Ⅰ 关于存储周期设定原则
存储周期，连续启动两次读或写操作所需间隔的最小时间 体现主存的速度(纳秒ns) 名词解释 存储器的两个基本操作为读出与写入。
（memory cycle time）：连续启动两次读或写操作所需间隔的最小时间体现主存的速度（纳秒ns）。
存储周期，通常用访问周期T（又称存取周期等）表示，该概念与存取时间是不同的。
存储系统的存储周期与命中率H的关系非常大。
命中率：可以简单地定义为在M1存储器中访问到的概率，它一般用模拟实验的方法得到。
选择一组有代表性的程序，在程序执行过程中分别统计对M1存储器的访问次数N1和对M2存储器的访问次数N2，然后代入下面的关系式计算。
整个存储系统的访问周期可以用M1和M2两个存储器的访问周期T1，T2和命中率H来表示：
T=H·T1+(1－H)·T2（3－2）
当命中率H→筿1时，T→T1，即存储系统的访问周期T接近于速度比较快的M1存储器的访问周期T1。
Ⅱ 指令周期，机器周期，时钟周期与存储周期的关系
周期：取决于"晶振频率"，固定。但是因为工艺的关系，每个单元之间会有一定范围内的异同，"超频"就是这个道理，说到底还是"工艺"；数据量：一次存取的最大二进制数据量肯定固定。因为引脚数目肯定是固定的。
参考网络"机器周期"：指令周期（Instruction Cycle）：取出并执行一条指令的时间。总线周期（BUS Cycle）：也就是一个访存储器或I/O端口操作所用的时间。时钟周期（Clock Cycle）：处理操作的最基本单位，晶振频率的倒数。指令周期、总线周期和时钟周期之间的关系：一个指令周期由若干个总线周期组成，而一个总线周期时间又包含有若干个时钟周期。一个总线周期包含一个（只有取址周期）或多个机器周期。
Ⅲ 存储周期是指
存储周期，是指主存储器两次启动操作之间需要的最小时间间隔，也称之为主存储器周期时间。
存储周期具有以下特点：
1、存储周期：连续启动两次操作所需间隔的最小时间体现主存的速度；
2、存储器的两个基本操作为读出与写入，是指将信息在存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写；
3、存储周期，通常用访问周期T表示；
4、存储系统的存储周期与命中率H的关系非常大。
Ⅳ 硬盘数据恢复要多久时间丢失数据还能恢复吗
硬盘数据恢复的一般取决于丢失数据文件的大小，如果文件较大的话，那么恢复的时间也都比较长。但如果丢失文件较小的话，一般也都能快速找回。
丢失数据文件也是可以找回的，但是要保证你所丢失的数据文件没有被覆盖或者损坏，同时还需要借助相应的数据恢复软件进行扫描和修复。
以“嗨格式数据恢复大师”为例，操作步骤如下：
1、将丢失数据的移动硬盘插入电脑中
Ⅳ 在计算机中什么是内存存取时间和存储周期
存取时间，指的是CPU读或写内存内数据的过程时间。
以读取为例，从CPU发出指令给内存时，便会要求内存取用特定地址的数据，内存响应CPU后便会将CPU所需要的数据送给CPU，一直到CPU收到数据为止，便成为一个读取的流程。
存储周期：连续启动两次读或写操作所需间隔的最小时间
内存的存取周期一般为60ns-120ns。单位以纳秒（ns）度量，换算关系1ns=10-6ms=10-9s，常见的有60ns、70ns、80ns、120ns等几种，相应在内存条上标为-6、-7、-8、-120等字样。这个数值越小，存取速度越快。
(5)存储周期的恢复时间扩展阅读
存储器的两个基本操作为“读出”与“写入”，是指将存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为“取数时间TA”。两次独立的存取操作之间所需最短时间称为“存储周期TMC”。半导体存储器的存取周期一般为6ns～10ns。
其中存储单元(memory location)简称“单元”。为存储器中存储一机器字或一字节的空间位置。一个存储器划分为若干存储单元，并按一定顺序编号，称为“地址”。如一存储单元存放一有独立意义的代码。即存放作为一个整体来处理或运算的一组数字，则称为“字”。
字的长度，即字所包含的位数，称为“字长”。如以字节来划分存储单元，则一机器字常须存放在几个存储单元中。存储单元中的内容一经写入，虽经反复使用，仍保持不变。如须写入新内容，则原内容被“冲掉”，而变成新写入的内容。
Ⅵ 存储周期的介绍
存储周期（memory cycle time）：连续启动两次读或写操作所需间隔的最小时间体现主存的速度 （纳秒ns）
Ⅶ 计算机存储器的存取时间和存取周期，能不能详细地介绍一下，不懂啊！！！先谢谢啦
这个是特别专业的问题了，除了设计计算机硬件，特别是CPU和存储部件的人员以外，使用的人们不用关注这个问题的。
因为现在计算机存储的周期都是用毫秒级别和Kbit来计算的，日常使用中存储时间已经不是问题了。
大概是这样的。
Ⅷ 内存周期是什么意思内存刷新周期 存取周期
所谓的内存周期 就是内存的时序 是内存工作四个过程的单位时间
一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。
Ⅸ 计算机的存取周期是什么
存取周期：存贮器连续二次独立的“读”或“写”操作所需的最短时间，单位来纳秒（ns,1ns=10-9s）。存储器完成一次“读”或“写”操作所需的时间称为存储器的访问时间（或读写时间）。