存储芯片爆发时间

㈠ 芯片制造三巨头是什么

芯片制造三巨头分别是：

1、英特尔

成立时间：1968年

总部：美国加州圣格拉拉

英特尔是一家成立于1968年的个人计算机零件和CPU制造商，拥有50年的市场领导历史，在1971年推出第一个微处理器，就为世界带来了计算机和互联网的革命。

2、三星

成立时间：1969年

三星是全球着名的跨国企业集团，三星电子作为旗下最大的子公司，主要领域涉及到IT解决方案、生活家电、无线、网络、半导体及LCD事业等，在1983年研制64K动态随机存储器成为了当时世界半导体领导者，之后在移动设备领域一直处在领先地位，也是智能手机市场份额最多的企业。

3、高通

成立时间：1985年

总部：美国加利福尼亚州圣迭戈

高通公司是全球知名的移动设备和处理器制造商，旗下的骁龙处理器是业界最为领先的移动智能设备处理器，向多家制造商提供技术支持，在国内基本除了华为使用自己的研制的麒麟处理器外，小米、oppo、vivo等大部分手机制造商都会搭载骁龙处理器，也是知名的世界品牌500强之一。

㈡ DRAM、SRAM、ROM、CMOS RAM这些存储芯片中，哪个速度最快

SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积，在主板上哪些是SRAM呢？ 一种是置于CPU与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory ）；另一种是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。还有为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache是内建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故Pentium Pro的体积较大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快，不需要刷新的*作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。现将它的特点归纳如下： ◎优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。 ◎缺点，集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。 ◎SRAM使用的系统： ○CPU与主存之间的高速缓存。 ○CPU内部的L1／L2或外部的L2高速缓存。 ○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。 ○CMOS 146818芯片（RT＆CMOS SRAM）。

㈢ 求芯片储存发展历史

也许是“飞芯”机器的金字招牌越打越响，再加上MD机器在竞争中逐渐没落，MP3市场日渐兴旺，人们纷纷把选择MP3的目光投到“高音质”的节骨眼上，而方案厂商也在此时大力研发和推出性能更强的产品。其中以SIGMATEL3520和飞利浦PNX0102芯片最为突出。

如果说Sigmatel 3420只是Sigmatel 3410的升级版，那么Sigmatel 3520就可以说是让Sigmatel家族的发展迈出了历史性的一大步。Sigmatel 3520不仅继承了3420的MP3硬件解码，而且更改进了以往Sigmatel 3410/1342中音表现一般、高音生硬的缺点，音质清澈，信噪比据说可以达到95dB；增加了对MP3硬件编码、FM收音和USB2。0等功能的支持；Sigmatel 3520比前代产品在处理速度上也有所提升，达到了75MHz(34xx系列为65MHz)。当年国内MP3厂商魅族推出了性价比极高的E2就使用了Sigmatel3520方案，并最终凭借不俗的音质表现、极高的实用性和性价比而大受欢迎。

与此同时，飞利浦也并没有放慢脚步，将主要应用于数字电视、Hi-Fi音响等专业领域PNX系列芯片引入便携随声听的世界。PNX010x系列解码芯片包括PNX0101、PNX0102和PNX0105。PNX0101和PNX0102主要应用于闪存MP3随身听，PNX0105则是针对采用微硬盘为存储介质的多媒体播放器。PNX0101内嵌4Mbit的可编程FLASH，只支持USB1.1。因而所有采用PNX0101芯片MP3所配备的USB2.0接口，都是通过另外增加USB2.0控制芯片来实现的。而PNX0102则内嵌有8Mbit的可编程 FLASH，自身提供了对USB2.0的支持。PNX0105同样支持USB2.0，而且还支持GDMA和IDE(ATA/ATAPI/PC Card)等接口，但它没有内置可编程FLASH。

性能上，PNX系列都内含速度高达80-100MIPS的24位EPICS7B音频DSP，内置了一个16位立体声音频ADC和DAC。PNX0101和 PNX0102芯片采用了32位的主频为60MHzARM7核心的RISC处理器，支持图浏览。PNX0105则是主频高达140MHzARM9核心的RISC处理器，支持视频播放。

虽然PNX0101/0102芯片在性能和功能上都有不错的提高，但在音质上的进步却并不明显。总体而言，0101/0102芯片的音质与SAA7750芯片不分伯仲，甚至更有的用户认为0101/0102芯片的声音还不如7750。这样与其他在音质上有长足进步的芯片比较起来，“飞芯”和其他芯片的差距显得大大缩小。

在这个时期，魅族完全看准了MP3市场逐步壮大的第一步。不仅在中低端市场发布了ME、E2等一系列Sigmatel芯片的产品，打响了国产MP3普及的第一枪，更加在中端市场推出了与进口产品相抗衡的“飞芯”产品E3。这款使用PNX0102芯片的E3配合LifeVibes顶级专业音效，其声音表现在当时算是比较优秀的，再加上了16Mbit 高速RAM和8层PCB版，保证了机器整体的性能和品质。这一切，不仅最终使魅族E3成为了国产机器发展历程中不可或缺的一款经典，更为魅族带来了国产机器中史无前例的关注。

采用炬力ATJ2085的昂达VX909

正当Sigmatel和Philips各自的新方案在MP3全球市场上你争我夺，我国珠海的一家较有实力的集成电路公司炬力也在此时渐渐进入人们的视野。炬力当年采用LQFP64pin封装的ATJ2085芯片，由于集成度高，周边元器件极少，非常利于生产。而且这款支持USB2.0(FS)传输，MP3/WMA/WAV/WMV/ASF等格式媒体播放，支持MTV电影播放，支持JPG、GIF、BMP图片浏览功能的芯片尽管音质一般，FM效果也有待的提高，但其平易近人的价格，也足以使它十分受国内一些MP3厂商支持。

尽管炬力当年准备以ATJ2085、2087、2089三款方案分别从低中高端打入市场，但令它受到业界瞩目的并非由于其产品，而是由于它和Sigmatel之间的官司。2005年3月16日，SigmaTel于当地时间周二向美国国际贸易委员会(ITC)提起诉讼，要求禁止采用珠海炬力产品的商品出口到美国。两个月前，SigmaTel向美国德克萨斯州联邦法院提出诉讼，指控珠海炬力侵犯了该公司用于便携式MP3播放器的多项电源管理专利。而在后来ITC(美国联邦国际贸易委员会)法院珠海炬力不侵犯Sigmatel的专利的一个月后，珠海炬力又向深圳中级人民法院提起诉讼，指控SigmaTel公司的产品，包括STMP 3502、3503、3505、3506、3510和3520等等，侵犯了该公司拥有的一项数字音频处理技术专利。珠海炬力希望法院禁止设计、生产、销售和使用侵权集成电路以及包含SigmaTel侵权集成电路的设备，以终止SigmaTel在中国的侵权行为。一直到了2007年，这场历时长达两年的互告和口水战在长时间的讨价还价后，最终才以双方达成全面和解协议的戏剧性结局而告终。
在一轮纯音播放器的火拼过后，人们在MP3播放器身上投注了更多的期望。于是乎，我们迎来了彩屏，迎来了视频播放。

Telechips是韩国一家着名的MP3芯片厂家，其解码芯片基于ARM架构，无论是性能还是音质都比较优秀，一经面世便获得一致好评，并且在韩国众多厂商的大力支持下成长迅速，是比较有潜力的解码芯片。但由于Telechip对外围电路设计要求比较高，因此在中国市场内的发展得比较低调。而随着彩屏和视频时代的来临，Telechip芯片也伴随着很多优秀的机器的推出而渐渐被人们所认识。其中除了使用了TCC770芯片的iAudio U3、三星K5，还有使用了TCC7801的iAudio D2和使用TCC8200的iRiver Clix2等。

既然提到了扩展能力强大的Telechip主控芯片，就不得不提“双核心架构”了。在与Telechip搭配当中最为人熟悉的就是英国的Wolfman音频芯片了。凭借着采用了TCC770+WM8750S的台电T29和采用了TCC8200+WM8978G的台电T39获得了巨大成功，使得国内众多玩家了解到了T芯的强劲性能，让众多的随身听爱好者感受到了欧胜Wolfman的纯净声音。这不仅为T39奠定了国产MP3音质王者的地位并延续至今，更让Wolfman音频芯片获得了更广阔的市场。

三星电子经过多年发展，已经成为了电子行业中少数掌握了多项基础元件研发及生产技术的龙头企业之一，而且三星也间接的成为了开创MP3产业的始作俑者，然而三星的芯片却一直并没有像它的名字一样来得强势。不过，随着魅族Miniplayer的推出，让人们亲自感受到了三星主控芯片的能耐。而为了延续“飞芯”传统，魅族在Miniplayer身上除了采用了三星基于ARM9TDMI内核主频达到200MHZ的SA58700X07，还进一步去掉了主控自带的Wolfson 8731音频处理器，而采用了飞利浦从UDA1380改进而来的380HN音频编码解码器。事实上，随着视频播放等多功能扩展，“飞芯”的优势早已日益淡化，Miniplayer也在后来改版的SL版本中，迎来了较受欢迎的欧胜WM8987音频芯片。不管如何，综合而言，Miniplayer的各方面设计也都依然是国产MP3的一座里程碑。

使用ADI BF533方案的歌美X750

随着视频需求在随身机器上的日益增长以及闪存芯片的日益普及，体积较大的AVI格式并不能于国内消费者的诉求，由此支持RMVB格式的呼声也日渐增长起来。就在这个时候，美国模拟器件公司(简称ADI)推出的BF533芯片使得RMVB直播取得革命性成果。时至今日，这款芯片依旧是很多厂商RMVB机型的主控芯片。基于Blackfin架构的BF533有主频500MHz和600MHz两种规格兼具了DSP的高速数据处理运算能力和CPU的系统管理能力，因此能够在信号处理和控制处理的过程中都能保证不俗的表现。

性能强大的爱可视605 wifi

与此同时，着名PMP厂商爱可视推出了爱可视605，并采用一向以高性能高规格着称的德州仪器(简称TI)方案，其主控芯片是TI的一款高端芯片——T1320。尽管TI方面一直没有公开芯片的相关参数，但从605的强劲表现看来，这款芯片的性能估计是目前PMP产品中无出其右的。当然，强悍的性能自然也就带来高昂的价格了。

首款RK27芯片播放器蓝魔RM970

不仅国外技术领先的厂商不断进行技术创新，而且国内较有实力的厂商也在技术上不断地作出努力。总部位于福建省福州市的瑞芯微是一家国内专注于数字音视频、移动多媒体芯片研究和开发的芯片设计企业。早在2006年，瑞芯微推出的RK2606A芯片就凭借着自身的低成本优势，让瑞芯微迅速成为国内MP3芯片市场上第一品牌。如今，瑞芯微的支持RMVB的解决方案是它最新的RK27方案，这一采用了DSP内核＋ARM内核“双核联合”的方式，主控芯片频率为400MHz。它除了能够 支持包括RMVB在内的多种视频格式，它还提供了对于APE、FLAC等无损压缩音频格式以及MP3（8Kbps～384Kbps位速范围）、 WMA（32Kbps-320Kbps位速范围）的支持，另外，它可以搭载微软PlayFX音效。相比于之前的TI和ADI的解决方案，由于瑞芯微芯片的成本较低，一个瑞芯微的芯片成本一般只有ADI芯片的一半，因此，瑞芯微的终端产品价格要低廉很多,更加接近大众的消费能力。

在推出了一款ADI芯片的V2000之后，艾诺又推出了一款价格更实惠但功能不变的V2000SE

除了瑞芯微，君正华芯飞也可以说是国内微电子行业的另一匹黑马。华芯飞的RMVB解决方案与其他公司的解决方案略有不同。实际上，这一解决方案是由两家公司完成的，其主控芯片是由北京君正提供，而方案设计则是由华芯飞来完成。而这一解决方案也是目前解决方案中成本最低的方案。华芯飞的RMVB解决方案上，主要采用的主控芯片是由北京君正提供的JZ4740芯片。这一芯片是一款通用型32bit CPU，可以在WINCE或LINUX 操作系统上运行，而且功耗很低，在同等的资源下JZ4740功耗是其他主控芯片的50-70%。成本低、耗能低、性能较好，使得华芯飞在RMVB市场上占取到了一片属于自己的天空。

后话

芸芸十年间，我们从MPman F10走到如今的随身多媒体设备与掌上电脑的结合(COWON Q5W)，在眼花缭乱的产品背后起着支撑作用的，正是微电子技术的蓬勃发展。国产厂商的进步我们有目共睹，但我们思维和技术与世界水平的差距同样不可忽视。十年岁月，机器之多难以概全，方案之繁更难以尽诉。希望，往后的日子里，科技的发展和市场的竞争，能为我们带来更大的惊喜，让我们的生活变得更加多姿多彩。

㈣ 华为芯片真正断供，目前华为存储的芯片还够使用多久

华为芯片的断供日如期而至，华为面对的将是一段黑暗的日子，在芯片领域，华为的海思没有办法做到生产，海思只是设计芯片的。众所周知华为芯片的代工都是由台积电完成的。由于美国的持续打压，使得华为无法再从台积电购买到芯片，本来可以转向联发科购买芯片，但是这条路也被堵死了。

应对以后断开安卓，华为有着自己的鸿蒙系统来应对，但是在芯片制造领域，确实无法找到一个新的突破口。

有一点是很明确的，核心技术和自主权一定要牢牢的把握在自己的手中，捱过这一段漫长的黑夜，曙光就在眼前。

㈤ 谁知道内存的发展史

内存发展史

在了解内存的发展之前，我们应该先解释一下几个常用词汇，这将有助于我们加强对内存的理解。
RAM就是RandomAccessMemory（随机存贮器）的缩写。它又分成两种StaticRAM（静态随机存贮器）和DynamicRAM（动态随机存贮器）。
SRAM曾经是一种主要的内存，SRAM速度很快而且不用刷新就能保存数据不丢失。它以双稳态电路形式存储数据，结构复杂，内部需要使用更多的晶体管构成寄存器以保存数据，所以它采用的硅片面积相当大，制造成本也相当高，所以现在只能把SRAM用在比主内存小的多的高速缓存上。随着Intel将L2高速缓存整合入CPU（从Medocino开始）后，SRAM失去了最大应用需求来源，还好在移动电话从模拟转向数字的发展趋势中，终于为具有省电优势的SRAM寻得了另一个需求成长的契机，再加上网络服务器、路由器等的需求激励，才使得SRAM市场勉强得以继续成长。

DRAM，顾名思义即动态RAM。DRAM的结构比起SRAM来说要简单的多，基本结构是一只MOS管和一个电容构成。具有结构简单、集成度高、功耗低、生产成本低等优点，适合制造大容量存储器，所以现在我们用的内存大多是由DRAM构成的。所以下面主要介绍DRAM内存。在详细说明DRAM存储器前首先要说一下同步的概念，根据内存的访问方式可分为两种：同步内存和异步内存。区分的标准是看它们能不能和系统时钟同步。内存控制电路（在主板的芯片组中，一般在北桥芯片组中）发出行地址选择信号（RAS）和列地址选择信号（CAS）来指定哪一块存储体将被访问。在SDRAM之前的EDO内存就采用这种方式。读取数据所用的时间用纳秒表示。当系统的速度逐渐增加，特别是当66MHz频率成为总线标准时，EDO内存的速度就显得很慢了，CPU总要等待内存的数据，严重影响了性能，内存成了一个很大的瓶颈。因此出现了同步系统时钟频率的SDRAM。DRAM的分类FPDRAM：又叫快页内存，在386时代很流行。因为DRAM需要恒电流以保存信息，一旦断电，信息即丢失。它的刷新频率每秒钟可达几百次，但由于FPDRAM使用同一电路来存取数据，所以DRAM的存取时间有一定的时间间隔，这导致了它的存取速度并不是很快。另外，在DRAM中，由于存储地址空间是按页排列的，所以当访问某一页面时，切换到另一页面会占用CPU额外的时钟周期。其接口多为72线的SIMM类型。EDODRAM：EDORAM――ExtendedDateOutRAM——外扩充数据模式存储器，EDO-RAM同FPDRAM相似，它取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作电压为一般为5V，其接口方式多为72线的SIMM类型，但也有168线的DIMM类型。EDODRAM这种内存流行在486以及早期的奔腾电脑上。当前的标准是SDRAM（同步DRAM的缩写），顾名思义，它是同步于系统时钟频率的。SDRAM内存访问采用突发（burst）模式，它和原理是，SDRAM在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑(一个状态机)，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在功能上，它类似常规的DRAM，也需时钟进行刷新。可以说，SDRAM是一种改善了结构的增强型DRAM。然而，SDRAM是如何利用它的同步特性而适应高速系统的需要的呢？我们知道，原先我们使用的动态存储器技术都是建立在异步控制基础上的。系统在使用这些异步动态存储器时需插入一些等待状态来适应异步动态存储器的本身需要，这时，指令的执行时间往往是由内存的速度、而非系统本身能够达到的最高速率来决定。例如，当将连续数据存入CACHE时，一个速度为60ns的快页内存需要40ns的页循环时间；当系统速度运行在100MHz时(一个时钟周期10ns)，每执行一次数据存取，即需要等待4个时钟周期！而使用SDRAM，由于其同步特性，则可避免这一时。SDRAM结构的另一大特点是其支持DRAM的两列地址同时打开。两个打开的存储体间的内存存取可以交叉进行，一般的如预置或激活列可以隐藏在存储体存取过程中，即允许在一个存储体读或写的同时，令一存储体进行预置。按此进行，100MHz的无缝数据速率可在整个器件读或写中实现。因为SDRAM的速度约束着系统的时钟速度，它的速度是由MHz或ns来计算的。SDRAM的速度至少不能慢于系统的时钟速度，SDRAM的访问通常发生在四个连续的突发周期，第一个突发周期需要4个系统时钟周期，第二到第四个突发周期只需要1个系统时钟周期。用数字表示如下：4-1-1-1。顺便提一下BEDO（BurstEDO）也就是突发EDO内存。实际上其原理和性能是和SDRAM差不多的，因为Intel的芯片组支持SDRAM，由于INTEL的市场领导地位帮助SDRAM成为市场的标准。

DRAMR的两种接口类型DRAM主要有两种接口类型，既早期的SIMM和现在的标准DIMM。SIMM是Single-InLineMemoryMole的简写，即单边接触内存模组，这是486及其较早的PC机中常用的内存的接口方式。在更早的PC机中（486以前），多采用30针的SIMM接口，而在Pentium中，应用更多的则是72针的SIMM接口，或者是与DIMM接口类型并存。DIMM是DualIn-LineMemoryMole的简写，即双边接触内存模组，也就是说这种类型接口内存的插板的两边都有数据接口触片，这种接口模式的内存广泛应用于现在的计算机中，通常为84针，但由于是双边的，所以一共有84×2=168线接触，故而人们经常把这种内存称为168线内存，而把72线的SIMM类型内存模组直接称为72线内存。DRAM内存通常为72线，EDO-RAM内存既有72线的，也有168线的，而SDRAM内存通常为168线的。新的内存标准在新的世纪到来之时，也带来了计算机硬件的重大改变。计算机的制造工艺发展到已经可以把微处理器（CPU）的时钟频率提高的一千兆的边缘。相应的内存也必须跟得上处理器的速度才行。现在有两个新的标准，DDRSDRAM内存和Rambus内存。它们之间的竞争将会成为PC内存市场竞争的核心。DDRSDRAM代表着一条内存逐渐演化的道路。Rambus则代表着计算机设计上的重大变革。从更远一点的角度看。DDRSDRAM是一个开放的标准。然而Rambus则是一种专利。它们之间的胜利者将会对计算机制造业产生重大而深远的影响。

RDRAM在工作频率上有大幅度的提升，但这一结构的改变，涉及到包括芯片组、DRAM制造、封装、测试甚至PCB及模组等的全面改变，可谓牵一发而动全身。未来高速DRAM结构的发展究竟如何？

Intel重新整装再发的820芯片组，是否真能如愿以偿地让RDRAM登上主流宝座？PC133SDRAM：PC133SDRAM基本上只是PC100SDRAM的延伸，不论在DRAM制造、封装、模组、连接器方面，都延续旧有规范，它们的生产设备相同，因此生产成本也几乎与PC100SDRAM相同。严格来说，两者的差别仅在于相同制程技术下，所多的一道“筛选”程序，将速度可达133MHz的颗粒挑选出来而已。若配合可支持133MHz外频的芯片组，并提高CPU的前端总线频率（FrontSideBus）到133MHz，便能将DRAM带宽提高到1GB/sec以上，从而提高整体系统性能。DDR-SDRAM：DDRSDRAM（DoubleDataRateDRAM）或称之为SDRAMⅡ，由于DDR在时钟的上升及下降的边缘都可以传输资料，从而使得实际带宽增加两倍，大幅提升了其性能／成本比。就实际功能比较来看，由PC133所衍生出的第二代PC266DDRSRAM（133MHz时钟×2倍数据传输＝266MHz带宽），不仅在InQuest最新测试报告中显示其性能平均高出Rambus24.4％，在Micron的测试中，其性能亦优于其他的高频宽解决方案，充份显示出DDR在性能上已足以和Rambus相抗衡的程度。DirectRambus-DRAM：RambusDRAM设计与以往DRAM很大的不同之处在于，它的微控制器与一般内存控制器不同，使得芯片组必须重新设计以符合要求，此外，数据通道接口也与一般内存不同，Rambus以2条各8bit宽（含ECC则为9bit）的数据通道（channel）传输数据，虽然比SDRAM的64bit窄，但其时钟频率却可高达400MHz，且在时钟的上升和下降沿都能传输数据，因而能达到1.6GB／sec的尖峰带宽。

各种DRAM规格之综合比较数据带宽：从数据带宽来看，传统PC100在时钟频率为100MHz的情况下，尖峰数据传输率可达到800MB／sec。若以先进0.25微米线程制造的DRAM，大都可以“筛选”出时钟频率达到133MHz的PC133颗粒，可将尖峰数据传输率再次提高至1.06GB／sec，只要CPU及芯片组能配合，就可提高整体系统性能。此外，就DDR而言，由于其在时钟上升和下降沿都能传输数据，所以在相同133MHz的时钟频率下，其尖峰数据传输将可大幅提高两倍，达到2.1GB／sec的水准，其性能甚至比现阶段Rambus所能达到的1.6GB／sec更高。
传输模式：传统SDRAM采用并列数据传输方式，Rambus则采取了比较特别的串行传输方式。在串行的传输方式之下，资料信号都是一进一出，可以把数据带宽降为16bit，而且可大幅提高工作时钟频率（400MHz），但这也形成了模组在数据传输设计上的限制。也就是说，在串接的模式下，如果有其中一个模组损坏、或是形成断路，便会使整个系统无法正常开机。因此，对采用Rambus内存模组的主机板而言，便必须将三组内存扩充插槽完全插满，如果Rambus模组不足的话，只有安装不含RDRAM颗粒的中继模组（ContinuityRIMMMole；C-RIMM），纯粹用来提供信号的串接工作，让数据的传输畅通。模组及PCB的设计：由于Rambus的工作频率高达400MHz，所以不管是电路设计、线路布局、颗粒封装及记忆模组的设计等，都和以往SDRAM大为不同。以模组设计而言，RDRAM所构成的记忆模组称之为RIMM（RambusInMemoryMole），目前的设计可采取4、6、8、12与16颗等不同数目的RDRAM颗粒来组成，虽然引脚数提高到了184只，但整个模组的长度却与原有DIMM相当。另外，在设计上，Rambus的每一个传输信道所能承载的芯片颗粒数目有限（最多32颗），从而造成RDRAM内存模组容量将有所限制。也就是说，如果已经安装了一只含16颗RDARM颗粒的RIMM模组时，若想要再扩充内存，最多只能再安装具有16颗RDARM的模组。另外，由于RDARM在高频下工作将产生高温，所以RIMM模组在设计时必须加上一层散热片，也增加了RIMM模组的成本。
颗粒的封装：DRAM封装技术从最早的DIP、SOJ提高到TSOP的形式。从现在主流SDRAM的模组来看，除了胜创科技首创的TinyBGA技术和樵风科技首创的BLP封装模式外，绝大多数还是采用TSOP的封装技术。
随着DDR、RDRAM的陆续推出，将内存频率提高到一个更高的水平上，TSOP封装技术渐渐有些力不从心了，难以满足DRAM设计上的要求。从Intel力推的RDRAM来看，采用了新一代的μBGA封装形式，相信未来DDR等其他高速DRAM的封装也会采取相同或不同的BGA封装方式。尽管RDRAM在时钟频率上有了突破性的进展，有效地提高了整个系统性能，但毕竟在实际使用上，其规格与现阶段主流的SDRAM有很大的差异，不仅不兼容于现有系统芯片组而成了Intel一家独揽的局面。甚至在DRAM模组的设计上，不仅使用了最新一代的BGA封装方式，甚至在电路板的设计上，都采取用了8层板的严格标准，更不用说在测试设备上的庞大投资。使得大多数的DRAM及模组厂商不敢贸然跟进。
再说，由于Rambus是个专利标准，想生产RDRAM的厂商必须先取得Rambus公司的认证，并支付高额的专利费用。不仅加重了各DRAM厂商的成本负担，而且它们担心在制定未来新一代的内存标准时会失去原来掌握的规格控制能力。
由于RIMM模组的颗粒最多只能为32颗，限制了Rambus应用，只能用在入门级服务器和高级PC上。或许就PC133而言，在性能上无法和Rambus抗衡，但是一旦整合了DDR技术后，其数据带宽可达到2.1GB／sec，不仅领先Rambus所能达到的1.6GB／sec标准，而且由于其开放的标准及在兼容性上远比Rambus高的原故，估计将会对Rambus造成非常大的杀伤力。更何况台湾在威盛与AMD等联盟的强力支持下，Intel是否能再象往日一般地呼风唤雨，也成了未知数。至少，在低价PC及网络PC方面，Rambus的市场将会很小。

结论：尽管Intel采取了种种不同的策略布局及对策，要想挽回Rambus的气势，但毕竟像Rambus这种具有突破性规格的产品，在先天上便存在有着诸多较难克服的问题。或许Intel可以借由更改主机板的RIMM插槽方式、或是提出SDRAM与RDRAM共同存在的过渡性方案（S-RIMM、RIMMRiser）等方式来解决技术面上的问题。但一旦涉及规模量产成本的控制问题时，便不是Intel所能一家独揽的，更何况在网络趋势下的计算机应用将愈来愈趋于低价化，市场需求面是否对Rambus有兴趣，则仍有待考验。 在供给方面，从NEC独创的VCMSDRAM规格（VirtualChannelMemory）、以及Samsung等DRAM大厂对Rambus支持态度已趋保守的情况来看，再加上相关封装及测试等设备上的投资不足，估计年底之前，Rambus内存模组仍将缺乏与PC133甚至DDR的价格竞争力。就长远的眼光来看，Rambus架构或许可以成为主流，但应不再会是主导市场的绝对主流，而SDRAM架构（PC133、DDR）在低成本的优势，以及广泛的应用领域，应该会有非常不错的表现。相信未来的DRAM市场，将会是多种结构并存的局面。

具最新消息，可望成为下一世代内存主力的RambusDRAM因芯片组延迟推出，而气势稍挫的情况之下，由全球多家半导体与电脑大厂针对DDRSDRAM的标准化，而共同组成的AMII（、）阵营，则决定积极促进比PC200、PC266速度提高10倍以上的PC1600与PC2100DDRSDRAM规格的标准化，此举使得RambusDRAM与DDRSDRAM的内存主导权之争，迈入新的局面。全球第二大微处理器制造商AMD，决定其Athlon处理器将采用PC266规格的DDRSDRAM，而且决定在今年年中之前，开发支持DDRSDRAM的芯片组，这使DDRSDRAM阵营深受鼓舞。全球内存业者极有可能将未来投资的重心，由RambusDRAM转向DDRSDRAM。
综上所述，今年DDRSDRAM的发展势头要超过RAMBUS。而且DDRSDRAM的生产成本只有SDRAM的1.3倍，在生产成本上更具优势。未来除了DDR和RAMBUS外还有其他几种有希望的内存产品，下面介绍其中的几种：SLDRAM(SyncLinkDRAM,同步链接内存)：SLDRAM也许是在速度上最接近RDRAM的竞争者。SLDRAM是一种增强和扩展的SDRAM架构，它将当前的4体（Bank）结构扩展到16体，并增加了新接口和控制逻辑电路
。SLDRAM像SDRAM一样使用每个脉冲沿传输数据。
VirtualChannelDRAM：VirtualChannel“虚拟信道”是加装在内存单元与主控芯片上的内存控制部分之间，相当于缓存的一类寄存器。使用VC技术后，当外部对内存进行读写操作时，将不再直接对内存芯片中的各个单元进行读写操作，而改由VC代理。VC本身所具有的缓存效果也不容小觑，当内存芯片容量为目前最常见的64Mbit时，VC与内存单元之间的带宽已达1024bit。即便不考虑前/后台并列处理所带来的速度提升，光是“先把数据从内存单元中移动到高速的VC中后再由外部进行读写”这一基本构造本身就很适于提高内存的整体速度。每块内存芯片中都可以搭载复数的VC，64Mbit的产品中VC总数为16个。不但每个VC均可以分别对应不同的内存主控设备（MemoryMaster，此处指CPU、南桥芯片、各种扩展卡等等），而且在必要时，还可以把多个VC信道捆绑在一起以对应某个占用带宽特别大的内存主控设备。因此，在多任务同时执行的情况下，VC-SDRAM也能保证持续地进行高效率的数据传输。VC-SDRAM还有一个特点，就是保持了与传统型SDRAM的管脚兼容，厂家不需要重新进行主板布线设计就能够使主板支持它。不过由于它与传统型SDRAM控制方式不同，因此还需要得到控制芯片组的支持方能使用，目前已支持VC-SDRAM的芯片组有VIA的ApolloPro133系列、ApolloMVP4和SiS的SiS630等。

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㈥ 在计算机网络领域的摩尔定律，芯片的运算速度每多少个月翻一番

这个说的是计算机芯片发展的趋势，而不是指一个芯片会在出厂后有什么变化
请参考一下资料
摩尔定律是指ic上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。摩尔定律是由英特尔(intel)名誉董事长戈登·摩尔（gordon
moore）经过长期观察发现得之。
计算机第一定律——摩尔定律moore定律1965年，戈登·摩尔（gordonmoore）准备一个关于计算机存储器发展趋势的报告。他整理了一份观察资料。在他开始绘制数据时，发现了一个惊人的趋势。每个新芯片大体上包含其前任两倍的容量，每个芯片的产生都是在前一个芯片产生后的18-24个月内。如果这个趋势继续的话，计算能力相对于时间周期将呈指数式的上升。moore的观察资料，就是现在所谓的moore定律，所阐述的趋势一直延续至今，且仍不同寻常地准确。人们还发现这不光适用于对存储器芯片的描述，也精确地说明了处理机能力和磁盘驱动器存储容量的发展。该定律成为许多工业对于性能预测的基础。在26年的时间里，芯片上的晶体管数量增加了3200多倍，从1971年推出的第一款4004的2300个增加到奔腾ii处理器的750万个。
由于高纯硅的独特性，集成度越高，晶体管的价格越便宜，这样也就引出了摩尔定律的经济学效益，在20世纪60年代初，一个晶体管要10美元左右，但随着晶体管越来越小，直小到一根头发丝上可以放1000个晶体管时，每个晶体管的价格只有千分之一美分。据有关统计，按运算10万次乘法的价格算，ibm704电脑为1美元，ibm709降到20美分，而60年代中期ibm耗资50亿研制的ibm360系统电脑已变为3.5美分。到底什么是"摩尔定律'"？归纳起来，主要有以下三种"版本"：
1、集成电路芯片上所集成的电路的数目，每隔18个月就翻一番。
2、微处理器的性能每隔18个月提高一倍，而价格下降一半。
3、用一个美元所能买到的电脑性能，每隔18个月翻两番。
以上几种说法中，以第一种说法最为普遍，第二、三两种说法涉及到价格因素，其实质是一样的。三种说法虽然各有千秋，但在一点上是共同的，即"翻番"的周期都是18个月，至于"翻一番"（或两番）的是"集成电路芯片上所集成的电路的数目"，是整个"计算机的性能"，还是"一个美元所能买到的性能"就见仁见智了。

㈦ 澜起科技是否值得长期持有

不建议长期持有。
2019年7月澜起科技（688008.SH）顺利上市，上市首日澜起科技股价一路升至97.20元/股，市值一度突破千亿元。但澜起科技刚上市业绩就出现下滑，2019年其实现营收17.38亿元，同比减少1.4%；2020年预告实现营收18.24亿元，同比仅增加4.94%。截至2021年3月3日，澜起科技的股票收盘价为75.36元/股，公司总市值为852亿元，动态市盈率为77.23倍。因此，不建议长期持有澜起科技。
澜起科技的核心产品是内存接口芯片，该产品营收占到总营收的99%。虽然澜起科技作为全球内存接口芯片龙头，占据全球近46%的市场份额，但是从总体市场规模来看，根据世界半导体贸易统计协会统计数据估算，2020年内存接口芯片市场规模约为6亿美元。
拓展资料：
1.澜起科技成立于2004年，曾于2013年在纳斯达克挂牌上市，2014年私有化回国，并于2019年登陆科创板。2014-2018年，存储芯片行业迎来爆发，全球存储芯片市场规模从792亿美元增至1580亿美元，翻了一倍。彼时澜起科技业绩也乘上东风，2016-2018年分别实现收入8.45亿元、12.28亿元、17.58亿元，年复合增长率高达44%。
2.澜起科技于2017年剥离其消费电子芯片业务，剥离完成后，内存接口芯片业务成为其主要营业收入构成。但是这一举措在大幅提高毛利率的同时，也带来了业务结构相对单一的问题，使得澜起科技的销售额受下游内存产品市场影响较大，盈利空间受到限制。 内存接口芯片的诞生是为了解决内存读取速度跟不上CPU的计算速度问题，它是服务器内存模组的核心逻辑器件，可以满足服务器CPU对内存模组日益增长的高性能及大容量需求。
3.总结来看，澜起科技未来3年内营收的增长主要来自于内存接口芯片DDR5的量价齐增，长期看服务器、人工智能芯片更具潜力，但是如果这些业务发展不及预期，那么公司难以做大做强，同时也将失去其成长性。

㈧ 全球芯片短缺，缺芯片的根源在哪

首先是供求关系的变化，在大流行之下，家庭办公或学习已成为一种新趋势，这导致对芯片的需求急剧增加。家庭办公室刺激了笔记本电脑，家庭网络设备和显示器的销售增长，大流行带来的不确定性导致订单急剧波动。汽车制造商低估了疫情爆发初期的市场反弹速度，从而大大减少了芯片订单，这些公司在去年下半年试图增加订单时无法满足需求，因为芯片制造商正在努力满足智能手机巨头的订单需求。

在这场芯片大战中，中国也在努力追赶。未来几年，中国的目标是减少对美国技术的依赖，尤其是对芯片的依赖。我国已经将芯片制造列入国家经济发展蓝图的最大优先事项之一，但是我们需要看到还有很长的路要走。此外考虑到复杂的芯片制造和开发的困难，各国政府正在为愿意在本国建立或扩展先进芯片设施的公司提供诱人的激励措施。欧盟在考虑在台积电和三星的潜在协助下在欧洲建立先进的半导体工厂。此外包括中国政府在内的各国政府也在考虑采取各种措施来帮助本地公司。

㈨ 存储芯片是什么怎么没有听说存储芯片被卡脖子

存储芯片主要包括DRAM芯片和NAND芯片，这个行业确实是拼制造，但并不意味着我们不会被卡脖子。我国投资370亿元之巨的福建晋华，主要制造DRAM芯片，在2018年10月30日被美国商务部列入“实体清单”，至今前途未卜。今天我到晋华的官网去逛了逛，发现“大事记”的时间线停在了2018年10月20日，也就是试产运行之日，至今1年半过去，就没有量产的消息传出。

半导体设备基本被日美垄断，成为套在国产存储芯片企业头上的紧箍咒。下图是网上流传的晋华存储器生产设备采购清单，可以看出，清一色的日本、美国企业。实际上，全球前10大半导体设备公司，美国占了5个，日本有4个，欧洲1个。这就意味着，人家一断供，没有生产设备，钱再多，你也生产不了先进存储芯片。总之，看起来没有CPU等逻辑芯片复杂的存储芯片，对目前的我国来说，仍然是一块硬骨头，还需要多多努力。

㈩ 内存储器的发展历程

对于用过386机器的人来说，30pin的内存，我想在很多人的脑海里，一定或多或少的还留有一丝印象，这一次我们特意收集的7根30pin的内存条，并拍成图片，怎么样看了以后，是不是有一种久违的感觉呀！

30pin 反面 30pin 正面

下面是一些常见内存参数的介绍：
bit 比特，内存中最小单位，也叫“位”。它只有两个状态分别以0和1表示

byte字节，8个连续的比特叫做一个字节。

ns（nanosecond）
纳秒，是一秒的10亿分之一。内存读写速度的单位，其前面数字越小表示速度越快。

72pin正面 72pin反面

72pin的内存，可以说是计算机发展史的一个经典，也正因为它的廉价，以及速度上大幅度的提升，为电脑的普及，提供了坚实的基础。由于用的人比较多，目前在市场上还可以买得到。

SIMM（Single In-line Memory Moles）
单边接触内存模组。是5X86及其较早的PC中常采用的内存接口方式。在486以前，多采用30针的SIMM接口，而在Pentuim中更多的是72针的SIMM接口，或者与DIMM接口类型并存。人们通常把72线的SIMM类型内存模组直接称为72线内存。

ECC（Error Checking and Correcting）
错误检查和纠正。与奇偶校验类似，它不但能检测到错误的地方，还可以纠正绝大多数错误。它也是在原来的数据位上外加位来实现的，这些额外的位是用来重建错误数据的。只有经过内存的纠错后，计算机操作指令才可以继续执行。当然在纠错是系统的性能有着明显的降低。

EDO DRAM（Extended Data Output RAM）
扩展数据输出内存。是Micron公司的专利技术。有72线和168线之分、5V电压、带宽32bit、基本速度40ns以上。传统的DRAM和FPM DRAM在存取每一bit数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间后，然后才能读写有效的数据，而下一个bit的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。EDO DRAM不必等待资料的读写操作是否完成，只要规定的有效时间一到就可以准备输出下一个地址，由此缩短了存取时间，效率比FPM DRAM高20%—30%。具有较高的性/价比，因为它的存取速度比FPM DRAM快15%，而价格才高出5%。因此，成为中、低档Pentium级别主板的标准内存。

DIMM（Dual In-line Memory Moles）
双边接触内存模组。也就是说这种类型接口内存的插板两边都有数据接口触片，这种接口模式的内存广泛应用于现在的计算机中，通常为84针，由于是双边的，所以共有84×2=168线接触，所以人们常把这种内存称为168线内存。

PC133

SDRAM（Synchronous Burst RAM）
同步突发内存。是168线、3.3V电压、带宽64bit、速度可达6ns。是双存储体结构，也就是有两个储存阵列，一个被CPU读取数据的时候，另一个已经做好被读取数据的准备，两者相互自动切换，使得存取效率成倍提高。并且将RAM与CPU以相同时钟频率控制，使RAM与CPU外频同步，取消等待时间，所以其传输速率比EDO DRAM快了13%。SDRAM采用了多体（Bank）存储器结构和突发模式，能传输一整数据而不是一段数据。

SDRAM ECC 服务器专用内存

RDRAM（Rambus DRAM）
是美国RAMBUS公司在RAMBUSCHANNEL技术基础上研制的一种存储器。用于数据存储的字长为16位，传输率极速指标有望达到600MHz。以管道存储结构支持交叉存取同时执行四条指令，单从封装形式上看，与DRAM没有什么不同，但在发热量方面与100MHz的SDRAM大致相当。因为它的图形加速性能是EDO DRAM的3-10倍，所以目前主要应用于高档显卡上做显示内存。

Direct RDRAM
是RDRAM的扩展，它使用了同样的RSL，但接口宽度达到16位，频率达到800MHz，效率更高。单个传输率可达到1.6GB/s，两个的传输率可达到3.2GB/s。

点评：
30pin和72pin的内存，早已退出市场，现在市场上主流的内存，是SDRAM，而SDRAM的价格越降越底，对于商家和厂家而言，利润空间已缩到了极限，赔钱的买卖，有谁愿意去做了？再者也没有必要，毕竟厂家或商家们总是在朝着向“钱”的方向发展。

随着 INTEL和 AMD两大公司 CPU生产飞速发展，以及各大板卡厂家的支持，RAMBUS 和 DDRAM 也得到了更快的发展和普及，究竟哪一款会成为主流，哪一款更适合用户，市场终究会证明这一切的。

机存取存储器是电脑的记忆部件，也被认为是反映集成电路工艺水平的部件。各种存储器中以动态存储器（DRAM）的存储容量为最大，使用最为普及，几十年间它的存储量扩大了几千倍，存取数据的速度提高40多倍。存储器的集成度的提高是靠不断缩小器件尺寸达到的。尺寸的缩小，对集成电路的设计和制造技术提出了极为苛刻的要求，可以说是只有一代新工艺的突破，才有一代集成电路。

动态读写存储器DRAM（Dynamic Random Access MeMory）是利用MOS存储单元分布电容上的电荷来存储数据位，由于电容电荷会泄漏，为了保持信息不丢失，DRAM需要不断周期性地对其刷新。由于这种结构的存储单元所需要的MOS管较少，因此DRAM的集成度高、功耗也小，同时每位的价格最低。DRAM一般都用于大容量系统中。DRAM的发展方向有两个，一是高集成度、大容量、低成本，二是高速度、专用化。

从1970年Intel公司推出第一块1K DRAM芯片后，其存储容量基本上是按每三年翻两番的速度发展。1995年12月韩国三星公司率先宣布利用0.16μm工艺研制成功集成度达10亿以上的1000M位的高速（3lns）同步DRAM。这个领域的竞争非常激烈，为了解决巨额投资和共担市场风险问题，世界范围内的各大半导体厂商纷纷联合，已形成若干合作开发的集团格局。

1996年市场上主推的是4M位和16M位DRAM芯片，1997年以16M位为主，1998年64M位大量上市。64M DRAM的市场占有率达52%；16M DRAM的市场占有率为45%。1999年64M DRAM市场占有率已提高到78%，16M DRAM占1%。128M DRAM已经普及，明年将出现256M DRAM。

高性能RISC微处理器的时钟已达到100MHz～700MHz，这种情况下，处理器对存储器的带宽要求越来越高。为了适应高速CPU构成高性能系统的需要，DRAM技术在不断发展。在市场需求的驱动下，出现了一系列新型结构的高速DRAM。例如EDRAM、CDRAM、SDRAM、RDRAM、SLDRAM、DDR DRAM、DRDRAM等。为了提高动态读写存储器访问速度而采用不同技术实现的DRAM有：

（1） 快速页面方式FPM DRAM

快速页面方式FPM（Fast Page Mode）DRAM已经成为一种标准形式。一般DRAM存储单元的读写是先选择行地址，再选择列地址，事实上，在大多数情况下，下一个所需要的数据在当前所读取数据的下一个单元，即其地址是在同一行的下一列，FPM DRAM可以通过保持同一个行地址来选择不同的列地址实现存储器的连续访问。减少了建立行地址的延时时间从而提高连续数据访问的速度。但是当时钟频率高于33MHz时，由于没有足够的充电保持时间，将会使读出的数据不可靠。

（2） 扩展数据输出动态读写存储器EDO DRAM

在FPM技术的基础上发展起来的扩展数据输出动态读写存储器EDODRAM（Extended Data Out DRAM），是在RAM的输出端加一组锁存器构成二级内存输出缓冲单元，用以存储数据并一直保持到数据被可靠地读取时为止，这样就扩展了数据输出的有效时间。EDODRAM可以在50MHz时钟下稳定地工作。

由于只要在原DRAM的基础上集成成本提高并不多的EDO逻辑电路，就可以比较有效地提高动态读写存储器的性能，所以在此之前，EDO DRAM曾成为动态读写存储器设计的主流技术和基本形式。

（3） 突发方式EDO DRAM

在EDO DRAM存储器的基础上，又发展了一种可以提供更高有效带宽的动态读写存储器突发方式EDO DRAM（Burst EDO DRAM）。这种存储器可以对可能所需的4个数据地址进行预测并自动地预先形成，它把可以稳定工作的频率提高到66MHz。

（4） 同步动态读写存储器SDRAM

SDRAM（Synchronous DRAM）是通过同步时钟对控制接口的操作和安排片内隔行突发方式地址发生器来提高存储器的性能。它仅需要一个首地址就可以对一个存储块进行访问。所有的输入采样如输出有效都在同一个系统时钟的上升沿。所使用的与CPU同步的时钟频率可以高达66MHz～100MHz。它比一般DRAM增加一个可编程方式寄存器。采用SDRAM可大大改善内存条的速度和性能，系统设计者可根据处理器要求，灵活地采用交错或顺序脉冲。

Infineon Technologies(原Siemens半导体)今年已批量供应256Mit SDRAM。其SDRAM用0.2μm技术生产，在100MHz的时钟频率下输出时间为10ns。

（5） 带有高速缓存的动态读写存储器CDRAM

CDRAM（Cached DRAM）是日本三菱电气公司开发的专有技术，1992年推出样品，是通过在DRAM芯片，集成一定数量的高速SRAM作为高速缓冲存储器Cache和同步控制接口，来提高存储器的性能。这种芯片用单一+3.3V电源，低压TTL输入输出电平。目前三菱公司可以提供的CDRAM为4Mb和16Mb，其片内Cache为16KB，与128位内部总线配合工作，可以实现100MHz的数据访问。流水线式存取时间为7ns。

（6） 增强型动态读写存储器EDRAM（Enhanced DRAM）

由Ramtron跨国公司推出的带有高速缓冲存储器的DRAM产品称作增强型动态读写存储器EDRAM（Enhanced DRAM），它采用异步操作方式，单一+5V工作电源，CMOS或TTL输入输出电平。由于采用一种改进的DRAM 0.76μm CMOS工艺和可以减小寄生电容和提高晶体管增益的结构技术，其性能大大提高，行访问时间为35ns，读/写访问时间可以提高到65ns，页面写入周期时间为15ns。EDRAM还在片内DRAM存储矩阵的列译码器上集成了2K位15ns的静态RAM高速缓冲存储器Cache，和后写寄存器以及另外的控制线，并允许SRAM Cache和DRAM独立操作。每次可以对一行数据进行高速缓冲。它可以象标准的DRAM对任一个存储单元用页面或静态列访问模式进行操作，访问时间只有15ns。当Cache未命中时，EDRAM就把新的一行加载到Cache中，并把选择的存储单元数据输出，这需要花35ns。这种存储器的突发数据率可以达到267Mbytes/s。

（7） RDRAM（Rambus DRAM）

Rambus DRAM是Rambus公司利用本身研制的一种独特的接口技术代替页面方式结构的一种新型动态读写存储器。这种接口在处理机与DRAM之间使用了一种特殊的9位低压负载发送线，用250MHz同步时钟工作，字节宽度地址与数据复用的串行总线接口。这种接口又称作Rambus通道，这种通道嵌入到DRAM中就构成Rambus DRAM，它还可以嵌入到用户定制的逻辑芯片或微处理机中。它通过使用250MHz时钟的两个边沿可以使突发数据传输率达到500MHz。在采用Rambus通道的系统中每个芯片内部都有它自己的控制器，用来处理地址译码和面页高速缓存管理。由此一片存储器子系统的容量可达512K字节，并含有一个总线控制器。不同容量的存储器有相同的引脚并连接在同一组总线上。Rambus公司开发了这种新型结构的DRAM，但是它本身并不生产，而是通过发放许可证的方式转让它的技术，已经得到生产许可的半导体公司有NEC、Fujitsu、Toshiba、Hitachi和LG等。

被业界看好的下一代新型DRAM有三种：双数据传输率同步动态读写存储器（DDR SDRAM）、同步链动态读写存储器（SLDRAM）和Rambus接口DRAM（RDRAM）。

（1） DDR DRAM（Double Data Rate DRAM）

在同步动态读写存储器SDRAM的基础上，采用延时锁定环（Delay-locked Loop）技术提供数据选通信号对数据进行精确定位，在时钟脉冲的上升沿和下降沿都可传输数据（而不是第一代SDRAM仅在时钟脉冲的下降沿传输数据），这样就在不提高时钟频率的情况下，使数据传输率提高一倍，故称作双数据传输率（DDR）DRAM，它实际上是第二代SDRAM。由于DDR DRAM需要新的高速时钟同步电路和符合JEDEC标准的存储器模块，所以主板和芯片组的成本较高，一般只能用于高档服务器和工作站上，其价格在中低档PC机上可能难以接受。

（2） SLDRAM（Synchnonous Link DRAM）

这是由IBM、HP、Apple、NEC、Fujitsu、Hyundai、Micron、TI、Toshiba、Sansung和Siemens等业界大公司联合制定的一个开放性标准，委托Mosaid Technologies公司设计，所以SLDRAM是一种原本最有希望成为高速DRAM开放性工业标准的动态读写存储器。它是一种在原DDR DRAM基础上发展的一种高速动态读写存储器。它具有与DRDRAM相同的高数据传输率，但是它比其工作频率要低；另外生产这种存储器不需要支付专利使用费，使得制造成本较低，所以这种存储器应该具有市场竞争优势。但是由于SLDRAM联盟是一个松散的联合体，众多成员之间难以协调一致，在研究经费投入上不能达成一致意见，加上Intel公司不支持这种标准，所以这种动态存储器反而难以形成气候，敌不过Intel公司鼎立支持的Rambus公司的DRDRAM。SLDRAM可用于通信和消费类电子产品，高档PC和服务器。

（3） DRDRAM（Direct Rambus DRAM）

从1996年开始，Rambus公司就在Intel公司的支持下制定新一代RDRAM标准，这就是DRDRAM（Direct RDRAM）。这是一种基于协议的DRAM，与传统DRAM不同的是其引脚定义会随命令而变，同一组引脚线可以被定义成地址，也可以被定义成控制线。其引脚数仅为正常DRAM的三分之一。当需要扩展芯片容量时，只需要改变命令，不需要增加硬件引脚。这种芯片可以支持400MHz外频，再利用上升沿和下降沿两次传输数据，可以使数据传输率达到800MHz。同时通过把数据输出通道从8位扩展成16位，这样在100MHz时就可以使最大数据输出率达1.6Gb/s。东芝公司在购买了Rambus公司的高速传输接口技术专利后，于1998年9月首先推出72Mb的RDRAM，其中64Mb是数据存储器，另外8Mb用于纠错校验，由此大大提高了数据读写可靠性。

Intel公司办排众议，坚定地推举DRDRAM作为下一代高速内存的标准，目前在Intel公司对Micro、Toshiba和Samsung等公司组建DRDRAM的生产线和测试线投入资金。其他众多厂商也在努力与其抗争，最近AMD宣布至少今年推出的K7微处理器都不打算采用Rambus DRAM；据说IBM正在考虑放弃对Rambus的支持。当前市场上同样是64Mb的DRAM，RDRAM就要比其他标准的贵45美元。
由此可见存储器的发展动向是：大容量化，高速化， 多品种、多功能化，低电压、低功耗化。
存储器的工艺发展中有以下趋势：CHMOS工艺代替NMOS工艺以降低功耗；缩小器件尺寸，外围电路仍采用ECL结构以提高存取速度同时提高集成度；存储电容从平面HI-C改为深沟式，保证尺寸减少后的电荷存储量，以提高可靠性；电路设计中简化外围电路结构，注意降低噪声，运用冗余技术以提高质量和成品率；工艺中采用了多种新技术；使DRAM的存储容量稳步上升，为今后继续开发大容量的新电路奠定基础。
从电子计算机中的处理器和存储器可以看出ULSI前进的步伐和几十年间的巨大变化。