‘壹’ 主存储器的分类中RAM为何叫做随机存储器，动态和静态的（DRAM和SRAM）又是按什么原理分的
ram又叫随机读写存储器，是因为可读可写，而写进去的内容是随机的（这个随机是随计算机，呵呵）。
dram,sram是根据存储器工艺来说的，动态的dram用的晶体管很少，但不保持，好像电容一样在不停地放电，要想保持需要不停地充电，而dram就需要不停地刷新，所以叫动态，这种存储器最大优点是集成度高
sram至少需要六只晶体管，类似双稳态触发器，能保持，但集成度不如dram高。
所以现在多数都有dram当内存。
‘贰’ 请描述SRAM，DRAM，ROM，PROM，EPROM，EEPROM基本存储原理
SRAM 静态RAM（Static RAM / SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
DRAM 动态RAM（Dynamic RAM / DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的
ROM指的是“只读存储器”，即Read-Only Memory。这是一种线路最简单半导体电路，通过掩模工艺， 一次性制造，其中的代码与数据将永久保存，不能进行修改。在微机的发展初期，BIOS都存放在ROM（Read Only Memory，只读存储器）中。如果发现内部数据有错，则只有舍弃不用，重新订做一份。
PROM指的是“可编程只读存储器”既Programmable Red-Only Memory。这样的产品只允许写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1)， 以实现对其“编程”的目的。PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”，如果我们想改写某些单元，则可以给这些单元通以足够大的电流，并维持一定的时间， 原先的熔丝即可熔断，这样就达到了改写某些位的效果。另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM，出厂时，其中的二极管处于反向截止状态，还是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”，造成其永久性击穿即可。PROM一旦写入后无法修改，若是出了错误，已写入的芯片只能报废。
EPROM指的是“可擦写可编程只读存储器”，即Erasable Programmable Read-Only Memory。 它的特点是具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程，但是缺点是擦除需要使用紫外线照射一定的时间。这一类芯片特别容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住， 以防止遭到阳光直射
EEPROM指的是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。它的最大优点是可直接用电信号擦除，也可用电信号写入。鉴于EPROM操作的不便，后来出的主板上的BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM。EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电子信号来修改其内容的，而且是以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。EEPROM在写入数据时，仍要利用一定的编程电压，此时，只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写内容，所以，它属于双电压芯片。 借助于EEPROM芯片的双电压特性，可以使BIOS具有良好的防毒功能，在升级时，把跳线开关打至“ON”的位置，即给芯片加上相应的编程电压，就可以方便地升级；平时使用时，则把跳线开关打至“OFF”的位置，防止病毒对BIOS芯片的非法修改。
‘叁’ DDR、RAM和DRAM都是指的内存，那么它们三者有什么联系吗怎么会有这三种说法
ram是随机存储器。dram是动态随机存储器（这和前者没什么不同）或者直接随机存储器（直接是指和CPU某种程度上直联）。ddr 是指双通道的ram。
随机存取存储器（英语：Random Access Memory，缩写：RAM），也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写（刷新时除外），而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。
RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入（存入）或读出（取出）信息。它与ROM的最大区别是数据的易失性，即一旦断电所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。
存储器是数字系统中用以存储大量信息的设备或部件，是计算机和数字设备中的重要组成部分。存储器可分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两大类。
随机存取存储器（RAM）既可向指定单元存入信息又可从指定单元读出信息。任何RAM中存储的信息在断电后均会丢失，所以RAM是易失性存储器。
ROM为只读存储器，除了固定存储数据、表格、固化程序外，在组合逻辑电路中也有着广泛用途。
‘肆’ DRAM和SRAM靠什么存储信息
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 （关机就会丢失数据）
SRAM是英文Static RAM的缩写，即静态随机存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据.。
‘伍’ 芯片存储数据的原理
Flash芯片并不是像光盘那样把信息刻上去的。为了更加清楚地说明，我首先让你知道计算机的信息是怎样储存的。计算机用的是二进制，也就是0与1。在二进制中，0与1可以组成任何数。而电脑的器件都有两种状态，可以表示0与1。比如三极管的断电与通电，磁性物质的已被磁化与未被磁化，物质平面的凹与凸，都可以表示0与1。硬盘就是采用磁性物质记录信息的，磁盘上的磁性物质被磁化了就表示1，未被磁化就表示0，因为磁性在断电后不会丧失，所以磁盘断电后依然能保存数据。而内存的储存形式则不同，内存不是用磁性物质，而是用RAM芯片。现在请你在一张纸上画一个“田”，就是画一个正方形再平均分成四份，这个“田”字就是一个内存，这样，“田”里面的四个空格就是内存的储存空间了，这个储存空间极小极小，只能储存电子。。好，内存现在开始工作。内存通电后，如果我要把“1010”这个信息保存在内存（现在画的“田”字）中，那么电子就会进入内存的储存空间里。“田”字的第一个空格你画一点东西表示电子，第二个空格不用画东西，第三个空格又画东西表示电子，第四个格不画东西。这样，“田”的第一格有电子，表示1，第二格没有，表示0，第三格有电子，表示1，第四格没有，表示0，内存就是这样把“1010”这个数据保存好了。电子是运动没有规律的物质，必须有一个电源才能规则地运动，内存通电时它很安守地在内存的储存空间里，一旦内存断电，电子失去了电源，就会露出它乱杂无章的本分，逃离出内存的空间去，所以，内存断电就不能保存数据了。再看看U盘，U盘里的储存芯片是Flash芯片，它与RAM芯片的工作原理相似但不同。现在你在纸上再画一个“田”字，这次要在四个空格中各画一个顶格的圆圈，这个圆圈不是表示电子，而是表示一种物质。好，Flash芯片工作通电了，这次也是保存“1010”这个数据。电子进入了“田”的第一个空格，也就是芯片的储存空间。电子把里面的物质改变了性质，为了表示这个物质改变了性质，你可以把“田”内的第一个圆圈涂上颜色。由于数据“1010”的第二位数是0，所以Flash芯片的第二个空间没有电子，自然里面那个物质就不会改变了。第三位数是1，所以“田”的第三个空格通电，第四个不通电。现在你画的“田”字，第一个空格的物质涂上了颜色，表示这个物质改变了性质，表示1，第二个没有涂颜色，表示0，以此类推。当Flash芯片断电后，物质的性质不会改变了，除非你通电擦除。当Flash芯片通电查看储存的信息时，电子就会进入储存空间再反馈信息，电脑就知道芯片里面的物质有没有改变。就是这样，RAM芯片断电后数据会丢失，Flash芯片断电后数据不会丢失，但是RAM的读取数据速度远远快于Flash芯片。
‘陆’ DRAM存储器的中文和含义
DRAM存储器的中文是动态随机存取存储器。
含义：为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。
写操作时，写选择线为"1"，所以Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。
读操作时，先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电，当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有"1",则Q2导通，读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电,此时读得的信息为"0"，正好和原存信息相反。
若原存信息为"0",则Q3尽管具备导通条件，但因为Q2截止，所以，CD上的电压保持不变，因而，读得的信息为"1"。可见，对这样的存储电路，读得的信息和原来存入的信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反相再送往 数据总线。
(6)dram和dram的存储原理扩展阅读：
在半导体科技极为发达的中国台湾，内存和显存被统称为记忆体（Memory），全名是动态随机存取记忆体（Dynamic Random Access Memory，DRAM）。
基本原理就是利用电容内存储电荷的多寡来代表0和1，这就是一个二进制位元（bit），内存的最小单位。
DRAM的结构可谓是简单高效，每一个bit只需要一个晶体管另加一个电容。但是电容不可避免的存在漏电现象，如果电荷不足会导致数据出错，因此电容必须被周期性的刷新（预充电），这也是DRAM的一大特点。
而且电容的充放电需要一个过程，刷新频率不可能无限提升（频障），这就导致DRAM的频率很容易达到上限，即便有先进工艺的支持也收效甚微。随着科技的进步，以及人们对超频的一种意愿，这些频障也在慢慢解决。
‘柒’ SRAM，DRAM，ROM，PROM，EPROM，EEPROM基本存储原理
SRAM利用寄存器来存储信息，所以一旦掉电，资料就会全部丢失，只要供电，它的资料就会一直存在，不需要动态刷新，所以叫静态随机存储器。
DRAM 利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，由于栅极漏电，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这样会造成数据丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于 1／2，则认为其代表0，并把电容放电，借此来保持数据的连续性。
PROM（可编程ROM）则只能写入一次，写入后不能再更改。
EPROM（可擦除PROM）这种EPROM在通常工作时只能读取信息，但可以用紫外线擦除已有信息，并在专用设备上高电压写入信息。
EEPROM（电可擦除PROM），用户可以通过程序的控制进行读写操作。
‘捌’ 计算机的“dram”和“sram”分别是什么意思，有什么区别
按照存储信息的不同，随机存储器分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。
静态存储单元（SRAM）
●存储原理：由触发器存储数据
●单元结构：六管NMOS或OS构成
●优点：速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低；常用作Cache
●缺点：元件数多、集成度低、运行功耗大
●常用的SRAM集成芯片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)
动态存储单元（DRAM）
●存贮原理：利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理，需刷新（早期：三管基本单元；现在：单管基本单元）
●刷新(再生)：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，必须定时给栅极电容补充电荷的操作
●刷新时间：定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2ms）。
●优点： 集成度远高于SRAM、功耗低，价格也低
●缺点：因需刷新而使外围电路复杂；刷新也使存取速度较DRAM慢，所以在计算机中，SRAM常用于作主存储器。
尽管如此，由于DRAM[1]存储单元的结构简单，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成为大容量RAM的主流产品。
‘玖’ 简述SRAM,DRAM型存储器的工作原理
个人电脑的主要结构:
显示器
主机板
CPU
(微处理器)
主要储存器
(记忆体)
扩充卡
电源供应器
光盘机
次要储存器
(硬盘)
键盘
鼠标
尽管计算机技术自20世纪40年代第一台电子通用计算机诞生以来以来有了令人目眩的飞速发展，但是今天计算机仍然基本上采用的是存储程序结构，即冯·诺伊曼结构。这个结构实现了实用化的通用计算机。
存储程序结构间将一台计算机描述成四个主要部分：算术逻辑单元（ALU），控制电路，存储器，以及输入输出设备（I/O）。这些部件通过一组一组的排线连接（特别地，当一组线被用于多种不同意图的数据传输时又被称为总线），并且由一个时钟来驱动（当然某些其他事件也可能驱动控制电路）。
概念上讲，一部计算机的存储器可以被视为一组“细胞”单元。每一个“细胞”都有一个编号，称为地址；又都可以存储一个较小的定长信息。这个信息既可以是指令（告诉计算机去做什么），也可以是数据（指令的处理对象）。原则上，每一个“细胞”都是可以存储二者之任一的。
算术逻辑单元（ALU）可以被称作计算机的大脑。它可以做两类运算：第一类是算术运算，比如对两个数字进行加减法。算术运算部件的功能在ALU中是十分有限的，事实上，一些ALU根本不支持电路级的乘法和除法运算（由是使用者只能通过编程进行乘除法运算）。第二类是比较运算，即给定两个数，ALU对其进行比较以确定哪个更大一些。
输入输出系统是计算机从外部世界接收信息和向外部世界反馈运算结果的手段。对于一台标准的个人电脑，输入设备主要有键盘和鼠标，输出设备则是显示器，打印机以及其他许多后文将要讨论的可连接到计算机上的I/O设备。
控制系统将以上计算机各部分联系起来。它的功能是从存储器和输入输出设备中读取指令和数据，对指令进行解码，并向ALU交付符合指令要求的正确输入，告知ALU对这些数据做那些运算并将结果数据返回到何处。控制系统中一个重要组件就是一个用来保持跟踪当前指令所在地址的计数器。通常这个计数器随着指令的执行而累加，但有时如果指令指示进行跳转则不依此规则。
20世纪80年代以来ALU和控制单元（二者合成中央处理器，CPU）逐渐被整合到一块集成电路上，称作微处理器。这类计算机的工作模式十分直观：在一个时钟周期内，计算机先从存储器中获取指令和数据，然后执行指令，存储数据，再获取下一条指令。这个过程被反复执行，直至得到一个终止指令。
由控制器解释，运算器执行的指令集是一个精心定义的数目十分有限的简单指令集合。一般可以分为四类：1）、数据移动（如：将一个数值从存储单元A拷贝到存储单元B）2）、数逻运算（如：计算存储单元A与存储单元B之和，结果返回存储单元C）3）、条件验证（如：如果存储单元A内数值为100，则下一条指令地址为存储单元F）4）、指令序列改易（如：下一条指令地址为存储单元F）
指令如同数据一样在计算机内部是以二进制来表示的。比如说，10110000就是一条Intel
x86系列微处理器的拷贝指令代码。某一个计算机所支持的指令集就是该计算机的机器语言。因此，使用流行的机器语言将会使既成软件在一台新计算机上运行得更加容易。所以对于那些机型商业化软件开发的人来说，它们通常只会关注一种或几种不同的机器语言。
更加强大的小型计算机，大型计算机和服务器可能会与上述计算机有所不同。它们通常将任务分担给不同的CPU来执行。今天，微处理器和多核个人电脑也在朝这个方向发展。
超级计算机通常有着与基本的存储程序计算机显着区别的体系结构。它们通常由者数以千计的CPU，不过这些设计似乎只对特定任务有用。在各种计算机中，还有一些微控制器采用令程序和数据分离的哈佛架构（Harvard
architecture）。
‘拾’ 简述SRAM,DRAM型存储器的工作原理
您可能经常听别人说，某台电脑的内存不够了，硬盘太小了之类的话。这里的"不够"、"太小"都指的是它们的容量，而不是他们的数量或几何形状的大小。内存和硬盘都是计算机用来存储数据的，它们的单位就是我们刚刚谈过的"Bytes"。 那么，为什么一个叫内存，一个叫硬盘呢？我们知道，计算机处理的数据量是极为庞大的，就好比一个人在堆满了谷物的仓库里打谷子，那怎么施展得开，工作效率又怎会高呢？于是，人们把谷子堆在仓库中，自己拿了一部分谷子到场院中去打，打完了再送回去。这下子，可没什么碍事的东西了，打谷子的速度快多了，内效率提高了。计算机也是这样解决了同类的问题。它把大量有待处理和暂时不用的数据都存放在硬盘中，只是把需要立即处理的数据调到内存中，处理完毕立即送回硬盘，再调出下一部分数据。硬盘就是计算机的大仓库，内存就是它干活的场院。 内存简称RAM，是英文Random Accessmemory的缩写。在个人计算机中，内存分为静态内存（SRAM）和动态内存（DRAM）两种，静态内存的读写速度比动态内存要快。目前市面上的内存条以"MB"为单位，比如32MB的和64MB的内存条。硬盘容量要比内存大得多，现在以"GB"为单位已属常见。当然了，内存和硬盘容量都是越大越好。可是容量越大，价钱就越高。重要的是，我们要选购够用而又不造成浪费的内存条和硬盘。