㈠ ROM是什么存储器
RAM是随机存储器的英文缩写，指的是电子设备中的运行内存，它可读可写，但是断电之后存储数据会丢失；ROM是只读存储器的英文缩写，它的特点是可以在断电后依旧保留数据，但数据一旦写入就无法更改，一般用于存放设备的引导固件。
RAM是Random Access Memory的首字母缩写，意为随机存储器，它的特点就是可读可写，但是断电之后存储数据会丢失。我们手机、电脑中的运行内存就是RAM，一般不能被我们直接访问，是用来缓存加载数据使用。
ROM是Read only Memory的首字母缩写，意为只读存储器，它只允许数据生产出来之后有一次写入的机会，它的特点是可以在断电后依旧保留数据。这一类的存储器一般用来存放固件，比如计算机启动需要的引导固件等。
㈡ ROM存储器和RAM的区别
随机存取记忆体（Random Access Memory，或称为RAM），是一种在电脑中用来暂时保存数据的元件。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为作业系统或其他正在运行中的程式之临时资料存储媒介。
RAM记忆体可以进一步分为静态RAM（SRAM）和动态记忆体（DRAM）两大类。SRAM具有快速存取的优点。而DRAM由于具有较低的单位容量价格，所以被大量的采用作为系统的主记忆。
不过，当电源关闭时RAM不能保留数据，如果需要保存数据，就必须把它们写入到一个长期的储存设备中（例如硬盘）。RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM就不会。
唯读记忆体（Read-Only Memory，ROM）是一种半导体记忆体，其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，资料并且不会因为电源关闭而消失。例如早期的个人电脑如Apple II或IBM PC XT/AT的开机程式（作业系统）或是其他各种微电脑系统中的轫体（Firmware）。
㈢ CD-ROM存储器使用什么来读出盘上的信息
CD-ROM（Compact Disc Read-Only Memory）即只读光盘，是一种在电脑上使用的光盘。这种光盘只能写入数据一次，信息将永久保存在光盘上，使用时通过光盘驱动器读出信息。
读CD-ROM上的数据时，是利用激光束扫描光盘，根据激光在小坑上的反射变化得到数字信息。盘中的信息存储在螺旋形光道中。
㈣ 我想自己设计一个电路，就像想用门电路仿作一个单片机，我知道ROM芯片是EEPROM那RAN是什么类型的呢
手机上的程序存储是EEPROM+FLASH，RAM是DRAM，用户存储也是FLASH。
㈤ ROM和RAM这两个存储器是放在什么地方的啊
ROM只读存储器，一般BIOS用ROM保存。
RAM是随即存储器，可读可写，分动态RAM和静态RAM，一般内存就是用RAM构成。
CPU里面CACHE高速缓存是RAM构成的。
㈥ 在ROM存储器中必须有什么电路
rom是英文"read-only
memory"的简称,意思是只读存储器.其特点:是只能从该存储器读取数据,而不能向该存储器写数据,里面已写入的数据可长期保留.
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ROM
只读内存（Read-Only Memory）是一种只能读取资料的内存。最常见的就是光盘，如下图所示：
CDROM
在制造过程中，将资料以一特制光罩（mask）烧录于线路中，其资料内容在写入后就不能更改，所以有时又称为“光罩式只读内存”（mask ROM）。此内存的制造成本较低，常用于电脑中的开机启动。
rom的分类：
可编程只读存储器
可编程只读存储器（英文：Programmable ROM，简称：PROM）一般可编程一次。PROM存储器出厂时各个存储单元皆为1，或皆为0。用户使用时，再使用编程的方法使PROM存储所需要的数据。
PROM需要用电和光照的方法来编写与存放的程序和信息。但仅仅只能编写一次，第一次写入的信息就被永久性地保存起来。例如，双极性PROM有两种结构：一种是熔丝烧断型，一种是PN结击穿型。它们只能进行一次性改写，一旦编程完毕，其内容便是永久性的。由于可靠性差，又是一次性编程，目前较少使用。
可编程可擦除只读存储器
可编程可擦除只读存储器（英文：Erasable Programmable Read Only Memory，简称：EPROM）可多次编程。这是一种便于用户根据需要来写入，并能把已写入的内容擦去后再改写，即是一种多次改写的ROM。由于能够改写，因此能对写入的信息进行校正，在修改错误后再重新写入。
擦除远存储内容的方法可以采用以下方法：电的方法（称电可改写ROM）或用紫外线照射的方法（称光可改写ROM）。[2]光可改写ROM可利用高电压将资料编程写入，抹除时将线路曝光于紫外线下，则资料可被清空，并且可重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。
一次编程只读内存
一次编程只读内存（One Time Programmable Read Only Memory，OPTROM）之写入原理同EPROM，但是为了节省成本，编程写入之后就不再抹除，因此不设置透明窗。
电子可擦除可编程只读存储器
电子可擦除可编程只读存储器（英文：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，简称：EPROM）之运作原理类似EPROM，但是抹除的方式是使用高电场来完成，因此不需要透明窗。
闪速存储器
闪速存储器（英文：Flash memory）是英特尔公司90年代中期发明的一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器它既有EEPROM的特点，又有RAM的特点，因而是一种全新的存储结构。