㈠ 哪个公司第一个发明了第一个半导体存储器
英特尔在组建起了一支科研生力军，并运用正确的组织形式开展卓有成效的技术攻关之后 ，在公司创办仅十年的时光里，便摘取了一串又一串丰硕的果实，这其中便有奠定英特尔 在半导体产业领潮人地位的四项最重要的发明：第一个半导体存储芯片 、第一个动态随机存储器 、第一个 EPROM 和第一个微处理器。
㈡ 从什么时候开始,计算机以半导体为主存储器
半导体存储器从第二代计算机（时间划分:1958年-1964年）后期，第三代计算机（时间划分:1965年-1971年）开始就已经是出现了。
㈢ 半导体是怎样存储信息的
半导体存储器(semi-conctor memory)
是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器。
按其制造工艺可分为：双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。
按其存储原理可分为：静态和动态两种。
其优点是：体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。
主要用作高速缓冲存储器、主存储器、只读存储器、堆栈存储器等。
半导体存储器的两个技术指标是：存储容量和存取时间。半导体是通过保持电平存储数据的。
1 电路中用高电平表示1，低电平表示0；
2 同样的在存储介质中，写入电平值，下次读出判断是1/0；
3 存储介质的存储利用的是浮栅和衬底间电容效应：电容充电，读出的值就是高电平。电容放电后，读出的就是低电平
㈣ 半导体中名词“wafer”“chip”“die”的联系和区别是什么
一、名词解释：
wafer：晶圆；是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形。
chip：芯片；是半导体元件产品的统称。
die：裸片 ；是硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。
二、联系和区别：
筛选后的wafer
(4)第一代半导体的存储扩展阅读：
集成电路芯片的生命历程：芯片公司设计芯片——芯片代工厂生产芯片——封测厂进行封装测试——整机商采购芯片用于整机生产。
芯片供应商IDM：是集芯片设计、制造、封装和测试等多个产业链环节于一身的企业。
芯片供应商Fabless：是没有芯片加工厂的芯片供应商，Fabless自己设计开发和推广销售芯片，与生产相关的业务外包给专业生产制造厂商。与Fabless相对应的是Foundry和封测厂，主要承接Fabless的生产和封装测试任务，封测厂有日月光，江苏长电等。
㈤ 半导体存储器是从第几代计算机开始出现的
半导体存储器从第二代计算机后期，第三代计算机开始就已经是出现了。
㈥ 第一代、第二代、第三代半导体材料分别是
1.第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料。作为第一代半导体材料的锗和硅，在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用，硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。
2.第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体（又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。
3.第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，根据第三代半导体的发展情况，其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域，每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。
(6)第一代半导体的存储扩展阅读
Si和化合物半导体是两种互补的材料，化合物的某些性能优点弥补了Si晶体的缺点，而Si晶体的生产工艺又明显的有不可取代的优势，且两者在应用领域都有一定的局限性，因此在半导体的应用上常常采用兼容手段将这二者兼容，取各自的优点，从而生产出符合更高要求的产品，如高可靠、高速度的国防军事产品。因此第一、二代是一种长期共同的状态。
但是第三代宽禁带半导体材料，可以被广泛应用在各个领域，消费电子、照明、新能源汽车、导弹、卫星等，且具备众多的优良性能可突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈，故被市场看好的同时，随着技术的发展有望全面取代第一、二代半导体材料。
参考资料网络——半导体材料
㈦ 半导体是怎么存储数据的
半导体是通过保持电平存储数据的。
1 电路中用高电平表示1，低电平表示0；
2 同样的在存储介质中，写入电平值，下次读出判断是1/0；
3 存储介质的存储利用的是浮栅和衬底间电容效应：电容充电，读出的值就是高电平。电容放电后，读出的就是低电平。
㈧ 半导体存储器有几类，分别有什么特点
1、随机存储器
对于任意一个地址，以相同速度高速地、随机地读出和写入数据的存储器（写入速度和读出速度可以不同）。存储单元的内部结构一般是组成二维方矩阵形式，即一位一个地址的形式(如64k×1位)。但有时也有编排成便于多位输出的形式（如8k×8位）。
特点：这种存储器的特点是单元器件数量少，集成度高，应用最为广泛（见金属-氧化物-半导体动态随机存储器）。
2、只读存储器
用来存储长期固定的数据或信息，如各种函数表、字符和固定程序等。其单元只有一个二极管或三极管。一般规定，当器件接通时为“1”,断开时为“0”，反之亦可。若在设计只读存储器掩模版时,就将数据编写在掩模版图形中，光刻时便转移到硅芯片上。
特点：其优点是适合于大量生产。但是，整机在调试阶段，往往需要修改只读存储器的内容，比较费时、费事，很不灵活（见半导体只读存储器）。
3、串行存储器
它的单元排列成一维结构，犹如磁带。首尾部分的读取时间相隔很长，因为要按顺序通过整条磁带。半导体串行存储器中单元也是一维排列，数据按每列顺序读取，如移位寄存器和电荷耦合存储器等。
特点：砷化镓半导体存储器如1024位静态随机存储器的读取时间已达2毫秒，预计在超高速领域将有所发展。
(8)第一代半导体的存储扩展阅读：
半导体存储器优点
1、存储单元阵列和主要外围逻辑电路制作在同一个硅芯片上，输出和输入电平可以做到同片外的电路兼容和匹配。这可使计算机的运算和控制与存储两大部分之间的接口大为简化。
2、数据的存入和读取速度比磁性存储器约快三个数量级,可大大提高计算机运算速度。
3、利用大容量半导体存储器使存储体的体积和成本大大缩小和下降。
㈨ 第一代半导体材料和第二代半导体材料
第一代半导体材料主要是指硅、锗元素半导体材料，第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓(GaAs)、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体(又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。
㈩ 从计算机发展史看,第一代到第四代各有哪些特征
1、第1代：电子管数字机（1946—1958年）
特点是体积大、功耗高、可靠性差。速度慢（一般为每秒数千次至数万次）、价格昂贵，但为以后的计算机发展奠定了基础。
2、第2代：晶体管数字机（1958—1964年）
特点是体积缩小、能耗降低、可靠性提高、运算速度提高（一般为每秒数10万次，可高达300万次）、性能比第1代计算机有很大的提高。
3、第3代：集成电路数字机（1964—1970年）
特点是速度更快（一般为每秒数百万次至数千万次），而且可靠性有了显着提高，价格进一步下降，产品走向了通用化、系列化和标准化等。应用领域开始进入文字处理和图形图像处理领域。
4、第4代：大规模集成电路机（1970年至今）
硬件方面，逻辑元件采用大规模和超大规模集成电路（LSI和VLSI）。软件方面出现了数据库管理系统、网络管理系统和面向对象语言等。
由于集成技术的发展，半导体芯片的集成度更高，每块芯片可容纳数万乃至数百万个晶体管，并且可以把运算器和控制器都集中在一个芯片上、从而出现了微处理器，并且可以用微处理器和大规模、超大规模集成电路组装成微型计算机。
(10)第一代半导体的存储扩展阅读：
随着科技的进步，各种计算机技术、网络技术的飞速发展，计算机的发展已经进入了一个快速而又崭新的时代，计算机已经从功能单一、体积较大发展到了功能复杂、体积微小、资源网络化等。
计算机的未来充满了变数,性能的大幅度提高是不可置疑的，而实现性能的飞跃却有多种途径。不过性能的大幅提升并不是计算机发展的唯一路线，计算机的发展还应当变得越来越人性化，同时也要注重环保等等。
参考资料来源：网络-计算机