Ⅰ Xilinx中的块存储器是硬件存储器，不占用任何逻辑资源这句话什么意思
硬件存储器的意思，就是物理上存在这个东西，专门用来存储的，如果不是硬存储，那会占用主内存或者运行内存的空间
Ⅱ 6GBRAM后面的BRAM是什么意思
B属于前半段，6GB RAM
存储量为6GB的RAM存储器。
Ⅲ 下列存储设备中，断电后其中信息会丢失的是： ( )
RAM——随机存储器，断电后信息会丢失，选B
Ⅳ 功耗的TDP
TDP的英文全称是“Thermal Design Power”，中文翻译为“热设计功耗”，是反应一颗处理器热量释放的指标，它的含义是当处理器达到负荷最大的时候，释放出的热量，单位为瓦（W）。
CPU的TDP功耗并不是CPU的真正功耗。功耗（功率）是CPU的重要物理参数，根据电路的基本原理，功率（P）=电流（A）×电压（V）。所以，CPU的功耗（功率）等于流经处理器核心的电流值与该处理器上的核心电压值的乘积。而TDP是指CPU电流热效应以及其他形式产生的热能，他们均以热的形式释放。显然CPU的TDP小于CPU功耗。换句话说，CPU的功耗很大程度上是对主板提出的要求，要求主板能够提供相应的电压和电流；而TDP是对散热系统提出要求，要求散热系统能够把CPU发出的热量散掉，也就是说TDP功耗是要求CPU的散热系统必须能够驱散的最大总热量。
现在CPU厂商越来越重视CPU的功耗，因此人们希望TDP功耗越小越好，越小说明CPU发热量小，散热也越容易，对于笔记本来说，电池的使用时间也越长。Intel和AMD对TDP功耗的含义并不完全相同。AMD的的CPU集成了内存控制器，相当于把北桥的部分发热量移到CPU上了，因此两个公司的TDP值不是在同一个基础上，不能单纯从数字上比较。另外，TDP值也不能完全反映CPU的实际发热量，因为现在的CPU都有节能技术，实际发热量显然还要受节能技术的影响，节能技术越有效，实际发热量越小。 功耗一般分两种：来自开关的动态功耗，和来自漏电的静态功耗。而动态功耗又可分为电容充放电（包括网络电容和输入负载），还有当P/N MOS 同时打开形成的瞬间短路电流。静态功耗也可分为几类：扩散区和衬底形成二极管的反偏电流(Idiode)，另外一类是关断晶体管中通过栅氧的电流（Isubthreshold)。芯片的漏电会随温度变化，所以当芯片发热时，静态功耗指数上升。另外漏电流也会随特征尺寸减少而增加。
公式：Ptotal = Pdynamic + Pshort + Pleakage
Pswitch = A * C * V2 * F
Pshort = A (B/12) (V-2Vth)3 * F * T
Pleakage = (Idiode + Isubthreshold) * V 首先定义对功耗的需求，然后分析不同的架构，决定如下需求：system performance, processor and other IP selection, new moles to be designed, target technology, the number of power domains to be considered, target clock frequencies, clock distribution and structure, I/O requirements, memory requirements, analog features and voltage regulation.你还需要定义工作模式：如startup, active, standby, idle, and power down等等，当然这些模式是由软硬件共同决定的。
理想的解决办法是不同工作模式下用不同的工作电压，但这又会造成太过复杂的情况，比如你需要考虑不同电压区域隔离，开关及电压恢复，触发器和存储器的日常存储恢复中状态缺失，等等。简单一点来讲，你可以根据高性能/高电压和低性能/低电压来划分你的设计。接下来你可以考虑系统时钟结构，这对减少动态功耗很有用。你可以使用多个时钟域，降低频率，调整相位等等。一般处理器的软件接口控制都可做到这几点。别忘了可能出现的比如glitch,skew,等问题。
一旦架构确定下来，就可以做RTL code了，当然目标还是低功耗。使用EDA工具时注意mutiple threshold leakage optimization，multiple supply voltage domains，local latch based clock gating, de-clone and re-clone restructuring, operand isolation, and gate level power optimization.
我们一条条的来看：
第一，mutiple threshold leakage optimization。库文件一般有三版：低Vth(快，大漏电），标准Vth,高Vth(慢，低漏电）。工具一般尽量用高Vth cell,而由于timing限制则需用低Vth cell.很明显，选库很重要。
第二，multiple voltage domains。不同工作电压需要库的支持。不同电压区域的划分则需要前后端设计的协作。
第三，local latch based clock gating。这是在成组的flop之前加上特定的clock gating latch.
第四，de-clone and re-clone restructuring。在layout之前,将local clock gating提到更高一级，以利于减少面积，为CTS建立“干净“的起始点。在具体布局时，对local clock gating进行re-clone,以利于优化时钟树。
第五，operand isolation。这一步通过一个通用控制信号，自动识别并关闭data path elements和分层组合模块。
第六，Classical gate level optimization。改变单元尺寸，pin swapping,去除不必要的buffer,合并门，加入buffer减少skew,调整逻辑等等。 大规模集成电路多采用CMOS电路，对于CMOS电路来说，在执行某一任务期间，1个时钟周期的能量消耗为:
式中:M为系统中门电路的个数，Cm为第m个门电路的负载电容， 为第k个门电路每个时钟周期的开关次数，Vdd为电路的电源电压值。
可以看出，影响系统功耗的主要因素有工作电压、负载电容、门电路的开关次数和时钟数。这些参数就是进行SOC系统低功耗设计的出发点。 软硬件划分
软硬件划分是从系统功能的抽象描述着手，把系统功能分解为硬件和软件来实现。通过比较采用硬件方式和软件方式实现系统功能的功耗，得出一个比较合理的低功耗实现方案。由于软硬件的划分处于设计的起始阶段，所以能为降低功耗带来更大的可能。
功耗管理
功耗管理的核心思想是设计并区分不同的工作模式。其管理方式可分为动态功耗管理和静态功耗管理2种。动态功耗管理的思想就是有选择地将不被调用的模块挂起，从而降低功耗。静态功耗管理是对待机工作模式的功耗进行管理，它所要监测的是整个系统的工作状态，而不是只针对某个模块。如果系统在一段时间内一直处于空闲状态，则静态功耗管理就会把整个芯片挂起，系统进入睡眠状态，以减少功耗。
软件代码优化
软件代码的功耗优化主要包括:①在确定算法时，对所需算法的复杂性、并发性进行分析，尽可能利用算法的规整性和可重用性，减少所需的运算操作和运算资源。②把算法转换为可执行代码时，尽可能针对特定的硬件体系结构进行优化。例如，由于访问寄存器比访问内存需要更少功耗，所以，可以通过合理有效地利用寄存器来减少对内存的访问。③在操作系统中充分利用硬件提供的节电模式。随着动态电压缩放技术的出现，操作系统可以通过合理地设置工作状态来减少功耗。 并行结构
并行结构是将1条数据通路的工作分解到2条通路上完成。并行结构降低功耗的主要原因是其获得与参考结构相同的计算速度的前提下，其工作频率可以降低为原来的1/2，同时电源电压也可降低。并行电路结构是以牺牲芯片的面积来降低功耗。假定参考结构中的工作频率为. ，电源电压 ，整个数据通路的等效电容是 ，最坏情况下的延迟为 :，则: 。如果采用并行结构，可以使工作频率降为 /2，最坏情况下的延迟可以达到2 ，假定电源电压降低为 /1.8，由于电路的加倍和外部布线的增加，其等效的电容为2 。则:由上式可以看出，并行结构下功耗有明显的降低。
流水结构
电路流水就是采用插人寄存器的办法降低组合路径的长度，达到降低功耗的目的。一个先相加再比较的电路中间插人流水线寄存器的流水结构。加法器和选择器处在2条不同的组合路径上，电路的工作频率没有改变，但每一级的电路减少，使电源电压可以降低。假设电源电压为 /1.8，由于加入了流水线寄存器，等效电容变为原来的1.2 。则:由上式可见，采用流水线结构也可以显着地降低功耗。
电路流水化和并行化可以达到降低功耗的目的，这是因为设计者可以选择电路的工作电压。如果电路工作电压固定，2种方法只能提高电路的工作速度，但功耗将相应地有所增加。
编码优化
一般可采用One-Hot码、格雷码和总线反转码降低片上系统总线的功耗。
One-Hot码在一个二进制数中只允许1个数位不同于其他各数位的值;格雷码在任何2个连续的数字其对应的二进制码只有1位的数值不同。由于在访问相邻的2个地址的内容时，其跳变次数比较少，从而有效地减少了总线功耗。总线反转码是在传输数据时考虑相邻数据之间的关系来决定传输的格式。当发送部件向总线上传输第 个数据时，会将它和 进行比较，根据比较的结果来决定发送 还是 ，从而减少总线的有效翻转数，进而减少系统的功耗。
除了这几种编码外还有一些更为复杂的低功耗编码，如窄总线编码、部分总线反转编码和自适应编码等，这些编码方式的最终目的就是通过改变编码来降低不同数据切换时的平均翻转次数。在采用这些编码时，设计者应该综合考虑它们带来的其他代价，如增加的编码解码电路等。 在寄存器级进行低功耗设计的主要方法： 门控时钟有2种:门控到达逻辑模块的时钟和门控到达每个触发器的时钟。但不管是哪一种，都能起到降低功耗的作用。门控到达逻辑模块的时钟控制方法如下图所示。中心模块提供给模块A和模块B不同的门控时钟，当模块不工作时，可以关闭该模块，从而达到减少功耗的目的。
模块级时钟门控方法
门控到达每个触发器的时钟控制方法如下图所示。当寄存器保持数据时，可以关闭寄存器时钟输入，减少功耗。
门控时钟控制的寄存器 存储分区访问是将一个大的存储模块分成不同的小的存储模块，通过译码器输出的高位地址来区分不同的存储模块。工作中，只有被访问的存储器才工作，其他几块存储器不工作。多模块RAM的架构如下图所示。
多模块ram架构
根据参考文献[[4]，采用此种方法可以将RAM的功耗减少12.5%。 预计算是提前进行位宽较小的计算工作，如果这些操作得到的信息可以代表实际的运算结果，就可以避免再进行位宽较大的计算工作，降低电路的有效翻转率，从而达到降低功耗的目的。
Ⅳ 换昂达h61主板出现这种情况，cpu是i52400。打开bios里的（over 77w tdp c
可以继续使用，超过主板支持的TDP，CPU如果满载使用可能会供电不足，仅此而已。
Ⅵ RAM的特点
RAM的特点（B、可随机读写数据，断电后数据将全部丢失）。
RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入（存入）或读出（取出）信息。它与ROM的最大区别是数据的易失性，即一旦断电所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。
随机存取存储器（RAM）既可向指定单元存入信息又可从指定单元读出信息。任何RAM中存储的信息在断电后均会丢失，所以RAM是易失性存储器。
(6)bram存储器tdp模式扩展阅读：
当电源关闭时，RAM不能保留数据。如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的存储设备中（例如硬盘）。RAM的工作特点是通电后，随时可在任意位置单元存取数据信息，断电后内部信息也随之消失。
在计算机中，RAM 、ROM都是数据存储器。RAM 是随机存取存储器，它的特点是易挥发性，即掉电失忆。ROM 通常指固化存储器，它的特点与RAM 相反。举个例子来说也就是，如果突然停电或者没有保存就关闭了文件，那么ROM可以随机保存之前没有储存的文件但是RAM会使之前没有保存的文件消失。
Ⅶ 下列有关存储器读写速度的排列,正确的是( )。(1分)acache>ram>硬盘>软盘bram>
B 一定对
Ⅷ vivado + axi bram controller + memory depth + 怎么设置
memory depth就是你要访问的存储器深度，设置好后在SDK里面就能直接访问该地址空间。
Ⅸ 51单片机程序存储器扩展的一些问题
RAM还是RAM，当然有起作用了，如果RAM不够就要扩展，51RAM只有128B,有时确实不够用，也可以用52、53的单片机，看看程序有没写错了。
有点奇怪，为什么要用AT28C64呢，可以用AT89S52内部就有8KB的FLASH，而且两种价格相当，我这52跟51是一样的。
还是建议你不要用扩展的ROM，用来玩还可以，用来做设计不实用，占用太多IO口不说，安全性不高，你也不想自己苦写的程序被人盗走吧。
你可以提高编程技巧，使程序简捷，减少占用空间。或改用其它内带大容量ROM的芯片。
51的ROM确实小，不过我还没写出超出8K的（汇编），用AVR的吧如：ATmega32吧，内部就有32K的FLASH，2KBRAM,1KBEEPROM跟51一样40个脚，速度大约是51的8倍。ATmega128有128K的FLASH（不过管脚有点多），跟AT89S51是同一个厂家.