㈠ 1k和64k是指多少个存储单元
1KB的存储器有1024个存储单元,64KB的储存器有65536个储存单元。
64KB的储存器是1KB的储存器的64倍,64乘以1024等于65536。
一般应具有存储数据和读写数据的功能,以8位二进制作为一个存储单元,也就是一个字节。每个单元有一个地址,是一个整数编码,可以表示为二进制整数。程序中的变量和主储存器的存储单元相对应。变量的名字对应着存储单元的地址,变量内容对应着单元所存储的数据。存储地址一般用十六进制数表示,而每一个存储器地址中又存放着一组二进制(或十六进制)表示的数,通常称为该地址的内容。
㈡ 64k的数据存储器或者程序存储器的编址范围是多少
64K的存储器编址范围是0000H-0FFFFH(16进制)
64K=64 x 1024=64 x 2^10=2^6 x 2^10=2^16(B)
也就是说结果是2的16次方,单位字节。这样存储器的寻址位数就是16位(对应的是2进制位,即从0000 0000 0000 0000到1111 1111 1111 1111),而16进制的1位是2进制的4位,所以对应于16进制就是4位,综上可知,64K存储器的编址范围是从0000H到0FFFFH。
如果是16K的话 按照上述方法可得16K=2^14(B)
存储器寻址范围是14位的(从0000 0000 0000 0000 到0011 1111 1111 1111),变成16进制,即0000H到3FFFH。
其他的以此类推。
请楼主参考~~
㈢ 通常所说的1K和64K是指多少个存储单元
1K是1024个储存单元。64K是65536个储存单元。因为十六进制0000,就是二进制的16个0。十六进制FFFF,就是二进制的16个1。从16个0,到16个1,共有“2的16次方”个,即65536。
㈣ 存储器容量64KB,地址长度16位,求寻址范围!
地址长度为16位,所以可以寻址2^16=64K
因为存储器容量正好是64KB,所以寻址范围也是64KB
如果存储器容量比64KB大,那么因为地址长度16位,也只能寻址64KB
16进制的数字每一位是2^4个地址,4位共2^16,所以可以寻址从0000H~FFFFH
㈤ 使用十六进制数为一个64KB的存储器编制地址码,其编号应从0001到
64k存储器,是16位的地址总线,也就是说是 16个0或1组成的数字,换成16进制就是4个 0到F组成的数字,编号从0000 到 FFFF ,计算机都是从0开始寻找的,所以是从0开始,不是1。
㈥ 某计算机内存存储容量为64k,如果对存储器按16位字进行计算,存储容量为多少
"什么意思? 原来8位一个字节,假设成16位一个字节?
64K=64*1024*8bit=(32)*1024*16bit,也就是32K。也就是数据线翻倍,地址线缩为原来一半。不过这个题目怪怪的,没啥意义。"
㈦ 某DRAM芯片,存储容量为64K×16为,该芯片的地址线和数据线数目为
对,由于现在DRAM寻址都是使用的多路技术,所以本来应该是16根地址线的,但是使用多路技术,就是把地址一分为二,通过连续的两个时钟周期来传输地址码,所以地址线就减少了一半,为8根.而数据线就是16根,就是同时能传输16位的数据.
㈧ 64K*1位双译码结构存储芯片的存储体阵列的行数和列数是多少
64k=2的16次方 即行数*列数=2的八次方*2的八次方=256*256
㈨ 某存储器容量为64K×16位,CPU将分别提供多少根的地址线和数据线与该存储器相连
一个单元16位,数据线为16位较好。
64K 的单元数,意味着地址线需要 16位。
㈩ 某SRAM芯片的存储容量为64k*16位,该芯片的地址线和数据线数目为多少
SRAM芯片的存储容量为64k*16位,该芯片的地址线是16根,数据线是16根。
存储容量的计算公式是:2^n,其中n就表示地址线的数目。2^16=65536,在计算机中就称其存储容量最大可扩展为64K。存储器芯片容量=单元数×数据线位数,因此64k*16位芯片的数据线是16根。
SRAM的中文意思就是静态随机存取存储器,是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”,是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。
相对之下,动态随机存取存储器(DRAM)里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而,当电力供应停止时,SRAM储存的数据还是会消失(被称为volatile memory),这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。
(10)64k16的存储器行列数扩展阅读
SRAM主要用途:
SRAM主要用于二级高速缓存(Level2 Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。
SRAM的速度快但昂贵,一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存(cache)。
SRAM也有许多种,如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM,异步SRAM)、Sync SRAM (Synchronous SRAM,同步SRAM)、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM,流水式突发SRAM),还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。
SRAM一般可分为五大部分:存储单元阵列(core cells array),行/列地址译码器(decode),灵敏放大器(Sense Amplifier),控制电路(control circuit),缓冲/驱动电路(FFIO)。
SRAM是静态存储方式,以双稳态电路作为存储单元,SRAM不像DRAM一样需要不断刷新,而且工作速度较快,但由于存储单元器件较多,集成度不太高,功耗也较大。