存储单元串联

㈠ 什么是移位寄存器的深度和位宽

假如一个移位寄存器的深度是10，它可以理解成有10个bit存储单元串联而成，每次数据从一个存储单元向下一个存储单元移入；位宽是8，就是8个上面深度是10的移位寄存器并联而成。

上面是我的理解，不知对不对

㈡ 计算机名词解释：存储元件，存储基元，存储元，指令字长

1、计算机中主存储器包括存储体M，各种逻辑部件及控制电路等，存储体由许多存储单元组成，每个存储单元又包含若干个存储元件，每个存储元件能寄存一位二进制代码“0”或“1”，存储元件又称为存储基元、存储元。

2、存储基元即存储元件，是存储单元的分支，能寄存一位二进制代码“1”或“0”，又称存储元件，存储元。

3、存储元是存储器中最小存储单元，它的作用是用来存放一位二进制代码0或1。任何具有两个稳定状态（双稳态）的物理器件都可以来做存储元。

4、指令字长是指机器指令中二进制代码的总位数。指令字长取决于从操作码的长度、操作数地址的长度和操作数地址的个数。不同的指令的字长是不同的。

5、机器指令（Machine Instructions）是CPU能直接识别并执行的指令，它的表现形式是二进制编码。机器指令通常由操作码和操作数两部分组成，操作码指出该指令所要完成的操作，即指令的功能，操作数指出参与运算的对象，以及运算结果所存放的位置等。

㈢ 固态硬盘是串联还是并联

存储单元我只能解释到闪存颗粒，一个固态硬盘一般有2、4、8、10或16个等闪存颗粒，按对应颗粒数的通道传输数据，例如对于一个8颗粒的SSD，一个文件是分8个通道存取到8个颗粒上，所以SSD的速度会很快，就是SSD内部采用RAID0方式，这个应该算是并联的吧。
SSD在存取小文件单线程时速度明显比多线程或大文件速度慢，因为SSD有最小存取单位，例如最小是4K，那么当存取一个4K文件时就只能在一个颗粒上执行，这样就没有使用多通道，当然就慢了，而在测试4K 32或64线程以及64K、128K或1MB以上文件时就使用了多通道，所以速度就会快很多。所以要想提高4K存取速度，一方面提高闪存颗粒的存取速度，另一方面可以降低最小存取单位实现多通道传输就能够实现了。同时较低的存取延迟时间（类似机械硬盘的寻道时间）也是提升速度的重要方面。

㈣ 固态硬盘的储存单元是串联还是并联

您好，是串联的

㈤ 主控指令跟串联区别

1,k1m0,k1是组4个为组，1表示一组通道4个状态寄存器，如果是二就是八个，m0表示从m0开始的四个通道，M0 M1 M2 M3，这里不存在用什么十进制表示，是用BCD码表示m3为1就是0001 BCD 码表示就是1，
2，继电器输出就是普通继电器工作原理一样，像一个开关，继电器可以带直流或交流负载，具体型号带的电压也不一样，有220v的也有24v的，适合带电流较大的负载，具体多少要看说明，不过一般情况下都不会用plc直接带负载，会用一个中间继电器驱动负载，我以前碰到过一个，用plc输出直接带高压真空接触器的，时间长了把plc触电烧坏了，其次继电器相应的频率低就是一秒钟能动作多少次，一般一秒不超过10Hz，还有继电器相应时间慢约10MS,对于要高输出的不行，继电器有工作寿命，触电动作多少次就不行了
3，根据型号硬件会有不同，有生MOS管的晶体管的，不顾大致原理是这样，输入型号-光电隔离—映像寄存器-cpu-输出映像寄存器，光电隔离-输出，细节不是一下能说的清楚的，这个问题到不大只要大致了解就行了，最重要的是你要了解plc工作方式，扫描工作方式，即顺序的逐条执行用户程序直到程序结束，然后返回第一条指令重新开始扫描，这样一遍一遍执行，在编写程序是不注意安排执行顺序会照成时序错误，而且检查起来难，这是很重要的要理解
4，你可以把s寄存器当普通寄存器一样用，像m寄存器，不过s寄存器最大的作用是在顺序控制当中，STL使用的状态寄存器只能是s寄存器，例如你在stl中一个点动作进入s0状态，s0就会驱动相应的程序动作，当动作完成后，相应的触电闭合在驱动下一个s1状态，就这样顺序执行下去
5，plc是福特公司1968年提出的一个取代继电器的控制方案，随着技术发展引入了微处理器，和计算机技术，各个大公司也相继开始研发工作，各个公司标准也不一样，iec曾经就制定过一个标准，plc是根据公司具体要求而设计的一种新型控制系统
6，pls是上升沿微分，说白了就是有当触电由断开到导通这个瞬间执行指令，out是输出指令，plc编创左边是输入有边是输出，你输入喜好了要输出到那例如out m0 mo动作，plf是下降沿，就是有接通到断开是执行，set是置位指令，例如set m0这m0一种处于工作状态，要想停止工作就用reset指令，这省去了普通out还要自保德尔麻烦
7，m8002是个特殊寄存器，只在plc工作的第一个扫描周期中工作，一般用作程序的初始化
8，因为数据长度不同要用不同的指令，有字节（byte，8位），范围是0-255 ，字（word，16位）范围65535 ，双字（double word，三十二位）范围 0-4294967295，根据你运算的数据长度来使用不同的传送指令，和计算指令，不过还有有符号数和无符号数的区别，想byte范围就编程了-124-+125

9，FX系列PLC有基本逻辑指令20或27条、步进指令2条、功能指令100多条（不同系列有所不同）。本节以FX2N为例，介绍其基本逻辑指令和步进指令及其应用。 FX2N的共有27条基本逻辑指令，其中包含了有些子系列PLC的20条基本逻辑指令。主控指令（MC/MCR）（1）MC（主控指令） 用于公共串联触点的连接。执行MC后，左母线移到MC触点的后面。（2）MCR（主控复位指令） 它是MC指令的复位指令，即利用MCR指令恢复原左母线的位置。在编程时常会出现这样的情况，多个线圈同时受一个或一组触点控制，如果在每个线圈的控制电路中都串入同样的触点，将占用很多存储单元，使用主控指令就可以解决这一问题。MC、MCR指令的使用如图1所示，利用MC N0 M100实现左母线右移，使Y0、Y1都在X0的控制之下，其中N0表示嵌套等级，在无嵌套结构中N0的使用次数无限制；利用MCR N0恢复到原左母线状态。如果X0断开则会跳过MC、MCR之间的指令向下执行。
主控指令的使用 MC、MCR指令的使用说明： 1）MC、MCR指令的目标元件为Y和M，但不能用特殊辅助继电器。MC占3个程序步，MCR占2个程序步； 2）主控触点在梯形图中与一般触点垂直（如图3-22中的M100）。主控触点是与左母线相连的常开触点，是控制一组电路的总开关。与主控触点相连的触点必须用LD或LDI指令。 3）MC指令的输入触点断开时，在MC和MCR之内的积算定时器、计数器、用复位/置位指令驱动的元件保持其之前的状态不变。非积算定时器和计数器，用OUT指令驱动的元件将复位，如图3-22中当X0断开，Y0和Y1即变为OFF。 4）在一个MC指令区内若再使用MC指令称为嵌套。嵌套级数最多为8级，编号按N0→N1→N2→N3→N4→N5→N6→N7顺序增大，每级的返回用对应的MCR指令，从编号大的嵌套级开始复位。 循环用for指令next结束，不过用跳转指令也可以构成循环，比较指令很多根据数据不同有不同的指令，了有位比较，像朗ld = and<>等等 还用数据比较cmp 区间比
zcp
9，电次没电那就换被，记得换之前要把程序保存一下，一地要记得吧配方数据也要保存
10，上面不是说了16位数据范围0-65535，
12 ，你考试呀
13 IEC的PLC编程语言标准(IEC61131–3) 中有5种编程语言：
1)顺序功能图(Sequential function chart) ；
2)梯形图(Ladder diagram)；
3)功能块图(Function block diagram)；
4)指令表(Instruction list)；
5)结构文本(Structured text)。
其中的顺序功能图(SFC)、梯形图(LD)和功能块图(FBD)是图形编程语言，指令表(IL)和结构文本(ST)是文字语言。
定时器有通用定时器，t0-t245,和积算定时器t246-t255.说白了就是通用定时器触电断开或plc断电自动计算器变为0重新计数，积算定时器断开，可以记忆数据，接通后继续计数
14，没看懂你说什么，你是不是想说 project，我不用三菱，西门子比三菱强多了，建议你还是从基础做起，不要想什么看一个 project 就什么都懂了 那是不可能的
15 赚你这几分可真够累的

㈥ eeprom和norflash的区别

[导读] 我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储
关键词：NOR flashNand flashFlaSh
我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储设备我们都统称为“FLASH”，FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。U盘和MP3里用的就是这种存储器。

相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。 NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的， 通常是一次读取 512 个字节，采用这种技术的 Flash 比较廉价。用户 不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外，还作上了 一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。

NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。

Nand-flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

NAND flash和NOR flash原理
一、存储数据的原理
两种闪存都是用三端器件作为存储单元，分别为源极、漏极和栅极，与场效应管的工作原理 相同，主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断，栅极的 电流消耗极小，不同 的是场效应管为单栅极结构，而 FLASH 为双栅极结构，在栅极与硅衬底之间增加了一个浮 置栅极。[attach]158 [/attach]
浮置栅极是由氮化物夹在两层二氧化硅材料之间构成的，中间的氮化物就是可以存储电荷的 电荷势阱。上下两层氧化物的厚度大于 50 埃，以避免发生击穿。
二、浮栅的重放电
向数据单元内写入数据的过程就是向电荷势阱注入电荷的过程，写入数据有两种技术，热电 子注入(hot electron injection)和 F-N 隧道效应(Fowler Nordheim tunneling)，前一种是通过源 极给浮栅充电，后一种是通过硅基层给浮栅充电。NOR 型 FLASH 通过热电子注入方式给浮 栅充电，而 NAND 则通过 F-N 隧道效应给浮栅充电。
在写入新数据之前，必须先将原来的数据擦除，这点跟硬盘不同，也就是将浮栅的电荷放掉， 两种 FLASH 都是通过 F-N 隧道效应放电。
三、0 和 1
这方面两种 FLASH 一样，向浮栅中注入电荷表示写入了'0'，没有注入电荷表示'1'，所以对 FLASH 清除数据是写 1 的，这与硬盘正好相反；
对于浮栅中有电荷的单元来说，由于浮栅的感应作用，在源极和漏极之间将形成带正电的空 间电荷区，这时无论控制极上有没有施加偏置电压，晶体管都将处于 导通状态。而对于浮 栅中没有电荷的晶体管来说只有当控制极上施加有适当的偏置电压，在硅基层上感应出电 荷，源极和漏极才能导通，也就是说在没有给控制极施 加偏置电压时，晶体管是截止的。 如果晶体管的源极接地而漏极接位线，在无偏置电压的情况下，检测晶体管的导通状态就可 以获得存储单元中的数据，如果位线上的电平为低，说明晶体管处于 导通状态，读取的数 据为 0，如果位线上为高电平，则说明晶体管处于截止状态，读取的数据为 1。由于控制栅 极在读取数据的过程中施加的电压较小或根本不施加 电压，不足以改变浮置栅极中原有的 电荷量，所以读取操作不会改变 FLASH 中原有的数据。
四、连接和编址方式
两种 FLASH 具有相同的存储单元，工作原理也一样，为了缩短存取时间并不是对每个单元 进行单独的存取操作，而是对一定数量的存取单元进行集体操作， NAND 型 FLASH 各存 储单元之间是串联的，而 NOR 型 FLASH 各单元之间是并联的；为了对全部的存储单元有 效管理，必须对存储单元进行统一编址。
NAND 的全部存储单元分为若干个块，每个块又分为若干个页，每个页是 512byte，就是 512 个 8 位数，就是说每个页有 512 条位线，每条位线下 有 8 个存储单元；那么每页存储的数 据正好跟硬盘的一个扇区存储的数据相同，这是设计时为了方便与磁盘进行数据交换而特意 安排的，那么块就类似硬盘的簇；容 量不同，块的数量不同，组成块的页的数量也不同。 在读取数据时，当字线和位线锁定某个晶体管时，该晶体管的控制极不加偏置电压，其它的 7 个都加上偏置电压 而导通，如果这个晶体管的浮栅中有电荷就会导通使位线为低电平， 读出的数就是 0，反之就是 1。
NOR 的每个存储单元以并联的方式连接到位线，方便对每一位进行随机存取；具有专用的 地址线，可以实现一次性的直接寻址；缩短了 FLASH 对处理器指令的执行时间。 五、性能

NAND flash和NOR flash的区别
一、NAND flash和NOR flash的性能比较
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
1、NOR的读速度比NAND稍快一些。
2、NAND的写入速度比NOR快很多。
3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。
5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
二、NAND flash和NOR flash的接口差别
NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
三、NAND flash和NOR flash的容量和成本
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。
NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。
四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性
采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
五、NAND flash和NOR flash的寿命(耐用性)
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
六、位交换
所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用
七、EDC/ECC算法
这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
八、坏块处理
NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。
NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。
九、易于使用
可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。
由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
十、软件支持
当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。
驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

㈦ NAND flash和NOR flash的区别详解

[导读]我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储关键词：NORflashNandflashFlaSh我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储设备我们都统称为“FLASH”，FLASH是一种存储芯片，全名叫FlashEEPROMMemory，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。Flash又分为NANDflash和NORflash二种。U盘和MP3里用的就是这种存储器。相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NORFlash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NORFLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NANDFlash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NANDFlash上的代码，因此好多使用NANDFlash的开发板除了使用NANDFlah以外，还作上了一块小的NORFlash来运行启动代码。NORflash是intel公司1988年开发出了NORflash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP,eXecuteInPlace），这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。Nand-flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NANDflash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。NANDflash和NORflash原理一、存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元，分别为源极、漏极和栅极，与场效应管的工作原理相同，主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断，栅极的电流消耗极小，不同的是场效应管为单栅极结构，而FLASH为双栅极结构，在栅极与硅衬底之间增加了一个浮置栅极。[attach]158[/attach]浮置栅极是由氮化物夹在两层二氧化硅材料之间构成的，中间的氮化物就是可以存储电荷的电荷势阱。上下两层氧化物的厚度大于50埃，以避免发生击穿。二、浮栅的重放电向数据单元内写入数据的过程就是向电荷势阱注入电荷的过程，写入数据有两种技术，热电子注入(hotelectroninjection)和F-N隧道效应(FowlerNordheimtunneling)，前一种是通过源极给浮栅充电，后一种是通过硅基层给浮栅充电。NOR型FLASH通过热电子注入方式给浮栅充电，而NAND则通过F-N隧道效应给浮栅充电。在写入新数据之前，必须先将原来的数据擦除，这点跟硬盘不同，也就是将浮栅的电荷放掉，两种FLASH都是通过F-N隧道效应放电。三、0和1这方面两种FLASH一样，向浮栅中注入电荷表示写入了'0'，没有注入电荷表示'1'，所以对FLASH清除数据是写1的，这与硬盘正好相反；对于浮栅中有电荷的单元来说，由于浮栅的感应作用，在源极和漏极之间将形成带正电的空间电荷区，这时无论控制极上有没有施加偏置电压，晶体管都将处于导通状态。而对于浮栅中没有电荷的晶体管来说只有当控制极上施加有适当的偏置电压，在硅基层上感应出电荷，源极和漏极才能导通，也就是说在没有给控制极施加偏置电压时，晶体管是截止的。如果晶体管的源极接地而漏极接位线，在无偏置电压的情况下，检测晶体管的导通状态就可以获得存储单元中的数据，如果位线上的电平为低，说明晶体管处于导通状态，读取的数据为0，如果位线上为高电平，则说明晶体管处于截止状态，读取的数据为1。由于控制栅极在读取数据的过程中施加的电压较小或根本不施加电压，不足以改变浮置栅极中原有的电荷量，所以读取操作不会改变FLASH中原有的数据。四、连接和编址方式两种FLASH具有相同的存储单元，工作原理也一样，为了缩短存取时间并不是对每个单元进行单独的存取操作，而是对一定数量的存取单元进行集体操作，NAND型FLASH各存储单元之间是串联的，而NOR型FLASH各单元之间是并联的；为了对全部的存储单元有效管理，必须对存储单元进行统一编址。NAND的全部存储单元分为若干个块，每个块又分为若干个页，每个页是512byte，就是512个8位数，就是说每个页有512条位线，每条位线下有8个存储单元；那么每页存储的数据正好跟硬盘的一个扇区存储的数据相同，这是设计时为了方便与磁盘进行数据交换而特意安排的，那么块就类似硬盘的簇；容量不同，块的数量不同，组成块的页的数量也不同。在读取数据时，当字线和位线锁定某个晶体管时，该晶体管的控制极不加偏置电压，其它的7个都加上偏置电压而导通，如果这个晶体管的浮栅中有电荷就会导通使位线为低电平，读出的数就是0，反之就是1。NOR的每个存储单元以并联的方式连接到位线，方便对每一位进行随机存取；具有专用的地址线，可以实现一次性的直接寻址；缩短了FLASH对处理器指令的执行时间。五、性能NANDflash和NORflash的区别一、NANDflash和NORflash的性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。1、NOR的读速度比NAND稍快一些。2、NAND的写入速度比NOR快很多。3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。二、NANDflash和NORflash的接口差别NORflash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。三、NANDflash和NORflash的容量和成本NANDflash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。NORflash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NANDflash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、SecureDigital、PCCards和MMC存储卡市场上所占份额最大。四、NANDflash和NORflash的可靠性和耐用性采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。五、NANDflash和NORflash的寿命(耐用性)在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。六、位交换所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用七、EDC/ECC算法这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。八、坏块处理NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。九、易于使用可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。十、软件支持当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被WindRiverSystem、Microsoft、QNXSoftwareSystem、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

㈧ 用16K×8位的DRAM芯片构成64K ×32位存储器

存储总容量为64KB，故地址总线需16 位。现使用16K*8 位DRAM 芯片，共需16 片。芯片本身地址线占14 位，所以采用位并联与地址串联相结合的方法来组成整个存储器，其中使用一片2：4 译码器。

根据已知条件，CPU 在1us 内至少访存一次，而整个存储器的平均读/写周期为0.5us，如果采用集中刷新，有64us 的死时间，字扩展有串联 位扩展有并联，要4*4=16个DRAM芯片。

工作原理

存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。存储器可分为主存储器(简称主存或内存)和辅助存储器(简称辅存或外存)两大类。和CPU直接交换信息的是主存。

主存的工作方式是按存储单元的地址存放或读取各类信息，统称访问存储器。主存中汇集存储单元的载体称为存储体，存储体中每个单元能够存放一串二进制码表示的信息，该信息的总位数称为一个存储单元的字长。存储单元的地址与存储在其中的信息是一一对应的，单元地址只有一个，固定不变，而存储在其中的信息是可以更换的。

以上内容参考：网络-存储器

㈨ nandflash和norflash的区别

nand flash和nor flash的区别如下：

1、开发的公司不同：

NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place）。

Nand flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。

2、存储单元关系的不同：

两种FLASH具有相同的存储单元，工作原理也一样，但NAND型FLASH各存储单元之间是串联的，而NOR型FLASH各单元之间是并联的。为了对全部的存储单元有效管理，必须对存储单元进行统一编址。

3、擦除操作的不同：

NAND FLASH执行擦除操作是十分简单的，而NOR FLASH则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

由于擦除NOR FLASH时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND FLASH是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。

参考资料来源：网络-Nand flash

参考资料来源：网络-NOR Flash

㈩ 关于两个硬盘的串联方法

1、IDE硬盘进行主从设置，硬盘的主从设置是通过跳线来完成的。可以先在店里买2个路线，这个东西不值钱，只要老板不讨厌，一般它会送的；在硬盘后面，也就是插接线的那一面，有标有“Master”、“Slave”、“Cable”地方，你找到它，“Master”是主要、主人的意思，这是主盘跳线的安装位置，“Slave”则是从盘，剩下的那个“Cable”不用管，注意，同一块硬盘只能安装一个跳线设主从，即这块硬盘你跳了“Master”，就不能再跳“Slave”了。
2、SATA不用主从设置，不过要在BIOS里设置第一启动硬盘。