A. FRAM和EEPROM的区别,可以共用吗
非易失性铁电存储器 (FRAM) 和集成半导体产品供应商Ramtron International 公司宣布推出512 Kb的3V非易失性FRAM器件——FM25L512，带有高速串行外设接口(SPI)。该款器件采用8管脚微型封装，能够提高数据采集和存储能力，并且削减应用成本和PCB空间，应用领域从多功能打印机到工业用电机控制器等。
Ramtron 副总裁Mike Alwais称：“FM25L512为我们的256Kb 串行FRAM用户在相同的小占位面积中提供双倍的存储容量。这样，系统设计人员在下一代的打印机和电机控制设计中，无需增大线路板面积便可提高数据采集能力。”
Ramtron 的FM25L512是带有工业兼容SPI接口的512Kb非易失性FRAM，充分发挥了FRAM技术的高速写入能力。该硬件上可以直接替代相应的EEPROM，而且性能更佳，并能以高达20MHz的总线速度执行无延时的读写操作，同时提供10年的数据保存能力，以及几乎无限的读写次数和极低的工作电流。FM25L512 器件的工作电压为3.0 到 3.6V，可在 -40 ℃ 至 +85℃ 的工业温度范围内操作。
对于那些需要频繁且快速写入操作及/或低功耗工作的应用而言，FM25L512的性能凌驾同类的非易失性存储器解决方案。这些应用包括从先进的数据采集 (该应用中读写寿命非常重要) 到要求严苛的工业控制 (该应用中较长得写入等待时间和较短得读写寿命会导致数据丢失) 等各种应用。与串行EEPROM 不同，FM25L512能以总线速度执行无等待写入操作，而且功耗更低。
Ramtron目前提供8管脚“绿色”/RoHS TDFN (薄型双排引脚扁平无铅) 封装的FM25L512样件，与SOIC-8封装管脚兼容，订购1万片的起价为每片7.61美元。
B. 半导体FRAM是什么
半导体FRAM是ferromagnetic random access memory的英文缩写，即铁电存储器，FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件（诸如磁场因素）的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。
C. 在立创商城中的FRAM存储器有哪些品牌
FUJITSU(富士通)；
RAMTRON；
CYPRESS(赛普拉斯)；
他们的FRAM存储器就这3个品牌
D. 铁电存储器的介绍
铁电存储技术早在1921年提出，直到1993年美国Ramtron国际公司成功开发出第一个4K位的铁电存储器FRAM产品，目前所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。最近几年，FRAM又有新的发展，采用了0.35 um工艺，推出了3V产品，开发出“单管单容”存储单元的FRAM，最大密度可达256K位。
E. 铁电存储器FRAM的铁电应用
存储器（FRAM）可以让设计者更快、更频繁地将数据写入非易失性存储器，而且价格比EEPROM低。数据采集通常包括采集和存储两部分，系统所采集的数据（(除临时或中间结果数据外)需要在掉电后能够保存，这些功能是数据采集系统或子系统所具有的基本功能。在大多数情况下，一些历史记录是很重要的。
典型应用：仪表 (电表、气表、水表、流量表)、RF/ID、仪器,、和汽车黑匣子、安全气袋、GPS定位系统、电力电网监控系统。 FRAM通过实时存储数据帮助系统设计者解决了突然断电数据丢失的问题。参数存储用于跟踪系统在过去时间内的改变，它的目的包括在上电状态时恢复系统状态或者确认一个系统错误。总的来说，数据采集是系统或子系统的功能，不论何种系统类型，设置参数存储都是一种底层的系统功能。
典型应用： 影印机,打印机, 工业控制, 机顶盒 (Set-Top-Box), 网络设备（网络调制解调器）和大型家用电器。 铁电存贮器（FRAM）可以在数据传递储存在其它存储器之前快速存储数据。在此情况下，信息从一个子系统非实时地传送到另一个子系统去.。由于资料的重要性, 缓冲区内的数据在掉电时不能丢失.，在某些情况下，目标系统是一个较大容量的存储装置。FRAM以其擦写速度快、擦写次数多使数据在传送之前得到存储。
典型应用：工业系统、银行自动提款机 (ATM), 税控机, 商业结算系统 (POS), 传真机，未来将应用于硬盘非易失性高速缓冲存储器。
F. 富士通半导体有一些FRAM产品吧这些产品有什么特点
FRAM是一种环保的存储器，写入的数据不能通过物理分析被盗用，没有备用电池要求。FRAM的优势包括五个方面：非易失性、安全性、可靠性、高速和低功耗。具体讲，FRAM可以覆盖（无需擦除），写周期与读周期相等，具有防篡改功能。 MB89R118是富士通RFID LSI最新版本，可添加自定义快速指令，实现更快的数据读/写。通过降低功耗，通信距离也得到了改善。此外，它还具有防冲突功能。所以MB89R118比较适合各种分布式数据处理应用，如供应链管理、物流、零售系统、回收系统、质量控制等。 嵌入了FRAM非易失性存储器的MB89R118数据保存时间长达10年，它还有远胜于其它非易失性存储器的极高的编程次数（高达1010）。它支持广泛的温度范围，工作温度为-20℃至85℃，存储温度为-40℃至85℃，可以用于恶劣环境条件下的质量控制和产品控制。 该产品支持高速内存访问/高速数据处理，其内部存储器FRAM的编程周期为75.52μs/block（8字节）。MB89R118嵌入的FRAM存储器打破了以前传统非易失性存储器的写入瓶颈，写入时间大幅缩短了。 针对更快速度读取大容量数据的需求，可以利用读多块/写多块指令，一次读/写2块数据（16字节）。自定义指令（读多块无限指令）可连续读取最多256块（2048字节）。快速指令是该产品的新功能，可将从MB89R118到读/写器的响应时间缩短一半，实现高速处理。 FRAM的特性有利于数据保护，访问（写入）FRAM以字节为单位。在确保每一次写入有足够在电源电压后，执行每个字节的写入。如果RF电源在访问期间掉电，MB89R118可检测下降的电源电压。在检测后，MB89R118继续用存储在平流电容器中的电荷进行写操作。所以，如果在电源关闭期间进行写操作，用户也不会丢失数据。 总之，FRAM及嵌入FRAM的RFID LSI的特性和独有功能将让它在各种应用中发挥出最大优势。详见富士通官网http://cn.fujitsu.com/fss
G. 谁能给我讲讲FRAM产品是容量越大越好吗最好能举个例子对照着给我讲！
FRAM就是铁电存储器，运用了铁电效应，是一种高性能的非易失性存储器，结合了传统非易失性存储器（闪存和E2PROM）和高速RAM（SRAM和DRAM）的优点, 在高速写入、高耐受力、低功耗和防窜改方面具有优势。
以富士通的V系列的FRAM产品MB85RC256V为例:
256Kb存储容量基本能满足很多领域的要求,不过具体选用多大容量的FRAM要看每种领域的具体要求；1012次的读写次数，这个是凸显它的卓越的读写能力的，比较适合需要频繁更新数据的领域, 1012 次读写次数基本上已经能满足当今所有领域的要求；+85度数据能保存10年，这个应该说是FRAM的一个亮点，比较适合需要长期存储数据的领域；每一个FRAM都会有电压范围，不同电压范围适合不同领域的需求,像MB85RC256V的2.7V-5.5V工作电压范围就比较适合工业控制领域。
当然在这里不能给你一一举例子，相信随着你的学习，你会发现FRAM其实是个很简单的东西，知道原理后，做应用就会变得很容易。
H. FRAM和RERAM
FRAM就是铁电存储器，一种随机存取存储器，关机后数据丢失。ReRAM代表电阻式存储器，将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身，关闭电源后存储器仍能记住数据。
I. fram 在汽配中指什么呢
智能安全气囊的一种技术，具体的就要麻烦您详细看一下了，有点复杂。。。
FRAM技术
汽车安全系统在未来数年间将变得越来越趋于精密。这一趋势会影响到attach rate 以及安全气囊系统和汽车稳定性控制系统的复杂程度。随着这些系统中的电子部分越来越重要，同时对半导体存储器的容量要求也随之增长。本文概述了在设计新一代安全气囊系统存储方案时应该考虑的问题。
目前汽车安全气囊系统引入了两项主要的创新技术。第一，新型的安全气囊系统增加了“智能性”：不同于以往系统一律采用最大的展开力。仿佛所有的事故和乘客都是一模一样的，新系统是根据事故和乘客的具体参数来决定气囊的展开力度。这些参数可能包括碰撞的严重程度、乘客的体重和座椅相对气囊的位置等。这种可变的展开力将会大受那些曾有过普通安全气囊冲击而造成不愉快经验人士的欢迎。智能型气囊还能识别乘客座椅是否空置，以决定需不需要使用乘客安全气囊。考虑到每辆车的安全气囊数目正在增多加上即使发生小事故也必需更换的成本支出，这种创新的技术将有助于用户省下相当可观的维修和保险成本。
第二，越来越多的车辆安装了事故数据记录仪 (EDR)，用来收集碰撞相关的信息，类似于飞机“黑匣子”。EDR 功能一般被包含在安全气囊电子控制单元 (ECU) 中。这样置配很自然，因为 EDR 没有飞机黑匣子的那种存活性要求，安全气囊控制器主要是接收各个重要传感器的输入信息。而车辆制造商也指出没有空间安装独立式的 EDR。
这两种安全气囊存储应用对存储器的要求都相当高，但彼此差异很大。鉴于在严重的事故中，系统很有可能掉电，因此都需要非易失性存储器。事故重建意味着事故前后的相关数据必须存储在系统可写入的可靠的非易失性存储器中。
在“智能安全气囊”系统上ECU 设计人员希望针对具体的事故采用合适的展开力。这就不仅需要加速度信息同时也需要乘客信息。新型的智能安全气囊系统对存储器有独特的要求，即需要把直到事故发生前的乘客信息都记录下来，其中包括座椅位置和乘客体重。为了在事故之前能够获得有关乘客情况的可靠记录，就必需连续存储信息。送往安全气囊 ECU 的参数数据是由车辆内部的加速度传感器和传感器产生的。这种连续存储需要能够远比传统闪存写入更频繁的存储技术。
EDR 技术的关键在于所需的数据量及存储这些数据所需要的时间。新的规范将大大扩展需要采集的数据。当发生严重事故时，极有可能出现掉电情况。对于这种情况，EDR 系统必须赶在系统电源失去之前把数据保存下来。事故中，供电可能会突然失去，而传统的非易失性存储解决方案需要很长的时间来对新信息进行写入。
非易失性铁电存储器 (FRAM) 便提供了能解决上述需求的技术能力。它和其它非易失性方案一样都能提供可靠的非易失性存储能力，特别出众之处在于它的可擦写次数非常多，写入速度也极快。
安全气囊应用中最常选用带有串行外设接口 (SPI) 的5V工作电压FRAM存储器。这些器件可以在很高的总线接口速度下进行写操作，具有超过1万亿次 (1后面12个零！) 的擦写次数，足以让智能安全气囊连续写入，以提供无缝的乘客数据记录。串行速度可以从5MHz 到 20MHz间的FRAM 且无延迟写操作能够让主处理器尽可能快地存储数据，几乎没有信息丢失的风险。FRAM具备的非易失性特点、无限的擦写次数，以及快速数据写入能力，是下一代安全气囊系统的理想存储器。
汽车安全系统在未来数年间将变得越来越趋于精密。推动这一重要规格的趋势将会同时冲击安全气囊系统的数据捕捉率和精密度以及控制系统的稳定性。
J. 铁电存储器的简介
铁电存储器（FRAM，ferroelectric RAM）是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器（DRAM）的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。由于铁电存储器不像动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）一样密集（即在同样的空间中不能存储像它们一样多的数据），它很可能不能取代这些技术。然而，由于它能在非常低的电能需求下快速地存储，它有望在消费者的小型设备中得到广泛地应用，比如个人数字助理（PDA）、手机、功率表、智能卡以及安全系统。铁电存储器（FRAM）比闪存更快。在一些应用上，它也有可能替代电可擦除只读存储器（EEPROM）和静态随机存取存储器（SRAM），并成为未来的无线产品的关键元件。