱动卡，此卡中除flash芯片外还有由微处理器和其它逻辑电路组成的控制电路。它们与ide标准兼容，可在dos下象硬盘一样直接操作。因此也常把它们称为flash固态盘。
flash
memory不足之处仍然是容量还不够大，价格还不够便宜。因此主要用于要求可靠性高，重量轻，但容量不大的便携式系统中。在586微机中已把bios系统驻留在flash存储器中。

Ⅳ 闪速存储器的介绍

闪速存储器是取代传统的EPROM和EEPROM的主要非挥发性（永久性）的存储器，大部分586主板的BIOS都使用闪速存储器。

Ⅳ 简述掌握设计Flash Memory的优点,分类以及使用方法

Flash Memory是闪速存储器。近年来,发展很快的新型半导体存储器是闪速存储器(Flash Memory)。它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言,Flash Memory属于EEPROM(电擦除可编程只...

Ⅵ 什么是FLASH存储器

什么是Flash Memory存储器

介绍关于闪速存储器有关知识 近年来，发展很快的新型半导体存储器是闪速存储器(Flash Memory)。它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言，Flash Memory属于EEPROM(电擦除可编程只读存储器)类型。它既有ROM的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写， 功耗很小。目前其集成度已达4MB，同时价格也有所下降。

由于Flash Memory的独特优点，如在一些较新的主板上采用Flash ROM BIOS，会使得BIOS 升级非常方便。 Flash Memory可用作固态大容量存储器。目前普遍使用的大容量存储器仍为硬盘。硬盘虽有容量大和价格低的优点，但它是机电设备，有机械磨损，可靠性及耐用性相对较差，抗冲击、抗振动能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬盘的手段。由于Flash Memory集成度不断提高，价格降低，使其在便携机上取代小容量硬盘已成为可能。 目前研制的Flash Memory都符合PCMCIA标准，可以十分方便地用于各种便携式计算机中以取代磁盘。当前有两种类型的PCMCIA卡，一种称为Flash存储器卡，此卡中只有Flash Memory芯片组成的存储体，在使用时还需要专门的软件进行管理。另一种称为Flash驱动卡，此卡中除Flash芯片外还有由微处理器和其它逻辑电路组成的控制电路。它们与IDE标准兼容，可在DOS下象硬盘一样直接操作。因此也常把它们称为Flash固态盘。 Flash Memory不足之处仍然是容量还不够大，价格还不够便宜。因此主要用于要求可靠性高，重量轻，但容量不大的便携式系统中。在586微机中已把BIOS系统驻留在Flash存储器中。

http://bbs.zol.com.cn/index20060220/index_17_241442.html

Ⅶ ROM,RAM是代表什么总分不清了！

名词解释1，ROM：Read Only Memory 只读存储器
顾名思义，就是说这种存储器好像写保护的软盘，CD-R一样只可以读不可以写，属于非易失性存储器NVM（Non-Volatile Memory）。ROM中的信息一旦写入就不能进行修改，其信息断电之后也仍然保留。有人可能要问，那么原来的数据又是如何写进去的呢？事实上，ROM在刚做好是是没有数据的，在ROM出厂之前，厂家可以通过加电来一次性写入数据，和一次性可写光盘（CD-R）一样， 这种ROM就是大家常说的掩模ROM（Mask ROM）了。这也就是为什么叫做ROM的原因。
ROM的特点是：烧入数据后，无需外加电源来保存数据。断电数据不丢失。但速度较慢。适合存储需长期保留的不变数据。
ROM的发展和分类：IT技术的发展一日千里，人们的需求也在不断提升。人们在要求能无电保存可靠数据的同时，还需要在必要时可以改写里面的数据或程序从而提升性能（当然不是轻易地，随时地改写，否则就并不可靠了）。市场的需求促使技术的发展，新的ROM品种不断地推出，功能不断地多样化。以至于很多人对ROM和RAM的界限开始模糊。下面就来简单对ROM分类一下：
-Mask ROM （掩模ROM）：上面已经说过了，一次性由厂家写入数据的ROM，用户无法修改。
-PROM （Programmable ROM可编程ROM）： 和掩模ROM不同的是出厂是厂家并没有写入数据，而是保留里面的内容为全0或全1，由用户来编程一次性写入数据，也就是改变部分数据为1或0。地球人都知道每一位就是一个数据用0或1来代表。
-EPROM（Erasable Programmable ROM电可擦写ROM）： EPROM是通过紫外光的照射，擦掉原先的程序。芯片可重复擦除和写入，解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。
-EEPROM (E2PROM) 电可擦除可编程ROM： EEPROM是通过加电擦除原数据，通过高压脉冲可以写入数据。方便使用当然价格也是很高，而且写入时间很长，写入很慢。
-Flash ROM闪速存储器： 闪速存储器具有结构简单、控制灵活、编程可靠、加电擦写快捷的优点，而且集成度可以做得很高，它综合了前面的所有优点：不会断电丢失数据（NVRAM），快速读取，电可擦写可编程（EEPROM），因此在Mobile phone，PC，PPC等电器中成功地获得了广泛的应用。

2，RAM：Random Access Memory 随机存取存储器
随机存取存储器一种存储单元结构，用于保存CPU处理 的数据信息。"随机"（Random）存取是与"顺序（serial）"存取相对而言的，意思是CPU可以 从RAM中任意地址中直接读取所需的数据，而不必从头至尾一一查找。
RAM的特点是：内容可以随时刷新，访问速度快，但是掉电后其存储的信息会丢失。
RAM的发展和分类：在RAM 随机存储器中，其中又有SRAM（Static RAM静态RAM）DRAM（Dynamic RAM 动态RAM）。只要只要电源开着，就会保存。而DRAM保存数据的时间很短，需要不断地刷新才可以保持数据。从价格上看，SRAM是非常昂贵的，而DRAM相比很便宜。在2001年，一种新型内存：DDR内存 （Double Data Rate）面世了。对大多数人来说，DDR仍然是一个陌生的名词，然而，它确是数以百计顶级内存和系统设计师3年来通力合作的结晶。DDR的出现预示着内存带宽和性能的全面提高，而DDR的价格更低。DDR与普通同步动态随机内存（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（现在被称为SDR）与标准DRAM有所不同。标准的DRAM接收的地址命令由二个地址字组成。同步动态随机内存（SDR DRAM)将时钟与标准DRAM结合，RAS、CAS、数据有效均在时钟脉冲的上升边沿被启动。DDR内存与SDR内存工作原理基本相同，但DDR在时钟脉冲的上升和下降沿均读取数据，所以数据传输率可以是时钟频率的两倍。这个和我们的话题扯远了，暂且不提。

PPC中的ROM和RAM
通过以上的讲解，相信大家都看出来了。新一代ROM和RAM的最大差别在于断电是否可以保留信息，而不在于是否可以读写。现在让我们看一下PPC中的ROM和RAM。
1，PPC中的ROM：通常的机器厂家都会说明ROM和RAM的大小，例如64M ROM和64M RAM。PPC中不存在象PC里的系统重装问题，PPC的操作系统（如WinCE，PPC 2002， 2003， 2003se etc.）是固化在它的ROM里面的（也就是Flash ROM ，下同，因为方便升级改版，例如英文机可以刷成中文机就是改写了Flash ROM里的系统）。PPC用户不必象PC用户格式化硬盘来重装系统，你只要硬启动你的机器就可以直接达到和PC上格式化硬盘+重装系统的效果，得到PPC出厂时的系统。可见，操作系统放在ROM里掉电可以保存，安全可靠，随时可以恢复。PPC的ROM就是用来存放这类数据的。例如HP iPAQ系列的机器会在ROM里面预留出一定空间（如20M）给用户使用或备份，放在iPAQ file store里面。这样如果需要重装时可以把需要保留的数据或程序放到iPAQ里。

注： PPC上ROM的大小，请到setting中的系统信息里查询（例如iPAQ的HP Asset Viewer），否则请向厂家查询。

2，PPC中的RAM：由于RAM的速度快，所以需要运行的程序包括系统程序和应用程序都会放在RAM里面以便随时执行操作。例如，如果你新装一个软件到你的PPC里，这个软件是会被放到PPC的RAM里面以备随时调用。顺带说一下，PPC的注册表数据和运行程序需要的系统文件也是放在RAM里面，他们是被用来设置应用程序运行时的参数的。进入PPC->setting->memory你可以看到你的RAM已经被划分位两部分来管理了， 一部分是storage， 另一部分是program。Storage就是指用来存放你安装软件的那部分内存。Program部分自然就是用来加载操作系统和运行软件时使用的内存了。RAM空间越大，特别是the space for program，机器的速度就会相应地越快。

附录-Q&A
1， 在坛子里有一种流行的说法是：ROM相当于PC的硬盘，RAM相当于PC的内存。我想说的是：两者并不等同。当然，为了便于理解可以简单地说成那样。但决不表示他们是一回事。最典型的一个区别就是在PC中是不会把应用程序安装到RAM里面的，而PPC却是如此。另外就是注册表了，在PC中是不会把整个注册表放到RAM里的。
2， 在某些PPC RAM中的资料并不是一掉电立即资料全无，有可能会利用PPC自带的电源暂时供电支持一会儿，但是时间不会很长。取决于不同机器的设计。
3， 外接的插卡象CF, SD, MMC等在硬启动时数据不丢失，所以其实备份时只是安装在RAM中的备份软件和注册表。
4， 有些PPC安装程序时也可以选择安装到ROM里，例如象HP的PPC可以安装到 iPAQ file store里，这样就算重装也可以保留软件了（导入注册表就可以用了）。

Ⅷ 闪速存储器的结构图

闪速存储器 NOR技术 DINOR技术 NAND技术 UltraNAND技术

一、 闪速存储器的特点
闪速存储器（Flash Memory）是一类非易失性存储器NVM（Non-Volatile Memory）即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息；而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器，当供电电源关闭时片内信息随即丢失。 Flash Memory集其它类非易失性存储器的特点：与EPROM相比较，闪速存储器具有明显的优势——在系统电可擦除和可重复编程，而不需要特殊的高电压（某些第一代闪速存储器也要求高电压来完成擦除和/或编程操作）；与EEPROM相比较，闪速存储器具有成本低、密度大的特点。其独特的性能使其广泛地运用于各个领域，包括嵌入式系统，如PC及外设、电信交换机、蜂窝电话、网络互联设备、仪器仪表和汽车器件，同时还包括新兴的语音、图像、数据存储类产品，如数字相机、数字录音机和个人数字助理（PDA）。
二、 闪速存储器的技术分类
全球闪速存储器的主要供应商有AMD、ATMEL、Fujistu、Hitachi、Hyundai、Intel、Micron、Mitsubishi、Samsung、SST、SHARP、TOSHIBA，由于各自技术架构的不同，分为几大阵营。
1、NOR技术
NOR
NOR技术（亦称为Linear技术）闪速存储器是最早出现的Flash Memory，目前仍是多数供应商支持的技术架构。它源于传统的EPROM器件，与其它Flash Memory技术相比，具有可*性高、随机读取速度快的优势，在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用，如PC的BIOS固件、移动电话、硬盘驱动器的控制存储器等。
NOR技术Flash Memory具有以下特点：（1） 程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行；（2） 可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以块为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。由于NOR技术Flash Memory的擦除和编程速度较慢，而块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间很长，在纯数据存储和文件存储的应用中，NOR技术显得力不从心。不过，仍有支持者在以写入为主的应用，如CompactFlash卡中继续看好这种技术。
Intel公司的StrataFlash家族中的最新成员——28F128J3，是迄今为止采用NOR技术生产的存储容量最大的闪速存储器件，达到128Mb（位），对于要求程序和数据存储在同一芯片中的主流应用是一种较理想的选择。该芯片采用0.25μm制造工艺，同时采用了支持高存储容量和低成本的MLC技术。所谓MLC技术（多级单元技术）是指通过向多晶硅浮栅极充电至不同的电平来对应不同的阈电压，代表不同的数据，在每个存储单元中设有4个阈电压(00/01/10/11），因此可以存储2b信息；而传统技术中，每个存储单元只有2个阈电压（0/1），只能存储1b信息。在相同的空间中提供双倍的存储容量，是以降低写性能为代价的。Intel通过采用称为VFM（虚拟小块文件管理器）的软件方法将大存储块视为小扇区来管理和操作，在一定程度上改善了写性能，使之也能应用于数据存储中。
DINOR
DINOR(Divided bit-line NOR)技术是Mitsubishi与Hitachi公司发展的专利技术，从一定程度上改善了NOR技术在写性能上的不足。DINOR技术Flash Memory和NOR技术一样具有快速随机读取的功能，按字节随机编程的速度略低于NOR，而块擦除速度快于NOR。这是因为NOR技术Flash Memory编程时，存储单元内部电荷向晶体管阵列的浮栅极移动，电荷聚集，从而使电位从1变为0；擦除时，将浮栅极上聚集的电荷移开，使电位从0变为1。而DINOR技术Flash Memory在编程和擦除操作时电荷移动方向与前者相反。DINOR技术Flash Memory在执行擦除操作时无须对页进行预编程，且编程操作所需电压低于擦除操作所需电压，这与NOR技术相反。
尽管DINOR技术具有针对NOR技术的优势，但由于自身技术和工艺等因素的限制，在当前闪速存储器市场中，它仍不具备与发展数十年，技术、工艺日趋成熟的NOR技术相抗衡的能力。目前DINOR技术Flash Memory的最大容量达到64Mb。Mitsubishi公司推出的DINOR技术器件——M5M29GB/T320，采用Mitsubishi和Hitachi的专利BGO技术，将闪速存储器分为四个存储区，在向其中任何一个存储区进行编程或擦除操作的同时，可以对其它三个存储区中的一个进行读操作，用硬件方式实现了在读操作的同时进行编程和擦除操作，而无须外接EEPROM。由于有多条存取通道，因而提高了系统速度。该芯片采用0.25μm制造工艺，不仅快速读取速度达到80ns，而且拥有先进的省电性能。在待机和自动省电模式下仅有0�33μW功耗，当任何地址线或片使能信号200ns保持不变时，即进入自动省电模式。对于功耗有严格限制和有快速读取要求的应用，如数字蜂窝电话、汽车导航和全球定位系统、掌上电脑和顶置盒、便携式电脑、个人数字助理、无线通信等领域中可以一展身手。
2、NAND技术
NAND
Samsung、TOSHIBA和Fujistu支持NAND技术Flash Memory。这种结构的闪速存储器适合于纯数据存储和文件存储，主要作为SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固态盘的存储介质，并正成为闪速磁盘技术的核心。
NAND技术Flash Memory具有以下特点：（1） 以页为单位进行读和编程操作，1页为256或512B（字节）；以块为单位进行擦除操作，1块为4K、8K或16KB。具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms；而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。（2） 数据、地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。（3） 芯片尺寸小，引脚少，是位成本(bit cost)最低的固态存储器，将很快突破每兆字节1美元的价格限制。（4） 芯片包含有失效块，其数目最大可达到3~35块（取决于存储器密度）。失效块不会影响有效块的性能，但设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。 Samsung公司在1999年底开发出世界上第一颗1Gb NAND技术闪速存储器。据称这种Flash Memory可以存储560张高分辨率的照片或32首CD质量的歌曲，将成为下一代便携式信息产品的理想媒介。Samsung采用了许多DRAM的工艺技术，包括首次采用0.15μm的制造工艺来生产这颗Flash。已经批量生产的K9K1208UOM采用0.18μm工艺，存储容量为512Mb。
UltraNAND
AMD与Fujistu共同推出的UltraNAND技术，称之为先进的NAND闪速存储器技术。它与NAND标准兼容：拥有比NAND技术更高等级的可*性；可用来存储代码，从而首次在代码存储的应用中体现出NAND技术的成本优势；它没有失效块，因此不用系统级的查错和校正功能，能更有效地利用存储器容量。
与DINOR技术一样，尽管UltraNAND技术具有优势，但在当前的市场上仍以NAND技术为主流。UltraNAND 家族的第一个成员是AM30LV0064，采用0.25μm制造工艺，没有失效块，可在至少104次擦写周期中实现无差错操作，适用于要求高可*性的场合，如电信和网络系统、个人数字助理、固态盘驱动器等。研制中的AM30LV0128容量达到128Mb，而在AMD的计划中UltraNAND技术Flash Memory将突破每兆字节1美元的价格限制，更显示出它对于NOR技术的价格优势。
3、AND技术
AND技术是Hitachi公司的专利技术。Hitachi和Mitsubishi共同支持AND技术的Flash Memory。AND技术与NAND一样采用“大多数完好的存储器”概念，目前，在数据和文档存储领域中是另一种占重要地位的闪速存储技术。
Hitachi和Mitsubishi公司采用0.18μm的制造工艺，并结合MLC技术，生产出芯片尺寸更小、存储容量更大、功耗更低的512Mb-AND Flash Memory，再利用双密度封装技术DDP（Double Density Package Technology），将2片512Mb芯片叠加在1片TSOP48的封装内，形成一片1Gb芯片。HN29V51211T具有突出的低功耗特性，读电流为2mA，待机电流仅为1μA，同时由于其内部存在与块大小一致的内部RAM 缓冲区，使得AND技术不像其他采用MLC的闪速存储器技术那样写入性能严重下降。Hitachi公司用该芯片制造128MB的MultiMedia卡和2MB的PC-ATA卡，用于智能电话、个人数字助理、掌上电脑、数字相机、便携式摄像机、便携式音乐播放机等。
4、由EEPROM派生的闪速存储器
EEPROM具有很高的灵活性，可以单字节读写（不需要擦除，可直接改写数据），但存储密度小，单位成本高。部分制造商生产出另一类以EEPROM做闪速存储阵列的Flash Memory，如ATMEL、SST的小扇区结构闪速存储器（Small Sector Flash Memory）和ATMEL的海量存储器（Data-Flash Memory）。这类器件具有EEPROM与NOR技术Flash Memory二者折衷的性能特点：（1） 读写的灵活性逊于EEPROM，不能直接改写数据。在编程之前需要先进行页擦除，但与NOR技术Flash Memory的块结构相比其页尺寸小，具有快速随机读取和快编程、快擦除的特点。（2） 与EEPROM比较，具有明显的成本优势。（3） 存储密度比EEPROM大，但比NOR技术Flash Memory小，如Small Sector Flash Memory的存储密度可达到4Mb，而32Mb的DataFlash Memory芯片有试用样品提供。正因为这类器件在性能上的灵活性和成本上的优势，使其在如今闪速存储器市场上仍占有一席之地。
Small Sector Flash Memory采用并行数据总线和页结构（1页为128或256B），对页执行读写操作，因而既具有NOR技术快速随机读取的优势，又没有其编程和擦除功能的缺陷，适合代码存储和小容量的数据存储，广泛地用以替代EPROM。
DataFlash Memory是ATMEL的专利产品，采用SPI串行接口，只能依次读取数据，但有利于降低成本、增加系统的可*性、缩小封装尺寸。主存储区采取页结构。主存储区与串行接口之间有2个与页大小一致的SRAM数据缓冲区。特殊的结构决定它存在多条读写通道：既可直接从主存储区读，又可通过缓冲区从主存储区读或向主存储区写，两个缓冲区之间可以相互读或写，主存储区还可借助缓冲区进行数据比较。适合于诸如答录机、寻呼机、数字相机等能接受串行接口和较慢读取速度的数据或文件存储应用。