❶ 什么是典型的同步控制 为了提高cpu的效率 在同步控制方式中又有哪些方式
CPU与外设之间传输数据的控制方式通常有三种：程序方式、中断方式和DMA方式.
程序方式：指用输入/输出指令,来控制信息传输的方式,是一种软件控制方式,根据程序控制的方法不同,又可以分为无条件传送方式和条件传送方式.
无条件传送方式接口简单,适用于那些能随时读写的设备.条件传送方式（查询方式） 的特点是接口电路简单,CPU利用率低（程序循环等待）,接口需向CPU提供查询状态.适用于CPU不太忙,传送速度要求不高的场合.要求各种外设不能同时工作,外设处于被动状态.
中断方式：当外设准备好时,由外设通过接口电路向CPU发出中断请求信号,CPU在允许的情况下,暂停执行当前正在执行的程序,响应外设中断,转入执行相应的中断服务子程序,与外设进行一次数据传送,数据传送结束后,CPU返回继续执行原来被中断的程序.其特点是CPU的利用率高,外设具有申请CPU中断的主动权,CPU和外设之间处于并行工作状态.但中断服务需要保护断点和恢复断点（占用存储空间,降低速度）,CPU和外设之间需要中断控制器.适用于CPU的任务较忙、传送速度要求不高的场合,尤其适合实时控制中的紧急事件处理.
存储器直接存取方式（DMA）：外设利用专用的接口（DMA控制器）直接与存储器进行高速数据传送,并不经过CPU（CPU不参与数据传送工作）,总线控制权不在CPU处,而由DMA 控制器控制.其特点是接口电路复杂,硬件开销大.大批量数据传送速度极快.适用于存储器与存储器之间、存储器与外设之间的大批量数据传送的场合.
❷ 同步存储器的特点是什么它在整个嵌入式系统中的作用是什么
嵌入式简而言之，就是微微型的计算机。特点就是一个“小”。应用非常广泛，通信，航空，工业，等等，无处不在。
❸ SDRAM是指同步动态随机存储器，同步是指与什么同步
SDRAM里面的信息只能保留几十毫秒，所以需要不断刷新状态。这里面的同步指的是刷新和读写时钟和系统时钟公用，也就是同步。异步指的是刷新和读写时钟和系统时钟不同。系统时钟指的是总线时钟，比如PCI总线，CPU外部时钟等等。
❹ 主存储器的分类中RAM为何叫做随机存储器，动态和静态的（DRAM和SRAM）又是按什么原理分的
DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。
而且是行列地址复用的，许多都有页模式。
SRAM，静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据
不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。
SDRAM，同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。
DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM，但是现在，SDRAM的速度也已经很快了，时钟好像已经有150兆的了。那么就是读写周期小于10ns了。SDRAM虽然工作频率高，但是实际吞吐率要打折扣。以PC133为例，它的时钟周期是7.5ns，当CAS latency=2 时，它需要12个周期完成8个突发读操作，10个周期完成8个突发写操作。不过，如果以交替方式访问Bank，SDRAM可以在每个周期完成一个读写操作（当然除去刷新操作）。其实现在的主流高速存储器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）。目前可以方便买到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz；可以方便买到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz。
SRAM是Static Random Access Memory的缩写，中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAM（DRAM）不同，DRAM需要进行周期性的刷新操作。 然后，我们不应将SRAM与只读存储器（ROM）和Flash Memory相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。
SRAM中的每一位均存储在四个晶体管当中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储单元具有两个稳定状态，通常表示为0和1。另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此，一个存储位通常需要六个MOSFET。对称的电路结构使得SRAM的访问速度要快于DRAM。SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。
SRAM不应该与SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM（Synchronous DRAM），这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆，PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。
从晶体管的类型分，SRAM可以分为双极性与CMOS两种。从功能上分，SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。同步SRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。
DRAM：动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式
。
SRAM：静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用
的。
SDRAM：同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。
主要是存储单元结构不同导致了容量的不同。一个DRAM存储单元大约需要一个晶体管和一个电容（不
包括行读出放大器等），而一个SRAM存储单元大约需要六个晶体管。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量
较SRAM大，但是读写速度不如SRAM。
一个是静态的，一个是动态的，静态的是用的双稳态触发器来保存信息，而动态的是用电子，要不时
的刷新来保持。
内存（即随机存贮器RAM）可分为静态随机存储器SRAM，和动态随机存储器DRAM两种。我们经常说的“
内存”是指DRAM。而SRAM大家却接触的很少。
SRAM其实是一种非常重要的存储器，它的用途广泛。SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时能够保
持数据完整性。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相
同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因为如此，才使其发展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU
内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使用SRAM。
❺ 存储器的工作原理
这里只介绍动态存储器(DRAM)的工作原理。
动态存储器每片只有一条输入数据线，而地址引脚只有8条。为了形成64K地址，必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上，借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元，锁存信号也靠着外部地址电路产生。
当要从DRAM芯片中读出数据时，CPU首先将行地址加在A0-A7上，而后送出RAS锁存信号，该信号的下降沿将地址锁存在芯片内部。接着将列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS锁存信号，也是在信号的下降沿将列地址锁存在芯片内部。然后保持WE=1，则在CAS有效期间数据输出并保持。
当需要把数据写入芯片时，行列地址先后将RAS和CAS锁存在芯片内部，然后，WE有效，加上要写入的数据，则将该数据写入选中的存贮单元。
由于电容不可能长期保持电荷不变，必须定时对动态存储电路的各存储单元执行重读操作，以保持电荷稳定，这个过程称为动态存储器刷新。PC/XT机中DRAM的刷新是利用DMA实现的。首先应用可编程定时器8253的计数器1，每隔1⒌12μs产生一次DMA请求，该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时，DMA控制器送出到刷新地址信号，对动态存储器执行读操作，每读一次刷新一行。
❻ 关于内存DRAM和SRAM同步和异步是什么概念
SRAM的特点是工作速度快，只要电源不撤除，写入SRAM的信息就不会消失，不需要刷新电路，同时在读出时不破坏原来存放的信息，一经写入可多次读出，但集成度较低，功耗较大。SRAM一般用来作为计算机中的高速缓冲存储器(Cache)。
DRAM是动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory)，它是利用场效应管的栅极对其衬底间的分布电容来保存信息，以存储电荷的多少，即电容端电压的高低来表示“1”和“0”。DRAM每个存储单元所需的场效应管较少，常见的有4管，3管和单管型DRAM。因此它的集成度较高，功耗也较低，但缺点是保存在DRAM中的信息__场效应管栅极分布电容里的信息随着电容器的漏电而会逐渐消失，一般信息保存时间为2ms左右。为了保存DRAM中的信息，必须每隔1～2ms对其刷新一次。因此，采用 DRAM的计算机必须配置动态刷新电路，防止信息丢失。DRAM一般用作计算机中的主存储器。
❼ SRAM和DRAM依靠什么原理存储信息
SRAM:同步随机存储器 （一般用于嵌入式处理器的内存）S:synchronous
DRAM:动态随机存储器（很少用了） D：dynamic
SDRAM：同步动态随机存储器（很早的内存）
DDR SDRAM (双沿触发SDRAM,表示一个时钟周期触发两次)
DDR2 SDRAM (现在的主流，比第一代增加内部倍频，这个很少人知道)
DDR3 SDRAM （第三代DDR，进一步增加了内部倍频，改善了寻址方式）
晕，怎么是0分，才注意到
存储数据基本原理无外乎都是利用电容保存的电压信息表示0.1状态，实际的东西比这个复杂多了。
❽ 什么是同步形态储存器特点是什么
嵌入式简而言之，就是微微型的计算机。特点就是一个“小”。应用非常广泛，通信，航空，工业，等等，无处不在。