⑴ sram存储器的特点是什么
关于SRAM存储容量及基本特点。
半导体随机存储器芯片内集成有记忆功能的存储矩阵,译码驱动电路和读/写电路等等。
下面介绍几个重要的概念:
读写电路:包括读出放大器和写入电路,用来完成读/写操作。
地址线:单向输入,其位数与芯片的容量有关
片选线:确定哪个芯片被选中(用来选择芯片)
数据线:双向输入,其位数与芯片可读出或者写入的位数有关,也与芯片容量有关。
存储容量
通常我们将存储容量表示为:字数X位数,比如64KX8位,其含义为,以8位构成一个字,一共有64个字。这个概念要相当熟悉,后面理解题目很有用。
⑵ 微机原理: 用8K*8的SRAM芯片组成64K*8的存储器,共需SRAM芯片( )片,每片SRA
微机原理: 用8K*8的SRAM芯片组成64K*8的存储器,共需SRAM芯片( 8 )片,每片SRA
如果用容量为1K×4的存储芯片构成存储器,共需要128片芯片,其中片内地址10位,芯片地址6位。
如果用容量为2K×8的存储芯片构成存储器,共需要32片芯片,其中片内地址11位,芯片地址5位。
如果用容量为8K×8的存储芯片构成存储器,共需要8片芯片,其中片内地址13位,芯片地址3位。
如果按字节编址,一个字节有8位二进制位组成,又因为CPU的输出地址码为20位 也就是它的地址总线宽度(位数)是20条,所以CPU可以支持的寻址范围为1MB.也就是可以支持2^20*8个bit。
1:存储器的总容量可达到1MB.
2:因为由上述可以知道存储器为1M*8bit
所以有(1024/2)*(8/4)=1024片SRAM组成该存储器.
也就是先有2片1M*2bit的SRAM位扩展组成1M*8bit的SRAM.然后512片SRAM字扩展组成1M*2bit的存储器.
3.因为此SRAM片子有9位地址来选片(因为有512片SRAM字扩展组成1M*2bit的SRAM).一般均采用高位地址进行选片所以为A11---A20, 因为组成元素为2K*4(位)的SRAM片子所以片内地址应该是11位,也就是A0---A10。这样全部的地址线就全部用上。
注意:这里还可以说明CPU的外部数据线也就是连内存的数据线的位数为8位,即8根数据线。 就是因为该内存用字节编址。
⑶ 速度最快的存储芯片CMOS RAMSRAM
rom属于非易失性存储器,读操作速度和ram查不多,具体要看它的时序,不可写,只能烧;ram属于易失性的,可读可写,写速度取决于总线频率和写周期长短,写操作比rom的烧写周期短,速度肯定快于rom的烧写操作;而ram分为静态(sram)和动态(dram),由于工艺不同,sram访问时间固定,而dram访问时间不固定,读写速度没有可比性;CMOS ram只是一种制作工艺,还有一种工艺是基于flash的,也就是非易失的,前面说过了,基于COMS的写周期要短一些。
⑷ 有一个4K×8位的存储器,由1K×8位的SRAM芯片构成,问: (1)1K×8位的SRAM芯片有
1K×8指的是它有1K的地址空间,需10根地址线,8是它的数据线是8 位,现扩展后是4K×8,数据线宽度不变,芯片就 要变成4个,每个芯片的10根地址线44并联。另外需要4根(线选法)或2根(译码法)地址线来控制这4个芯片的片选,防止4个芯片相互干扰。
⑸ SRAM芯片是什么
1、SRAM芯片是一种置于CPU与主存间的高速缓存,它有两种规格:
一种是固定在主板上的高速缓存(CacheMemory );
另一种是插在卡槽上的COAST(Cache On A Stick)扩充用的高速缓存,另外在CMOS芯片1468l8的电路里,它的内部也有较小容量的128字节SRAM,存储我们所设置的配置数据。
2、还有为了加速CPU内部数据的传送,自80486CPU起,在CPU的内部也设计有高速缓存,故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache(一级高速缓存)和L2Cache(二级高速缓存)的名词,一般L1 Cache是内建在CPU的内部,L2 Cache是设计在CPU的外部,但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部,故Pentium Pro的体积较大。
3、最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。
4、SRAM显然速度快,不需要刷新的*作,但是也有另外的缺点,就是价格高,体积大,所以在主板上还不能作为用量较大的主存。
⑹ 内存条上的芯片一般选用 DRAM 而不采用 SRAM,是什么原因呢
SRAM:读写速度快,生产成本高,多用于容量较小的高速缓冲存储器。
DRAM:读写速度较慢,集成度高,生产成本低,多用于容量较大的主存储器。
主要还是成本的问题,不能大容量采用
⑺ FLASH存储器DDR存储器RAM存储器SRAM存储器DRAM存储器有什么区别各有什么作用
Flash存储器:
它属于内存器件的一种,是一种非易失性( Non-Volatile )内存。闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异:目前各类 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存,只要停止电流供应内存中的数据便无法保持,因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存;闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据,其存储特性相当于硬盘,这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
DDR存储器:
DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM,人们习惯称为DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写,即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低成本。
RAM存储器:
存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储单元的工作原理,随机存储器又分为静态随机存储器(英文:Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(英文Dynamic RAM,DRAM)。
SRAM存储器:
是Static Random Access Memory的缩写,静态存储器,和动态存储器DRAM相对。由于SRAM工作原理是依靠晶体管组合来锁住电平,并不需要进行刷新,只要不断电,数据就不会丢失,因此称为静态RAM。
DRAM存储器:
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)
⑻ 用4K*4位的SRAM芯片设计32K*8位的存储器,要求该存储器的起始地址为8000H。 求解。
一个四块的芯片,设计的一个32内存器,需要储存是非常多的。
四个8K*8位的RAM芯片就能组成袭一个32K*8位,把8K的四个选通端分别连到74LS138的0到3号输出,数据线都连在一起,然后把4拿来连8K*8位的EPROM芯片选通。
地址范围是:0000H到1FFFH,2000H到3FFFH,4000H到5FFFH,ROM的为6000H到7FFFH。
地址一共需要15条地址线,本来应该16的,不过只用了38译码器的前四个输入,所以2号输入接低电平就好了,然后1和0输入接A14和A13,其它的地址线为A12到A0接到四个8K*8位的RAM芯片的地址线”。
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计算机的存储器可分成内存储器和外存储器。内存储器在程序执行期间被计算机频繁地使用,并且在一个指令周期期间是可直接访问的。外存储器要求计算机从一个外贮藏装置例如磁带或磁盘中读取信息。这与学生在课堂上做笔记相类似。
内存储器有很多类型。随机存取存储器( RAM)在计算期间被用作高速暂存记忆区。数据可以在RAM中存储、读取和用新的数据代替。当计算机在运行时RAM是可得到的。包含了放置在计算机此刻所处理的问题处的信息。大多数RAM是“不稳定的”,这意味着当关闭计算机时信息将会丢失。
⑼ 1.有一个512K大16位的存储器,由128K*8位的SRAM芯片构成。问
3片中的2片组成128K*16;2片64K*8合成为128K*8;2片合成以后与3片中剩下的一片合成128K*16
最后合成256K*16。
⑽ SRAM存储器是什么存储器
SRAM是英文Static RAM的缩写,它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据
说具体点就是高速缓存或者说是二级缓存
祝您好运