① 半导体FRAM是什么
半导体FRAM是ferromagnetic random access memory的英文缩写，即铁电存储器，FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件（诸如磁场因素）的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。
② FRAM铁电存储器较EEPROM有什么优势
FRAM与工业标准EEPROM完全兼容；性能比EEPROM更加突出；读写次数超过1万亿次（5V）、无限次（3.3V），写速度快，没有写等待，按字节操作；操作更省电，写入功耗仅为EEPROM的1/20
③ 铁电存储器FRAM的SRAM的取代和扩展
铁电存贮器（FRAM） 快速擦写和非易失性等特点，令系统工程师可以把现有设计中的SRAM和EEPROM器件整合到一个铁电存贮器（FRAM）里，或者简单地作为SRAM扩展。
在多数情况下，系统使用多种存储器类型，FRAM提供了只使用一个器件就能提供ROM,RAM和EEPROM功能的能力，节省了功耗, 成本, 空间，同时增加了整个系统的可靠性。最常见的例子就是在一个有外部串行EEPROM嵌入式系统中，FRAM能够代替EEPROM,同时也为处理器提供了额外的SRAM功能。
典型应用：便携式设备中的一体化存储器，使用低端控制器的任何系统。
④ 铁电存储器FRAM的铁电应用
存储器（FRAM）可以让设计者更快、更频繁地将数据写入非易失性存储器，而且价格比EEPROM低。数据采集通常包括采集和存储两部分，系统所采集的数据（(除临时或中间结果数据外)需要在掉电后能够保存，这些功能是数据采集系统或子系统所具有的基本功能。在大多数情况下，一些历史记录是很重要的。
典型应用：仪表 (电表、气表、水表、流量表)、RF/ID、仪器,、和汽车黑匣子、安全气袋、GPS定位系统、电力电网监控系统。 FRAM通过实时存储数据帮助系统设计者解决了突然断电数据丢失的问题。参数存储用于跟踪系统在过去时间内的改变，它的目的包括在上电状态时恢复系统状态或者确认一个系统错误。总的来说，数据采集是系统或子系统的功能，不论何种系统类型，设置参数存储都是一种底层的系统功能。
典型应用： 影印机,打印机, 工业控制, 机顶盒 (Set-Top-Box), 网络设备（网络调制解调器）和大型家用电器。 铁电存贮器（FRAM）可以在数据传递储存在其它存储器之前快速存储数据。在此情况下，信息从一个子系统非实时地传送到另一个子系统去.。由于资料的重要性, 缓冲区内的数据在掉电时不能丢失.，在某些情况下，目标系统是一个较大容量的存储装置。FRAM以其擦写速度快、擦写次数多使数据在传送之前得到存储。
典型应用：工业系统、银行自动提款机 (ATM), 税控机, 商业结算系统 (POS), 传真机，未来将应用于硬盘非易失性高速缓冲存储器。
⑤ 合肥长鑫和长江存储两个企业的存储芯片和未来发展哪个更有潜力
长鑫是内存，长江是闪存。内存断电数据丢失，闪存断电数据依然在，技术层面，闪存技术难度更高！另外长鑫是买的国外底层技术，然后升级优化发展，发展有一定局限性，且与世界一流水平有2-3代的差距！而长存完全自主研发，技术几乎达到世界一流水平。从市场发展来看，内存技术有天花板，需求市场几乎停止增长，而闪存技术革新空间很大，市场需求每年更是以30%的增长速度扩张。综合来看长江存储发展前景更大！
两家企业之间内部高层人员同属于紫光派系。因此在产业结构分工上是协调合作方式。合肥长鑫主攻可读存储；长江存储以研发可写存储。
长江存储属于国家队，合肥长鑫地地道道属省级队。由此看来，长江存储比合肥长鑫起步高。不过合肥长鑫率先将上市产品对标到世界同等级别，而长江存储还需时日。
另外，众所周知，玩存储晶圆是个烧钱项目，风险变数极大，所以这些企业背靠的是有实力的大级别体量玩家。长江存储背靠武汉，是国家倾尽全力打造的存储之都；合肥近几年靠集成芯片（京东方）实实在在是挣到百千亿的，夹持国家科学中心名头不可小觑！
综叙，潜力谁大不好说，一个是小狮子，逐渐霸气侧漏想挑战王位；一个是小老虎，虎虎生威欲占山为王！
冲出重围千亿起步，强敌环伺巨头统治。
存储芯片的前景如何展望？
合肥长鑫，成立于2016年5月， 专注于DRAM领域 ，整体投资预计超过1500亿元。目前一期已投入超过220亿元，19nm8GbDDR4已实现量产，产能已达到2万片/月，预计2020年一季度末达4万片/月，三期完成后产能为36万片/月， 有望成为全球第四大DRAM厂商。
长江存储，成立于2016年7月， 专注于3DNANDFlash领域 ，整体投资额240亿美元，目前64层产品已量产。根据集邦咨询数据，2019年Q4长江存储产能在2万片/月，到2020年底有望扩产至7万片/月，2023年目标扩产至30万片/月产能， 有望成为全球第三大NANDFlash厂商。
最近利基型内存（Specialty DRAM）的价格大涨，我们今天就来聊聊 DRAM 是什么？
Dynamic Random Access Memory，缩写DRAM。动态随机存取存储器，作用原理是利用电容内存储电荷的多寡，来代表一个二进制比特是1还是0。这一段听不懂，听不懂没关系，你只需要知道，它运算速度快、常应用于系统硬件的运行内存，计算机、手机中得有它，你可能没听说过DRAM，但你一定知道内存条， 没错，DRAM的最常见出现形式就是内存条。
近几年的全球DRAM市场，呈现巨头垄断不变，市场规模多变的局面。
全球DRAM生产巨头是三星、SK海力士和美光，分别占据了41.3%、28.2%和25%的市场份额。
2019年市场销售额为620亿美元，同比下降了37%。其中美国占比39%排名第一，中国占比34%排名第二，中美是全球DRAM的主要消费市场。细分市场，手机/移动端占比40%，服务器占比34%。
总结来说，巨头垄断，使得中国企业没有议价权，DRAM芯片受外部制约严重。 当前手机和移动设备是最大的应用领域，但未来随着数据向云端转移，市场会逐步向服务器倾斜。
未来，由于DRAM的技术路径发展没有发生明显变化，微缩制程来提高存储密度。那么在进入20nm的存储制程工艺后，制造难度越来越高，厂商对工艺的定义已不再是具体线宽，而是要在具体制程范围内提升技术，提高存储密度。
当前供需状况，由于疫情在韩、美两国发展速度超过预期，国内DRAM企业发展得到有利发展。
合肥长鑫、长江存储 两家都是好公司，都在各自的赛道中冲刺，希望他们能够在未来打破寡头垄断的格局。
看哪家产品已经销售了，其他吹得再好都是假的
目前看合肥长鑫优势明显
合肥长鑫和长江存储两个企业的存储芯片和未来发展哪个更有潜力？闪存也好内存也罢都是国内相当薄弱的环节，都是要在国外垄断企业口里夺食，如果发展得好都是相当有潜力的企业。只是对于市场应用的广度而言，合肥长鑫的内存可能相对来说更有潜力一些。
这两家企业一家合肥长鑫以DRAM为主要的专注领域，长江存储以NAND FLAH领域，而且投资都相当巨大，都是一千亿元以上的投资。长江存储除了企业投资之外，还有湖北地方产业基金，另外还有国家集成电路产业投资基金的介入，显得更为有气势。而合肥长鑫主要以合肥地方投资为主，从投资来看看似长江存储更有力度更有潜力一些。
不管时闪存还是内存，目前都被美国、韩国、日本等国外的几家主要企业所垄断，价格的涨跌几乎都已经被操纵，国内企业已经吃过不少这方面的苦。DRAM领域的三星、海力士、镁光，NAND领域有三星、东芝、新帝、海力士、镁光、英特尔等，包括其他芯片一起，国内企业每一年花在这上面购买资金高达3000多亿美金，并且一直往上攀升。
这两家企业携裹着大量投资进入该领域，但短时间之内要改变这种态势还很难，一个是技术实力落后，另一个是市场号召力极弱。目前与国外的技术距离差不多在三年左右，况且这两家的良品率和产能还并不高没有完全释放，在市场应用上的差距就更为悬殊。
从市场应用上来看，各种电子产品特别是手机及移动产品将会蓬勃发展，内存的应用地方相当多，甚至不可缺少，这带来极大的需求量。相对而言，闪存应用地方可能要稍稍窄小一点，但需求同样庞大。
国外三星、海力士等处于极强的强势地位，而合肥长鑫和长江存储要想从他们嘴里争夺是相当不容易的。不过有国内这个庞大的市场作后盾，相信这两家未来都有不错的前景，一旦发展起来被卡脖子的状况将会大为改观。
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理论上说长江存储潜力更大，技术水平距离三星更近。长鑫的话制程跟三星还有一些差距，另外gddr5和ddr5长鑫都还没影。
市场来说长鑫的dram内存价值更大。
但是不论nand还是dram存储市场都是需要巨额投入和多年坚持的，所以谁钱多谁潜力大。
合肥长鑫是国产芯片的代表企业，主要从事存储芯片行业中DRAM的研发、生产和销售。企业计划总投资超过 2200 亿元，目前已经建立了一支拥有自主研发实力、工作经验丰富的成建制国际化团队，员工总数超过 2700 人，核心技术人员超过 500。
长江存储成立于2016年7月，总部位于武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业。目前全球员工已超 6000 余人，其中资深研发工程师约 2200人，已宣布 128 层 TLC/QLC 两款产品研发成功，且进入加速扩产期，目前产能约 7.5 万片/月，拥有业界最高的IO速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。
存储芯片行业属于技术密集型产业，中国存储芯片行业起步晚，缺乏技术经验累积。中国本土制造商长江存储、合肥长鑫仍在努力追赶。
谁先做出产品谁就有潜力，两家现在主要方向也不一样，一个nand一个dram，也得看技术和顶级玩家三星的差距
当然是长江存储更有潜力，长江存储有自主知识产权的3d堆叠工艺平台，是国家存储产业基地，长鑫买的外国专利授权，发展受到外国技术限制。长江存储可以依靠3d堆叠工艺平台轻松杀入dram领域，而长鑫却没有可能进入nand领域。
⑥ 铁电存储器FRAM的FRAM优势
FRAM有三种不同的特性使其优于浮栅技术器件：
1. 快速写入
2. 高耐久性
3. 低功耗
以下列举了FRAM在一些行业应用领域中与其他存储器相比较的主要优势：
频繁掉电环境
任何非易失性存储器可以保留配置。可是，配置更改或电源失效情况随时可能发生，因此，更高写入耐性的FRAM允许无任何限制的变更记录。任何时间系统状态改变，都将写入新的状态。这样可以在电源关闭可用的时间很短或立即失效时状态被写入存储器。
高噪声环境
在嘈杂的环境下向EEPROM写数据是很困难的。在剧烈的噪音或功率波动情况下，EEPROM的写入时间过长会出现漏洞（以毫秒衡量），在此期间写入可能被中断。错误的概率跟窗口的大小成正比。FRAM的写入执行窗口少于200ns。
RFID系统
在非接触式存储器领域里，FRAM提供一个理想的解决方案。低功耗访问在RFID系统中至关重要，因为，能源消耗是以距离成指数下降的。想要以最小的能耗读写标签数据就必须保持标签有足够近的距离。通过对射频发射机和接收机改进写入距离，降低运动的灵敏性（区域内的时间）以及降低射频（RF）功率需求，使需要写入的应用（i.e.借记卡，在生产工序中使用的标签）获得优势。
诊断和维护系统
在一个复杂的系统里，记录系统失效时的操作历史和系统状态是非常宝贵的。如果没有这些数据，能够准确的解决或执行需求指令是很困难的。由于FRAM具备高耐久性的特点，可以生成一个理想的系统日志。从计算机工作站到工业过程控制不同的系统，都能从FRAM中获益。
⑦ 2022年上市，国产内存芯片实现量产，领先业界平均制程11~21纳米
相较于PC端、智能手机芯片制程的更新换代速率， 汽车 、家用电器等传统芯片制程过渡到尖端芯片制程的时间相对较长。步入2021年后，内存市场迎来了一波升级， 眼下PC端领域已经步入到DDR5时代 。低端的 DDR3内存逐渐被三星、SK海力士淘汰。 但对于国产厂商来说，这是 切入DDR3内存市场的最佳时机 。
2021年11月18日消息 ， 合肥长鑫重拾DDR3业务 ，为 兆易创新代工DDR3内存芯片 。据了解，合肥长鑫为兆易创新代工的DDR3内存芯片采用的是 19纳米制程 。这比业界普遍使用的 30~40纳米 制程的 DDR3芯片 ， 领先了11~21纳米 。
目前合肥长鑫的19纳米DDR3内存芯片还处在工厂测试阶段， 出货时间暂定在2022年第一季度，预计2022年下半年，合肥长鑫将增加DDR3内存芯片产能。 可能有些朋友会说，DDR3早已被淘汰了，眼下已经是DDR5时代，兆易创新委托合肥长鑫代工的DDR3内存芯片，用往何处呢？
正如前面所说的，比起PC端、智能手机行业，家电、灯具等利基市场产品所用芯片的更新换代速率较慢。 合肥长鑫为兆易创新代工的DDR3芯片用于家电、灯具当中 ，这些设备对内存芯片的性能、容量要求并不高。更何况合肥长鑫负责代工的DDR3内存芯片采用的是19纳米制程，因此能够满足大多数智能家居设备的内存需求。
大数字智能时代的到来，各行各业都在朝着信息智能时代过渡，台灯、厨房油烟机、扫地机器人等家用设备对芯片的需求量不断提高。虽说比起PC端、智能手机等高精尖设备，家电家居的利润并不高，但“蚂蚁再小也是肉”。显然，相较于手机、PC端，灯具、家电设备的市场规模更大。
为了在短期内实现效益的最大化，三星、SK海力士、美光等内存芯片巨头，将目光放在了DDR5身上。但DDR5对于大多数家居家电来说，有些性能过剩，容易造成制程浪费。兆易创新瞅准市场空档期，趁此机会加大对DDR3的市场布局，一定程度上能够提高兆易创新的营收以及市场竞争力。
当然，对于合肥长鑫来说，重拾DDR3制程，只是为了扩宽公司的业务营收，推动产业产品链多元化发展。作为国产存储芯片巨头，合肥长鑫采用自主研发技术于2019年实现了DDR4芯片的量产。关于制程更精密，设计难度更高的DDR5、LPDDR5等内存芯片，合肥长鑫不断加大资金投入力度，争取破冰技术壁垒。
值得一提的是，另一家国产存储芯片巨头，长江储存于2021年7月29日率先攻坚128层闪存芯片技术壁垒，成功推出128层堆栈的闪存芯片。这拉动了我国内存芯片产业的发展。
相较于三星、SK海力士等内存芯片巨头，虽说我们还与之存在一定的距离，但千里之行，始于足下。相信在长江储存、合肥长鑫等国产内存芯片厂商的努力下，总有一天我们会实现对三星、SK海力士等内存芯片巨头的持平、赶超。
对于合肥长鑫重拾DDR3内存芯片业务这件事情，大伙有什么想说的呢？眼下长江储存、合肥长鑫等国产内存芯片商不断破冰技术壁垒，在内存芯片领域中取得了许多不错的成绩。你认为我们能否在内存芯片领域中与国外内存芯片技术实现持平呢？
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⑧ FRAM存储器/MB85RC16PNF-G-JNERE1元器件有什么用途，在立创商城中的MB85RC16PNF-G-JNERE1好不好
品牌： FUJITSU(富士通）
厂家型号： MB85RC16PNF-G-JNERE1
供应商：拍明芯城
封装规格： SOIC-8_150mil
商品毛重： 0.000314 KG
属性： 参数值
商品目录： FRAM存储器
存储器构架(格式)： FRAM
存储器接口类型： I2C
存储器容量： 16Kb (2K x 8)
工作电压 ：2.7V ~ 3.6V
存储器类型： Non-Volatile
⑨ 铁电存储器FRAM的FRAM技术
Ramtron的FRAM技术核心是铁电。这就使得FRAM产品既可以进行非易失性数据存储又可以像RAM一样操作。
F-RAM芯片包含一个锆钛酸铅[Pb(Zr,Ti)O3]的薄铁电薄膜，通常被称为PZT（如图1）。PZT 中的Zr/Ti原子在电场中改变极性，从而产生一个二进制开关。与RAM器件不同，F-RAM在电源被关闭或中断时，由于PZT晶体保持极性能保留其数据记忆。这种独特的性质让F-RAM成为一个低功耗、非易失性存储器。
当一个电场被加到铁电晶体时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动，当原子移动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。 内部电路感应到电荷击穿并设置记忆体。移去电场后中心原子保持不动，记忆体的状态也得以保存。FRAM 记忆体不需要定时刷新，掉电后数据立即保存，它速度很快，且不容易写坏。
F-RAM、ROM都属于非易失性存储器，在掉电情况下数据不会丢失。新一代ROM，像EEPROM（可擦可编程只读存储器）和Flash存储器，可以被擦除，并多次重复编程，但它们需要高电压写入且写入速度非常慢。基于ROM技术的存储器读写周期有限（仅为1E5次），使它们不适合高耐性工业应用。
F-RAM比一般串口EEPROM器件有超过10,000倍的耐性，低于3,000倍的功耗和将近500倍的写入速度（图 2）。 F-RAM结合了RAM和ROM的优势，与传统的非易失存储器相比，具有高速、低功耗、长寿命的特点。
FRAM存储器技术和标准的CMOS制造工艺相兼容。铁电薄膜被放于CMOS base layers之上，并置于两电极之间，使用金属互连并钝化后完成铁电制造过程。
Ramtron 的FRAM 记忆体技术从开始到现在已经相当成熟。 最初FRAM 记忆体采用二晶体管/ 二电容器的( 2T/2C) 结构，导致元件体积相对较大。 最近发展的铁电材料和制造工艺不再需要在铁电存储器每一单元内配置标准电容器。 Ramtron 新的单晶体管/ 单电容器结构记忆体可以像DRAM一样进行操作，它使用单电容器为存储器阵列的每一列提供参考。与现有的2T/2C结构相比，它有效地把内存单元所需要面积减少一半。新的设计极大的改进了die leverage并且降低了FRAM存储器产品的生产成本。
Ramtron公司现采用0.35微米制造工艺，相对于现有的0.5微米的制造工艺而言，这极大地降低芯片功耗，提高了成本效率。
这些令人振奋的发展使FRAM在人们日常生活的各个领域找到了应用的途径。从办公复印机、高档服务器到汽车安全气囊和娱乐设备， FRAM 使一系列产品的性能得到改进并在全世界范围内得到广泛的应用。
⑩ 谁能给我讲讲FRAM产品是容量越大越好吗最好能举个例子对照着给我讲！
FRAM就是铁电存储器，运用了铁电效应，是一种高性能的非易失性存储器，结合了传统非易失性存储器（闪存和E2PROM）和高速RAM（SRAM和DRAM）的优点, 在高速写入、高耐受力、低功耗和防窜改方面具有优势。
以富士通的V系列的FRAM产品MB85RC256V为例:
256Kb存储容量基本能满足很多领域的要求,不过具体选用多大容量的FRAM要看每种领域的具体要求；1012次的读写次数，这个是凸显它的卓越的读写能力的，比较适合需要频繁更新数据的领域, 1012 次读写次数基本上已经能满足当今所有领域的要求；+85度数据能保存10年，这个应该说是FRAM的一个亮点，比较适合需要长期存储数据的领域；每一个FRAM都会有电压范围，不同电压范围适合不同领域的需求,像MB85RC256V的2.7V-5.5V工作电压范围就比较适合工业控制领域。
当然在这里不能给你一一举例子，相信随着你的学习，你会发现FRAM其实是个很简单的东西，知道原理后，做应用就会变得很容易。