1. 在手机论坛中常可以看到“NAND”，“NAND”是什么
NAND技术
NAND
Samsung、TOSHIBA和Fujistu支持NAND技术Flash Memory。这种结构的闪速存储器适合于纯数据存储和文件存储，主要作为SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固态盘的存储介质，并正成为闪速磁盘技术的核心。
NAND技术Flash Memory具有以下特点：（1） 以页为单位进行读和编程操作，1页为256或512B（字节）；以块为单位进行擦除操作，1块为4K、8K或16KB。具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms；而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。（2） 数据、地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。（3） 芯片尺寸小，引脚少，是位成本(bit cost)最低的固态存储器，将很快突破每兆字节1美元的价格限制。（4） 芯片包含有失效块，其数目最大可达到3~35块（取决于存储器密度）。失效块不会影响有效块的性能，但设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。 Samsung公司在1999年底开发出世界上第一颗1Gb NAND技术闪速存储器。据称这种Flash Memory可以存储560张高分辨率的照片或32首CD质量的歌曲，将成为下一代便携式信息产品的理想媒介。Samsung采用了许多DRAM的工艺技术，包括首次采用0.15μm的制造工艺来生产这颗Flash。已经批量生产的K9K1208UOM采用0�18μm工艺，存储容量为512Mb。
UltraNAND
AMD与Fujistu共同推出的UltraNAND技术，称之为先进的NAND闪速存储器技术。它与NAND标准兼容：拥有比NAND技术更高等级的可靠性；可用来存储代码，从而首次在代码存储的应用中体现出NAND技术的成本优势；它没有失效块，因此不用系统级的查错和校正功能，能更有效地利用存储器容量。
与DINOR技术一样，尽管UltraNAND技术具有优势，但在当前的市场上仍以NAND技术为主流。UltraNAND 家族的第一个成员是AM30LV0064，采用0.25μm制造工艺，没有失效块，可在至少104次擦写周期中实现无差错操作，适用于要求高可靠性的场合，如电信和网络系统、个人数字助理、固态盘驱动器等。研制中的AM30LV0128容量达到128Mb，而在AMD的计划中UltraNAND技术Flash Memory将突破每兆字节1美元的价格限制，更显示出它对于NOR技术的价格优势。
3 AND技术
AND技术是Hitachi公司的专利技术。Hitachi和Mitsubishi共同支持AND技术的Flash Memory。AND技术与NAND一样采用“大多数完好的存储器”概念，目前，在数据和文档存储领域中是另一种占重要地位的闪速存储技术。
Hitachi和Mitsubishi公司采用0.18μm的制造工艺，并结合MLC技术，生产出芯片尺寸更小、存储容量更大、功耗更低的512Mb-AND Flash Memory，再利用双密度封装技术DDP（Double Density Package Technology），将2片512Mb芯片叠加在1片TSOP48的封装内，形成一片1Gb芯片。HN29V51211T具有突出的低功耗特性，读电流为2mA，待机电流仅为1μA，同时由于其内部存在与块大小一致的内部RAM 缓冲区，使得AND技术不像其他采用MLC的闪速存储器技术那样写入性能严重下降。Hitachi公司用该芯片制造128MB的MultiMedia卡和2MB的PC-ATA卡，用于智能电话、个人数字助理、掌上电脑、数字相机、便携式摄像机、便携式音乐播放机等。
4 由EEPROM派生的闪速存储器
EEPROM具有很高的灵活性，可以单字节读写（不需要擦除，可直接改写数据），但存储密度小，单位成本高。部分制造商生产出另一类以EEPROM做闪速存储阵列的Flash Memory，如ATMEL、SST的小扇区结构闪速存储器（Small Sector Flash Memory）和ATMEL的海量存储器（Data-Flash Memory）。这类器件具有EEPROM与NOR技术Flash Memory二者折衷的性能特点：（1） 读写的灵活性逊于EEPROM，不能直接改写数据。在编程之前需要先进行页擦除，但与NOR技术Flash Memory的块结构相比其页尺寸小，具有快速随机读取和快编程、快擦除的特点。（2） 与EEPROM比较，具有明显的成本优势。（3） 存储密度比EEPROM大，但比NOR技术Flash Memory小，如Small Sector Flash Memory的存储密度可达到4Mb，而32Mb的DataFlash Memory芯片有试用样品提供。正因为这类器件在性能上的灵活性和成本上的优势，使其在如今闪速存储器市场上仍占有一席之地。
Small Sector Flash Memory采用并行数据总线和页结构（1页为128或256B），对页执行读写操作，因而既具有NOR技术快速随机读取的优势，又没有其编程和擦除功能的缺陷，适合代码存储和小容量的数据存储，广泛地用以替代EPROM。
DataFlash Memory是ATMEL的专利产品，采用SPI串行接口，只能依次读取数据，但有利于降低成本、增加系统的可靠性、缩小封装尺寸。主存储区采取页结构。主存储区与串行接口之间有2个与页大小一致的SRAM数据缓冲区。特殊的结构决定它存在多条读写通道：既可直接从主存储区读，又可通过缓冲区从主存储区读或向主存储区写，两个缓冲区之间可以相互读或写，主存储区还可借助缓冲区进行数据比较。适合于诸如答录机、寻呼机、数字相机等能接受串行接口和较慢读取速度的数据或文件存储应用。
三、 发展趋势
存储器的发展都具有更大、更小、更低的趋势，这在闪速存储器行业表现得尤为淋漓尽致。随着半导体制造工艺的发展，主流闪速存储器厂家采用0�18μm，甚至0.15μm的制造工艺。借助于先进工艺的优势，Flash Memory的容量可以更大：NOR技术将出现256Mb的器件，NAND和AND技术已经有1Gb的器件；同时芯片的封装尺寸更小：从最初DIP封装，到PSOP、SSOP、TSOP封装，再到BGA封装，Flash Memory已经变得非常纤细小巧；先进的工艺技术也决定了存储器的低电压的特性，从最初12V的编程电压，一步步下降到5V、3.3V、2�7V、1.8V单电压供电。这符合国际上低功耗的潮流，更促进了便携式产品的发展。
另一方面，新技术、新工艺也推动Flash Memory的位成本大幅度下降：采用NOR技术的Intel公司的28F128J3价格为25美元，NAND技术和AND技术的Flash Memory将突破1MB 1美元的价位，使其具有了取代传统磁盘存储器的潜质。
世界闪速存储器市场发展十分迅速，其规模接近DRAM市场的1/4，与DRAM和SRAM一起成为存储器市场的三大产品。Flash Memory的迅猛发展归因于资金和技术的投入，高性能低成本的新产品不断涌现，刺激了Flash Memory更广泛的应用，推动了行业的向前发展。
2. 铠侠SLC NAND闪存性能如何，求解答
铠侠这个闪存性能还是不错的。存储容量、擦写速度和寿命都表现的都很优秀，算是现在大容量存储的首选了。?。我的回答不知你是否满意？
3. 长江存储是上市公司吗
长江存储不是上市公司。
长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉， 是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒， 嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。截至目前，长江存储已在武汉、上海、北京等地设有研发中心，全球共有员工6000余人，其中研发工程技术人员4000余人。通过不懈努力和技术创新，长江存储致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。
【拓展资料】
世界芯片生产商：
一、英特尔
英特尔是一家成立于1968年的个人计算机零件和CPU制造商，拥有50年的市场领导历史，在1971年推出第一个微处理器，就为世界带来了计算机和互联网的革命，主要领域在半导体、微处理器、芯片组、板卡、系统及软件等，位于福布斯2019全球企业2000强排行榜第44位，在2019年第一季度半导体市场以158亿美元营收排在第一位，也是世界三大芯片生产商之首。
二、三星
三星是全球着名的跨国企业集团，三星电子作为旗下最大的子公司，主要领域涉及到IT解决方案、生活家电、无线、网络、半导体及LCD事业等，在1983年研制64K动态随机存储器成为了当时世界半导体领导者，之后在移动设备领域一直处在领先地位，也是智能手机市场份额最多的企业。
三、高通
高通公司是全球知名的移动设备和处理器制造商，旗下的骁龙处理器是业界最为领先的移动智能设备处理器，向多家制造商提供技术支持，在国内基本除了华为使用自己的研制的麒麟处理器外，小米、oppo、vivo等大部分手机制造商都会搭载骁龙处理器，也是知名的世界品牌500强之一。
四、超威
美国超威半导体AMD，也是知名的显卡制造商，涉及CPU、显卡、主板电脑硬件设备等领域，在计算机显卡领域和英伟达占据大半市场，但近年来似乎有所下降。
五、美光
美光也是世界十大芯片公司之一，也是世界最大的半导体储存及影像产品制造商之一，在全球拥有两万六千多名员工，在国内北京和深圳都营销办事处。
4. 武汉长江存储是国企吗
武汉长江存储不是国企。
长江存储科技有限责任公司于2016年7月26日在武汉东湖新技术开发区登记成立。法定代表人赵伟国，公司经营范围包括半导体集成电路科技领域内的技术开发；集成电路及相关产品的设计等。
中国存储芯片产业以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于移动存储芯片的合肥长鑫以及致力于普通存储芯片的晋华集成三大企业为主。以三家厂商的进度来看，试产时间预计将在2018年下半年，量产时间可能都在2019年上半年，这预示着2019年将成为中国存储芯片生产元年。
2016年12月底，由长江存储主导的国家存储器基地正式动工，计划分三个阶段，共建三座3D-NAND Flash厂房。
第一阶段的厂房已2017年9月完成建设，预计2018年第三季度开始搬入机台，第四季进行试产，初期投片量不超过1万片，用于生产32层3D-NAND Flash产品，并预计在自家的64层技术成熟后，再视情况拟定第二、第三期的生产计划。
2020年9月13日，中国安防半导体产业联盟成立大会在深圳举行。会上对长江存储等第一届成员进行授牌。
5. 请问国内外生产Nand Flash Memory 的公司有哪些，是生产商，不是代理商哦。
国内 。中芯国际。
韩国。 三星。现代
美国。英特尔。镁光
日本。东芝。瑞萨。
欧洲。意法半导体，
剩下就是一些没什么名气和市占率的。台湾没有能生产闪存芯片的公司。台湾只是芯片封装厂和半导体代工厂比较多。
6. 长江存储展出64层3D NAND：可轻松实现单盘1TB容量
在2019中国国际智能产业博览会上，紫光集团展出旗下芯片及云计算等领域的最新进展，首次公开旗下长江存储研发的64层堆栈3D闪存，采用了Xstacking堆栈结构，核心容量也提升到256Gb。
长江存储在2018年就小规模量产32层堆栈的3D闪存，但核心容量只有64Gb，年底真正量产的是64层堆栈的3D闪存，其核心容量将提升到256Gb，是32层闪存的4倍，虽然与512Gb到1Tb产品存在差距，但是256Gb核心的闪存在64层闪存已达主流水平，可轻松制造512GB到1TB容量的固态硬盘。
长江存储预计在年底量产64层堆栈的3D闪存，明年逐步提升产能，2020年底可望将产能提升导月6万片晶圆/月的规模。2020年会跳过96层堆栈直接杀向128层堆栈，进一步缩短与三星东芝等公司的差距。
根据长江存储的介绍，3D闪存采用Xstacking堆栈结构，2018年推出的Xstacking 1.0，可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这种加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。
长江存储是紫光集团收购武汉新芯 科技 之后成立的，公司于2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。长江存储为全球工商业客户提供存储器产品，广泛应用于移动设备、计算机、数据中心和消费电子产品等领域。
7. 长江存储股票代码
长江存储股票代码（600206），长江存储科技有限责任公司13日宣布其128层研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。 长江存储是中国核心半导体制造企业紫光集团旗下公司，主要业务为3DNAND闪存设计制造。2016年底落地武汉，总投资240亿美元。 作为业内首款128层QLC规格的3DNAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
1.长江存储市场与销售高级副总裁龚翊表示，“作为闪存行业的新人，长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。” 闪存和SSD(固态硬盘)领域市场研究公司ForwardInsights创始人兼首席分析师GregoryWong认为：“QLC降低了NAND闪存单位字节(Byte)的成本，更适合作为大容量存储介质。比如可以作为服务器和数据中心的存储介质，适合AI计算、机器学习和大数据读取密集型应用。”长江存储以“新十年，芯梦想，新格局”为主题召开市场合作伙伴年会，江波龙电子、群联电子、威刚科技，国科微，忆联、群联电子、慧荣科技、联芸科技、美满电子科技(Marvell)等长江存储的市场合作伙伴首次集体亮相。
2.第三代产品将推128层闪存芯片 “2020年是存储器黄金十年新的开始。随着5G、AI、大数据、物联网、云计算等技术的发展，存储器市场需求将呈现指数级增长。”长江存储董事长、紫光集团董事长兼首席执行官赵伟国在会上表示，“中国市场为集成电路发展提供了资本纵深、市场纵深和人才纵深；紫光、长存有实力、有能力，更有对发展中国存储器、集成电路产业不变的决心。” 2017至2019年间，长江存储陆续推出了32层、64层3D NAND闪存芯片及存储器解决方案，得到市场的认可。据了解，随着5G、AI、智能生活、智慧城市带来的个人消费电子和大规模数据中心的快速发展，市场对3D NAND闪存的需求将愈发白热化，高密度、高性能、高品质、低延迟的3D NAND闪存解决方案越来越成为市场的主流趋势。
3. 长江存储首席执行官杨士宁表示，长江存储已规划2020年将提供嵌入式存储、固态硬盘(SSD)等完整解决方案产品，面向更多通讯、系统整机客户。自长江存储2019年三季度量产第二代64层3D NAND闪存到现在，市场总体给予了正面积极的评价，这离不开合作伙伴的深度配合及终端市场的历练。下一步，长江存储的第三代产品将跳过96层，直接上128层堆叠闪存。 国科微与长存启动长期深入合作 A股公司国科微副总裁康毅在会上表示：通过将长江存储3D NAND闪存导入国科微固态硬盘，我们一起为用户提供更领先的存储解决方案。展望2020年，国科微将进一步深化与长江存储的全方位合作。
8. 合肥长鑫和长江存储两个企业的存储芯片和未来发展哪个更有潜力
长鑫是内存，长江是闪存。内存断电数据丢失，闪存断电数据依然在，技术层面，闪存技术难度更高！另外长鑫是买的国外底层技术，然后升级优化发展，发展有一定局限性，且与世界一流水平有2-3代的差距！而长存完全自主研发，技术几乎达到世界一流水平。从市场发展来看，内存技术有天花板，需求市场几乎停止增长，而闪存技术革新空间很大，市场需求每年更是以30%的增长速度扩张。综合来看长江存储发展前景更大！
两家企业之间内部高层人员同属于紫光派系。因此在产业结构分工上是协调合作方式。合肥长鑫主攻可读存储；长江存储以研发可写存储。
长江存储属于国家队，合肥长鑫地地道道属省级队。由此看来，长江存储比合肥长鑫起步高。不过合肥长鑫率先将上市产品对标到世界同等级别，而长江存储还需时日。
另外，众所周知，玩存储晶圆是个烧钱项目，风险变数极大，所以这些企业背靠的是有实力的大级别体量玩家。长江存储背靠武汉，是国家倾尽全力打造的存储之都；合肥近几年靠集成芯片（京东方）实实在在是挣到百千亿的，夹持国家科学中心名头不可小觑！
综叙，潜力谁大不好说，一个是小狮子，逐渐霸气侧漏想挑战王位；一个是小老虎，虎虎生威欲占山为王！
冲出重围千亿起步，强敌环伺巨头统治。
存储芯片的前景如何展望？
合肥长鑫，成立于2016年5月， 专注于DRAM领域 ，整体投资预计超过1500亿元。目前一期已投入超过220亿元，19nm8GbDDR4已实现量产，产能已达到2万片/月，预计2020年一季度末达4万片/月，三期完成后产能为36万片/月， 有望成为全球第四大DRAM厂商。
长江存储，成立于2016年7月， 专注于3DNANDFlash领域 ，整体投资额240亿美元，目前64层产品已量产。根据集邦咨询数据，2019年Q4长江存储产能在2万片/月，到2020年底有望扩产至7万片/月，2023年目标扩产至30万片/月产能， 有望成为全球第三大NANDFlash厂商。
最近利基型内存（Specialty DRAM）的价格大涨，我们今天就来聊聊 DRAM 是什么？
Dynamic Random Access Memory，缩写DRAM。动态随机存取存储器，作用原理是利用电容内存储电荷的多寡，来代表一个二进制比特是1还是0。这一段听不懂，听不懂没关系，你只需要知道，它运算速度快、常应用于系统硬件的运行内存，计算机、手机中得有它，你可能没听说过DRAM，但你一定知道内存条， 没错，DRAM的最常见出现形式就是内存条。
近几年的全球DRAM市场，呈现巨头垄断不变，市场规模多变的局面。
全球DRAM生产巨头是三星、SK海力士和美光，分别占据了41.3%、28.2%和25%的市场份额。
2019年市场销售额为620亿美元，同比下降了37%。其中美国占比39%排名第一，中国占比34%排名第二，中美是全球DRAM的主要消费市场。细分市场，手机/移动端占比40%，服务器占比34%。
总结来说，巨头垄断，使得中国企业没有议价权，DRAM芯片受外部制约严重。 当前手机和移动设备是最大的应用领域，但未来随着数据向云端转移，市场会逐步向服务器倾斜。
未来，由于DRAM的技术路径发展没有发生明显变化，微缩制程来提高存储密度。那么在进入20nm的存储制程工艺后，制造难度越来越高，厂商对工艺的定义已不再是具体线宽，而是要在具体制程范围内提升技术，提高存储密度。
当前供需状况，由于疫情在韩、美两国发展速度超过预期，国内DRAM企业发展得到有利发展。
合肥长鑫、长江存储 两家都是好公司，都在各自的赛道中冲刺，希望他们能够在未来打破寡头垄断的格局。
看哪家产品已经销售了，其他吹得再好都是假的
目前看合肥长鑫优势明显
合肥长鑫和长江存储两个企业的存储芯片和未来发展哪个更有潜力？闪存也好内存也罢都是国内相当薄弱的环节，都是要在国外垄断企业口里夺食，如果发展得好都是相当有潜力的企业。只是对于市场应用的广度而言，合肥长鑫的内存可能相对来说更有潜力一些。
这两家企业一家合肥长鑫以DRAM为主要的专注领域，长江存储以NAND FLAH领域，而且投资都相当巨大，都是一千亿元以上的投资。长江存储除了企业投资之外，还有湖北地方产业基金，另外还有国家集成电路产业投资基金的介入，显得更为有气势。而合肥长鑫主要以合肥地方投资为主，从投资来看看似长江存储更有力度更有潜力一些。
不管时闪存还是内存，目前都被美国、韩国、日本等国外的几家主要企业所垄断，价格的涨跌几乎都已经被操纵，国内企业已经吃过不少这方面的苦。DRAM领域的三星、海力士、镁光，NAND领域有三星、东芝、新帝、海力士、镁光、英特尔等，包括其他芯片一起，国内企业每一年花在这上面购买资金高达3000多亿美金，并且一直往上攀升。
这两家企业携裹着大量投资进入该领域，但短时间之内要改变这种态势还很难，一个是技术实力落后，另一个是市场号召力极弱。目前与国外的技术距离差不多在三年左右，况且这两家的良品率和产能还并不高没有完全释放，在市场应用上的差距就更为悬殊。
从市场应用上来看，各种电子产品特别是手机及移动产品将会蓬勃发展，内存的应用地方相当多，甚至不可缺少，这带来极大的需求量。相对而言，闪存应用地方可能要稍稍窄小一点，但需求同样庞大。
国外三星、海力士等处于极强的强势地位，而合肥长鑫和长江存储要想从他们嘴里争夺是相当不容易的。不过有国内这个庞大的市场作后盾，相信这两家未来都有不错的前景，一旦发展起来被卡脖子的状况将会大为改观。
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理论上说长江存储潜力更大，技术水平距离三星更近。长鑫的话制程跟三星还有一些差距，另外gddr5和ddr5长鑫都还没影。
市场来说长鑫的dram内存价值更大。
但是不论nand还是dram存储市场都是需要巨额投入和多年坚持的，所以谁钱多谁潜力大。
合肥长鑫是国产芯片的代表企业，主要从事存储芯片行业中DRAM的研发、生产和销售。企业计划总投资超过 2200 亿元，目前已经建立了一支拥有自主研发实力、工作经验丰富的成建制国际化团队，员工总数超过 2700 人，核心技术人员超过 500。
长江存储成立于2016年7月，总部位于武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业。目前全球员工已超 6000 余人，其中资深研发工程师约 2200人，已宣布 128 层 TLC/QLC 两款产品研发成功，且进入加速扩产期，目前产能约 7.5 万片/月，拥有业界最高的IO速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。
存储芯片行业属于技术密集型产业，中国存储芯片行业起步晚，缺乏技术经验累积。中国本土制造商长江存储、合肥长鑫仍在努力追赶。
谁先做出产品谁就有潜力，两家现在主要方向也不一样，一个nand一个dram，也得看技术和顶级玩家三星的差距
当然是长江存储更有潜力，长江存储有自主知识产权的3d堆叠工艺平台，是国家存储产业基地，长鑫买的外国专利授权，发展受到外国技术限制。长江存储可以依靠3d堆叠工艺平台轻松杀入dram领域，而长鑫却没有可能进入nand领域。
9. SST公司是一家什么公司
别听那家伙瞎扯蛋，sst全称-硅存储技术公司，生产nandflash和norflash存储芯片，和单片机，而不是什么上市公司！flash就是--闪存芯片，具体是什么可以查网络！
10. 江波龙这个企业怎么样
江波龙全称为深圳市江波龙电子有限公司成立于1999年，是一家聚焦NAND闪存应用和存储芯片定制、存储软件开发的技术型品牌公司, 总部位于深圳，在北京、上海、重庆、中山、香港、台北等地设有分公司或办事处，江波龙在存储行业还是有一定的知名度的。
目前，江波龙电子旗下拥有嵌入式存储FORESEE和高端消费品牌Lexar：FORESEE深耕行业应用，嵌入式存储、固态硬盘存储、微存储、汽车存储四条产品线各自为营，全面深入手机、PC、汽车、IOT、安防、工业等诸多领域，正加速开拓全球市场。产品覆盖SD存储卡、microSD卡、U盘、读卡器、固态硬盘等。
在IC固件设计、封装基板设计等方面的实力和高于行业标准的全面质量管理，江波龙电子结合市场需求进行产品自主研发，持续为客户提供应用广泛、性能优异的创新性存储产品和解决方案，并不断扩展NAND型闪存产品的应用范围。