‘壹’ DDR、RAM和DRAM都是指的内存，那么它们三者有什么联系吗怎么会有这三种说法
ram是随机存储器。dram是动态随机存储器（这和前者没什么不同）或者直接随机存储器（直接是指和CPU某种程度上直联）。ddr 是指双通道的ram。
随机存取存储器（英语：Random Access Memory，缩写：RAM），也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写（刷新时除外），而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。
RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入（存入）或读出（取出）信息。它与ROM的最大区别是数据的易失性，即一旦断电所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。
存储器是数字系统中用以存储大量信息的设备或部件，是计算机和数字设备中的重要组成部分。存储器可分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两大类。
随机存取存储器（RAM）既可向指定单元存入信息又可从指定单元读出信息。任何RAM中存储的信息在断电后均会丢失，所以RAM是易失性存储器。
ROM为只读存储器，除了固定存储数据、表格、固化程序外，在组合逻辑电路中也有着广泛用途。
‘贰’ 简述SRAM和DRAM的区别
1、数据存储不同：
SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。
2、体积不同：
相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。
同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM。
3、特点不同：
SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，功耗较DRAM大 ，通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。
同步动态随机存取内存（synchronous dynamic random-access memory，简称SDRAM）是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。
由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。
‘叁’ dram存储器为了保持存储数据的正确反复对存储单元进行充电的过程称为什么
动态RAM。动态RAM存储器需要周期性的补充电荷以保证所存储信息的正确。
‘肆’ dram从外存取数据很大
对的，静态存储，dram从外存取数据是很大的。
SRAMVSDRAMSRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory）每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。
RAM每一位数据都是通过芯片内的一个小电容充电（或低电平）存储的。但随着时间的推移，电容逐渐失去电荷。为避免丢失存储的数据，必须定期刷新以将电荷（如果存在）恢复到其原始级别。此刷新过程包括读取每个位的值，然后将其写回。在此“刷新”期间，内存被占用，无法执行加载或存储位等正常操作。
DROM动态随机存储器(DRAM)具有速度快、密度高、成本低的优势,被广泛应用于计算机的主存.DRAM采用电容作为存储单元,电容电荷的多少表示数字0或1.由于存在漏电现象,电容里的电荷会缓慢流失,造成数据丢失.为保证数据正确性,DRAM采用周期性的刷新操作,在数据丢失前,把数据读出然后重新写入存储单元.刷新操作会阻碍正常访存的执行,造成性能上的开销;同时刷新操作会消耗额外的功耗,带来功耗上的开销.刷新的开销与DRAM密度相关。随着内存容量需求的增加，DRAM占系统整体功耗的比例可达40%。
‘伍’ DRAM缓存和HMB缓存有何区别
摘要 你好，HMB全称 HostMemory Buffer主机内存缓冲器，属于NVM Express （NVMe）的基本特性之一。SSD肯定需要NAND闪存颗粒，同时由Controller主控调度，为了提升 随机读写性能，有些硬盘会设计一个外置硬件的DRAM高速缓存，用来 缓冲数据和存储 映射表（Map Table），主流比例是1000:1，也就是1GB容量搭配1MB缓存， 1TB的盘搭配1GB的缓存。性能表现会比差不多规格的DRAM-less无缓存方案好一点。当然也有模拟SLC Cache缓存方案，空闲后二次转存、释放空间。有些低价的盘没装缓存、甚至主控本身就不支持外置缓存，这时候就要用到HMB技术了，它可以 共享系统内存作为缓存，需要 NVMe1.2版本、在 Win10 1703版本之后就可以使用 （和SLC缓存不冲突、可以同时存在）。其实和NVIDIA的TC、AMD的HM共享显存技术差不多，你显存不够用、爆了，就会调用内存。 （响应延迟、带宽速度还是有差异的）（延迟：主控SRAM<HMB<FTL）Windows的HMB功能也有其局限性，它 最多只能分配64MB共享缓存给NVMe SSD，比例太低，所以效果肯定和独立外置DRAM缓存有差距，并且得走PCIe通道带来 额外的延迟。
‘陆’ DRAM存储器是
RAM是随机存储器 ROM是只读存储器
DRAM是动态随机存储器，为防止数据丢失，需定时刷新， 现在电脑的内存条都属于DRAM
SRAM，是静态随机存储器，由于其价格较高，但不需定时刷新，多用于单片机等小容量系统。
‘柒’ DRAM存储器的中文含义是:_______
B、动态随机存取存储器。
内存是计算机运行的基础。当与CPU结合使用时，可以运行指令集（程序）和存储工作数据。随机存取存储器（RAM）是众所周知的存储器类型，因为它能够以大致相同的时间延迟访问存储器中的任何位置。
动态随机存取存储器（DRAM）是一种特定类型的随机存取存储器，它允许以较低的成本获得更高的密度。笔记本电脑和台式机中的内存模块使用DRAM。
随机存取存储器是根据地址访问数据，而不是顺序的访问数据。
随机访问存储器，或称随机存取记忆体（RandomAccessMemory，简称RAM），是一种在计算机中用来暂时保存数据的元件。
它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程式之临时资料存储媒介。它可以令电脑的容量提升，不同随机存取记忆体也有不同的容量。
当电源关闭时RAM不能保留数据。如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的储存设备中。所以叫随机存取存储器。
动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。
由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。
因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。
‘捌’ 书上说：DRAM为了保持数据，必须隔一段时间刷新一次，如果存储单元没有被刷新，数据就会丢失。
首先，DRAM SRAM ROM三者都是内存，所以内存每隔一段时间得刷新一下是不正确的。
DRAM是动态随机存储内存，需要定期刷新；
SRAM是静态随机存取内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据；
ROM是只读内存，对用户来说是只读而不能写的。只能有计算机生产厂商用特殊方式写入
一些重要的软件和数据，如引导程序、监控程序等，断电后，其内容不会丢失。
‘玖’ dram存储器的再生意思
DRAM存储器的中文是动态随机存取存储器。
为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。
写操作时，写选择线为"1"，所以Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。
‘拾’ 比较动态存储器dram和静态存储器sram的异同点
SRAM中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAM（DRAM）不同，DRAM需要进行周期性的刷新操作。然后，我们不应将SRAM与只读存储器（ROM）和Flash Memory相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。
SRAM中的每一位均存储在四个晶体管当中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储单元具有两个稳定状态，通常表示为0和1。另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此，一个存储位通常需要六个MOSFET。对称的电路结构使得SRAM的访问速度要快于DRAM。SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。
SRAM不应该与SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM，这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆，PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。
从晶体管的类型分，SRAM可以分为双极性与CMOS两种。从功能上分，SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。同步SRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。
DRAM：动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式。
SRAM：静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。
SDRAM：同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。主要是存储单元结构不同导致了容量的不同。一个DRAM存储单元大约需要一个晶体管和一个电容（不包括行读出放大器等），而一个SRAM存储单元大约需要六个晶体管。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大，但是读写速度不如SRAM。一个是静态的，一个是动态的，静态的是用的双稳态触发器来保存信息，而动态的是用电子，要不时的刷新来保持。 内存（即随机存贮器RAM）可分为静态随机存储器SRAM，和动态随机存储器DRAM两种。我们经常说的“ 内存”是指DRAM。而SRAM大家却接触的很少。
SRAM其实是一种非常重要的存储器，它的用途广泛。SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时能够保 持数据完整性。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因为如此，才使其发展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU 内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使用SRAM