⑴ 固态硬盘SLC和MLC有什么区别
简单来说就是下面的这样的参数：
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命
因此，普通用户购买MLC的固态硬盘就够用，不要使用固态硬盘下载东西，不要将浏览器，在线播放软件等会产生大量临时数据的的软件安装在固态硬盘，或者将这些软件的缓存目录修改成其它机械硬盘，大量临时数据的写入操作会加速固态硬盘的闪存芯片的老化速度。
1bit/cell和2bit/cell的意思就是，SLC架构由于每Cell仅存放1bit数据，故只有高和低2种电平状态，使用1.8V的电压就可以驱动。而MLC架构每Cell需要存 放多个bit，即电平至少要被分为4档（存放2bit）。
在一次读写中SLC只有0或1两种状态,这种技术能提供快速的程序编程与读取,简单点说每Cell就像我们日常生活中使用的开关一样,只有开和关两种状态,非常稳定,就算其中一个Cell损坏,对整体的性能也不会有影响。在一次读写中MLC有四种状态（以每Cell存取2bit为例）,这就意味着MLC存储时要更精确地控制每个存储单元的充电电压,读写时就需要更长的充电时间来保证数据的可靠性。它已经不再是简单的开关电路,而是要控制 四种不同的状态，这在产品的出错率方面和稳定性方面有较大要求,而且一旦出现错误，就会导致2倍及以上的数据损坏，所以MLC对制造工艺和控制芯片有着更高的要求。
成本问题也是因为这个导致的，SLC的一个Cell只存1bit数据，MLC的一个Cell却能存2bit或者更多的bit数据，但芯片的体积并没增加，等于压缩存储了数据，这样的结果就是相同的一块芯片存储的容量变大，自然价格就便宜了。
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⑵ 请问MLC SSD硬盘的写入次数到底是3000-5000次，还是1万次哟
根据闪存芯片类型的不同（SLC、MLC）固态硬盘读写可达到1-10万次，专业级可达百万次，使用寿命最短区间也可以达到5-10年。
需要注意的是，固态硬盘的写入次数的意思不是固态硬盘使用1万次后就坏了，而是指其中的每个存储单元都有可达1-10万次的写入次数。
由于一个闪存芯片里有很多存储单元，而且固态硬盘的主控芯片会自动给不同的存储单元分配数据，以便分担寿命风险，所以固态硬盘的使用寿命完全可以达到5-10年。
(2)MLC读存储单元数据扩展阅读
固态硬盘使用闪存芯片记录和存储数据，由东芝在1987年发明的NAND闪存拥有几乎无限的读取寿命，通常认为2D MLC/3D TLC拥有3000次擦写寿命。
但是固态硬盘厂商从来不直接标注闪存擦写次数，而是用TBW来衡量耐用度，即以TB为单位统计的主机写入量。
⑶ MLC的多层单元
MLC（Multi-Level Cell多层单元）
简介
要解释MLC的话，必然要提到SLC。MLC和SLC属于两种不同类型的NAND FLASH存储器，可以用来作为MP3播放器、移动存储盘等产品的存储介质。SLC全称是Single-Level Cell，即单层单元闪存，而MLC全称则是Multi-Level Cell，即为多层单元闪存。它们之间的区别，在于SLC每一个单元，只能存储一位数据，MLC每一个单元可以存储两位数据，MLC的数据密度要比SLC 大一倍。
从名次解释上来看，当然MLC密度要大，自然有其优势，成本上来说，MLC也具有很大的优势。据了解，不少芯片厂商开始从SLC制程转向MLC制程，06年8月，三星正式从SLC转向MLC，06年10月份，三星已经开始大批量的生产MLC闪存芯片。三星采用的芯片编号为K9G开头 K9L开头的芯片为MLC芯片，而现代采用编号为：HYUU开头 HYUV开头芯片也是MLC芯片。
特点
SLC的特点是成本高、容量小、速度快，而MLC的特点是容量大成本低，但是速度慢。MLC的每个单元是2bit的，相对SLC来说整整多了一倍。不过，由于每个MLC存储单元中存放的资料较多，结构相对复杂，出错的几率会增加，必须进行错误修正，这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的SLC闪存。此外，SLC闪存的优点是复写次数高达100000次，比MLC闪存高10倍。此外，为了保证MLC的寿命，控制芯片都校验和智能磨损平衡技术算法，使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊，达到100万小时故障间隔时间(MTBF)。
缺点
不过尽管MLC有其自身的优势，但是也掩饰不了其缺点。
1、读写效能较差
相比SLC闪存，MLC的读写效能要差，SLC闪存约可以反复读写10万次左右，而MLC则大约只能读写1万次左右，甚至有部分产品只能达到5000次左右。
2、读写速度较慢
在相同条件下，MLC的读写速度要比SLC芯片慢，MLC芯片速度大约只有2M左右。
3、能耗较高
在相同使用条件下，MLC能耗比SLC高，要多15%左右的电流消耗。
这些原因，很大程度上是取决于MLC制式改变，需要新的控制芯片支持，而部分MP3、闪存盘等产品仍然延续老式的设计，MLC就会带来各种问题，包括数据丢失、传输速度慢等缺陷。06年大批量SD卡被招回的风波，就是因为转用MLC芯片，没有新的主控芯片支持惹的祸，造成了很大的影响。
现状
随着三星、东芝的MLC闪存芯片开始量产，MLC芯片应用也越来约广泛，由于全新的MLC芯片在存储密度等方面加大，对主控芯片的要求也越来越高。读写频繁的数码播放器和闪存盘等数码设备也加重了MLC闪存的出错几率，对于视频和音频这样的应用来说，必需具备控制芯片和ECC校验机制，目前有的主控芯片通过纯软件校验，这样，无形当中加重了主控芯片的负担。也有部分主控通过硬件的4bitECC校验和软件校验相结合，从而减轻了主控负担，但是这只是在一定程度上减少出错的几率，MLC的芯片写入次数限制和传输速度等缺点是无法克服的。
MLC在架构上取胜SLC，很多厂商都MLC做了很多的优化和开发，未来可能将是一个主流方向，技术还不是很成熟。而成本上来说，MLC要便宜SLC芯片，所以不少厂商在原有架构上选用了MLC芯片，但却没有增加控制芯片或者ECC校验，使得不少问题则由此而生，使得不少行业人士也惊呼MLC为“黑芯”。所以大家在选购MP3、闪存盘等数码产品的时候，不能一味的只看价格，而需要更多层面的去考虑。
MLC技术开始升温应该说是从2003年2月东芝推出了第一款MLC架构NAND Flash开始，当时作为NAND Flash的主导企业三星电子对此架构很是不屑，依旧我行我素大力推行SLC架构。第二年也就是2004年4月东芝接续推出了采用MLC技术的4Gbit和8Gbit NAND Flash，显然这对于本来就以容量见长的NAND闪存更是如虎添翼。三星电子长期以来一直倡导SLC架构，声称SLC优于MLC，但该公司于2004和2005年发表的关于MLC技术的ISSCC论文却初步显示它的看法发生了转变。三星在其网站上仍未提供关于MLC闪存的任何营销材料，但此时却已经开发出了一款4Gbit的MLC NAND闪存。该产品的裸片面积是156mm2，比东芝的90nm工艺MLC NAND闪存大了18mm2。两家主流NAND闪存厂商在MLC架构上的竞争就从这时开始正式打响了。除了这三星和东芝这两家外，拥有了英特尔MLC技术的IM科技公司更是在工艺和MLC上都希望超越竞争对手，大有后来者居上的冲劲。MLC技术的竞争就这样如火如荼地进行。 MLC，Multiple Lines Centre。北京地铁在组织ACC（票务清分中心）和各条LC（线路中心）之间增加了一个特殊的线路共用中心，称为MLC。MLC的功能和作用如下：
假设某地区有一个轨道交通票务清分中心ACC，和 n 条轨道交通线路LC。这些 n 条线路由 m 个不同的轨道交通运营商各自管理，其中 m < n。为了简化清分模型，避免同一运营商内部多条线路的清分与其他运营商线路清分产生的误差被放大，现由各个运营商各自成立自己所辖多条线路构成的一个小ACC，然后以运营商名义再接入大ACC。这种情况下ACC面对的是不同的运营商，不再面对具体的线路，减轻了清分负担，降低了清分误差。 多叶准直器（Multi-leaf Collimator）
是用来产生适形辐射野的机械运动部件，俗称多叶光栅、多叶光阑等等，广泛应用于医学领域。
概念
英文名字：multi-leaf collimator （简称MLC）
2000年，IEC60976标准对IEC976、IEC977都进行了修正，主要就是增加了有关多叶准直器的内容。
类型
按照多叶准直器运动方式，多叶准直器有手动及电动两类，后者的功用远大于前者，是主要的形式；手动多叶准直器是通过手动驱动每个叶片，达达到到调整辐射野轮廓的目的；电动多叶准直器是通过计算机控制多个微型电机独立驱动每个叶片单独运动，达到射野动态或静态成形的目的。
多叶准直器通常还需与辐射头的次级准直器配合使用，因此按照多叶准直器的安装方式分，有外置式与内置式两种。
因为对于大部分不同形状和大小的靶区，一般只有少部分叶片处于有效射野的范围之内，而其余的那些处于有效射野范围之外的叶片应该是左右成对地合在一起，以防射线泄漏。但是，为避免成对叶片相对碰撞引起机械损伤等故障，通常留有少许间隙。这样，就必须对加速器常规治疗准直器规定一个相对有效射野的最小外接矩形野，使之既可屏蔽有效射野外各对未完全闭合叶片端面间歇的漏射线，又能遮挡相邻叶片之间微小外接矩形野，并将相应的控制数据传输给对应的控制系统，从而实现最小矩形野和MLC有效射野的自动设置及跟随。适形野外成对叶片间无漏射者则无需如此。
结构特点
从多叶准直器问世直到现在，多叶准直的结构设计就一直在改进、完善。为适应各种不同的功能和用途，世界各国先后推出多种结构形式的多叶准直器。纵观其历史发展，多叶准直器主要是围绕着提高适形度、减小透射半影、降低漏射、适应动态与动态楔形板等高级功能展开的。例如叶片对数由少到多、叶片宽度由大到小；最大照射野按需要向大和小两端发展；聚焦方式由无聚焦到单聚焦或双聚焦；相邻叶片之间由平面接触到凹凸插合；对侧叶片由不过中线到过中线且行程由小到大等。再加上独立驱动机构硬件的快速开发，使得MLC系统功能大增，逐渐向满足临床应用要求、降低造价、便于加工、操作简便、高可靠、低故障的方向迅速发展。
叶片的宽度直接决定了多叶准直器所组成的不规则野与计划靶体积（PTV）形状的几何适合度（适形度）；叶片越薄，适形度越好，但加工也较困难，驱动电机等机构越多且复杂，造价相应提高，因此必须在适形度和造价之间作合理的折中选择。
叶片的高度必须能将原射线和辐射强度削弱到点5%以下，即至少需4。5个半值厚度。由于需保持叶片间低阻力的相对动态移动，叶片间常有一些漏射线，会降低叶片对原射线的屏蔽效果，叶片高度需适当加厚，一般不少于5cm厚的钨合金。如果将漏射线剂量降到2%以下，通常需7.5cm的钨合金厚度。
叶片纵截面的设计需考虑两个因素：
A． 要保证相邻叶片间和相对叶片合拢时的漏射剂量最小，这就决定了叶片的侧面多采用凹凸槽相互镶嵌的结构。凹凸槽的位置可加工在叶片高度的中部，但由于这种结构要求加工精度高、技术难度大，使用中有时发现个别叶片因运动阻力大而发生故障，所以后来不少厂家生产的叶片采用了台阶式结构。
B． 叶片的底面和顶面必须在与运动方向垂直的平面内会聚到X射线靶的位置，这就决定了叶片的横截面应是梯形结构，即底面的宽度应大于顶面的宽度，使得任何一个叶片都与从源（靶）辐射出且通过此面的射线平行。加工使所有叶片都在以辐射源为圆心，以辐射源到叶片底面距离为半径的圆周上运动，就可构成无穿射半影的双聚焦结构。
为了减少叶片端面对射野半影的影响，叶片端面的设计尤其重要。通常有两种设计类型；弧形端面和直立端面。采用弧形设计后，在叶片沿垂直于射线中心轴方向运动的任何位置，都能使原射线与端面相切。采用弧形端面可能使射野的半影增大，而且半影的大小会随叶片离开射束中心轴的位置而变化，但如果合理地选择端面的曲率半径，可在叶片的全部直线运动行程中，使射线与端面的切弦长度近似保持不变，这样就可使射野半影基本上不随叶片位置变化而保持常数。
采用直立端面设计时，叶片可有两种运动方式：
A． 叶片沿以X射线源（靶）为中心的圆弧形轨迹运动。这时无论处于任何位置，其端面总是与原射线相切。
B． 如果叶片沿垂直于射束中心轴方向的直线轨迹运动，则叶片在达到指定位置后必须自转一个小角度，以便使其直立端面与原射线的扩散度相切。由于叶片多，这种转角设计在技术上有一定的难度。
（1） 无聚焦结构
早期的MLC主要是用于头部和病体小病变的微型MLC，大都是无聚焦的叶片平移结构。这种叶片上下左右等厚，叶片全部采用平移运动，叶片上下所组成的射野大小和形状相同，不能消除穿射半影。对小野，因射线束的张角很小，影响不大；但对大野，会造成临床不能接受的较大半影。
（2） 单聚焦结构
这种结构使所有叶片都在以辐射源为圆心，以辐射源到叶片底面距离为半径的圆周上运动，使叶片的端面始终与射线束平行，消除了叶片运动方向上的穿射半影。但在垂直于叶片运动的方向上，因叶片上下等宽度，所以还是有穿射半影。1996年以前生产的用于体部的大型MLC（40cm×40cm为最大射野）大都是这种单聚焦结构。
（3） 双聚焦结构
对于安装在无聚焦二级准直器治疗机上的MLC，有必要采取双聚焦结构。双聚焦结构是将单聚焦结构的MLC的每一个叶片在宽度方向加工成非等宽的发散状，端面呈现梯形上小下大，每个端面的向上延长线都应相交于放射源点。换言之，必须使每个叶片的双侧面和端面在任何位置都始终与其相邻的射线束平行。这种结构装在任何治疗机上都能消除穿射半影。当然，消除半影的聚焦设计与MLC的安装高度有关，还要考虑电路连接、配重、结构空间、驱动控制等多种因素。由于加速器机头的结构复杂，设计要求高，对已在用加速器机头的改造会产生多种困难，所以，除中小型附加外挂式MLC之外，多叶准直器的双聚焦和叶片结构国内外的大型MLC大都是由加速器厂家配套生产的。
（4） 防漏射结构
临床应用要求每个叶片独立运动灵活，磨擦力小，相邻叶片之间不能挤靠太紧，但贴得太松又容易引起射线泄露。为解决这一矛盾，可将每个叶片加工成一面带凹槽，另一面带凸榫，使相邻两片之间以槽榫凹凸迭合，利用射线只能直线传播的特点获得很好的防漏射效果。这种槽榫凹凸结合既不必太紧，也不必太深。有的公司的MLC由40对钨合金组成，叶片厚度7.5cm，在等中心平面上的投影宽度为1.1cm，相邻叶片的槽榫凹凸重叠厚度在等中心平面投影只有0.1cm，所以相邻叶片的投影中心距离为1.0cm。其漏射率可确保小于2%。
（5） 过中线设计
随着MLC用途的进一步开发，动态非线性楔形野、动态调强及逆向设计为各种不同形状和复杂剂量分布射野的高级应用技术越来越多，常常要求成对的叶片从最远的一端一前一后以不同的变速度同向运动到另一端。因此，叶片运动的过中线行程是实现高性能适形强照射法的必要条件，并成为衡量现代MLC功能强弱的重要指标之一，要求叶片的过中线行程应尽可能大，一般不应小于12cm。
控制要点
为使每个叶片随时分别到达准确的位置，各生产厂家采用了不同的叶片控制方式，但都必须包括三项内容：
A． 叶片位置的监测
包括使用机械限位开关监测叶片的开关状态，光学摄像系统，线性编码器等。
B． 叶片控制逻辑
包括控制叶片的开关状态、叶片位置、叶片运动速度和剂量补偿等。
C． 叶片运动到位机构
采用数字方式或模拟方式控制叶片的到位。
（1） 叶片位置的监测
为确保叶片安全、可靠地到位，必须定时监测叶片的位置。对于开关式准直器，是使用机械限位开关来监测叶片的开关（ON、OFF）状态，另一种较常用的方法是用高精度的线性电位器作为线性编码器，它具有很好的线性度和精度，但因为接线太多、占据空间较大，一旦电位器出现问题，在结构紧凑的MLC中较难查找故障，必须用高可靠、高质量的电位器；还有一种监测方法是用光学摄像法：它是在加速器治疗头内的原射野灯光系统中增设一个分光镜，把MLC上端面反射回来的光线经分光镜反射到MLC的位置接收器。较常用的接收器是CCD摄像机，它将视频信号转换成数字信号后，送给MLC控制器中的图像处理器，即可监MLC的叶片位置。这种光学摄像系统的优点是：可实时显示MLC的叶片位置、接线少、空间分辨率高、位置线性度好。但CCD摄像机不耐辐射，需经常更换。
（2） 叶片位置的控制
叶片位置的确定和控制到位是实现MLC功能的先决条件。叶片位置应与它拟形成的射野的边界相一致。线性编码电位器或光学摄像系统所记录或显示的叶片位置应相当于灯光野的大小，也必须是实际射线野的大小。对直立端面的双聚焦型MLC，因其端面总是与射线扩散相平行，所以其射击野的校对方式与常规方法相同，但对弧形端面的MLC叶片，因为灯光指示的是端面切点的位置而不是原射线强度被削弱50%的位置，致使情况变得复杂。好在计算和实践业已证明：在使用的射野范围内，灯光野和射线野之间的最大差别不超过1mm。在有的MLC上，采用缩短光源到等到中心距离1cm（SAD=99cm）的措施，将灯光野的指示范围稍加扩大，即可使之与射线野符合，但这时下叶准直器的灯光野会比射线野略大。为解决之，在下叶准直器的上端面附加一对薄铝片消光器，是两者相符。
以上方法解决了等中心层面灯光和射线野的不符合问题，但对非标称源皮距的照射还是会有误差，因此在有的设计中，是将射线野大小与MLC叶片的对应位置都列成表格存入MLC控制微机中，只要指导处方射野的大小，就可得到叶片应运动到的位置。叶片运动控制逻辑中还可根据治疗需要（如是否调强）来控制叶片运动的速度、相对叶片和相邻叶片之间的碰撞问题等。
（3） 叶片驱动机构
对于开关型MLC，通常采用活塞气动式控制，可使叶片快速进入开、闭状态；对于非开关型的标准MLC，一般都采用微型电机驱动，并通过丝杠将电机的旋转运动变成叶片的直线运动。叶片的运动速度可设计在大约0.2-50mm/s范围，常用的速度是1-2cm/s
（4） 叶片位置的校对
叶片位置的校对是保证叶片精确到位的重要措施。它是把来自CCD摄像机的像素信号或来自线性电位器的电压信号与叶片的位置进行一对一的校对，并定期重复进行。各公司生产的MLC自校对系统也各不相同，有的MLC系统中，是预置一与MLC运动方向垂直的窄长的红外线束。当驱动MLC时，叶片就自动跨越它，叶片截取红外线的宽度后与叶片位置的编码信息进行比较，按预先列出的几何关系计算公式定标后存入MLC控制计算机的相应表格中；有的MLC是在治疗头内预置了4个固定参考反射器，构成一个固定的参考射野框架，校对时只需要用胶片对一组预置缺省射野进行照射，用胶片法进行MLC射野的刻度。
（5） 治疗准直器或后备准直器的自动跟随
治疗或后备准直器的自动跟随是为了屏蔽相对叶片和相邻叶片之间的泄漏射线。除用后备准直器跟随外，有的采用标准的加速器治疗准直器进行跟随。跟随准直器的位置应由相应MLC叶片的当前位置的编码信号进行控制。
用途
多叶准直器开发的主要目的是实现适形放疗。但由于其机械结构方面的优良性能和计算机自动化控制下精确运动的灵活多样性，使其具备了多种潜在功能。
最简单的例子是取代常规实心挡块。事实上，在放射治疗中。特别是有些大野、部分术后放疗等，只需要少数加挡块的固定野。例如，大面积斗篷野、锄形野、面颈联合野、品字野、表浅肿瘤的电子线单向固定野、规范放疗中的对穿野和三野交角照射等。这种静止固定野照射，对挡块没有动态控制的要求，用手动MLC和具有精确的位置控制功能的MLC都可容易地完成。
无论是经模拟定位获得的定位胶片或是体表标志射野，只要按比例描出射野的形状和等中心点（或坐标原点），用数字化仪或扫描仪输入与MLC配合使用的三维治疗计划系统，该系统很快就可用编辑好的数据文件去驱动MLC的各个叶片，形成所需要的适形挡块野形状。
⑷ SSD固态硬盘SLC和MLC有什么差别吗
差别：
1、寿命：SLC的特点是寿命长，同样规格的MLC寿命比SLC要低。
2、芯片体积：SLC的芯片体积大，MLC体积比SLC小。
3、读写速度：SLC的读写速度一般，MLC的读写速度高。
(4)MLC读存储单元数据扩展阅读：
SLC的特点是成本高、容量小、速度快，而MLC的特点是容量大成本低，但是速度慢。
由于每个MLC存储单元中存放的资料较多，结构相对复杂，出错的几率会增加，必须进行错误修正，这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的SLC闪存。
读写速度快：
采用闪存作为存储介质，读取速度相对机械硬盘更快。固态硬盘不用磁头，寻道时间几乎为0。与之相关的还有极低的存取时间，最常见的7200转机械硬盘的寻道时间一般为12-14毫秒，而固态硬盘可以轻易达到0.1毫秒甚至更低。
防震抗摔性：
传统硬盘都是磁盘型的，数据储存在磁盘扇区里。而固态硬盘是使用闪存颗粒（即mp3、U盘等存储介质）制作而成。
SSD固态硬盘内部不存在任何机械部件，这样即使在高速移动甚至伴随翻转倾斜的情况下也不会影响到正常使用，而且在发生碰撞和震荡时能够将数据丢失的可能性降到最小。相较传统硬盘，固态硬盘占有绝对优势。
低功耗：
固态硬盘的功耗上要低于传统硬盘。
无噪音：
固态硬盘没有机械马达和风扇，工作时噪音值为0分贝。基于闪存的固态硬盘在工作状态下能耗和发热量较低（但高端或大容量产品能耗会较高）。
内部不存在任何机械活动部件，不会发生机械故障，也不怕碰撞、冲击、振动。由于固态硬盘采用无机械部件的闪存芯片，所以具有了发热量小、散热快等特点。
工作温度范围大：
典型的硬盘驱动器只能在5到55摄氏度范围内工作。而大多数固态硬盘可在-10~70摄氏度工作。固态硬盘比同容量机械硬盘体积小、重量轻。
固态硬盘的接口规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的相同，在产品外形和尺寸上也与普通硬盘一致。其芯片的工作温度范围很宽（-40~85摄氏度）。
轻便：
固态硬盘在重量方面更轻，与常规1.8英寸硬盘相比，重量轻20-30克。
参考资料：
网络-固态硬盘
网络-SLC MLC
⑸ 固态硬盘MLC 是什么意思
要解释MLC的话，必然要提到SLC。MLC和SLC属于两种不同类型的NAND FLASH存储器，可以用来作为MP3播放器、移动存储盘等产品的存储介质。
SLC全称是Single-Level Cell，即单层单元闪存，而MLC全称则是Multi-Level Cell，即为多层单元闪存。它们之间的区别，在于SLC每一个单元，只能存储一位数据，MLC每一个单元可以存储两位数据，MLC的数据密度要比SLC 大一倍。
(5)MLC读存储单元数据扩展阅读
SLC，MLC和TLC三者的区别：
1、硬件情况不同：
大多数U盘都是采用TCL芯片颗粒，其优点是价格便宜，不过速度一般，寿命相对较短。而SSD固态硬盘中，MLC颗粒固态硬盘是主流，其价格适中，速度与寿命相对较好，而低价SSD固态硬盘普遍采用的是TLC芯片颗粒。
2、价格定位不同：
闪存颗粒的每一个cell最初只能写入1个二进制位，这种技术颗粒就叫SLC，因为结构简单，所以SLC颗粒读写速度超快，寿命也最长，但单位容量需要更多的存储颗粒，所以SLC颗粒最贵。
随着技术发展，闪存厂商为了进一步降低闪存成本，发明了TLC技术，即每一个cell可以写入3个二进制位。因为结构复杂，所以TLC颗粒速度较慢，寿命较短，相对SLC颗粒，TLC可以少用三分之二的颗粒写入同样的数据。
⑹ 固态硬盘SSD的SLC与MLC和TLC三者的区别是什么
构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，SLC、MLC和TLC三者都是闪存的类型。
1、SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。
2、MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000—10000次擦写寿命。
3、TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。
需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大。
⑺ 固态硬盘slc mlc tlc怎么区分
SLC、MLC和TLC
X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸,最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell),原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料,直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后,架构演进为1个存储器储存单元存放2位元.
2009年TLC架构正式问世,代表1个存储器储存单元可存放3位元,成本进一步大幅降低.
如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般,这次也是由NAND Flash大厂东芝(Toshiba)引发战火,之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局,使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上.
TLC芯片虽然储存容量变大,成本低廉许多,但因为效能也大打折扣,因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上,象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等.
象是内嵌世纪液体应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬盘(SSD)等技术门槛高,对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品,则一定要使用SLC或MLC芯片.
2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机,都必须要使用SLC或MLC芯片,因此这两种芯片都处于缺货状态,而TLC芯片却是持续供过于求,且将整个产业的平均价格往下拉,使得市调机构iSuppli在统计2010年第2季全球NAND Flash产值时,出现罕见的市场规模缩小情况发生,从2010年第1季43亿美元下降至41亿美元,减少6.5%.
U盘MP3中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别：
SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵（约MLC 3倍以上的价格）,约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命,目前还没有厂家能做到1000次.
目前,安德旺科技生产的指纹U盘产品中采用的闪存芯片都是三星MLC中的原装A级芯片.读写速度：采用H2testw v1.4测试,三星MLC写入速度: 4.28-5.59 MByte/s,读取速度: 12.2-12.9 MByte/s.三星SLC写入速度: 8.5MByte/s,读取速度: 14.3MByte/s.
需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数,不是读出的次数,因为读取对芯片的寿命影响不大.
面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异
SLC 利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储1个bit的信息,约10万次擦写寿命.
MLC 利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储2个bit的信息,约一万次擦写寿命,SLC-MLC【容量大了一倍,寿命缩短为1/10】.
TLC 利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储3个bit的信息,约500-1000次擦写寿命,MLC-TLC【容量大了1/2倍,寿命缩短为1/20】.
闪存产品寿命越来越短,现在市场上已经有TLC闪存做的产品了
鉴于SLC和MLC或TLC闪存寿命差异太大
强烈要求数码产品的生产商在其使用闪存的产品上标明是SLC和MLC或TLC闪存产品
许多人对闪存的SLC和MLC区分不清.就拿目前热销的MP3随身听来说,是买SLC还是MLC闪存芯片的呢?在这里先告诉大家,如果你对容量要求不高,但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高,那么SLC闪存芯片的首选.但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多,所以目前2G以上的大容量,低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片.大容量、低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐,但是其固有的缺点,也不得不让我们考虑一番.
什么是SLC?
SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 .主要由三星、海力士、美光、东芝等使用.
SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄,在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压,然后透过源极,即可将所储存的电荷消除,通过这样的方式,便可储存1个信息单元,这种技术能提供快速的程序编程与读取,不过此技术受限于Silicon efficiency的问题,必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements),才能向上提升SLC制程技术.
什么是MLC?
MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存.主要由东芝、Renesas、三星使用.
英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC,其作用是将两个单位的信息存入一个Floating
Gate（闪存存储单元中存放电荷的部分）,然后利用不同电位（Level）的电荷,通过内存储存的电压控制精准读写.MLC通过使用大量的电压等级,每个单元储存两位数据,数据密度比较大.SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此,MLC架构可以有比较好的储存密度.
与SLC比较MLC的优势：
签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主,我们多了解下SLC和MLC储存.SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此MLC架构的储存密度较高,并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量,无须额外投资生产设备,拥有成本与良率的优势.
与SLC相比较,MLC生产成本较低,容量大.如果经过改进,MLC的读写性能应该还可以进一步提升.
与SLC比较MLC的缺点：
MLC架构有许多缺点,首先是使用寿命较短,SLC架构可以写入10万次,而MLC架构只能承受约1万次的写入.
其次就是存取速度慢,在目前技术条件下,MLC芯片理论速度只能达到6MB左右.SLC架构比MLC架构要快速三倍以上.
再者,MLC能耗比SLC高,在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗.
虽然与SLC相比,MLC缺点很多,但在单颗芯片容量方面,目前MLC还是占了绝对的优势.由于MLC架构和成本都具有绝对优势,能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求.
⑻ 固态硬盘SSD解析 SLC，MLC和TLC三者的区别是什么
SLC，MLC和TLC三者的区别如下：
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命。
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。
⑼ mlc是什么意思
MLC和SLC属于两种不同类型的NAND FLASH存储器，可以用来作为MP3播放器、移动存储盘等产品的存储介质。SLC全称是Single-Level Cell，即单层单元闪存，而MLC全称则是Multi-Level Cell，即为多层单元闪存。它们之间的区别，在于SLC每一个单元，只能存储一位数据，MLC每一个单元可以存储两位数据，MLC的数据密度要比SLC 大一倍。
MLC密度要大，自然有其优势，成本上来说，MLC也具有很大的优势。不少芯片厂商已从SLC制程转向MLC制程，06年8月，三星正式从SLC转向MLC，06年10月份，三星已经开始大批量的生产MLC闪存芯片。三星采用的芯片编号为K9G开头 K9L开头的芯片为MLC芯片，而现代采用编号为：HYUU开头 HYUV开头芯片也是MLC芯片。
(9)MLC读存储单元数据扩展阅读：
微软MLC的认证体系将根据操作能力和应用范围不同，划分成3个层次。
1、微软认证产品应用能手：通过六门课程中任意一门
2、微软认证办公应用专家：通过OfficeXP中任意两门 +Office整合
3、微软认证办公应用大师：通过全部六门课程