Ⅰ 请问SSD中闪存颗粒TLC和MLC有什么区别它们分别能写多少数据谢谢大家！！！
在U盘、SSD等固态存储产品中，闪存芯片颗粒是核心，其关乎产品成本、寿命以及速度。闪存芯片颗粒主要有三种类型，分别为SLC、MLC、TLC，三者之间的区别，如下。
slc、mlc、tlc闪存芯片颗粒区别介绍
SLC = Single-Level Cell
，即1bit/cell，速度快寿命长，价格贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命；
MLC = Multi-Level
Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命
TLC =
Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命。
Ⅱ 怎样看闪存颗粒大小
你这个是三星960EVO吗？
如果是，有评测说闪存颗粒是48层TLC V-NAND闪存颗粒，具体型号为K90KGY8S7E。单颗容量125GB
Ⅲ 什么叫内存颗粒
参考网址：
http://bbs.cfanclub.net/read.php?tid-19387.html
内存编号识别解读
Samsung
具体含义解释：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
Hynix(Hyundai)现代
现代内存的含义：
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、 K :DDR266A
现代的mBGA封装的颗粒
Infineon（亿恒）
Infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。
KINGMAX、kti
KINGMAX内存的说明
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
Winbond（华邦）
含义说明：
W XX XX XX XX
1 2 3 4 5
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz
Mosel（中国台湾茂矽）
中国台湾茂矽科技是中国台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns
NANYA（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR
南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年中国台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns。
V-DATA（香港威刚）、A-DATA（中国台湾威刚）、VT
威刚科技是中国台湾的实力品牌，拥有三条SMT生产线和应产能调节的五条外包生产线，月产能约九十万条DRAM模块。
V－DATA（可以说它是A－DATA的廉价版本）
内存颗粒编号为VDD8608A8A-6B H0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256M容量，0327代表它的生产日期为2003年第27周
A－DATA
这是A－DATA的DDR500
EilteMT（中国台湾晶豪电子）
中国台湾晶豪电子是中国台湾5大内存芯片厂商之一，它近年来发展迅速，主要中国大陆显卡商采用它的颗粒较多。这颗显存编号为-5.5Q，9948S M32L32321SB，-5.5Q代表显存的速度为5.5ns，对应的运行速度=1/5.5=183MHz；9948S表示封装日期为99年第48周；第二行中的3232表示容量为32/8=4MB，数据带宽为32bit
这颗显存编号为M13L128168A-4T，5、6、7位的128表示单颗是128/8＝16MB，8、9位表示位宽16bit，最后的-4T表示速度为4ns。EtronTech（中国台湾钰创科技）
中国台湾钰创科技为最近兴起的存储芯片领域里的一颗新星，它的内存颗粒被各大显卡产商大量采用，品质性能都非常不错。这颗显存编号为EM658160TS-4.5，其中EM代表EtronTech(钰创)显存，65代表容量为64/8=8MB，16代表数据带宽为16bit。T代表工作电压为2.5V，S代表种类为DDR SDRAM。4.5代表显存速度为4.5ns，额定工作频率为230MHz。
Ⅳ 什么是U盘存储颗粒
找个不用的u盘 自己的u盘也行 慢点拆 中间有缝 慢慢掰开 就看到了 一个黑色的颗粒 在一个小线路板上
Ⅳ 闪存颗粒与内存颗粒的区别
闪存是利用了闪存技术的非易失性存储颗粒，一般用于SD卡，TF卡，U盘等小型存储设备。内存是系统运行时暂时保存文件的随机存储驱动器，是易失性的，也就是只有通电状况下才能保存，完全是两种技术。
Ⅵ 内存颗粒怎么看
内存条是由电路板（PCB板） 内存颗粒SPD芯片（有八针因脚的黑色芯片，主要是用来纪录内存的工作电压 工作频率CLS时序 生产厂家等信息的芯片） 贴片式电容和金手指组成的，内存条上偶数个大的方块形状的芯片就是内存颗粒，内存一般由8个（单面）和16个（双面）颗粒组成的。内存厂商又分为晶圆厂商（专业制造内存颗粒）和模组厂商（专业采购颗粒组装和生产成品及测试等）。
为了防止买到被打磨过的内存，我们在选购时可以通过以下几点来判断。
第一，看内存颗粒上的编码是否清晰锐利，各颗粒上的编号是否一致。再用力搓一下编码看是否掉色脱落.
第二，选用优质PCB板的内存。PCB板作为内存的根基，购买时应该选择做工精良、用料厚实的产品，同时也需要选择金手指较厚实的内存。
第三，不可忽视的SPD(Serial Presence Detect串行侦测)芯片。SPD是一颗8Pin的小芯片，一般是1个容量为256字节(2Kbit)的EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM 电可擦写可编程只读存储器芯片)。SPD
的作用是记录内存的速度、容量、电压等参数信息，当开机时PC的BIOS将自动读取SPD中记录的信息，如果没有
SPD或者其中的信息错误，则会出现死机、不兼容等现象。因此，选购内存时一定不能选择缺少SPD芯片的产品。
第四，用料和做工同样重要。有了优质的颗粒、PCB板和SPD芯片后，将他们焊接在一起的制作工艺也显得十分重要。不合格的焊料和焊接技术会产生大量的“虚焊”，一般肉眼看不出有任何不妥，但在使用一段时间后便会逐渐氧化接着脱焊。因此除了选购知名品牌的内存外，选择售后服务完善的品牌也非常重要。
Ⅶ 固态硬盘闪存颗粒分哪几类
分为三种颗粒，MLC,TLC,SLC
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。
拓展资料：
硬盘是电脑主要的存储媒介之一，由一个或者多个铝制或者玻璃制的盘片组成。盘片外覆盖有铁磁性材料。
硬盘有固态硬盘(SSD 盘，新式硬盘)、机械硬盘(HDD 传统硬盘)、混合硬盘(HHD 一块基于传统机械硬盘诞生出来的新硬盘)。SSD采用闪存颗粒来存储，HDD采用磁性盘片来存储，混合硬盘(HHD: Hybrid Hard Disk)是把磁性硬盘和闪存集成到一起的一种硬盘。绝大多数硬盘都是固定硬盘，被永久性地密封固定在硬盘驱动器中。
磁头复位节能技术:通过在闲时对磁头的复位来节能。
多磁头技术:通过在同一盘片上增加多个磁头同时的读或写来为硬盘提速，或同时在多盘片同时利用磁头来读或写来为磁盘提速，多用于服务器和数据库中心。
Ⅷ SSD中闪存颗粒TLC和MLC有什么区别它们分别能写多少数据
slc、mlc、tlc闪存芯片颗粒区别介绍
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命；
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命。
Ⅸ 内存颗粒、闪存颗粒的区别
闪存是利用了闪存技术的非易失性存储颗粒，一般用于sd卡，tf卡，u盘等小型存储设备。内存是系统运行时暂时保存文件的随机存储驱动器，是易失性的，也就是只有通电状况下才能保存，完全是两种技术。