① 三级网络技术
给你这个资料,你看一下 里面有些东西一定会考的
三级网络技术考试题(南开)
计算机组成原理试题
课程代码：02318
一、单项选择题（本大题共15小题，每小题1分，共15分）
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
1.若二进制数为1111.101，则相应的十进制数为( )。
A.15.625 B.15.5
C.14.625 D. 14.5
2.在下列设备中，属于图形输入设备的是( )。
A.键盘 B.条形码阅读机
C.数字化仪 D.显示器
3.磁表面存储器记录信息是利用磁性材料的( )。
A.磁滞回归线特性 B.磁场渗透特性
C.磁场分布特性 D.磁场吸引力特性
4.系统级的总线是用来连接( )。
A.CPU内部的运算器和寄存器 B.主机系统板上的所有部件
C.主机系统板上的各个芯片 D.系统中的各个功能模块或设备
5.在微程序控制中，把操作控制信号编成( )。
A.微指令 B.微地址
C.操作码 D.程序
6.从一条指令的启动到下一条指令的启动的间隔时间称为( )。
A.时钟周期 B.机器周期
C.工作周期 D.指令周期
7.假设寄存器R中的数为200，主存地址为200和300的存储单元中存放的内容分别是300和400，若访问到的操作数为200，则所采用的寻址方式为( )。
A.立即寻址#200 B.寄存器间接寻址(R)
C.存储器间接寻址(200) D.直接寻址200
8.表示主存容量的常用单位为( )。
A.数据块数 B.字节数
C.扇区数 D.记录项数
9.已知一个8位寄存器的数值为11001011，将该寄存器逻辑左移一位后，结果为( )。
A.01100101 B.10010111
C.01100111 D.10010110
10.多位二进制加法器中每一位的进位传播信号P为( )。
A.Xi+Yi B.XiYi
C.Xi+Yi+Ci D.Xi Yi Ci
11.存储器的随机访问方式是指( )。
A.可随意访问存储器
B.按随机文件访问存储器
C.可对存储器进行读出与写入
D.可按地址访问存储器任一编址单元，其访问时间相同且与地址无关
12.定点小数反码[x]反=x0?x1…xn表示的数值范围是( )。
A.-1+2-n<x≤1-2-n B.-1+2-n≤x<1-2-n
C.-1+2-n≤x≤1-2-n D.-1+2-n<x<1-2-n
13.设有二进制数x=－1101101，若采用8位二进制数表示，则[x]补=( )。
A.11101101 B.10010011
C.00010011 D.10010010
14.反映计算机基本功能的是( )。
A.操作系统 B.系统软件
C.指令系统 D.数据库系统
15.总线从设备是( )。
A.掌握总线控制权的设备 B.申请作为从设备的设备
C.被主设备访问的设备 D.总线裁决部件
二、名词解释题（本大题共5小题，每小题2分，共10分）
16.总线的同步通信方式
17.统一编址
18.ALU
19.溢出
20.垂直型微指令
三、改错题（本大题共5小题，每小题2分，共10分）针对各小题的题意，改正其结论中的错误，或补充其不足。
21.在一条微指令中，顺序控制部分的作用是发出指挥全机工作的控制信号。
22.转移指令执行结束后，目标地址可放在任意寄存器中。
23.总线周期是指：任意总线设备为获取总线控制权而等待的时间与占用总线的时间之和。
24.硬盘的存储容量常用GB表示，1GB=1000MB。
25.通道就是一组输入输出传送线。
四、简答题（本大题共6小题，每小题5分，共30分）
26.何谓虚拟存储器?其主要好处是什么?
27.堆栈有哪两种基本操作?它们的含义是什么?
28.与硬连线控制器相比，微程序控制器有哪些优缺点?
29.串行总线和并行总线有何区别?各适用于什么场合?
30.主机与外围设备之间信息传送的控制方式有哪几种?采用哪种方式CPU效率最低?
31.试比较中断方式与DMA方式的主要异同，并指出它们各自应用在什么性质的场合。
五、计算题(本大题共1小题，10分)
32.用原码的乘法方法进行0110×0101的四位乘法。要求写出每一步运算过程及运算结果。
六、设计题（本大题共2小题，第33小题15分，第34小题10分，共25分）
33.用2K×16位/片的SRAM存储器芯片设计一个8K×32位的存储器，已知地址总线为
A15～A0(低)，数据总线D31～D0(低)， 为读写控制信号。请画出该存储器芯片级逻辑图，注明各种信号线，列出片选信号逻辑式。
34.单总线CPU结构图如下，其中有运算部件ALU、寄存器Y和Z、通用寄存器R0～R3、指令寄存器IR、程序计数器PC、主存地址寄存器MAR和主存数据寄存器MDR等部件，试拟出加法指令ADD R1，B(R2)的读取和执行流程。其中R1表示目的寻址为寄存器寻址；B(R2)表示源寻址为变址寻址，B是偏移量，R2是变址寄存器。
参考资料：ziji
② 计算机组成原理
2-5:DABD
6-10:CACDA
10-14:ABBC
③ 随机存取方式是什么
随机存储可以理解为等同于随机存取，只有RAM可以。
随机存取和随机访问的区别：
1、侧重点不同：
随机存取：随机是指存取时间与存储单元的物理位置无关。
随机访问：侧重在访问，一般理解为读操作。
2、访问方式不同：
随机存取：存取是指写入与读出操作，计算机中的主存如RAM采用这种方式。
随机访问：为读操作，因为ROM是只读存储器，所以可以像RAM一样随机访问，但不能随机存取。
(3)存储器的随机访问模式是指扩展阅读：
随机存取特点
1、随机存取
所谓“随机存取”，指的是当存储器中的消息被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置无关。相对的，读取或写入顺序访问（SequentialAccess）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系（如磁带）。
2、易失性
当电源关闭时RAM不能保留数据。如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的存储设备中（例如硬盘）。RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM不会。
3、高访问速度
现代的随机存取存储器几乎是所有访问设备中写入和读取速度最快的，取存延迟也和其他涉及机械运作的存储设备相比，也显得微不足道。
4、需要刷新
现代的随机存取存储器依赖电容器存储数据。电容器充满电后代表1(二进制)，未充电的代表0。由于电容器或多或少有漏电的情形，若不作特别处理，数据会渐渐随时间流失。刷新是指定期读取电容器的状态，然后按照原来的状态重新为电容器充电，弥补流失了的电荷。需要刷新正好解释了随机存取存储器的易失性。
5、对静电敏感
正如其他精细的集成电路，随机存取存储器对环境的静电荷非常敏感。静电会干扰存储器内电容器的电荷，引致数据流失，甚至烧坏电路。故此触碰随机存取存储器前，应先用手触摸金属接地。
④ 比较动态存储器dram和静态存储器sram的异同点
SRAM中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAM（DRAM）不同，DRAM需要进行周期性的刷新操作。然后，我们不应将SRAM与只读存储器（ROM）和Flash Memory相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。
SRAM中的每一位均存储在四个晶体管当中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储单元具有两个稳定状态，通常表示为0和1。另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此，一个存储位通常需要六个MOSFET。对称的电路结构使得SRAM的访问速度要快于DRAM。SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。
SRAM不应该与SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM，这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆，PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。
从晶体管的类型分，SRAM可以分为双极性与CMOS两种。从功能上分，SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。同步SRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。
DRAM：动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式。
SRAM：静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。
SDRAM：同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。主要是存储单元结构不同导致了容量的不同。一个DRAM存储单元大约需要一个晶体管和一个电容（不包括行读出放大器等），而一个SRAM存储单元大约需要六个晶体管。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大，但是读写速度不如SRAM。一个是静态的，一个是动态的，静态的是用的双稳态触发器来保存信息，而动态的是用电子，要不时的刷新来保持。 内存（即随机存贮器RAM）可分为静态随机存储器SRAM，和动态随机存储器DRAM两种。我们经常说的“ 内存”是指DRAM。而SRAM大家却接触的很少。
SRAM其实是一种非常重要的存储器，它的用途广泛。SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时能够保 持数据完整性。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因为如此，才使其发展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU 内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使用SRAM
⑤ 简述sram和dram的主要区别
DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。
而且是行列地址复用的，许多都有页模式。
SRAM，静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据
不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。
SDRAM，同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。
DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM，但是现在，SDRAM的速度也已经很快了，时钟好像已经有150兆的了。那么就是读写周期小于10ns了。SDRAM虽然工作频率高，但是实际吞吐率要打折扣。以PC133为例，它的时钟周期是7.5ns，当CAS latency=2 时，它需要12个周期完成8个突发读操作，10个周期完成8个突发写操作。不过，如果以交替方式访问Bank，SDRAM可以在每个周期完成一个读写操作（当然除去刷新操作）。其实现在的主流高速存储器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）。目前可以方便买到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz；可以方便买到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz。
SRAM是Static Random Access Memory的缩写，中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAM（DRAM）不同，DRAM需要进行周期性的刷新操作。 然后，我们不应将SRAM与只读存储器（ROM）和Flash Memory相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。
SRAM中的每一位均存储在四个晶体管当中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储单元具有两个稳定状态，通常表示为0和1。另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此，一个存储位通常需要六个MOSFET。对称的电路结构使得SRAM的访问速度要快于DRAM。SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。
SRAM不应该与SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM（Synchronous DRAM），这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆，PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。
从晶体管的类型分，SRAM可以分为双极性与CMOS两种。从功能上分，SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。同步SRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。
DRAM：动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式 。
SRAM：静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。
SDRAM：同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。
主要是存储单元结构不同导致了容量的不同。一个DRAM存储单元大约需要一个晶体管和一个电容（不包括行读出放大器等），而一个SRAM存储单元大约需要六个晶体管。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大，但是读写速度不如SRAM。
一个是静态的，一个是动态的，静态的是用的双稳态触发器来保存信息，而动态的是用电子，要不时的刷新来保持。
内存（即随机存贮器RAM）可分为静态随机存储器SRAM，和动态随机存储器DRAM两种。我们经常说的“ 内存”是指DRAM。而SRAM大家却接触的很少。
SRAM其实是一种非常重要的存储器，它的用途广泛。SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时能够保持数据完整性。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因为如此，才使其发展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU 内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使用SRAM。
⑥ RAM ROM FLASH 和DRAM的区别
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read
Only
Memory的缩写，RAM是Random
Access
Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦出可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。
SRAM是Static
Random
Access
Memory的缩写，中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAM（DRAM）不同，DRAM需要进行周期性的刷新操作。
然后，我们不应将SRAM与只读存储器（ROM）和Flash
Memory相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。
⑦ 考研计算机组成原理：随机存储方式、随机访问、随机存取是什么区别
随机存储可以理解为等同于随机存取，只有RAM可以。
随机存取和随机访问的区别：
1、侧重点不同：
随机存取：随机是指存取时间与存储单元的物理位置无关。
随机访问：侧重在访问，一般理解为读操作。
2、访问方式不同：
随机存取：存取是指写入与读出操作，计算机中的主存如RAM采用这种方式。
随机访问：为读操作，因为ROM是只读存储器，所以可以像RAM一样随机访问，但不能随机存取。
(7)存储器的随机访问模式是指扩展阅读:
随机存取存储基本结构
随机存取存储器（RAM）的基本结构可分为三个部分：存储矩阵，地址译码器，读写电路，下面分为三块介绍：
1、存储矩阵：存储矩阵是用来存储要存放的代码，矩阵中每个存储单元都用一个二进制码给以编号，以便查询此单元。这个二进制码称作地址。
2、地址译码器：译码器可以将输入地址译为电平信号，以选中存储矩阵中的响应的单元。寻址方式分为一元寻址和二元寻址。一元寻址又称为单向译码或字译码，其输出的译码线就是字选择线，用它来选择被访问字的所有单元。
二元寻址又称为双向译码，二元寻址能够访问每一个单元，由X地址译码器输出的译码线作为行选择线进行“行选”；由Y 地址译码器输出的译码线作为列选择线进行“列选”，则行、列选择线同时选中的单元即为被访问单元，可以对它进行“写入”或“读出”。
3、读写电路：读写电路是RAM的控制部分，它包括片选CS，读写控制R/W以及数据输入读出放大器,片选CS的作用是只有当该端加低电平时此RAM才起作用, 才能进行读与写,读写控制R/W的作用是当R/W端加高电平时,对此RAM进行读出。当R/W端加低电平时进行写入。
输出级电路一般采用三态输出或集电极开路输出结构，以便扩展存储容量，如果是集电极开路输出（即 OC输出），则应外接负载电阻。
参考资料来源：网络-随机存取
⑧ 计算机答案
一分没有？！