A. 铁电存储和磁性存储相比有哪些优点
铁电存储器相对于磁存储器主要优点是抗电磁场干扰。
B. 铁电存储器有什么特点
相对于其它类型的半导体技术而言，铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM（static random access memory)和动态存储器DRAM （dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据。 RAM 类型的存储器易于使用、性能好，可是它们同样会在掉电的情况下会失去所保存的数据。
非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于只读存储器（ROM）技术。正如你所猜想的一样，被称为只读存储器的东西肯定不容易进行写入操作
，而事实上是根本不能写入。所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点。这些技术包括有EPROM (几乎已经废止）、EEPROM和Flash。 这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。
铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁--一种非易失性的RAM
铁电存贮器（FRAM）的第一个最明显的优点是可以跟随总线速度（busspeed）写入。
铁电存贮器（FRAM）的第二大优点是几乎可以无限次写入。
C. 铁电存储器的技术比较
Ramtron公司的FRAM主要包括两大类：串行FRAM和并行FRAM。其中串行FRAM又分I2C两线方式的FM24 系列和SPI三线方式的FM25 系列。串行FRAM与传统的24 、25 型的E2PROM引脚及时序兼容，可以直接替换，如Microchip、Xicor公司的同型号产品，但各项性能要好得多，性能比较如表1所示。并行FRAM价格较高但速度快，由于存在预充问题，在时序上有所不同不能和传统的SRAM直接替换。
FRAM产品具有RAM和ROM优点，读写速度快并可以像非易失性存储器一样使用。因铁电晶体的固有缺点，访问次数是有限的，超出了限度，FRAM就不再具有非易失性。Ramtron给出的最大访问次数是100万次，比flash寿命长10倍，但是并不是说在超过这个次数之后，FRAM就会报废，而是它仅仅没有了非易失性，但它仍可像普通RAM一样使用。
1.FRAM与E2PROM
FRAM可以作为E2PROM的第二种选择，它除了E2PROM的性能外，访问速度要快得多。但是决定使用FRAM之前，必须确定系统中一旦超出对FRAM的100万次访问之后绝对不会有危险。
2.FRAM与SRAM
从速度、价格及使用方便来看SRAM优于FRAM，但是从整个设计来看，FRAM还有一定的优势。
假设设计中需要大约3K字节的SRAM，还要几百个字节用来保存启动代码的E2PROM配置。
非易失性的FRAM可以保存启动程序和配置信息。如果应用中所有存储器的最大访问速度是70ns，那么可以使用一片FRAM完成这个系统，使系统结构更加简单。
3．FRAM与DRAM
DRAM适用于那些密度和价格比速度更重要的场合。例如DRAM是图形显示存储器的最佳选择，有大量的像素需要存储，而恢复时间并不是很重要。如果不需要下次开机时保存上次内容，使用易失性的DRAM存储器就可以。DRAM的作用与成本是FRAM无法比拟的，事实证明，DRAM不是FRAM所能取代的。
4．FRAM与Flash
现在最常用的程序存储器是Flash，它使用十分方便而且越来越便宜。程序存储器必须是非易失性的并且要相对低廉，且比较容易改写，而使用FRAM会受访问次数的限制，多次读取之后会失去其非易失性。
下面介绍并行FRAM --FM1808与8051/52的实际应用。
D. 为什么设置磁表面存储器的六种记录方式,以及它们的不同
、所谓磁表面存储，是用某些磁性材料薄薄地涂在金属铝或塑料表面作载磁体来存储信息。
在磁表面存储器中，利用一种称为磁头的装置来形成和判别磁层中的不同磁化状态。磁头实际上是由软磁材料做铁芯绕有读写线圈的电磁铁。
写操作：当写线圈中通过一定方向的脉冲电流时，铁芯内就产生一定方向的磁通。
读操作：当磁头经过载磁体的磁化元时，由于磁头铁芯是良好的导磁材料，磁化元的磁力线很容易通过磁头而形成闭合磁通回路。不同极性的磁化元在铁芯里的方向是不同的。
通过电磁变换，利用磁头写线圈中的脉冲电流，可把一位二进制代码转换成载磁体存储元的不同剩磁状态；反之，通过磁电变换，利用磁头读出线圈，可将由存储元的不同剩磁状态表示的二进制代码转换成电信号输出。这就是磁表面存储器存取信息的原理。
磁层上的存储元被磁化后，它可以供多次读出而不被破坏。当不需要这批信息时，可通过磁头把磁层上所记录的信息全部抹去，称之为写“0”。通常，写入和读出是合用一个磁头，故称之为读写磁头。每个读写磁头对应着一个信息记录磁道。
磁表面存储器的优点：
①存储容量大，位价格低；
②记录介质可以重复使用；
③记录信息可以长期保存而不丢失，甚至可以脱机存档；
④非破坏性读出，读出时不需要再生信息。
磁表面存储器的缺点
存取速度较慢，机械结构复杂，对工作环境要求较高。
2、光盘存储器是一种采用光存储技术存储信息的存储器，它采用聚焦激光束在盘式介质上非接触地记录高密度信息，以介质材料的光学性质(如反射率、偏振方向)的变化来表示所存储信息的“1”或“0”
E. 磁带机的优点、网络存储器的优点及其缺点
磁带：优点：易于保存（相对网络数据），容易携带。缺点：不易查找里面内容，保存条件容易受天气，湿度，环境等影响。
网络存储：优点：方便，容易查找内容，不占现实中的位置，读取速度快。缺点：不容易保存好，万一电脑坏了，数据坏了，很难修复。
F. 存储器有几种，分别有什么优点与缺点
存储器分为ROM、RAM和Cache
rom即只读存储器，具有只读功能，断电后文件不易丢失。
RAM即随机存储器，又分为动态RAN和静态RAM，断电后文件容易丢失。
Cache即高速缓冲存储器
G. 铁电存储器
相对于其它类型的半导体技术而言，铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM（static random access memory)和动态存储器DRAM （dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据。 RAM 类型的存储器易于使用、性能好，可是它们同样会在掉电的情况下会失去所保存的数据。
非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于只读存储器（ROM）技术。 正如你所猜想的一样，被称为只读存储器的东西肯定不容易进行写入操作，而事实上是根本不能写入。所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点。这些技术包括有EPROM (几乎已经废止）、EEPROM和Flash。 这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。
铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁--一种非易失性的RAM。
he 内容提要：
铁电存储器是近10余年研究出的一种重量轻、存取速度快、寿命长、功耗低的新型存储器，有极好的应用背景。本书是引领域的第一本专着，内容包括铁电基础知识、铁电存储器件的设计、工艺、检测、存储物理有关的问题（击穿、漏电流、开关机制、疲劳）以及铁电存储器件的应用。全书引用550篇文献，概括了2000年之前人类在该领域所做的主要工作，其中包括着者本人的工作。本书内容新颖、实用、既有理论又有应用（侧重前者）。可供集成电路工程师、器件物理学家参考，也可作为应用物理和工程类专业高年级本科生的教学参考书。
作者简介：
Prof.Scott就学于美国哈佛大学和俄赢亥俄州大学，毕业后在Bell电话实验室量子电子部工作了六年。他曾是美国Colorado大学教授（1971-1992），随后在澳大利亚墨尔本和悉尼工作七年，任新南威尔士大学理学院院长。1999年起他成为英国剑桥大学铁性材料研究的教授。 Scott教授在科不杂志上已发表论文400余篇，是5本书的着作或共着者。他是美国物理学会 Fellow，并且从德国得到高级Humboldt奖（1997-1998），从日本得到Monkasho奖（2001），在莫斯科得到名誉博士学位（2003）。他是美国Symetrix公司的创始人之一，并任该公司的指导委员会主席。1997年他曾以科学访问教授身份服务于日本 Sony公司。
目录：
1.导言
1.1 铁电体的基本性质:体材料
1.2 铁电薄膜:退极化场和有限尺寸效应
2.RAM的基本性质
2.1 系统设计
2.2 实际器件
2.3 测试
3.DRAM和NV-RAM的电击穿
3.1 热击穿机制
3.2 Von Hippel方程
3.3 枝晶状击穿
3.4 击穿电压不对称和漏电流不对称
4.漏电流
4.1 Schottky发射
4.2 铁电薄膜Schottky理论的修正
4.3 电荷注人
4.4 空间电荷限制电流BCLC
4.5 负电阻率
5.电容-电压关系C(V)
5.1 支持薄耗尽层的方面
5.2 支持完全耗尽薄的论据
5.3 Zuleeg-Dey模型
5.4 混合模型
5.5 基于XPS的能带结构以匹配关系
5.6 离子空间电荷限制电流
……
6.开关动力学
7.电荷注入和疲劳
8.频率依赖
9.制备过程中的相序
10. CBT族Aurivillius相层状结构
11.淀积和工艺
12.非破坏性出器件
13.基于超导体的铁电器件：相控阵雷达和
14.薄膜黏结
15.电子发射和平面显示器
16.光学器件
17.纳米相器件
18.缺点和不足
习题
参考文献
索引
H. 比较内存储器和外存储器的优缺点
优点
缺点
内存储器
速度快
价格贵，容量小，断电
内存
后数据会丢失
外存储器
价格低，容量大断电之后数据
速度慢，体积大
硬盘
不会丢失
I. 磁表面存储器的特点
磁表面存储器的优点为存储容量大、单位价格低、记录介质可以重复使用、记录信息可以长期保存而不丢失，甚至可以脱机存档、非破坏性读出，读出时不需要再生信息。当然，磁表面存储器也有缺点，主要是存取速度较慢，机械结构复杂，对工作环境要求较高。磁表面存储器由于存储容量大，单位成本低，多在计算机系统中作为辅助大容量存储器使用，用以存放系统软件、大型文件、数据库等大量程序与数据。
磁表面存储器又可分为磁带存储器和磁盘存储器两大类。磁带存储器是一种顺序存取的设备，存取时间较长，但存储容量大，便于携带，价格便宜，是一种主要的辅助存储器。磁带的内容由磁带机进行读写，按磁带机的读写方式分为启停式和数据流式两种。
J. 铁电存储器,谁用过,有没有介绍的是什么
一、什么是铁电存储器？
摘自：http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=19
相对于其它类型的半导体技术而言，铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM（static random access memory)和动态存储器DRAM （dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据。 RAM 类型的存储器易于使用、性能好，可是它们同样会在掉电的情况下会失去所保存的数据。
非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于只读存储器（ROM）技术。 正如你所猜想的一样，被称为只读存储器的东西肯定不容易进行写入操作，而事实上是根本不能写入。所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点。这些技术包括有EPROM (几乎已经废止）、EEPROM和Flash。 这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。
铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁--一种非易失性的RAM。
二、铁电存储器技术原理
摘自：http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=20
当一个电场被加到铁电晶体时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动。当原子移动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置存储器。移去电场后，中心原子保持不动，存储器的状态也得以保存。铁电存储器不需要定时更新，掉电后数据能够继续保存，速度快而且不容易写坏。
（图片请参看原址，http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=20）
铁电存储器技术和标准的CMOS制造工艺相兼容。铁电薄膜被放置于CMOS基层之上，并置于两电极之间，使用金属互连并钝化后完成铁电制造过程。
（图片请参看原址，http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=20）
size=2>Ramtron的铁电存储器技术到现在已经相当的成熟。最初的铁电存储器采用两晶体管/两电容器（2T/2C)的结构，导致元件体积相对过大。最近随着铁电材料和制造工艺的发展，在铁电存储器的每一单元内都不再需要配置标准电容器。Ramtron新的单晶体管/单电容器结构可以像DRAM一样，使用单电容器为存储器阵列的每一列提供参考。与现有的2T/2C结构相比，它有效的把内存单元所需要的面积减少一半。新的设计极大的提高了铁电存储器的效率，降低了铁电存储器产品的生产成本。
Ramtron同样也通过转向更小的技术节点来提高铁电存储器各单元的成本效率。最近采用的0.35微米的制造工艺相对于前一代0.5微米的制造工艺，极大的降低了芯片的功耗，提高了单个芯片的利用率。
（图片请参看原址，http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=20）
所有这些令人振奋发展使铁电存储器在人们日常生活的各个领域广为应用。从办公室复印机、高档服务器到汽车安全气囊和娱乐设施，铁电存储器不断改进性能在世界范围内得到广泛的应用。
三、铁电存储器产品应用
摘自：http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=21
（图片请参看原址，http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=21）
仪表：电表、水表、汽表、流量表、邮资表。
汽车：安全气袋、车身控制系统、车载收音机、匀速控制、车载 DVD 、引擎、娱乐设备、仪器簇、 传动系、保险装置、遥感勘测/导航系统、自动收费系统
通讯：移动通讯发射站、 数据记录仪 、电话、收音机、电信、可携式GPS
消费性电子产品：家电、机顶盒、等离子液晶屏电视
计算机：办公设备、雷达系统、 网络附属存储 、电子式电脑切换器。
工业、科技、医疗：i工业自动控制、电梯、酒店门锁、掌上操作仪器、医疗仪器、发动机控制。
其他：自动提款机、照相机、游戏机、POS功能机（可以用来以电子 方式购买商品和服务）、 自动售货机。
-------------------------------------------------------------------------------- 铁电存储器在应用中所起的作用
数据收集存储
铁电存储器能够允许系统设计师更快、更频繁的写入数据，断电不易丢失。对于使用EEPROM的用户而言，这些是不能享受到的优良性能。
数据收集包括数据获取和存储数据，而这些数据必须在掉电的情况下仍能保留（不是暂时性的或中间结果暂存）。这些就是具有基本收集数据功能的系统或者子系统，并会随着时间而不断的发展出新的功能。在绝大多数的情况下，这个改变的过程纪录是很重要的。
配置信息存储
铁电存储器能够灵活实时的，并非在断电的瞬间，存储配置信息，从而帮助系统设计师克服由于突然掉电而造成的数据丢失。
配置信息的存储能够随着时间来追踪系统变化。其目标是在接通电源后恢复信息在以前的状态和位置，识别错误发生的起因。总的来说，数据收集通常是一个系统或者子系统的功能，然而配置信息存储则是一个低级别的工程功能，与系统的类别无关。
非易失性缓冲器
铁电存储器能够在数据发送或存储到其它非易失性媒介前，很快地存储正在运行中的数据。
在这种情况下，数据信息由一个子系统传输到另一个子系统。这个信息是十分重要的并且不允许在断电的情况下丢失。在有些情况下, 目标系统是一个更大的存储器。 而铁电存储器的快速、无限次的读写特点使得数据在被发送到另一个系统前就能及时保存。
SRAM的替代和扩展存储器
铁电存储器的快速写入和非易失性的特点可以通过系统设计师把SRAM和EEPROM的特点合而为一或者能单纯的扩展SRAM的功能而实现。
在很多情况下，一个系统会用到各种不同类型的存储器。铁电存储器同时具有ROM、 RAM以及 EEPROM的功能,并能节约系统内存和功耗。最常见的例子就是一个外部串行EEPROM的嵌入式的微控制器。铁电存储器能够取代EEPROM,同样也能提供SRAM的微功能。