⑴ 第三代半导体芯片龙头股排名
1、三安光电：LED光电龙头，也是集成电路新贵。主营业务涵盖超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料等产品的研发、生产与销售。旗下MiniLED已实现量产且打入三星供应链，在第三代半导体方面，旗下有30万片/年砷化镓和6万片/年氮化镓外延片生产线和国内第一家六寸化合物半导体晶圆代工厂。
2、闻泰科技：公司将加大在第三代半导体领域投资，大力发展氮化镓和碳化硅技术。
3、扬杰科技：捷捷微电300623.SZ：公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发的是以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，具有耐高压、耐高温、高速和高效等优点，可大幅降低电能变换中的能量损失，大幅减小和减轻电力电子变换装置。
4、赛微电子：公司从事第三代半导体业务，主要是指GaN(氮化镓)材料的生长与器件的设计，公司已成功研制8英寸硅基氮化镓外延晶圆，且正在持续研发氮化镓器件。
5、聚灿光电：第三代半导体概念其他的还有： 华天科技、华微电子、鼎龙股份、华峰测控、华特气体等。
拓展资料：
1、龙头股指的是某一时期在股票市场的炒作中对同行业板块的其他股票具有影响和号召力的股票，它的涨跌往往对其他同行业板块股票的涨跌起引导和示范作用。龙头股并不是一成不变的，它的地位往往只能维持一段时间。成为龙头股的依据是，任何与某只股票有关的信息都会立即反映在股价上。
2、龙头股必须从涨停板开始，涨停板是多空双方最准确的攻击信号，不能涨停的个股，不可能做龙头.龙头股必须是在某个基本面上具有垄断地位。龙头股流通市要适中，大市值股票和小盘股都不可能充当龙头。11月起动股流通市值大都在5亿左右。龙头股必须同时满足日KDJ，周KDJ，月KDJ同时低价金叉。
3、龙头股通常在大盘下跌末期端，市场恐慌时，逆市涨停，提前见底，或者先于大盘启动，并且经受大盘一轮下跌考验。再如12月2日出现的新龙头太原刚玉，它符合刚讲的龙头战法，一是从涨停开始，且筹码稳定，二是低价即3.91元，三是流通市值起动才4.5亿，周二才6.4亿，从底部起涨，炒到翻倍也不过10亿，也就是说不到2－3亿的私募资金或游资就可以炒作。四是该股日周月KDJ同时金叉，说明该股主力有备而来。五是该股在大盘恐慌末端，逆市涨停，此时大盘还在下跌，但并没有影响此股涨停。通过以上介绍可以看出龙头的起涨过程，也说明下跌并不可怕，可怕的是大盘下跌，没有龙头出现。
⑵ 衬底的材料简介
氮化物衬底材料的研究与开发增大字体复位宽带隙的GaN基半导体在短波长发光二极管、激光器和紫外探测器，以及高温微电子器件方面显示出广阔的应用前景；对环保，其还是很适合于环保的材料体系。半导体照明产业发展分类所示的若干主要阶段，其每个阶段均能形成富有特色的产业链。世界各国现在又投入了大量的人力、财力和物力，以期望取得GaN基高功率器件的突破，并且居于此领域的制高点。“氮化物衬底材料与半导体照明的应用前景”文稿介绍了氮化物衬底材料与半导体照明的应用前景的部分内容。
GaN、AlN、InN及其合金等材，是作为新材料的GaN系材料。对衬底材料进行评价要就衬底材料综合考虑其因素，寻找到更加合适的衬底是发展GaN基技术的重要目标。评价衬底材料要综合考虑衬底与外延膜的晶格匹配、衬底与外延膜的热膨胀系数匹配、衬底与外延膜的化学稳定性匹配、材料制备的难易程度及成本的高低的因素。InN的外延衬底材料就现在来讲有广泛应用的。自支撑同质外延衬底的研制对发展自主知识产权的氮化物半导体激光器、大功率高亮度半导体照明用LED，以及高功率微波器件等是很重要的。“氮化物衬底材料的评价因素及研究与开发”文稿介绍了氮化物衬底材料的评价因素及研究与开发的部分内容。 GaN是直接带隙的材料，其光跃迁几率比间接带隙的高一个数量级。因此，宽带隙的GaN基半导体在短波长发光二极管、激光器和紫外探测器，以及高温微电子器件方面显示出广阔的应用前景；对环保，其还是很适合于环保的材料体系。
1994年，日本的Nicha公司在GaN/Al2O3上取得突破，1995年，GaN器件第一次实现商品化。1998年，GaN基发光二极管LED市场规模为US$5.0亿，2000年，市场规模扩大至US$13亿。据权威专家的预计，GaN基LED及其所用的Al2O3衬底在国际市场上的市场成长期将达到50年之久。GaN基LED及其所用的Al2O3衬底具有独特的优异物化性能，并且具有长久耐用性。预计，2005年GaN基器件的市场规模将扩大至US$30亿，GaN基器件所用的Al2O3衬底的市场规模将扩大至US$5亿。
半导体照明产业发展分类所示的若干主要阶段，其每个阶段均能形成富有特色的产业链：
（1）第一阶段
第一阶段（特种照明时代，2005年之前），其中有：仪器仪表指示；金色显示、室内外广告；交通灯、信号灯、标致灯、汽车灯；室内长明灯、吊顶灯、变色灯、草坪灯；城市景观美化的建筑轮廓灯、桥梁、高速公路、隧道导引路灯，等等。
（2）第二阶段第二阶段（照明时代，2005~2010年），其中有：CD、DVD、H-DVD光存储；激光金色显示；娱乐、条型码、打印、图像记录；医用激光；开拓固定照明新领域，衍生出新的照明产业，为通用照明应用打下基础，等等。（3）第三阶段第三阶段（通用照明时代，2010年之后），包括以上二个阶段的应用，并且还全面进入通用照明市场，占有30~50%的市场份额。
到达目前为止（处于第一阶段，特种照明时代），已纷纷将中、低功率蓝色发光二极管(LED)、绿色LED、白光LED、蓝紫色LED等实现了量产，走向了商业市场。高功率蓝色发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和全波段InN-GaN等，将会引发新的、更加大的商机，例如，光存储、光通讯等。实现高功率蓝色发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和全波段InN-GaN实用化，并且达到其商品化，这需要合适的衬底材料。因此，GaN材料及器件发展，需要寻找到与GaN匹配的衬底材料，进一步提高外延膜的质量。
另外，就基础研究和中长期计划考虑，科技发展越来越需要把不同体系的材料结合到一起，即称之为异质结材料。应用协变衬底可以将晶格和热失配的缺陷局限在衬底上，并且为开辟新的材料体系打下基础。已提出了多种协变衬底的制备技术，例如，自支撑衬底、键合和扭曲键合、重位晶格过渡层，以及SOI和VTE衬底技术等。预计，在今后的10~20年中，大尺寸的、协变衬底的制备技术将获得突破，并且广泛应用于大失配异质结材料生长及其相联系的光电子器件制造。
世界各国现在又投入了大量的人力、财力和物力，并且以期望取得GaN基高功率器件的突破，居于此领域的制高点。
氮化物衬底材料的评价因素及研究与开发GaN、AlN、InN及其合金等材料，是作为新材料的GaN系材料。对衬底材料进行评价，要就衬底材料综合考虑其因素，寻找到更加合适的衬底是作为发展GaN基技术的重要目标。 InN的外延衬底材料就现在来讲有广泛应用的，其中有：InN；α－Al2O3(0001)；6H-SiC；MgAl2O4(111)；LiAlO2和LiGaO2；MgO；Si；GaAs(111)等。
Ⅲ-Ⅴ族化合物，例如，GaN、AlN、InN，这些材料都有二种结晶形式：一种是立方晶系的闪锌矿结构，而另一种是六方晶系的纤锌矿结构。以蓝光辐射为中心形成研究热点的是纤锌矿结构的氮化镓、氮化铝、氮化铟，而且主要是氮化镓、氮化铝、氮化铟的固溶体。这些材料的禁带是直接跃迁型，因而有很高的量子效率。用氮化镓、氮化铝、氮化铟这三种材料按不同组份和比例生成的固溶体，其禁带宽度可在2.2eV到6.2eV之间变化。这样，用这些固溶体制造发光器件，是光电集成材料和器件发展的方向。
（1）InN和GaN
因为异质外延氮化物薄膜通常带来大量的缺陷，缺陷损害了器件的性能。与GaN一样，如果能在InN上进行同质外延生长，可以大大减少缺陷，那么器件的性能就有巨大的飞跃。
自支撑同质外延GaN,AlN和AlGaN衬底是目前最有可能首先获得实际应用的衬底材料。
（2）蓝宝石(α-Al2O3)和6H-SiC
α-Al2O3单晶，即蓝宝石晶体。(0001)面蓝宝石是目前最常用的InN的外延衬底材料。其匹配方向为：InN(001)//α－Al2O3(001),InN[110]//α－Al2O3[100][11,12]。因为衬底表面在薄膜生长前的氮化中变为AlON,InN绕α－Al2O3(0001)衬底的六面形格子结构旋转30°，这样其失匹配度就比原来的29%稍有减少。虽然(0001)面蓝宝石与InN晶格的失配率高达25%，但是由于其六方对称，熔点为2050℃，最高工作温度可达1900℃，具有良好的高温稳定性和机械力学性能，加之对其研究较多，生产技术较为成熟，而且价格便宜，现在仍然是应用最为广泛的衬底材料。
6H-SiC作为衬底材料应用的广泛程度仅次于蓝宝石。同蓝宝石相比，6H-SiC与InN外延膜的晶格匹配得到改善。此外，6H-SiC具有蓝色发光特性，而且为低阻材料，可以制作电极，这就使器件在包装前对外延膜进行完全测试成为可能，因而增强了6H-SiC作为衬底材料的竞争力。又由于6H-SiC的层状结构易于解理，衬底与外延膜之间可以获得高质量的解理面，这将大大简化器件的结构；但是同时由于其层状结构，在衬底的表面常有给外延膜引入大量的缺陷的台阶出现。
（3）镁铝尖晶石(MgAl2O4)
MgAl2O4晶体，即铝酸镁晶体。MgAl2O4晶体是高熔点(2130℃)、高硬度（莫氏8级）的晶体材料，属面心立方晶系，空间群为Fd3m,晶格常数为0.8085nm。MgAl2O4晶体是优良的传声介质材料，在微波段的声衰减低，用MgAl2O4晶体制作的微波延迟线插入损耗小。MgAl2O4晶体与Si的晶格匹配性能好，其膨胀系数也与Si相近，因而外延Si膜的形变扭曲小，制作的大规模超高速集成电路速度比用蓝宝石制作的速度要快。此外，国外又用MgAl2O4晶体作超导材料，有很好的效果。近年来，对MgAl2O4晶体用于GaN的外延衬底材料研究较多。由于MgAl2O4晶体具有良好的晶格匹配和热膨胀匹配，(111)面MgAl2O4晶体与GaN晶格的失配率为9%，具有优良的热稳定性和化学稳定性，以及良好的机械力学性能等优点，MgAl2O4晶体目前是GaN较为合适的衬底材料之一，已在MgAl2O4基片上成功地外延出高质量的GaN膜，并且已研制成功蓝光LED和LD。此外，MgAl2O4衬底最吸引人之处在于可以通过解理的方法获得激光腔面。
在前面的研究基础上，近来把MgAl2O4晶体用作InN的外延衬底材料的研究也陆续见之于文献报道。其之间的匹配方向为：InN(001)//MgAl2O4(111)，InN[110]//MgAl2O4[100]，InN绕MgAl2O4(111)衬底的四方、六方形格子结构旋转30°。研究表明(111)面MgAl2O4晶体与InN晶格的失配率为15%，晶格匹配性能要大大优于蓝宝石，(0001)面蓝宝石与InN晶格的失配率高达25%。而且，如果位于顶层氧原子层下面的镁原子占据有效的配位晶格位置，以及氧格位，那么这样可以有希望将晶格失配率进一步降低至7%，这个数字要远远低于蓝宝石。所以MgAl2O4晶体是很有发展潜力的InN的外延衬底材料。
（4）LiAlO2和LiGaO2
以往的研究是把LiAlO2和LiGaO2用作GaN的外延衬底材料。LiAlO2和LiGaO2与GaN的外延膜的失配度相当小，这使得LiAlO2和LiGaO2成为相当合适的GaN的外延衬底材料。同时LiGaO2作为GaN的外延衬底材料,还有其独到的优点：外延生长GaN后，LiGaO2衬底可以被腐蚀，剩下GaN外延膜，这将极大地方便了器件的制作。但是由于LiGaO2晶体中的锂离子很活泼，在普通的外延生长条件下（例如，MOCVD法的化学气氛和生长温度）不能稳定存在，故其单晶作为GaN的外延衬底材料还有待于进一步研究。而且在目前也很少把LiAlO2和LiGaO2用作InN的外延衬底材料。
（5）MgO
MgO晶体属立方晶系，是NaCl型结构，熔点为2800℃。因为MgO晶体在MOCVD气氛中不够稳定，所以对其使用少，特别是对于熔点和生长温度更高的InN薄膜。
（6）GaAs
GaAs(111)也是目前生长InN薄膜的衬底材料。衬底的氮化温度低于700℃时，生长InN薄膜的厚度小于0.05μm时，InN薄膜为立方结构，当生长InN薄膜的厚度超过0.2μm时，立方结构消失，全部转变为六方结构的InN薄膜。InN薄膜在GaAs(111)
衬底上的核化方式与在α－Al2O3(001)衬底上的情况有非常大的差别，InN薄膜在GaAs(111)衬底上的核化方式没有在白宝石衬底上生长InN薄膜时出现的柱状、纤维状结构，表面上显现为非常平整。
（7）Si
单晶Si，是应用很广的半导体材料。以Si作为InN衬底材料是很引起注意的，因为有可能将InN基器件与Si器件集成。此外，Si技术在半导体工业中已相当的成熟。可以想象，如果在Si的衬底上能生长出器件质量的InN外延膜，这样则将大大简化InN基器件的制作工艺，减小器件的大小。
（8）ZrB2
ZrB2是2001年日本科学家首次提出用于氮化物外延新型衬底。ZrB2与氮化物晶格匹配，而且其具有匹配的热膨胀系数和高的电导率。主要用助熔剂法和浮区法生长。
自支撑同质外延衬底的研制对发展自主知识产权的氮化物半导体激光器、大功率高亮度半导体照明用LED，以及高功率微波器件等是很重要的。
⑶ 氮化镓是金属材料吗
氮化镓（GAN)是什么？
氮化镓（GAN）是第三代半导体材料的典型代表，在T=300K时为，是半导体照明中发光二极管的核心组成部份。氮化镓是一种人造材料，自然形成氮化镓的条件极为苛刻，需要2000多度的高温和近万个大气压的条件才能用金属镓和氮气合成为氮化镓 ，在自然界是不可能实现的。
大家都知道，第一代半导体材料是硅，主要解决数据运算、存储的问题；第二代半导体是以砷化镓为代表，它被应用到于光纤通讯，主要解决数据传输的问题；第三代半导体则就是以氮化镓为代表，它在电和光的转化方面性能突出，在微波信号传 输方面的效率更高，所以可以被广泛应用到照明、显示、通讯等各大领域。1998年，美国科学家研制出了首个氮化镓晶体管。
氮化镓（GAN)的性能特点
高性能：主要包括高输出功率、高功率密度、高工作带宽、高效率、体积小、重量轻等。目前第一代和第二代半导体材料在输出功率方面已经达到了极限，而GaN半导体由于在热稳定性能方面的优势，很容易就实现高工作脉宽和高工作比，将天线单 元级的发射功率提高10倍。
高可靠性：功率器件的寿命与其温度密切相关，温结越高，寿命越低。GaN材料具有高温结和高热传导率等特性，极大的提高了器件在不同温度下的适应性和可靠性。GaN器件可以用在650°C以上的军用装备中。
低成本：GaN半导体的应用，能够有效改善发射天线的设计，减少发射组件的数目和放大器的级数等，有效降低成本。目前GaN已经开始取代GaAs作为新型雷达和干扰机的T/R（收/发）模块电子器件材料。美军下一代的AMDR（固态有源相控阵雷达） 便采用了GaN半导体。氮化镓禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，使得它成为迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系，并可以成为制备宽波谱、高功率、高效率的微电 子、电力电子、光电子等器件的关键基础材料。
GaN较宽的禁带宽度(3.4eV) 及蓝宝石等材料作衬底，散热性能好，有利于器件在大功率条件下工作。随着对Ⅲ族氮化物材料和器件研究与开发工作的不断深入，GaInN超高度蓝光、绿光LED技术已经实现商品化，现在世界各大公司和研究机构都纷纷 投入巨资加入到开发蓝光LED的竞争行列。
氮化镓的应用
氮化镓作为半导体发光二极管应用于LED照明也已经在中国发展得风起云涌。目前市场上大规模应用于LED照明的氮化镓芯片距离氮化镓真正的“神奇能量”还相距甚远。GaN半导体可以使得汽车、消费电子、电网、高铁等产业系统所使用的各类电机、 逆变器、AC/DC转换器等变得更加节能、高效。GaN用在大功率器件中可以降低自身功耗的同时提高系统其它部件的能效，节能20%-90%。
氮化镓的未来发展
GaN宽禁带电力电子器件代表着电力电子器件领域发展方向，材料和工艺都存在许多问题有待解决，即使这些问题都得到解决，它们的价格肯定还是比硅基贵。预计到2019年，硅基GaN的价格可能下降到可与硅材料相比拟的水平。由于它们的优异特 性可能主要用于中高端应用，与硅全控器件不可能全部取代硅半控器件一样，SiC和GaN宽禁带电力电子器件在将来也不太可能全面取代硅功率MOSFET、IGBT和GTO(包括IGCT)。SiC电力电子器件将主要用于1200V以上的高压工业应用领域；GaN电力电 子器件将主要用于900V以下的消费电子、计算机/服务器电源应用领域。
GaN作为第三代半导体材料，其性质决定了将更适合4G乃至未来5G等技术的应用。从现在的市场状况来看，GaAs仍然是手机终端PA和LNA等的主流，而LDMOS则处于基站RF的霸主地位。但是，伴随着Si材料和GaAs材料在性能上逐步达到极限，我们预计 GaN半导体将会越来越多的应用在无线通信领域中。
⑷ 昱科是日本的品牌吗
不是日本的，是美国的。
2011年，西数以43亿美元收购日立环球存储技术公司（HGST），深圳的公司更名为昱科环球存储科技（深圳）有限公司。
合并后的新公司将保持西部数据名称，总部也仍然设在西部数据公司现有总部美国加州Irvine市。
西部数据主要高管，包括CEO首席执行官John Coyne，COO首席运营官Tim Leyden，CFO首席财务官Wolfgang Nickl都将继续留任，而HGST公司CEO Steve Miligan将在合并完成后担任新公司总裁，直接向John Coyne报告。
(4)gan存储扩展阅读：
昱科环球存储科技(深圳)有限公司成立于1998年01月16日，注册地位于深圳市福田区保税区蓝花道7号，法人代表为张士清。
经营范围包括一般经营项目是：许可经营项目是：
1、制造和销售信息存储/显示产品（包括但不限于磁阻磁头/巨组磁阻磁头（MR/GMR）、MR/GMR磁头平衡环组件（HGA）、MR/GMR磁头堆栈组件（HSA）、磁头驱动器组件（TAA）和平面液晶显示器）及其他信息技术产品、装置、元器件（以下简称“有关产品”）。
包括经由有关主管部门批准后委托福田保税区（“保税区”）以外的实体从事部分加工业务；
2、进行有关产品的内销和外销；与保税区内实体及保税区内的贸易代理商从事贸易业务；与保税区以外具有进出口经营权的实体直接进行贸易。
3、就有关产品提供维修、售后服务及有关技术服务。
4、从事信息技术行业的开发和研究工作。
5、为从事上述经营范围内的业务而采购、进口零部件和元器件并提供仓储。
6、向其他HGST 的实体及其合资企业提供服务。
7、内销比例可达100％。
⑸ 当前计算机内存储器使用的是什么材料
晶圆
由于是晶体材料，其形状为圆形，所以称为晶圆。衬底材料有硅、锗、GaAs、InP、GaN等。由于硅最为常用，如果没有特别指明晶体材料，通常指硅晶圆。
在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。
(5)gan存储扩展阅读
经常会看到有些以尺寸表示的晶圆厂，如12英寸晶圆厂，8英寸晶圆厂。12英寸指的是晶圆的直径，差不多相当于300mm，晶圆尺寸越大，制造难度越高，切割的出来的芯片也会更多。随着芯片尺寸越来越小，一块晶圆上可以切割出数千个芯片。
12英寸目前是市场的主流，将近七成的晶圆产能为12英寸，8英寸的产能逐渐减少。接下来就是包括光刻，制作晶体管，晶圆切割，测试，封装等一系列复杂工序，最后得到芯片成品。
⑹ 光电子材料
光电子材料
optoelectronic material
在光电子技术领域应用的，以光子、电子为载体，处理、存储和传递信息的材料。光电子技术是结合光学和电子学技术而发展起来的一门新技术，主要应用于信息领域，也用于能源和国防领域。已使用的光电子材料主要分为光学功能材料、激光材料、发光材料、光电信息传输材料（主要是光导纤维）、光电存储材料、光电转换材料、光电显示材料（如电致发光材料和液晶显示材料）和光电集成材料。
（一）新型光电子材料及相关基础材料、关键设备和特种光电子器件
1、光电子基础材料、生长源和关键设备
研究目标：突破新型生长源关键制备技术，掌握相关的检测技术；突破半导体光电子器件的基础材料制备技术，实现产业化。
研究内容及主要指标：
1) 高纯四氯化硅(4N)的纯化技术和规模化生产技术(B类，要求企业负责并有配套投入)
2) 高纯(6N)三甲基铟规模化生产技术(B类，要求企业负责并有配套投入)
3) 可协变(Compliant)衬底关键技术(A类)
4) 衬底材料制备与加工技术(B类)
重点研究开发外延用蓝宝石、GaN、SiC等衬底材料的高标抛光产业化技术（Epi-ready级）；大尺寸（>2"）蓝宝石衬底材料制备技术和产业化关键技术。蓝宝石基GaN器件芯片切割技术。
5) 用于平板显示的光电子基础材料与关键设备技术(A类)
大面积(对角线>14〃)的定向排列碳纳米管或纳米棒薄膜生长的关键技术; 等离子体平板显示用的新型高效荧光粉的关键技术。
2、人工晶体和全固态激光器技术
研究目标：研究探索新型人工晶体材料与应用技术，突破人工晶体的产业化关键技术，研制大功率全固态激光器，解决产业化关键技术问题。
研究内容及主要指标：
1) 新型深紫外非线性光学晶体材料和全固态激光器(A类);
2) 面向光子/声子应用的人工微结构晶体材料与器件 (A类);
3) 研究开发瓦级红、蓝全固态激光器产业化技术(B类)，高损伤阈值光学镀膜关键技术(B类)，基于全固态激光器的全色显示技术(A类);
4) 研究开发大功率半导体激光器阵列光纤耦合模块产业化技术(B类);
5) Yb系列激光晶体技术(A类)。
3、新型半导体材料与光电子器件技术
研究目标：重点研究自组装半导体量子点、ZnO晶体和低维量子结构、窄禁带氮化物等新型半导体材料及光电子器件技术。
研究内容及主要指标：
1) 研究ZnO晶体、低维量子结构材料技术，研制短波长光电子器件 (A类)
2) 自组装量子点激光器技术 (A类)
3) Ⅲ-Ⅴ族窄禁带氮化物材料及器件技术(A类)
4) 光泵浦外腔式面发射半导体激光器(A类)
4、 光电子材料与器件产业化质量控制技术(A类)
研究目标：发展人工晶体与全固态激光器、GaN基材料及器件表征评价技术，解决产业化质量控制关键技术。
研究内容：重点研究人工晶体与全固态激光器、GaN基材料及器件质量监测新方法与新技术，相关产品测试条件与数据标准化研究。
5、光电子材料与器件的微观结构设计与性能预测研究(A类)
研究目标：提出光电子新材料、新器件的构思，为原始创新提供理论概念与设计
研究内容：针对光电子技术的发展需求，结合本主题的研制任务，采用建立分析模型、进行计算机模拟，在不同尺度（从原子、分子到纳米、介观及宏观）范围内，阐明材料性能与微观结构的关系，以利性能、结构及工艺的优化。解释材料制备实验中的新现象和问题，预测新结构、新性能，预报新效应，以利材料研制的创新。低维量子结构材料新型表征评价技术和设备。
（二）通信用光电子材料、器件与集成技术
1、集成光电子芯片和模块技术
研究目标：突破并掌握用于光电集成(OEIC)、光子集成(PIC)与微光电机械(MOEMS)方面的材料和芯片的关键工艺技术，以典型器件的研制带动研究开发工艺平台的建设和完善，探索集成光电子系统设计和工艺制造协调发展的途径，促进芯片、模块和组件的产业化。
研究内容及主要指标：
1) 光电集成芯片技术
(1)速率在2.5Gb/s以上的长波长单片集成光发射机芯片及模块关键技术(A类)
(2) 高速 Si基单片集成光接收机芯片及模块关键技术(A类)
2) 基于平面集成光波导技术的OADM芯片及模块关键技术(A类)
3) 平面光波导器件的自动化耦合封装关键技术(B类)
4) 基于微光电机械(MOEMS)芯片技术的8′8以上阵列光开关关键技术(A类)
5) 光电子芯片与集成系统(Integrated System)的无生产线设计技术研究(A类)
2、 通信光电子关键器件技术
研究目标：针对干线高速通信系统和密集波分复用系统、全光网络以及光接入网系统的需要，重点进行一批技术含量高、市场前景广阔的目标产品和单元技术的研究开发，迅速促进相应产品系列的形成和规模化生产，显着提高我国通信光电子关键器件产业的综合竞争能力。
研究内容及主要指标：
(1) 速率在10Gb/s以上的高速光探测器组件(PIN-TIA) 目标产品和规模化生产技术，直接调制DFB-LD目标产品和规模化生产技术，光转发器(Transponder)目标产品和规模化生产技术；(均为B类，要求企业负责并有配套投入)
(2) 40通道、0.8nm间隔EDFA动态增益均衡关键技术(A类)；
(3) InGaNAs高性能激光器研究(A类)；
(4) 光波长变换器关键技术和目标产品(B类)；
(5) 可调谐激光器目标产品(A类)；
(6) 用于无源光网络(EPON)的突发式光收发模块关键技术和目标产品(B类)。
3、光纤制造新技术及新型光纤
研究目标：研究开发并掌握具有自主知识产权的光纤预制棒制造技术；研究开发新一代通信光纤，推动光纤通信系统在高速、大容量骨干网以及接入网中的应用。
研究内容和主要指标：
1) 光纤预制棒制造新技术(B类，要求企业负责并有配套投入)；
2) 新型特种光纤(A类)。
（三）面向信息获取、处理、利用的光电子材料与器件
1．GaN材料和器件技术
研究目标：重点突破用于蓝光激光器衬底的GaN体单晶生长技术。
研究内容及主要指标：
大面积、高质量GaN体单晶生长技术。
2、超高亮度全色显示材料与器件应用技术
研究目标：研究开发用于场致电子发射平板显示器（FED）材料和器件结构，以及超高亮度冷阴极发光管制作和应用的关键技术。
说明：等离子体平板显示器和高亮度、长寿命有机发光器件（OLED）和FED的产业化关键技术将于"平板显示专项"中考虑。
研究内容及主要指标：
1) 超高亮度冷阴极发光管制作和应用的关键技术(A类);
2) 研制FED用的、能够在低电压下工作的新型冷阴极电子源结构、新型冷阴极电子发射材料(A类)。
3、超高密度光存储材料与器件技术
研究目标：发展具有自主知识产权的超高密度、大容量、高速度光存储材料和技术，达到国际先进水平，为发展超高密度光存储产业打下基础。
研究内容及主要指标：
1) DVD光头用光源和非球面透镜等产业化关键技术(B类)；
2) 新型近场光存储材料和器件(A类)。
4、光传感材料与器件技术
研究目标：以特殊环境应用为目的，实现传感元器件的产业化技术开发；研究开发新型光电传感器。
研究内容及主要指标：
1) 光纤光栅温度、压力、振动传感器的产业化技术(B类，要求企业负责并有配套投入);
2) 锑化物半导体材料及室温无制冷红外焦平面探测器技术(A类);
3) 大气监测用高灵敏红外探测器及其列阵(A类) ;
4) 基于新概念、新原理的光电探测技术(A类);
5、新型有机光电子材料及器件
研究目标：研究开发新型有机半导体材料及其在光显示等领域的应用。
研究内容及主要指标：：
1) 有机非线性光学材料及其在全光光开关中的应用(A类);
2) 有机半导体薄膜晶体管材料与器件技术(A类)。
⑺ 氮化镓这种材料有哪些应用呢
氮化镓可以说是目前研制微电子器件、光电子器件的先进半导体材料了。它具有很多优点，比如宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率，而且它的化学稳定性非常好，又有很强的抗辐照能力，因此是很受欢迎在电子器件制造领域很受喜爱。据说LED显示技术行业领先的利亚德就参股了生产氮化铵的Saphlux公司。
⑻ 关于GAN生成式对抗网络中判别器的输出的问题
...
摘要
生成式对抗网络GAN（Generative adversarial networks）目前已经成为人工智能学界一个热门的研究方向.GAN的基本思想源自博弈论的二人零和博弈，由一个生成器和一个判别器构成，通过对抗学习的方式来训练.目的是估测数据样本的潜在分布并生成新的数据样本.在图像和视觉计算、语音和语言处理、信息安全、棋类比赛等领域，GAN正在被广泛研究，具有巨大的应用前景.本文概括了GAN的研究进展，并进行展望.在总结了GAN的背景、理论与实现模型、应用领域、优缺点及发展趋势之后，本文还讨论了GAN与平行智能的关系，认为GAN可以深化平行系统的虚实互动、交互一体的理念，特别是计算实验的思想，为ACP（Artificial societies，computational experiments，and parallel execution）理论提供了十分具体和丰富的算法支持.
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出版源
《自动化学报》 , 2017 , 43 (3) :321-332
⑼ hgst是什么硬盘
HGST是日立公司硬盘，全名：日立环球存储科技。
日立环球存储科技公司创立于2003年，基于IBM和日立就存储科技业务进行战略性整合而创建的。存储业务是日立的五项核心业务之一。
2012年8月4日，随着日立环球存储科技的收购，日立现在也将名称进行更改，原“日立环球存储科技”正式被命名为HGST，归属为西部数据旗下独立营运部门。
(9)gan存储扩展阅读：
HGST硬盘命名规则
HGST硬盘命名规则，以DLTA-307075为例
1、“D”表示该设备为磁盘。
2、由两位字母组成，它代表硬盘的系列代号。例如LT代表Deskstar 75GXP或Deskstar 40GV；PT代表Deskstar 37GP或Deskstar 34GXP；更老的
型号代码还有：JN则代表Deskstar 25GP 和 Deskstar 22GXP；TT代表16GP和14GXP。
3、由一位字母组成，它代表硬盘的接口类型。接口类型主要有以下几种：A、S、U、C。A=ATA；S或U=Ultra SCSI、Ultra SCSI Wide或Ultra
SCSI SCA；C=SSA（Serial Storage Architecture）。
4、由一位数字组成，它代表硬盘的外形尺寸。2代表2.5英寸盘（笔记本电脑硬盘，Travelstar）；3代表3.5英寸盘（桌面级或服务器级硬盘，
Deskstar 或 Ultrastar）。
5、由一或二位数字组成，它代表硬盘的主轴转速。05（5）代表5400rpm；07（7）代表7200rpm。
6、由三或四位数字组成，它代表硬盘的容量，其中的075代表75GB。
⑽ C语言指针 gan'gan'xue
首先你头文件的写作方式不对，标准库 #include<stdio.h>
其次你没弄明白一下这个几个标示代表着什么：
*p 指针所存储地址的值： 即为 8；
p 指针所存储的值地址
&p 则为指针本身存储的地址
本题中你使用指针所存储的值的地址输出成了int类型，本身是16进制的值被输出成了十进制就是你现在的值了！其实际的值应该是19FF38 刚好是一个自动变量的值
所以你把 printf("%d",p);改成printf("%d",*p);就会输出你所期待的值了！