1. XカットLiNbO3是什么
铌酸锂（LiNbO3）晶体是目前用途最广泛的新型无机材料之一，它是很好的压电换能材料，铁电材料，电光材料，非线性光学材料及表面波基质材料。铌酸锂作为电光材料在光通讯中起到光调制作用。
Xカット是X-cut,即X-cut LiNbO3,应该是掺镁铌酸锂。
还有Y-cut,Z-cut等……
2. LiNbO3属于什么晶体
铌酸锂晶体.
属于什么晶体要看怎么分类了,结构上属于三方晶系晶体,用途上是光学晶体,同时也是压电、铁电、光电、非线性光学、热电和绝缘晶体.
3. 铌酸锂晶体的目录
前言
第一章 铌酸锂晶体
1.1 铌酸锂晶体概述
1.2 铌酸锂晶体掺杂改性
1.3 掺杂铌酸锂晶体的应用
1.3.1 光学体全息存储
1.3.2 热固定法
1.3.3 电固定法
1.3.4 双光子固定法
1.3.5 单掺杂或非掺杂双光子固定法
1.3.6 双掺杂双光子固定法
1.4 光折变晶体的位相共轭
1.5 全息关联存储
1.6 集成光学的应用
1.6.1 光波导简述
1.6.2 光波导理论
1.6.3 平面光波导的传播模式
1.6.4 激光光束与波导之间的耦合方式
1.6.5 基片的制备
1.7 非线性光学的应用
参考文献
第二章 铌酸锂晶体的生长
2.1 提拉法生长铌酸锂晶体
2.1.1 原料合成
2.1.2 原料的预烧结
2.1.3 晶体生长
2.1.4 设备安装
2.1.5 溶质分疑和组分过冷
2.1.6 铌酸锂晶体生长的工艺参数
2.1.7 晶体生长过程
2.1.8 晶体的极化
2.1.9 晶体的加工
2.2 单掺杂LiNbO3晶体的生长
2.2.1 晶体生长和样品的制备
2.2.2 提高铌酸锂晶体光折变效应的掺杂浓度
2.2.3 氧化和还原处理
2.3 单掺和双掺杂铌酸锂晶体（抗光损伤杂质）的生长
2.3.1 掺抗光损伤杂质LiNbO3晶体的生长工艺
2.3.2 防止晶体开裂
2.3.3 生长条纹及其抑制
2.4 不同Li/Nb比LiNbO3晶体的生长
2.5 化学计量比铌酸锂晶体的生长
2.5.1 双坩埚技术
2.5.2 气相交换平衡法
2.5.3 顶上籽晶熔液生长（TSSG）法（熔盐提拉法）生长化学计量比铌酸锂
晶体
2.6 提拉法生长晶体的优缺点
2.7 坩埚下降法生长LiNbO3晶体
参考文献
第三章 铌酸锂晶体的光折变效应
3.1 光折变效应简介
3.2 光折变效应的特点
3.3 光折变效应的发展
3.4 光激发电场载流子的产生
3.5 电荷载流子的输运
3.5.1 扩散
3.5.2 漂移
3.5.3 光生伏打效应
3.5.4 电荷输运方程
3.6 光折变效应基本方程
3.7 光致空间电荷场
3.8 LiNbO3晶体中的光折变中心
3.9 光折变效应的物理过程
3.9.1 In：Ce：Cu：LiNbO3晶体中载流子输运模型
3.9.2 双光子LiNbO3晶体的光伏场与光强的关系
参考文献
第四章 铌酸锂晶体的结构及缺陷
4.1 铌酸锂晶体的基本结构
4.2 铌酸锂晶体的本征缺陷结构
4.3 铌酸锂晶体的非本征缺陷结构
4.3.1 二价掺杂离子的占位
4.3.2 高价掺杂离子的占位
4.4 铌酸锂晶体中Li/Nb比对结构和性能的影响
4.4.1 Li/Nb比对铌酸锂晶体Raman谱线宽的影响
4.4.2 Li/Nb比对铌酸锂晶体居里温度的影响
4.4.3 Li/Nb比对铌酸锂晶体折射率的影响
4.4.4 Li/Nb比对相匹配角和相匹配温度的影响
4.4.5 Li/Nb比对铌酸锂晶体密度和晶胞参数的影响
4.4.6 Li/Nb比对铌酸锂晶体光折变性能的影响
4.5 其他电荷输运模型
4.5.1 电子一空穴竞争模型
4.5.2 双中心电荷输运模型
4.5.3 三价态电荷输运模型
参考文献
第五章 铌酸锂晶体的生长基元与结晶形貌
5.1 化学键
5.2 晶体构型与化学键
5.3 晶体生长理论模型概述
5.4 铌酸锂晶体的形貌
5.4.1 晶体的结晶形貌
5.4.2 LN晶体结构与形貌
5.5 LN熔体结构与生长基元
5.5.1 LN熔体结构
5.5.2 LN晶体生长基元
5.6 铌酸锂晶体的结晶习性
5.6.1 铌酸锂晶体结晶学特征
5.6.2 铌酸锂结晶习性
5.7 影响晶体结晶形态的因素
参考文献
第六章 掺杂铌酸锂晶体双光束耦合及光折变性能
6.1 双光束耦合理论
6.2 掺杂铌酸锂薄晶体指数增益系数
6.2.1 双光束耦合实验
6.2.2 基于大角光致散射的机理分析
6.3 Ce：Mn系列LiNbO3晶体的光学性能和光折变性能
6.3.1 Ce：Mn系列铌酸锂晶体的原料配比
6.3.2 差热分析结果
6.3.3 晶体的极化及氧化还原处理
6.3.4 氧化还原处理
6.3.5 红外光谱测试结果
6.3.6 OH一吸收峰移动机理研究
6.3.7 紫外一可见吸收光谱分析
6.3.8 Li/Nb比对Ce：Mn：LiNbO3的指数增益系数的影响
6.3.9 双光束耦合衍射效率测试
6.3.1 0温度对Ce：Mn：LiNbO3晶体的指数增益系数的影响
参考文献
第七章 双掺杂铌酸锂晶体光折变效应
7.1 双掺杂铌酸锂晶体光折变增强的理论研究
7.1.1 双掺杂晶体中载流子输运模型
7.1.2 双掺杂晶体的光折变动力学方程
7.1.3 速率方程的稳态解
7.2 双掺杂铌酸锂晶体光折变增强的实验研究
7.3 Ce：Fe：LN晶体的光学性能和光折变性能
7.3.1 Ce：Fe：LN晶体的成分配比
7.3.2 居里温度
7.3.3 Ce：Fe：LN晶体的极化
7.3.4 铈铁系铌酸锂晶体晶格常数的计算及其结构分析
7.3.5 紫外一可见光吸收光谱
7.3.6 基础吸收边移动机理
7.3.7 Ce：Fe：LN晶体的光折变性能
参考文献
第八章 掺杂铌酸锂晶体全息存储性能研究
8.1 衍射效率
8.1.1 静态型全息光栅的衍射效率
……
第九章 掺杂铌酸锂晶体全息存储及其应用
第十章 光折变晶体中位相共轭效应及温度效应
第十一章 铒系列铌酸锂晶体的光学性能
第十二章 镁系列和锌系列铌酸锂晶体的光折变性能
第十三章 锢系列和钪系列铌酸锂晶体的光折变性能
第十四章 锆系列铌酸锂晶体光折变性能
第十五章 铪系列铌酸锂晶体光折变性能
第十六章 近化学计量比铌酸锂晶体的光学性能和光折变性能
第十七章 掺杂铌酸锂晶体倍频性能研究
4. 铌酸锂单晶薄膜，国内有哪几家在生产
国际上最先产业化铌酸锂单晶薄膜 LNOI （lithium niobate on insulator）的公司是济南晶正，文献中经常出现的 NANOLN 就是指 济南晶正，公司在山东省会济南。 NANOLN从2010年成立起就专门做铌酸锂单晶薄膜 LNOI 和钽酸锂单晶薄膜 LTOI。
5. 电光晶体是铁电材料吗
具有电光效应的晶体材料。在外电场作用下，晶体的折射率发生变化的现象称为电光效应。外电场作用于晶体材料所产生的电光效应分为两种，一种是泡克耳斯效应，产生这种效应的晶体通常是不具有对称中心的各向异性晶体；另一种是克尔效应，产生这种效应的晶体通常是具有任意对称性质的晶体或各向同性介质。已实用的电光晶体主要是一些高电光品质因子的晶体和晶体薄膜。在可见波段，常用电光晶体有磷酸二氢钾、磷酸二氢铵、铌酸锂、钽酸锂等晶体。前两种晶体有高的光学质量和光损伤阈值，但其半波电压较高，而且要采用防潮解措施。后两种晶体有低的半波电压，物理化学性能稳定，但其光损伤阈值较低。在红外波段，实用的电光晶体主要是砷化镓和碲化镉等半导体晶体。电光晶体主要用于制作光调制器、扫描器、光开关等器件。在大屏幕激光显示汉字信息处理以及光通信方面也有应用前景。
铁电晶体通常具有特异的光电性能，有一部分被用作电光晶体。
6. 铌酸锂单晶薄膜与高性能铌酸锂之间有区别吗
有区别的。铌酸锂薄膜的厚度是几百纳米，薄膜层下面是一层埋层二氧化硅和硅衬底或其它衬底。可以用于开发小尺寸、高性能、低功耗的新型器件。包括滤波器，调制器等。
7. 应该用哪一种材料 铌酸锂还是钽酸锂
铌酸锂（LiNbO3）是一种铌、锂和氧的化合物。其单晶是光波导、移动电话、压电传感器、光学调制器和各种其它线性和非线性光学应用的重要材料。
铌酸锂晶体是目前用途最广泛的新型无机材料之一，它是很好的压电换能材料，铁电材料，电光材料。铌酸锂作为电光材料在光通讯中起到光调制作用。
8. 泥酸锂调制器的用途
光纤传输系统中的光调制技术分为直接调制和外调制两种，应用于短距离(120km)，低速率(＜2.5Gb/s)的直接调制法经济、实用，缺点是输入功率高，消光比小。与直接调制不同，应用于高速率，长距离传输系统(＞10Gb/s)的外调制法以低啁啾进行调制使得激光器产生稳定的大功率激光，从而获得远大于直接调制的色散受限距离。目前，波导型铌酸锂马赫一曾德尔调制器占有了已经投入实用产品的大部分。调制速率随通信速率的迅速增长而不断提高，至2000年上半年，铌酸锂光调制器的宽带中级调制频率已接近40GHz。随着系统的单信道速率由2.5Gbit/s向10Gbit/s、40Gbit/s发展，外调制器的性能对系统的传输距离和传输容量起着越来越大的作用。
95年至今有12篇关于铌酸锂调制器相关技术的专利报道。意大利Antonino Nespola等人申请并于2002年11月14日公开的美国专利“高宽带低电压驱动光电调制器”，内容涉及的铌酸锂高速外调制器由扩散型光波导，缓冲层和用来调制射频能量的电极组成。电极电焊分两个步骤实现，最后形成层叠式共面波导结构。低电压驱动通过带宽，位置和电极的布局选择实现。上层电极温度略高于下层电极的设计获得良好的速率匹配，低阻抗值和低电损耗。中国专利涉及一种铌酸锂调制器及其制造方法，包括：选择具有合适的晶体切向和电场利用方向的铌酸锂晶体制备的衬底，在铌酸锂晶体上制作出的光波导，制作在铌酸锂晶体上的与光波导匹配的调制电极，制作在调制电极的输入端和输出端的微带匹配电路，在调制电极与光波导之间设置的缓冲层结构。
国外生产铌酸锂高速外调制器的厂家很多，其中较为着名的生产商有意大利的CORNING公司，美国的AVANEX公司和JDS Uniphase公司，日本的NTT和富士通公司，法国的PHOTLINE技术公司等。其中：
意大利：CORNING公司的相关产品以10-12.5Gb/s工作速率档为主，包括IM-10小面式因子幅度调制器，F-10低驱动电压幅度调制器，SD-10集成光密集调制器，SD-10-A自带衰减器的集成光强度调制器，SD-10-RZ集成规零光调制器。
美国：JDS Uniphase公司的10.66Gb/s非归零铌酸锂调制器基于具有大范围适用性的驱动芯片实现低压驱动，高开关消光比，以低啁啾进行调制，和匹配的集成归零发生器一起，被广泛用于C和L频段掺铒光纤放大器密集波分复用连接中。
AVANEX公司的PowerBit10-12.5Gb/s啁啾式强度调制器应用可靠的x切技术，低电压驱动，同时和z切完全兼容，色散受限距离可达2000ps/nm。与采用z切比较，超出1700ps/nm后能量衰减大概在2dB左右，明显低于前者。
日本：NTT电子技术研究所就应用LiNbO光波导的这些特性制作了大带宽、低驱动电压的LiNbO光调制器。如背形结构电极、阻抗为50Ω、驱动电压为5V的70GHz带宽的光调制器；驱动电压为3.3V，带宽为45GHz的LiNbO调制器；驱动电压为5.1V，带宽为100GHz的LiNbO调制器；最新研究成果为驱动电压为2.9V，带宽达40Gb/s光传输系统用的LiNbO调制器。
富士通公司的内含监控光电二极管的10Gbps铌酸锂光调制器，采用了Ti扩散型波导，z-cut铌酸锂技术，含有一个集成光电二极管监控器和一个耦合器，用于外部的自动偏压控制(ABC)回路中。
法国：PHOTLINE技术公司的MX-LN-10光电外调制器特为长距离稳定性和低啁啾采用x切技术，使用可靠的Ti扩散型波导，和SONET OC-192和SDH STM-64兼容。
中国：相较于国外，国内在光调制器方面的研究还很少，个别单位在调制器件性能方面进行了一些相关的实验和模拟。国内研制开发铌酸锂调制器的单位有北京世维通光通讯技术有限公司，浙江德清微光元件，清华大学，中科院长春物理所和北京邮电大学等。
9. 磷化铟和铌酸锂哪种更先进
咨询记录 · 回答于2021-11-03
10. 铌酸锂的化学性质
铌酸锂晶体简称LN，属三方晶系，钛铁矿型(畸变钙钛矿型)结构。相对密度4.30，晶格常数a=0.5147 nm，c=1.3856 nm，熔点1240℃，莫氏硬度5，折射率n0=2.297，ne=2.208(λ=600 nm)，介电常数ε=44，ε=29．5，ε=84，ε=30，一次电光系数γ13=γ23=10×10pm/V，γ33=32×10pm/V．Γ22=-γ12=-γ61=6.8×10pm/V，非线性系数d31=-6.3×1p0 m/V，d22=+3.6×10pm/V，d33=-47×10pm/V。铌酸锂是一种铁电晶体，居里点1140℃，自发极化强度50×10C/cm'。经过畸化处理的铌酸锂晶体具有压电、铁电、光电、非线性光学、热电等多性能的材料，同时具有光折变效应。