‘壹’ 东芝改名了，真的假的
大东芝没有改，只是闪存业务部门东芝存储，去年10月份的时候把品牌名改为铠侠，也是为了更好运营。
‘贰’ 日本半导体人才跳槽中企为何被视为叛徒也不后悔呢
9月13日，东芝再次宣布将与2个多月前选择的优先谈判对象日美韩联盟“加速协商”。在备受关注的出售谈判背后，危机正悄然靠近。其他竞争企业已经增设生产设备，东芝的技术人员也正在不断流失。不仅是韩国和美国，正在培养半导体产业的中国也在行动。
报道称，虽然很难看到政府统计的数据，但日本经济产业省担忧的技术外流每时每刻都在发生。在东芝存储器业务的出售过程中，经济产业省视为金科玉律的“阻止技术外流”只不过是一纸空谈。到东芝四日市工厂的一线倾听，就能听到“滨松町（东芝总部）什么都不知道”的声音。
报道称，如果继续这样轻视一线，将被给出优厚待遇的竞争对手夺走优秀技术人才。半导体产业的有效招聘倍率在3年内从0.5倍提高至1.5倍。日本人才中介公司Recruit Career表示，随着日本国内企业的裁员告一段落，今后招聘将日趋困难。
‘叁’ 内有干坤 128GB东芝存储USB 3.0闪存盘评测
【IT168 评测】在移动办公中，闪存盘的需求依然是刚需，尤其是较大容量的闪存盘，相比移动硬盘的外观尺寸都更为小巧，非常适合随身携带，频繁的文件交换，使用也更便利。东芝存储最近推出了一款全新随闪TM TransMemoryTM USB 3.0 高速闪存盘U365，128GB的容量，不仅机身小巧，还采用了可伸缩插口，可以说是独具一格，而且搭配高速的传输接口，对于较大数据文件的传输更加给力，接下来我们就一睹为快，详细了解一下这款东芝存储U365高速闪存盘。
外观：可伸缩式设计更贴心
东芝存储U365高速闪存盘在外包装上采用了红色设计，封装严密，包装上标识了闪存盘的容量，以及最大读取速度。闪存盘主体也可以轻易看到，下面的一个小凸起吸引了我的注意，这是什么呢？
▲东芝存储USB 3.0闪存盘包装
包装的背面是产品主要规格和适用，产地菲律宾，五年质保。
▲东芝存储USB 3.0闪存盘
拆下包装后就可以看到这款闪存盘还是比较小巧，插口内置，而侧面那个就是推拉扣了。外观方面，机身采用哑光材质外壳，标识了TOSHIBA的字样，以及128GB容量，USB 3.0接口，插头为蓝色，很容易识别。此外，还可以看到，在尾端还设计了一个挂绳的小孔，非常适合随身携带。
▲东芝存储USB 3.0闪存盘
闪存盘采用了无盖和滑动伸缩设计，不仅避免了用户丢失盖子的烦恼，同时还大幅度提升使用的便捷性。使用时，按住按钮向前推出即可，接口伸出后会自动锁死，可以非常轻松地插入到电脑的USB接口，不用时隐藏进去。
▲侧面推拉式按键
经典的黑色外观和圆润外角，简约大方，拿在手里也非常舒适，而且这样的设计还具备防尘、防摔、耐压、抗震等特点，确保了闪存盘自身和数据的安全。
▲
东芝存储USB 3.0闪存盘
在系统兼容性上，延续东芝存储的超强兼容优势，U365闪存盘同样具有即插即用及支持多种设备操作系统的特点，例如OS X v10.9-v10.11、macOS v10.12-v10.13、Windows 7、Windows 8.1、Windows 10等。除此之外，U365闪存盘也十分适合用作超极本、平板电脑等设备的外置存储器，可实现用非常小的物理体积换取超大数据存储容量的效果，大幅度提升用户的办公娱乐体验。
▲东芝存储USB 3.0闪存盘
关于东芝存储USB 3.0闪存盘的外观我们就了解到这里，容量大，外观小巧，推拉式的设计，以及挂绳孔的设计，都留给我们深刻的印象，但具体在使用中传输数据的能力究竟怎样？我们还是得实际检测了才能知道，所以我们首先采用一些专业的测试工具，然后再通过实际的数据读写，来看看这款闪存盘是不是也有着优异的表现呢？
评测的平台为华硕FX80G笔记本，Windows 10家庭中文版64位系统，第八代英特尔酷睿i7-8750H处理器，英伟达GTX 1060独立显卡，8GB内存，接口为USB 3.0。
读写测试：超过标称速度
这款东芝存储USB 3.0闪存盘的标称容量为128GB，实际使用容量为116GB，为了便于大文件的存储，文件系统我们格式化为exFAT。
▲东芝存储USB 3.0闪存盘容量和文件系统识别
ATTO Disk Benchmark 是一款简单易用的磁盘传输速率检测软件，可以用来检测硬盘、U盘、存储卡及其它可移动磁盘的读取/写入速率。我们采用软件默认的方式进行检测，可以看到这款东芝USB 3.0闪存盘读取文件时的速度超过150MB/s，高于官方标称的速度，但是写入的速度约30多MB/s，相对不算高。
▲ATTO Disk Benchmark 测试读写
CrystalDiskMark也是大家检测U盘、硬盘常用的一款软件，给出的检测数据，顺序读取的速度达到了200MB/s，远远超过标称数据，而写入的数据为25.8MB/s，与上面ATTO Disk Benchmark检测的结果还是比较接近的。
▲CrystalDiskMark
TxBENCH是一款SSD检测软件，功能也比较强大，所以我们再用这款软件进行读/写能力的测试，可以看到其在顺序写入和读取的速度分别达到了198MB/s和33MB/s，表现也是相当不错。
▲TxBENCH 读/写检测
FastCopy是一款文件拷贝软件，并能在Copy的同时记录文件的大小，读写的时间，传输的速度等数据，所以我们也通过这款软件来实际验证一下这款东芝存储USB3.0闪存盘的读写能力。
测试的文件一个是视频，单文件大小10GB，另一个是多文件，98张图片200MB，一般情况下，不管是闪存盘还是硬盘，对单文件的读写速度都比较快，对多文件、尤其是图片的读写速度相对都比较慢。
我们分别设置文件从PC到闪存盘，闪存盘到PC，来看看实际的读取数据。▲10GB单文件读/写测试
▲200MB、98张图片读/写测试
经过以上一系列的专业检测软件，可以看到东芝的这款闪存盘在文件的读取上速度还是不错的，普遍超过150MB/s*(数据出自东芝测试环境)读取的官方标称数据，写入时的速度在30MB/s以上，并不算高，但在读写测试的过程还是很稳定的。接下来我们采用系统复制粘贴的方式，更为直观的进行检测。
▲从东芝存储USB3.0闪存盘复制文件到PC(读取文件)
▲从PC端复制文件到东芝存储USB3.0闪存盘(写入文件)
我们使用同样的两组文件，一个是约10GB的单视频文件，另一个是98张图片200MB大小的文件夹。可以看到读取的速度比较稳定在128MB/s，写入的速度为37MB/s，而200MB的读写速度因为太快无法截图，所以综合而言，这款东芝存储USB3.0闪存盘在速度上是无需担心的，关键是十分稳定，品质和数据安全方面也更有保障。
评测总结：
尽管目前USB闪存盘的需求有所下降，但是对于大容量闪存盘的需求并没有减少，首先就是体积小便于携带，另外在速度上也可以满足较大文件的读取，尤其是对于办公文件的存取，可以说闪存盘依然是最佳的选择。而我们评测的这款东芝存储USB3.0闪存盘，在外观上小巧，推拉式的设计，以及挂绳口的设计，都显示着更加贴心，使用、携带都更为人性化。数据读写方面，尤其在读取时的速度表现相当不错，另外就是数据读写非常稳定，加上东芝的品牌品质，都让这款闪存盘更加值得推荐。‘肆’ 硬盘属于内存储器还是外存储器
硬盘属于外存储器。
硬盘（英语：Hard Disk Drive，简称HDD）是电脑上使用坚硬的旋转盘片为基础的非挥发性存储设备，它在平整的磁性表面存储和检索数字数据，信息通过离磁性表面很近的磁头，由电磁流来改变极性方式被电磁流写到磁盘上，信息可以通过相反的方式读取，例如读头经过纪录数据的上方时磁场导致线圈中电气信号的改变。硬盘的读写是采用随机存取的方式，因此可以以任意顺序读取硬盘中的数据[2]。硬盘包括一至数片高速转动的磁盘以及放在执行器悬臂上的磁头。
早期的硬盘存储介质是可替换的，不过今日典型的硬盘采用的是固定的存储介质，盘片与磁头被封装在机身里（除了一个有过滤的气孔，用来平衡工作时产生的热量导致的气压差）。
硬盘是由IBM在1956年开始使用[3]，在1960年代初成为通用式电脑中主要的辅助存放设备，随着技术的进步，硬盘也成为服务器及个人电脑的主要组件。
硬盘按数据接口不同，大致分为ATA（IDE）和SATA以及SCSI和SAS。接口速度不是实际硬盘数据传输的速度，目前非基于闪存技术的硬盘数据实际传输速度一般不会超过300MB/s。
‘伍’ 东芝的业务领域
无论是在办公室还是在家里，在当今所有互联网的世界，东芝都以其尖端技术不断创造出独特的数码产品及解决方案。我们决心满足数码潮流时代的各种市场需求，这支撑着其在下述的关键产品领域里保持领先地位。
移动通信公司
通过充分利用包括高级成像技术和电脑连通性在内的数码产品部门的各种强项，其将把重点置于具有高附加价值的移动电话上，在这竞争激烈的市场里，其将提供强调外观设计和用途得到扩展的产品阵容，并推出功能得到提升的智能手机。
主要产品：移动电话和小灵通手机、智能手机
数码媒体网络公司
该公司在数码技术方面拥有广泛的专业技术，它将创新的产品带入了生活和业务场所。在“Regza”液晶电视机的丰富的产品阵容里，有以提供超清晰图像的最新图像放大技术为特点的旗舰型号，带硬盘驱动器的DVD刻录机、液晶电视与DVD组合机和DVD播放机使生活方式更丰富、更愉快。从服务器和数据存储系统直至电脑和家用电器行业以及汽车方面的应用，其在尖端硬盘驱动器方面的全球领先地位支撑着众多产品领域里的创新发明。
主要产品：液晶电视机、工业和监视摄像机、硬盘与DVD刻录机、硬盘驱动器
PC&；网络公司
其在家庭、办公室和移动过程这三个无所不在的关键性网络通信环境里，把作为行业标准的专业技术应用到了笔记本电脑、电脑服务器和商务通信系统上。从迷你型笔记本电脑到便携式笔记本电脑直至影音笔记本电脑，我们将继续提供各类丰富产品以满足市场需求，其公司的“Qosmio”影音笔记本电脑在计算机与高级影音功能的结合方面领导着行业新潮流，通过诸如“东芝四核高清处理器”的高级多媒体特性，为消费者提供了完整的个人娱乐解决方案。包括配备了大容量固态硬盘的最尖端型号在内，其生产的“轻薄型”系列继续为笔记本电脑的超便携和高性能定义新的标准。
主要产品：笔记本电脑、电脑服务器、业务电话系统
东芝泰格有限公司
东芝泰格在流通信息系统与文件处理和通讯系统这两个核心业务领域里，为当前及未来可能的需求提供完备的解决方案，在流通领域，东芝泰格为用户的高效与盈利提供保障，而在文件处理与通讯方面，东芝泰格也在为用户提供高效、可靠的方案。
主要产品：多功能数码复合机、POS终端、电子收款机 为了在数码式家电产品和移动设备等高成长领域、以及在包括中国和亚洲的快速成长市场的主要市场中取得成功，对公司的产品组合进行了最优化。其将通过高精尖技术方面的产业领导能力和战略性投资，确保持续成长和盈利。
半导体公司
先进的加工技术、高度复杂的产品开发能力以及向全球客户销售各类器件的经验，使东芝在世界半导体市场始终保持着领先的地位。为促进持续的扩展，我们专注于提高在高附加价值高性能的存储器和系统大规模集成电路（LSI）方面的能力，并同时加强公司在分立元器件市场的世界龙头地位。其固态硬盘（SSD）在抗振、传输速度、设计灵活性和电源效率方面具有卓越的性能，它为公司继续在NAND闪存领域保持活力和市场领先地位作出了贡献。
主要产品：NAND闪存、固态硬盘、MCP、宽带系统大规模集成电路、多媒体SoC、客户明知SoC、显示激励器、模拟集成电路、CMOS图像传感器、通用性CMOS逻辑电路、小型信号装置、电源装置、光学半导体装置
显示元器件材料统括
在电子管、尖端材料和元件方面，该公司保证提供能够确立市场规格的优良技术和产品。并且还在诸如DNA芯片、电子管、热感印刷磁头、尖端材料和元件等领域的性能和功能等方面努力进行突破和技术提升。现我们还率先开发作为便携式电子设备用电源的直接甲醇燃料电池（DMFC）并努力实现其实用化。
主要产品：速调管、同旋振荡管、X射线管、X射线影像放大器、热感印刷磁头、钨钼产品、涂磷产品、高纯度喷镀靶、非晶体磁性部件、精密陶瓷、微波炉磁控管、DNA芯片、直接甲醇燃料电池
东芝移动显示株式会社
该公司的主要产品门类集中于中小型显示器上，在低温多晶硅TFT技术方面（不仅移动设备的首选显示器，而且还包括有机发光二极管的基础技术）、在一大批产品的新一代精选显示器方面，它毋庸置疑地处于龙头地位。在提供轻薄型、节能和图像清晰的高附加价值的显示器方面，这些具有领先优势的实力为我们提供了技术支持。
主要产品：TFT液晶显示器和有机发光二极管显示器 通过提供电力系统、工业系统等社会必不可少的基础设施，我们为社会福利和社会的持续发展提供了坚实的基础。综合解决方案的能力又确保了我们能够获得长期的成长和收益。
电力系统公司
电力系统公司提供支撑现代社会和产业的核电站、火电站、水电站，并且开发新能源技术。东芝，包括其集团公司西屋公司在内，凭借其在沸水反应堆和压水反应堆这两方面的技术实力，在世界核电行业处于领先地位。综合性的研究和投资为该公司提高热电发电效率、促进再生能源的使用、提高核电的安全性和效率提供了支持。为客户提供了能源生成源地优化组合并减少了二氧化碳的排放。
二氧化碳捕获与封存是另一个具有发展前途的领域，我们正为此投入主要的研发资源。与日本和国际合作伙伴结成的战略联盟，加强了成本竞争力，有利于开发新一代的解决方案，为世界各国的电力基础设施建设作出贡献。
主要产品：核电厂系统和服务（沸水反应堆、压水反应堆）、水电、火电和地热发电设备、燃料电池
电力流通·产业系统公司
电力流通·产业系统公司提供各类高效可靠的输配电系统、在种类繁多的工业领域中提供各种综合系统、融合最尖端的控制技术和信息技术，提供安全舒适的铁道综合系统，该公司的新能源解决方案中包括了应用于工业系统和车辆方面创新的超级充电离子电池SciB，和被普遍认为是解决地球温室效应关键手段的太阳能光电系统。
主要产品：输配电系统（变压器、气体绝缘装置等）、控制测量系统和设备、工业计算机、铁道车辆电气系统、超级充电电池、太阳能光电系统及其他产品
社会系统公司
社会基础设施系统公司将具有竞争优势的IT系统应用到了社会基础设施管理系统、给排水和环境系统、无线电应用系统和广播与网络系统上。该公司还提供针对金融和物流行业的自动化系统。我们承诺及时开发和使用能为社会做贡献和取得顾客长期信任、有利于实现富裕未来的尖端系统，而这一承诺正是建立于我们多年积累的技术诀窍之基础上的。
主要产品：道路交通控制系统、楼宇能源管理系统、自来水和污水处理厂控制系统、环境系统、广播系统、电信网络系统、航空管制和导航辅助系统、雷达和无线电应用系统、邮件处理系统、纸币处理系统
东芝电梯株式会社
东芝的尖端技巧和建筑物综合解决计划的核心策略在高价值产品稳步发展的潮流中得到了体现，具备丰硕的产品系列，同时东芝还提出为已经安装的体系供给完全的产品升级和维修服务许诺，因此东芝在全球的业务 有了敏捷增加，东芝在台北101大厦里安装了世界最高速度的电梯，其运行速度最大可达每分钟1，010米，被列入世界吉尼斯大全，东芝还获得了向定于2012年竣工、高达610米的数码电视塔“东京天空树”供给日本最高速大容量电梯的主合同。
重要产品：电梯和主动扶梯
东芝解决计划株式会社
东芝解决计划公司供给从咨询、设计、开发直至实行、业务外包和保护的普遍服务。作为东芝团体的IT解决计划专业单位，该公司在“信赖”、质量和“技巧程度”、方面博得了顾客的好评，体现了其作为最佳IT解决计划合作伙伴而不断进步顾客满意度的才能。
重要服务项目：软件的咨询、设计、开发、实行、业务外包和保护服务。制作业、流通和服务，媒体和电信、银行、证券和保险业、电子政务体系的“产业解决计划”。由普遍的联盟伙伴和丰硕的专业技巧所支持的“平台解决计划”，包含社会基本设施体系、嵌入式体系和半导系统统（制作）在内的、将最新的信息通讯技巧与我们的普遍经验相联合的“工程解决计划”
东芝医疗体系株式会社
作为供给综合性医疗解决计划的全球性的公司，东芝医疗体系株式会社对东芝从开发设计直至制作、销售、营销、售后服务的所有保健护理业务进行了合并。能够进行高性能诊断的尖端装备增强了在非侵袭性诊断体系方面的龙头位置，并最大水平地为患者供给舒适和进步他们的生涯质量。
重要产品：X射线体系；计算机断层摄影体系（CT扫描仪）；超声波体系；磁共振成像体系；核医学体系；放射学信息体系；图像存档通讯体系 东芝家用电器控股株式会社
东芝家用电器控股株式会社的高附加价值电冰箱、洗衣机、小型家用电器和一次电池满足了花费者在日常生涯中的需求，为他们进步生涯质量添砖加瓦，并推动进步环境效力和环保产品与服务的运动。东芝家用电器控股株式会社还为东芝家电株式会社和东芝电器销售株式会社的运动、为东芝在空调、照明器具和其他电器方面的业务供给支撑。
重要产品：电冰箱；洗衣机；微波炉；吸尘器；电熨斗；电饭煲和主动洗碗机；照明和照明体系；室内、大楼与商用空调产品、体系和技巧；热水体系；一次性电池；电池驱动家用电器
汽车业务与网络服务
主动电子和网络服务在东芝的成长业务中备受人们的关注。汽车体系部在诸如半导体、车载体系和照明、显示器和电油混杂燃料车辆驱动体系等范畴里对东芝的内部公司和团体公司的汽车相干业务加以折衷推动。网络服务部开发能够丰硕日常生涯和供给互联网服务。例如，东芝数码录像机的用户的录像喜好，我们的电视节目推介服务向他们供给符合用户趣味、即将播放的节目信息。这一服务运用了东芝在大批数据中需求有关信息的集体智能技巧。我们还供给在公司症结性义务体系与手机网站之间构建合作平台的网关技巧。
新照明体系
120年前，东芝开发和制作出了日本第一盏白炽灯，自此之后，东芝将照明业务推向了世界规模，成了世界上重要的制作商和供给商之一。研发和产品计划都是以环保意识和减少二氧化碳排放的决心作为指点原则的。一个横跨组织的管理部门正在引导贯彻一项筹划，旨在2010年底之前终止白炽灯生产并在全球规模内参与高能源效力环保型家用/办公室用发光二极管和荧光灯照明产品的新业务。
‘陆’ 东芝什么产品主打
80年代以来，东芝从一个以家用电器、重型电机为主体的企业转变为包括通讯、电子在内的综合电子电器企业。进入90年代，东芝在数字技术、移动通信技术和网络技术等领域取得了飞速发展，东芝已成功地从家电行业的巨人转变为IT行业的先锋。
1875:田中久重在东京的新桥开设电信设备厂。
1890:藤岗市助和三吉正一在东京的京桥开设白热舍。制造日本第一批白炽电灯泡。
1894:制造日本第一台水轮式发电机(60kW)。
1895:制造日本第一台感应电动机。
1899:白热舍改名为东京电气株式会社。
1921:发明电灯泡技术的6大发明之一的双灯丝电灯泡。
1930:制造日本第一批电动洗衣机和电冰箱。
1939:东京电气株式会社和芝浦制作所合并,成立东京芝浦电气株式会社。
1954:为东京大学开发日本第一台数字式计算机TAC。
1955:开始销售日本第一批电饭煲。
1959:开发日本第一批晶体管电视机。
1963:制成日本第一台12,500kW的核动力透平发电机。开发卫星通信用的发射台。
1967:制成世界上第一台邮政编码自动识别装置。
1970:开发世界上第一台彩色电视电话。
1971:开始销售世界上第一批高集成电路化彩色电视机。
1972:推出世界上第一台带黑色条纹阴极射线管的彩色电视机。
1978:开始销售日本第一批文字处理机。
1979:制成世界上第一批光盘式文件生成系统。
1983:在世界上首次实现能够识别汉字的光学字符识别技术的实用化。
1984:公司名称改名为株式会社东芝。
1985:开发百万位的CMOS随机存取存储器。开发并销售世界上第一批膝上型个人电脑。
1989:开发并销售笔记本型个人电脑“DynaBook”。
1991:开发世界上第一批4百万位的与非型电可擦可编程只读存储器(EEPROM)。
1995:开发高密度光盘DVD。实行DVD标准化。
1999:空调部门脱离公司总部与开利公司成立合资公司“东芝开利公司”。采用内部公司的体制。开发世界上速度最快的128位中央处理器。
2002:与松下电器成立合资企业,统一液晶显示器业务。在世界上首次开发嵌入式动态随机存取存储器系统大规模集成电路用的65-纳米CMOS处理技术。
2003:导入“设置委员会公司”体系。
2004:加入联合国全球协议。开发世界上最小的0.85英寸硬盘驱动器。开发世界上最小、输出能量100毫瓦的直接甲醇燃料电池(DMFC)。和佳能公司一起开发新一代的平板显示器SED（表面导电电子发射显示器）。
2005:和SanDisk公司一起采用70纳米工艺技术开发8千兆位NAND闪存芯片。公布和IBM、索尼、索尼计算机娱乐公司共同开发的单元宽带处理器的技术细节。
‘柒’ 东芝的发展历程
1875：田中久重在东京的新桥开设电信设备厂。
1890：藤岗市助和三吉正一在东京的京桥开设白热舍。制造日本第一批白炽电灯泡。
1894：制造日本第一台水轮式发电机（60kW）。
1895：制造日本第一台感应电动机。
1899：白热舍改名为东京电气株式会社。
1921：发明电灯泡技术的6大发明之一的双灯丝电灯泡。
1930：制造日本第一批电动洗衣机和电冰箱。
1939：东京电气株式会社和芝浦制作所合并,成立东京芝浦电气株式会社。
1939至1945：开始为二战中日本侵略中国和东南亚大量生产97、95中型坦克、重型机枪、各类山炮。是日本在“二战”中立下汗马功劳的日本五大军用企业之一。
1954：为东京大学开发日本第一台数字式计算机TAC。
1955：开始销售日本第一批电饭煲。
1959：开发日本第一批晶体管电视机。
1963：制成日本第一台12,500kW的核动力透平发电机。开发卫星通信用的发射台。
1967：制成世界上第一台邮政编码自动识别装置。
1970：开发世界上第一台彩色电视电话。
1971：开始销售世界上第一批高集成电路化彩色电视机。
1972：推出世界上第一台带黑色条纹阴极射线管的彩色电视机。
1978：开始销售日本第一批文字处理机。
1979：制成世界上第一批光盘式文件生成系统。
1983：在世界上首次实现能够识别汉字的光学字符识别技术的实用化。
1984：公司名称改名为株式会社东芝。
1985：开发百万位的CMOS随机存取存储器。开发并销售世界上第一批膝上型个人电脑。
1989：开发并销售笔记本型个人电脑“DynaBook”。
1991：开发世界上第一批4百万位的与非型电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。
1995：开发高密度光盘DVD。实行DVD标准化。
1999：空调部门脱离公司总部与开利公司成立合资公司“东芝开利公司”。采用内部公司的体制。
2002：在世界上首次开发嵌入式动态随机存取存储器系统大规模集成电路用的65纳米CMOS处理技术。
2003：引进“公司内部委员会”体制。
2004：开发世界上最小、输出能量100毫瓦的直接甲醇燃料电池（DMFC）。
2005：公布和IBM、索尼、索尼计算机娱乐公司共同开发的Cell处理器的技术细节。
2006：并购西屋公司的核电业务。
2007：开发只需转一周就能够捕捉心脏和脑部完整图像的320层动态体积CT系统。
笔记本电脑的销售累积达6,000万台。
2008：发电厂监控系统在卡内基梅隆大学的软件成就馆展出。
2016：美的31亿元购东芝白家电业务80%股权
‘捌’ 内存储器的发展历程
对于用过386机器的人来说，30pin的内存，我想在很多人的脑海里，一定或多或少的还留有一丝印象，这一次我们特意收集的7根30pin的内存条，并拍成图片，怎么样看了以后，是不是有一种久违的感觉呀！
30pin 反面 30pin 正面
下面是一些常见内存参数的介绍：
bit 比特，内存中最小单位，也叫“位”。它只有两个状态分别以0和1表示
byte字节，8个连续的比特叫做一个字节。
ns（nanosecond）
纳秒，是一秒的10亿分之一。内存读写速度的单位，其前面数字越小表示速度越快。
72pin正面 72pin反面
72pin的内存，可以说是计算机发展史的一个经典，也正因为它的廉价，以及速度上大幅度的提升，为电脑的普及，提供了坚实的基础。由于用的人比较多，目前在市场上还可以买得到。
SIMM（Single In-line Memory Moles）
单边接触内存模组。是5X86及其较早的PC中常采用的内存接口方式。在486以前，多采用30针的SIMM接口，而在Pentuim中更多的是72针的SIMM接口，或者与DIMM接口类型并存。人们通常把72线的SIMM类型内存模组直接称为72线内存。
ECC（Error Checking and Correcting）
错误检查和纠正。与奇偶校验类似，它不但能检测到错误的地方，还可以纠正绝大多数错误。它也是在原来的数据位上外加位来实现的，这些额外的位是用来重建错误数据的。只有经过内存的纠错后，计算机操作指令才可以继续执行。当然在纠错是系统的性能有着明显的降低。
EDO DRAM（Extended Data Output RAM）
扩展数据输出内存。是Micron公司的专利技术。有72线和168线之分、5V电压、带宽32bit、基本速度40ns以上。传统的DRAM和FPM DRAM在存取每一bit数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间后，然后才能读写有效的数据，而下一个bit的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。EDO DRAM不必等待资料的读写操作是否完成，只要规定的有效时间一到就可以准备输出下一个地址，由此缩短了存取时间，效率比FPM DRAM高20%—30%。具有较高的性/价比，因为它的存取速度比FPM DRAM快15%，而价格才高出5%。因此，成为中、低档Pentium级别主板的标准内存。
DIMM（Dual In-line Memory Moles）
双边接触内存模组。也就是说这种类型接口内存的插板两边都有数据接口触片，这种接口模式的内存广泛应用于现在的计算机中，通常为84针，由于是双边的，所以共有84×2=168线接触，所以人们常把这种内存称为168线内存。
PC133
SDRAM（Synchronous Burst RAM）
同步突发内存。是168线、3.3V电压、带宽64bit、速度可达6ns。是双存储体结构，也就是有两个储存阵列，一个被CPU读取数据的时候，另一个已经做好被读取数据的准备，两者相互自动切换，使得存取效率成倍提高。并且将RAM与CPU以相同时钟频率控制，使RAM与CPU外频同步，取消等待时间，所以其传输速率比EDO DRAM快了13%。SDRAM采用了多体（Bank）存储器结构和突发模式，能传输一整数据而不是一段数据。
SDRAM ECC 服务器专用内存
RDRAM（Rambus DRAM）
是美国RAMBUS公司在RAMBUSCHANNEL技术基础上研制的一种存储器。用于数据存储的字长为16位，传输率极速指标有望达到600MHz。以管道存储结构支持交叉存取同时执行四条指令，单从封装形式上看，与DRAM没有什么不同，但在发热量方面与100MHz的SDRAM大致相当。因为它的图形加速性能是EDO DRAM的3-10倍，所以目前主要应用于高档显卡上做显示内存。
Direct RDRAM
是RDRAM的扩展，它使用了同样的RSL，但接口宽度达到16位，频率达到800MHz，效率更高。单个传输率可达到1.6GB/s，两个的传输率可达到3.2GB/s。
点评：
30pin和72pin的内存，早已退出市场，现在市场上主流的内存，是SDRAM，而SDRAM的价格越降越底，对于商家和厂家而言，利润空间已缩到了极限，赔钱的买卖，有谁愿意去做了？再者也没有必要，毕竟厂家或商家们总是在朝着向“钱”的方向发展。
随着 INTEL和 AMD两大公司 CPU生产飞速发展，以及各大板卡厂家的支持，RAMBUS 和 DDRAM 也得到了更快的发展和普及，究竟哪一款会成为主流，哪一款更适合用户，市场终究会证明这一切的。
机存取存储器是电脑的记忆部件，也被认为是反映集成电路工艺水平的部件。各种存储器中以动态存储器（DRAM）的存储容量为最大，使用最为普及，几十年间它的存储量扩大了几千倍，存取数据的速度提高40多倍。存储器的集成度的提高是靠不断缩小器件尺寸达到的。尺寸的缩小，对集成电路的设计和制造技术提出了极为苛刻的要求，可以说是只有一代新工艺的突破，才有一代集成电路。
动态读写存储器DRAM（Dynamic Random Access MeMory）是利用MOS存储单元分布电容上的电荷来存储数据位，由于电容电荷会泄漏，为了保持信息不丢失，DRAM需要不断周期性地对其刷新。由于这种结构的存储单元所需要的MOS管较少，因此DRAM的集成度高、功耗也小，同时每位的价格最低。DRAM一般都用于大容量系统中。DRAM的发展方向有两个，一是高集成度、大容量、低成本，二是高速度、专用化。
从1970年Intel公司推出第一块1K DRAM芯片后，其存储容量基本上是按每三年翻两番的速度发展。1995年12月韩国三星公司率先宣布利用0.16μm工艺研制成功集成度达10亿以上的1000M位的高速（3lns）同步DRAM。这个领域的竞争非常激烈，为了解决巨额投资和共担市场风险问题，世界范围内的各大半导体厂商纷纷联合，已形成若干合作开发的集团格局。
1996年市场上主推的是4M位和16M位DRAM芯片，1997年以16M位为主，1998年64M位大量上市。64M DRAM的市场占有率达52%；16M DRAM的市场占有率为45%。1999年64M DRAM市场占有率已提高到78%，16M DRAM占1%。128M DRAM已经普及，明年将出现256M DRAM。
高性能RISC微处理器的时钟已达到100MHz～700MHz，这种情况下，处理器对存储器的带宽要求越来越高。为了适应高速CPU构成高性能系统的需要，DRAM技术在不断发展。在市场需求的驱动下，出现了一系列新型结构的高速DRAM。例如EDRAM、CDRAM、SDRAM、RDRAM、SLDRAM、DDR DRAM、DRDRAM等。为了提高动态读写存储器访问速度而采用不同技术实现的DRAM有：
（1） 快速页面方式FPM DRAM
快速页面方式FPM（Fast Page Mode）DRAM已经成为一种标准形式。一般DRAM存储单元的读写是先选择行地址，再选择列地址，事实上，在大多数情况下，下一个所需要的数据在当前所读取数据的下一个单元，即其地址是在同一行的下一列，FPM DRAM可以通过保持同一个行地址来选择不同的列地址实现存储器的连续访问。减少了建立行地址的延时时间从而提高连续数据访问的速度。但是当时钟频率高于33MHz时，由于没有足够的充电保持时间，将会使读出的数据不可靠。
（2） 扩展数据输出动态读写存储器EDO DRAM
在FPM技术的基础上发展起来的扩展数据输出动态读写存储器EDODRAM（Extended Data Out DRAM），是在RAM的输出端加一组锁存器构成二级内存输出缓冲单元，用以存储数据并一直保持到数据被可靠地读取时为止，这样就扩展了数据输出的有效时间。EDODRAM可以在50MHz时钟下稳定地工作。
由于只要在原DRAM的基础上集成成本提高并不多的EDO逻辑电路，就可以比较有效地提高动态读写存储器的性能，所以在此之前，EDO DRAM曾成为动态读写存储器设计的主流技术和基本形式。
（3） 突发方式EDO DRAM
在EDO DRAM存储器的基础上，又发展了一种可以提供更高有效带宽的动态读写存储器突发方式EDO DRAM（Burst EDO DRAM）。这种存储器可以对可能所需的4个数据地址进行预测并自动地预先形成，它把可以稳定工作的频率提高到66MHz。
（4） 同步动态读写存储器SDRAM
SDRAM（Synchronous DRAM）是通过同步时钟对控制接口的操作和安排片内隔行突发方式地址发生器来提高存储器的性能。它仅需要一个首地址就可以对一个存储块进行访问。所有的输入采样如输出有效都在同一个系统时钟的上升沿。所使用的与CPU同步的时钟频率可以高达66MHz～100MHz。它比一般DRAM增加一个可编程方式寄存器。采用SDRAM可大大改善内存条的速度和性能，系统设计者可根据处理器要求，灵活地采用交错或顺序脉冲。
Infineon Technologies(原Siemens半导体)今年已批量供应256Mit SDRAM。其SDRAM用0.2μm技术生产，在100MHz的时钟频率下输出时间为10ns。
（5） 带有高速缓存的动态读写存储器CDRAM
CDRAM（Cached DRAM）是日本三菱电气公司开发的专有技术，1992年推出样品，是通过在DRAM芯片，集成一定数量的高速SRAM作为高速缓冲存储器Cache和同步控制接口，来提高存储器的性能。这种芯片用单一+3.3V电源，低压TTL输入输出电平。目前三菱公司可以提供的CDRAM为4Mb和16Mb，其片内Cache为16KB，与128位内部总线配合工作，可以实现100MHz的数据访问。流水线式存取时间为7ns。
（6） 增强型动态读写存储器EDRAM（Enhanced DRAM）
由Ramtron跨国公司推出的带有高速缓冲存储器的DRAM产品称作增强型动态读写存储器EDRAM（Enhanced DRAM），它采用异步操作方式，单一+5V工作电源，CMOS或TTL输入输出电平。由于采用一种改进的DRAM 0.76μm CMOS工艺和可以减小寄生电容和提高晶体管增益的结构技术，其性能大大提高，行访问时间为35ns，读/写访问时间可以提高到65ns，页面写入周期时间为15ns。EDRAM还在片内DRAM存储矩阵的列译码器上集成了2K位15ns的静态RAM高速缓冲存储器Cache，和后写寄存器以及另外的控制线，并允许SRAM Cache和DRAM独立操作。每次可以对一行数据进行高速缓冲。它可以象标准的DRAM对任一个存储单元用页面或静态列访问模式进行操作，访问时间只有15ns。当Cache未命中时，EDRAM就把新的一行加载到Cache中，并把选择的存储单元数据输出，这需要花35ns。这种存储器的突发数据率可以达到267Mbytes/s。
（7） RDRAM（Rambus DRAM）
Rambus DRAM是Rambus公司利用本身研制的一种独特的接口技术代替页面方式结构的一种新型动态读写存储器。这种接口在处理机与DRAM之间使用了一种特殊的9位低压负载发送线，用250MHz同步时钟工作，字节宽度地址与数据复用的串行总线接口。这种接口又称作Rambus通道，这种通道嵌入到DRAM中就构成Rambus DRAM，它还可以嵌入到用户定制的逻辑芯片或微处理机中。它通过使用250MHz时钟的两个边沿可以使突发数据传输率达到500MHz。在采用Rambus通道的系统中每个芯片内部都有它自己的控制器，用来处理地址译码和面页高速缓存管理。由此一片存储器子系统的容量可达512K字节，并含有一个总线控制器。不同容量的存储器有相同的引脚并连接在同一组总线上。Rambus公司开发了这种新型结构的DRAM，但是它本身并不生产，而是通过发放许可证的方式转让它的技术，已经得到生产许可的半导体公司有NEC、Fujitsu、Toshiba、Hitachi和LG等。
被业界看好的下一代新型DRAM有三种：双数据传输率同步动态读写存储器（DDR SDRAM）、同步链动态读写存储器（SLDRAM）和Rambus接口DRAM（RDRAM）。
（1） DDR DRAM（Double Data Rate DRAM）
在同步动态读写存储器SDRAM的基础上，采用延时锁定环（Delay-locked Loop）技术提供数据选通信号对数据进行精确定位，在时钟脉冲的上升沿和下降沿都可传输数据（而不是第一代SDRAM仅在时钟脉冲的下降沿传输数据），这样就在不提高时钟频率的情况下，使数据传输率提高一倍，故称作双数据传输率（DDR）DRAM，它实际上是第二代SDRAM。由于DDR DRAM需要新的高速时钟同步电路和符合JEDEC标准的存储器模块，所以主板和芯片组的成本较高，一般只能用于高档服务器和工作站上，其价格在中低档PC机上可能难以接受。
（2） SLDRAM（Synchnonous Link DRAM）
这是由IBM、HP、Apple、NEC、Fujitsu、Hyundai、Micron、TI、Toshiba、Sansung和Siemens等业界大公司联合制定的一个开放性标准，委托Mosaid Technologies公司设计，所以SLDRAM是一种原本最有希望成为高速DRAM开放性工业标准的动态读写存储器。它是一种在原DDR DRAM基础上发展的一种高速动态读写存储器。它具有与DRDRAM相同的高数据传输率，但是它比其工作频率要低；另外生产这种存储器不需要支付专利使用费，使得制造成本较低，所以这种存储器应该具有市场竞争优势。但是由于SLDRAM联盟是一个松散的联合体，众多成员之间难以协调一致，在研究经费投入上不能达成一致意见，加上Intel公司不支持这种标准，所以这种动态存储器反而难以形成气候，敌不过Intel公司鼎立支持的Rambus公司的DRDRAM。SLDRAM可用于通信和消费类电子产品，高档PC和服务器。
（3） DRDRAM（Direct Rambus DRAM）
从1996年开始，Rambus公司就在Intel公司的支持下制定新一代RDRAM标准，这就是DRDRAM（Direct RDRAM）。这是一种基于协议的DRAM，与传统DRAM不同的是其引脚定义会随命令而变，同一组引脚线可以被定义成地址，也可以被定义成控制线。其引脚数仅为正常DRAM的三分之一。当需要扩展芯片容量时，只需要改变命令，不需要增加硬件引脚。这种芯片可以支持400MHz外频，再利用上升沿和下降沿两次传输数据，可以使数据传输率达到800MHz。同时通过把数据输出通道从8位扩展成16位，这样在100MHz时就可以使最大数据输出率达1.6Gb/s。东芝公司在购买了Rambus公司的高速传输接口技术专利后，于1998年9月首先推出72Mb的RDRAM，其中64Mb是数据存储器，另外8Mb用于纠错校验，由此大大提高了数据读写可靠性。
Intel公司办排众议，坚定地推举DRDRAM作为下一代高速内存的标准，目前在Intel公司对Micro、Toshiba和Samsung等公司组建DRDRAM的生产线和测试线投入资金。其他众多厂商也在努力与其抗争，最近AMD宣布至少今年推出的K7微处理器都不打算采用Rambus DRAM；据说IBM正在考虑放弃对Rambus的支持。当前市场上同样是64Mb的DRAM，RDRAM就要比其他标准的贵45美元。
由此可见存储器的发展动向是：大容量化，高速化， 多品种、多功能化，低电压、低功耗化。
存储器的工艺发展中有以下趋势：CHMOS工艺代替NMOS工艺以降低功耗；缩小器件尺寸，外围电路仍采用ECL结构以提高存取速度同时提高集成度；存储电容从平面HI-C改为深沟式，保证尺寸减少后的电荷存储量，以提高可靠性；电路设计中简化外围电路结构，注意降低噪声，运用冗余技术以提高质量和成品率；工艺中采用了多种新技术；使DRAM的存储容量稳步上升，为今后继续开发大容量的新电路奠定基础。
从电子计算机中的处理器和存储器可以看出ULSI前进的步伐和几十年间的巨大变化。
‘玖’ 东芝emmc每个字母所对应的含义
1.简化手机存储器的设计。eMMC目前是当前最红的移动设备本地存储解决方案，目的在于简化手机存储器的设计，由于NAND Flash芯片的不同厂牌包括三星、KingMax、东芝(Toshiba)或海力士(Hynix)、美光(Micron)等，所以都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，而过去并没有技术能够通用所有厂牌的NAND Flash芯片。
2.更新速度快。每次NAND Flash制程技术改朝换代，包括70纳米演进至50纳米，再演进至40纳米或30纳米制程技术，手机客户也都要重新设计，但半导体产品每1年制程技术都会推陈出新，存储器问题也拖累手机新机种推出的速度，因此像eMMC这种把所有存储器和管理NAND Flash的控制芯片都包在1颗MCP上的概念，随着不断地发展逐渐流行在市场中。