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监控存储器磁化资料

发布时间: 2023-06-02 13:41:55

‘壹’ 存储信息的硬盘使用的是软磁性材料还是硬磁性材料

存储信息的硬盘使用的是硬磁性材料。

硬磁性材料也就是永磁体指磁化后能长久保持磁性的材料 常见的有高碳钢,铝镍钴合金,钛钴合金 还应用于磁记录,如录音磁带,录象磁带,电脑磁盘粉等。

软磁性材料指磁化后,不能保持原有的磁性。如软铁,硅钢,铁镍合金等。用来制造变压器,电磁铁等。

硬磁性材料的特点是:

1)具有较大的矫顽力,典型值Hc=104~106A/m。

2)磁滞回线较粗,具有较高的最大磁能积(BH)max。

3)剩磁很大。

4)这种材料充磁后不易退磁,适合做永久磁铁。

5) 硬磁性材料如碳钢、铝镍钴合金和铝钢等。

矫顽磁力大,这意味着磁滞回线包围的面积较大,磁滞特性非常明显。把硬磁性材料放在外磁场中充磁后,若将外磁场撤除,仍然能保留较强的磁性,并且这种剩余磁性不易被消除。

‘贰’ 存储器的发展史

存储器设备发展

1.存储器设备发展之汞延迟线

汞延迟线是基于汞在室温时是液体,同时又是导体,每比特数据用机械波的波峰(1)和波谷(0)表示。机械波从汞柱的一端开始,一定厚度的熔融态金属汞通过一振动膜片沿着纵向从一端传到另一端,这样就得名“汞延迟线”。在管的另一端,一传感器得到每一比特的信息,并反馈到起点。设想是汞获取并延迟这些数据,这样它们便能存储了。这个过程是机械和电子的奇妙结合。缺点是由于环境条件的限制,这种存储器方式会受各种环境因素影响而不精确。

1950年,世界上第一台具有存储程序功能的计算机EDVAC由冯.诺依曼博士领导设计。它的主要特点是采用二进制,使用汞延迟线作存储器,指令和程序可存入计算机中。

1951年3月,由ENIAC的主要设计者莫克利和埃克特设计的第一台通用自动计算机UNIVAC-I交付使用。它不仅能作科学计算,而且能作数据处理。

2.存储器设备发展之磁带

UNIVAC-I第一次采用磁带机作外存储器,首先用奇偶校验方法和双重运算线路来提高系统的可靠性,并最先进行了自动编程的试验。

磁带是所有存储器设备发展中单位存储信息成本最低、容量最大、标准化程度最高的常用存储介质之一。它互换性好、易于保存,近年来,由于采用了具有高纠错能力的编码技术和即写即读的通道技术,大大提高了磁带存储的可靠性和读写速度。根据读写磁带的工作原理可分为螺旋扫描技术、线性记录(数据流)技术、DLT技术以及比较先进的LTO技术。

根据读写磁带的工作原理,磁带机可以分为六种规格。其中两种采用螺旋扫描读写方式的是面向工作组级的DAT(4mm)磁带机和面向部门级的8mm磁带机,另外四种则是选用数据流存储技术设计的设备,它们分别是采用单磁头读写方式、磁带宽度为1/4英寸、面向低端应用的Travan和DC系列,以及采用多磁头读写方式、磁带宽度均为1/2英寸、面向高端应用的DLT和IBM的3480/3490/3590系列等。

磁带库是基于磁带的备份系统,它能够提供同样的基本自动备份和数据恢复功能,但同时具有更先进的技术特点。它的存储容量可达到数百PB,可以实现连续备份、自动搜索磁带,也可以在驱动管理软件控制下实现智能恢复、实时监控和统计,整个数据存储备份过程完全摆脱了人工干涉。

磁带库不仅数据存储量大得多,而且在备份效率和人工占用方面拥有无可比拟的优势。在网络系统中,磁带库通过SAN(Storage Area Network,存储区域网络)系统可形成网络存储系统,为企业存储提供有力保障,很容易完成远程数据访问、数据存储备份或通过磁带镜像技术实现多磁带库备份,无疑是数据仓库、ERP等大型网络应用的良好存储设备。

3.存储器设备发展之磁鼓

1953年,随着存储器设备发展,第一台磁鼓应用于IBM 701,它是作为内存储器使用的。磁鼓是利用铝鼓筒表面涂覆的磁性材料来存储数据的。鼓筒旋转速度很高,因此存取速度快。它采用饱和磁记录,从固定式磁头发展到浮动式磁头,从采用磁胶发展到采用电镀的连续磁介质。这些都为后来的磁盘存储器打下了基础。

磁鼓最大的缺点是利用率不高, 一个大圆柱体只有表面一层用于存储,而磁盘的两面都利用来存储,显然利用率要高得多。 因此,当磁盘出现后,磁鼓就被淘汰了。

4.存储器设备发展之磁芯

美国物理学家王安1950年提出了利用磁性材料制造存储器的思想。福雷斯特则将这一思想变成了现实。

为了实现磁芯存储,福雷斯特需要一种物质,这种物质应该有一个非常明确的磁化阈值。他找到在新泽西生产电视机用铁氧体变换器的一家公司的德国老陶瓷专家,利用熔化铁矿和氧化物获取了特定的磁性质。

对磁化有明确阈值是设计的关键。这种电线的网格和芯子织在电线网上,被人称为芯子存储,它的有关专利对发展计算机非常关键。这个方案可靠并且稳定。磁化相对来说是永久的,所以在系统的电源关闭后,存储的数据仍然保留着。既然磁场能以电子的速度来阅读,这使交互式计算有了可能。更进一步,因为是电线网格,存储阵列的任何部分都能访问,也就是说,不同的数据可以存储在电线网的不同位置,并且阅读所在位置的一束比特就能立即存取。这称为随机存取存储器(RAM),在存储器设备发展历程中它是交互式计算的革新概念。福雷斯特把这些专利转让给麻省理工学院,学院每年靠这些专利收到1500万~2000万美元。

最先获得这些专利许可证的是IBM,IBM最终获得了在北美防卫军事基地安装“旋风”的商业合同。更重要的是,自20世纪50年代以来,所有大型和中型计算机也采用了这一系统。磁芯存储从20世纪50年代、60年代,直至70年代初,一直是计算机主存的标准方式。

5.存储器设备发展之磁盘

世界第一台硬盘存储器是由IBM公司在1956年发明的,其型号为IBM 350 RAMAC(Random Access Method of Accounting and Control)。这套系统的总容量只有5MB,共使用了50个直径为24英寸的磁盘。1968年,IBM公司提出“温彻斯特/Winchester”技术,其要点是将高速旋转的磁盘、磁头及其寻道机构等全部密封在一个无尘的封闭体中,形成一个头盘组合件(HDA),与外界环境隔绝,避免了灰尘的污染,并采用小型化轻浮力的磁头浮动块,盘片表面涂润滑剂,实行接触起停,这是现代绝大多数硬盘的原型。1979年,IBM发明了薄膜磁头,进一步减轻了磁头重量,使更快的存取速度、更高的存储密度成为可能。20世纪80年代末期,IBM公司又对存储器设备发展作出一项重大贡献,发明了MR(Magneto Resistive)磁阻磁头,这种磁头在读取数据时对信号变化相当敏感,使得盘片的存储密度比以往提高了数十倍。1991年,IBM生产的3.5英寸硬盘使用了MR磁头,使硬盘的容量首次达到了1GB,从此,硬盘容量开始进入了GB数量级。IBM还发明了PRML(Partial Response Maximum Likelihood)的信号读取技术,使信号检测的灵敏度大幅度提高,从而可以大幅度提高记录密度。

目前,硬盘的面密度已经达到每平方英寸100Gb以上,是容量、性价比最大的一种存储设备。因而,在计算机的外存储设备中,还没有一种其他的存储设备能够在最近几年中对其统治地位产生挑战。硬盘不仅用于各种计算机和服务器中,在磁盘阵列和各种网络存储系统中,它也是基本的存储单元。值得注意的是,近年来微硬盘的出现和快速发展为移动存储提供了一种较为理想的存储介质。在闪存芯片难以承担的大容量移动存储领域,微硬盘可大显身手。目前尺寸为1英寸的硬盘,存储容量已达4GB,10GB容量的1英寸硬盘不久也会面世。微硬盘广泛应用于数码相机、MP3设备和各种手持电子类设备。

另一种磁盘存储设备是软盘,从早期的8英寸软盘、5.25英寸软盘到3.5英寸软盘,主要为数据交换和小容量备份之用。其中,3.5英寸1.44MB软盘占据计算机的标准配置地位近20年之久,之后出现过24MB、100MB、200MB的高密度过渡性软盘和软驱产品。然而,由于USB接口的闪存出现,软盘作为数据交换和小容量备份的统治地位已经动摇,不久会退出存储器设备发展历史舞台。

6. 存储器设备发展之光盘

光盘主要分为只读型光盘和读写型光盘。只读型指光盘上的内容是固定的,不能写入、修改,只能读取其中的内容。读写型则允许人们对光盘内容进行修改,可以抹去原来的内容,写入新的内容。用于微型计算机的光盘主要有CD-ROM、CD-R/W和DVD-ROM等几种。

上世纪60年代,荷兰飞利浦公司的研究人员开始使用激光光束进行记录和重放信息的研究。1972年,他们的研究获得了成功,1978年投放市场。最初的产品就是大家所熟知的激光视盘(LD,Laser Vision Disc)系统。

从LD的诞生至计算机用的CD-ROM,经历了三个阶段,即LD-激光视盘、CD-DA激光唱盘、CD-ROM。下面简单介绍这三个存储器设备发展阶段性的产品特点。

LD-激光视盘,就是通常所说的LCD,直径较大,为12英寸,两面都可以记录信息,但是它记录的信号是模拟信号。模拟信号的处理机制是指,模拟的电视图像信号和模拟的声音信号都要经过FM(Frequency Molation)频率调制、线性叠加,然后进行限幅放大。限幅后的信号以0.5微米宽的凹坑长短来表示。

CD-DA激光唱盘 LD虽然取得了成功,但由于事先没有制定统一的标准,使它的开发和制作一开始就陷入昂贵的资金投入中。1982年,由飞利浦公司和索尼公司制定了CD-DA激光唱盘的红皮书(Red Book)标准。由此,一种新型的激光唱盘诞生了。CD-DA激光唱盘记录音响的方法与LD系统不同,CD-DA激光唱盘系统首先把模拟的音响信号进行PCM(脉冲编码调制)数字化处理,再经过EMF(8~14位调制)编码之后记录到盘上。数字记录代替模拟记录的好处是,对干扰和噪声不敏感,由于盘本身的缺陷、划伤或沾污而引起的错误可以校正。

CD-DA系统取得成功以后,使飞利浦公司和索尼公司很自然地想到利用CD-DA作为计算机的大容量只读存储器。但要把CD-DA作为计算机的存储器,还必须解决两个重要问题,即建立适合于计算机读写的盘的数据结构,以及CD-DA误码率必须从现有的10-9降低到10-12以下,由此就产生了CD-ROM的黄皮书(Yellow Book)标准。这个标准的核心思想是,盘上的数据以数据块的形式来组织,每块都要有地址,这样一来,盘上的数据就能从几百兆字节的存储空间上被迅速找到。为了降低误码率,采用增加一种错误检测和错误校正的方案。错误检测采用了循环冗余检测码,即所谓CRC,错误校正采用里德-索洛蒙(Reed Solomon)码。黄皮书确立了CD-ROM的物理结构,而为了使其能在计算机上完全兼容,后来又制定了CD-ROM的文件系统标准,即ISO 9660。

在上世纪80年代中期,光盘存储器设备发展速度非常快,先后推出了WORM光盘、磁光盘(MO)、相变光盘(Phase Change Disk,PCD)等新品种。20世纪90年代,DVD-ROM、CD-R、CD-R/W等开始出现和普及,目前已成为计算机的标准存储设备。

光盘技术进一步向高密度发展,蓝光光盘是不久将推出的下一代高密度光盘。多层多阶光盘和全息存储光盘正在实验室研究之中,可望在5年之内推向市场。

7.存储器设备发展之纳米存储

纳米是一种长度单位,符号为nm。1纳米=1毫微米,约为10个原子的长度。假设一根头发的直径为0.05毫米,把它径向平均剖成5万根,每根的厚度即约为1纳米。与纳米存储有关的主要进展有如下内容。

1998年,美国明尼苏达大学和普林斯顿大学制备成功量子磁盘,这种磁盘是由磁性纳米棒组成的纳米阵列体系。一个量子磁盘相当于我们现在的10万~100万个磁盘,而能源消耗却降低了1万倍。

1988年,法国人首先发现了巨磁电阻效应,到1997年,采用巨磁电阻原理的纳米结构器件已在美国问世,它在磁存储、磁记忆和计算机读写磁头等方面均有广阔的应用前景。

2002年9月,美国威斯康星州大学的科研小组宣布,他们在室温条件下通过操纵单个原子,研制出原子级的硅记忆材料,其存储信息的密度是目前光盘的100万倍。这是纳米存储材料技术研究的一大进展。该小组发表在《纳米技术》杂志上的研究报告称,新的记忆材料构建在硅材料表面上。研究人员首先使金元素在硅材料表面升华,形成精确的原子轨道;然后再使硅元素升华,使其按上述原子轨道进行排列;最后,借助于扫瞄隧道显微镜的探针,从这些排列整齐的硅原子中间隔抽出硅原子,被抽空的部分代表“0”,余下的硅原子则代表“1”,这就形成了相当于计算机晶体管功能的原子级记忆材料。整个试验研究在室温条件下进行。研究小组负责人赫姆萨尔教授说,在室温条件下,一次操纵一批原子进行排列并不容易。更为重要的是,记忆材料中硅原子排列线内的间隔是一个原子大小。这保证了记忆材料的原子级水平。赫姆萨尔教授说,新的硅记忆材料与目前硅存储材料存储功能相同,而不同之处在于,前者为原子级体积,利用其制造的计算机存储材料体积更小、密度更大。这可使未来计算机微型化,且存储信息的功能更为强大。

以上就是本文向大家介绍的存储器设备发展历程的7个关键时期

‘叁’ 磁存储技术的磁存储信息

在磁存储中信息的记录与读出原理是磁致电阻效应。磁致电阻磁头的核心是一片金属材料,其电阻随磁场变化而变化。磁头采用分离式设计,由感应磁头写,磁致电阻磁头读。
1.1记录过程在硬磁盘中写入信息,采用的是感应式薄膜磁头,即用的是高磁感应强度的薄膜材料加平板印刷工艺的磁头结构。磁头缝隙小于0.1um,切向记录长度小于0.076um。磁头宽度较大,道间距也较大,道密度和位密度有很大差别, 目的是为了使磁头场具有较大的均匀区,减小介质不均匀磁化带来的噪声。目前硬盘记录中的位间距已经很小,进一步增大记录密度,除提高材料性能外,主要是采用先进制造技术按比例缩小缝隙长度和磁道宽度。较窄的磁道和较小的缝隙将使记录磁场变小。此外,提高记录介质的各向异性常数,就能提高介质的矫顽力,改善高密度记录时的热稳定性。
1.2读出过程读出过程采用巨磁电阻GMR(GianMagneto Resistance)磁头,包括磁性自旋阀(MagneticSpin Valve)与磁性隧道结(Magnetic Tunnel Junction)结构。磁性自旋阀结构为三明治式,即在两个低矫顽力磁性层中间夹一个非磁性材料层。其中一个磁性层被另外一层反铁磁层(FeMn等)所固定,称为固定层,另一磁性层为自由层。磁性隧道结结构与磁性自旋阀相似,差别为有一层超薄的“绝缘”非磁性材料(AI203等)分割磁性自由层和固定层。在目前的各种高性能硬磁盘驱动器中,巨磁电阻磁头应用较广的是以电流方向在平面内的CIP(Current.In.Plane)型磁头,尤其是采用纳米氧化层的CIP.GMR薄膜,面记录密度可达200Gb/in2。进一步研制电流垂直于平面的巨磁电阻薄膜CPP—GMR。采用CPP.GMR磁头和垂直记录技术,可实现300Gb/in2的记录密度。
隧道型磁电阻磁头TMR有望成为下一代高密度读出元件的一种磁头。2007年9月,美国Seagate公司采用隧道结磁头的第四代DB35系列产品,硬盘容量已达1TB。

‘肆’ 为什么磁性材料可以用来作为存储器

磁性材料可以具有有磁和失磁两种状态,对应二进制的1和0,故所以能用来做存储介质。

  • 磁表面存储器是利用涂覆在载体表面的磁性材料具有两种不同的磁化状态来表示二进制信息的“0”和“1”。将磁性材料均匀地涂覆在圆形的铝合金或塑料的载体上就成为磁盘,涂覆在聚酯塑料带上就成为磁带。

  • 计算机的外存储器又称磁表面存储设备。所谓磁表面存储,是用某些磁性材料薄薄地涂在金属铝或塑料表面作载磁体来存储信息。磁盘存储器、磁带存储器均属于磁表面存储器。

  • 磁表面存储器的优点为存储容量大、单位价格低、记录介质可以重复使用、记录信息可以长期保存而不丢失,甚至可以脱机存档、非破坏性读出,读出时不需要再生信息。

‘伍’ 磁表面存储器读写原理的记录介质与磁头

磁表面存储器是目前使用最广泛的外存储器。所谓磁表面存储,是用某些磁性材料薄薄地涂在金属铝或塑料表面作载磁体来存储信息。根据记录载体的外形,磁表面存储器有磁鼓、磁带、磁盘、磁卡等。而在计算机系统中广泛使用的是磁盘和磁带;特别是磁盘,几乎是稍具规模系统的基本配置。 1. 基体与磁层
在磁表面存储器中,记录信息的介质是一层很薄的磁层,它需要依附于具有一定机械强度的基体之上。根据不同磁表面存储器的需要,基体分为软质基体与硬质基体两大类,它们所要求的磁层材料与制造工艺也相应不同。
(1)软质基体与磁层
磁带的运行方式要求采用软质基体,如聚酯薄膜带。软盘的盘片在工作时与磁头接触,为了减少磁头磨损,也要求用软质基体,如聚酯薄片。
将具有距磁特性的氧化铁微粒,渗入少量钴,用树脂粘合剂混合后,涂敷在基本
体之上加工形成约1微米厚的均匀磁层。这就是记录信息用介质,属于颗粒型材料。
(2)硬质基体与磁层
硬盘的运行方式对基体与磁层要求更高,一般采用铝合金硬质盘片作为基体。为了进一步提高片光洁度与硬度,一些新型硬盘采用工程塑料、陶瓷、玻璃作为基体。
硬盘一般采用电镀工艺在盘片上形成一个很薄的磁层,所用材料为具有矩磁特性的铁镍钴合金。电镀形成的磁层属于连续型非颗粒型材料,又称薄膜介质,其均匀性与性能大为提高。磁层厚度大约只有0.1-0.2微米
,上面再镀一层保护膜,增加抗磨性和抗腐蚀性。 在更新的硬盘中,采用溅射工艺形成薄膜磁层,即用粒子撞击阴极,使阴极处的磁性材料原子淀积为磁性薄膜。其性能优于镀膜。
为了增加读出信号的幅度,希望选用材料的剩磁感应强度 比较大。但 过大,磁化状态翻转时间增加,因而影响记录密度。为了提高激励密度,要求磁层尽量薄。以减少磁化所需时间;磁层薄又使磁通变化量 减少,将影响读出信号幅度。这就要求改进读出放大的电子技术,以降低对磁层制造工艺的要求,或在相同工艺水平条件下,提高密度与可靠性。
此外,要求磁层内部无缺陷,表面组织致密、光滑、平整,磁层厚薄均匀,无污染,对环境温度不敏感,性能稳定。 磁头是实现读/写的关键元件。写入时,将脉冲代码以磁化电流形式加入磁头线圈,使记录介质产生相应的磁化状态,即电磁转换。读出时,磁层中的磁化翻转使磁头的读出线圈产生感应信号,即磁电转换。
图3-1 磁头原理图
图3-1是磁头的原理性示意图。磁头由高导磁材料构成,上面绕有线圈,有一个线圈兼做写入磁化与读出,或分设读磁头与写磁头。磁头面向记录介质的部分开有间隙,称作磁头间隙,简称头隙。如果没有这个间隙,磁化电流产生的磁通将只在闭合磁路中流过,对记录介质没有作用。开了间隙后,大部分磁通将流经头隙所对应的记录介质局部区域,使该作用区留下某种磁化状态。读出时,记录信息的介质经过磁头,由于对着磁头的区域中存在磁化状态翻转,若由正向饱和变为负向饱和,或由负向饱和变为正向饱和,使磁头的磁路中发生磁通变化 。读出线圈产生感应电势,即读出信号。因此头曦部分的形状与尺寸至关重要,又称工作间隙。磁头的磁路其余部分既可做成环状,也可做成马蹄形,影响不大。
在磁盘或磁带进行读/写时,记录介质运动而磁头不动,磁头在记录介质上的磁化区形成磁道。磁化后,磁道中心部分达到磁饱和,而磁道两侧的边缘部分磁化不足。在写入后,常将两侧进行清洗,称为夹缝清除。
从磁头的任务来看,在磁盘中,每个记录面有一个磁头,兼做读磁头与写磁头,又称复合磁头。在磁带机中,经常一次并行地读/写几个磁道。每个磁道中有一对磁头:一个读磁头和一个写磁头,可以实现写后读出检查。将几个磁道的读磁头与写磁头装配为一体,道间加屏蔽,称为组合头快。
从制造工艺方面来看,分为早期的传统工艺磁头与近期的薄膜磁头。
在早期的制造工艺中,或是用高导磁率铁淦氧材料热压成形,或用高导磁率铁镍合金(坡莫合金)叠片组装成形。通常是先制成几部分其中一段绕有线圈,然后将他们粘接起来。用于软盘的磁头,将上述铁芯封装在特种塑料外壳里,外壳做成球面形或平面扣子形,便于安装和定位,并使磁头与盘面接触良好,工作时磨损小。用于硬盘的磁头,将铁芯封装在一个陶瓷块内,该陶瓷块称为浮动块,工作时可由气垫使其浮空于盘面上;后来又将铁芯和浮动块改为用同样的材料制成。
近期的硬盘采用薄膜磁头,用类似于半导体工艺的淀积和成形技术,在基板上形成坡莫合金的铁芯,和具有一定匝数的线圈,如平面螺旋式导体线圈。由于制造成型过程中使用掩模光刻技术,精度很高,可以获得比较理想的极尖形状和工作间隙;然后在基板上烧固一层氧化铝和碳化钛,再切割加工成浮动块。相比之下,薄膜磁头在各方面的性能均优于传统工艺磁头。