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复旦大学研究电子存储

发布时间: 2022-09-03 18:26:49

1. 什么存储速度会比U盘快万倍

近日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技术,解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。

这项研究创新性地选择了二硫化钼、二硒化钨、二硫化铪、氮化硼等多重二维材料堆叠构成了半浮栅结构晶体管,制成阶梯能谷结构的范德瓦尔斯异质结。其中一部分如同一道可随手开关的门,电子易进难出;另一部分则像一面密不透风的墙,电子难以进出。对“写入速度”与“非易失性”的调控,就在于这两部分的比例。这一重要突破,从技术定义、结构模型到性能分析的全过程,均由复旦大学科研团队独立完成。《自然·纳米技术》的专家评审意见称其为“范德瓦尔斯异构结构器件发展的一个重要里程碑”。

感觉,要革新历史了!

2. 芯片专业最好的大学

在芯片研发上,我国5所实力最强高校:

  • 电子科技大学

电子科技大学是我国信息科技领域的名校,这所大学的电子科学与工程学院是我国首批建设的示范性微电子学院。

现在,电子科技大学的电子科学与工程学院拥有3名专职两院院士,并且拥有集成电路与集成系统创新引智基地、低功耗微电子与微系统创新引智基地。在全国高校第四轮学科评估中,电子科技大学的电子科学与技术学科超过了清华大学、北京大学,排名全国高校第一。

2018年,电子科技大学在集成电路领域的一项技术获得国家技术发明奖。

  • 西安电子科技大学

同电子科技大学一样,西安电子科技大学也是我国信息科技领域的名校,这所大学虽然不是985高校,却在信息科技领域堪比清华、北大。在芯片研发上,西安电子科技大学同样实力强劲,早在2003年这所大学就成为我国划拨专项经费建设的国家集成电路人才培养基地。

另外,西安电子科技大学的郝跃院士还是我国“核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品”科技重大专项实施专家组组长。2016年,西安电子科技大学的一个芯片研发项目更是获得国家科技进步奖。

3. 复旦微电子 导师情况

杨林

复旦大学特聘教授彰武
清华大学教授课
北京邮电大学兼职教授336 26038
美国 Legend Silicon Corp. 公司 董事长 / 总裁

基本情况:

1978 - 1982 , 上海复旦大学物理系无线电专业, 学士
1983 - 1985 , 北京清华大学无线电电子学系数字图像专业, 硕士
1985 - 1990 , 美国加州伯克利大学电机与计算机科学系, 博士
1990 - 1992 , 美国 VSLI Technology Inc. 公司,高级工程师
1993 - 1994 , 美国 Redwood Design Automation Inc. 公司,系统工程师
1995 - 1996 , 美国 Alta Group Inc. 公司, 总设计师
1997 - 1999 , 美国 Cadence Design Systems Inc. 公司, 部门总监,总设计师
1999 - 现在 , 美国 Legend Silicon Corp. 公司, 总裁,董事长,技术总监
2003 - 现在 , 北京邮电大学 兼职 教授
2004 - 现在 , 北京清华大学 教授
2004 - 现在 , 上海复旦大学 特聘教授
科研项目情况

1988年, IEEE 电路与系统年度最佳论文奖 (Guillemin-Cauer Award : “Cellular Neural Networks: Theory and Application” , IEEE Tran. CAS-35, Oct. 1988) 所研究成果 “Cellular Neural Networks” 获得美国发明专利。 CNN 自发明后 15 年中 形成 一个非常活跃的科研领域 。

1990 - 1992年,美国 VLSI Technology Inc. 公司任高级工程师, VLSI Technology Inc. 是美国最早的专用集成电路 (ASIC) 公司,在公司任职期间主要负责大规模集成电路功能模块库的设计,获得 8 项美国发明专利。

1993 - 1999年,美国 Redwood Technology Inc. 公司任系统工程师, Redwood Technology Inc. 是 SOC (片上集成)设计软件的先驱,后来和 Comdisco Inc. 公司合并组成 Alta Group Inc. 在 Alta Group Inc. 公司任系统设计师,负责 SPW 系统软件的 HDS 部分。 Alta Group Inc. 1997 年并入其母公司 Cadence Design Systems Inc. 在 Cadence Design Systems Inc. 公司任无线设计服务部门主任兼总设计师,负责为其他公司进行芯片设计,完成的主要项目为:铱星系统的手机芯片, ATSC 数字电视接收芯片, ISDB - T 数字电视仿真系统, DVB - T 数字电视接收芯片解调部分, ADSL 芯片纠错解码部分 GSM 芯片解调部分等。获得 5 项美国发明专利。

2000 - 现在,美国 Legend Silicon Corp. 公司任总裁,董事长,技术总监等职,负责开发 DMB-T 数字电视芯片和系统,并参与清华大学数字电视传输技术研发中心的 DMB-T 数字电视传输标准的研发工作,参与清华和复旦大学专用集成电路国家重点实验室的中视一号芯片设计。已获 9 项中国发明专利 。

2003 — 现在,复旦大学信息学院数字多媒体研究中心首席科学家。

近期研究方向和目标

( 1 )新一代无线多媒体通信技术的学术研究和相关算法,电路,系统的技术开发。

( 2 )融合宽带通信信道,框架理论,数字信号处理算法,电路结构设计,集成电路实现技术等学科的最新发展。

( 3 )在无线宽带时变信道模型的研究方面提出适于未来多媒体通信的信道模型理论。

( 4 )研究框架理论在现代通信中的应用。

( 5 )进一步研究对 TDS - OFDM 的调制理论和解调算法,提高传输性能。

( 6 )研究大规模多媒体通信芯片设计的实现问题,设计实用产品。

( 7 )讲授科技与学术前沿课程,指导研究生开题和撰写学术论文。
任俊彦 复旦大学微电子学与固体电子学教授,博士生导师。

简历:

1979年-1983年:复旦大学物理系半导体物理与半导体器件物理专业本科毕业,获理学学士。

1983年-1986年:复旦大学电子工程系半导体物理与半导体器件物理专业研究生毕业,获理学硕士。

1986年-2001年:复旦大学电子工程系教师。从事集成电路设计教学与研究。

2001年- :复旦大学微电子学系教师。从事集成电路设计教学与研究。

1994年- :复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室从事研究。

学术、行政及社会团体任职:

微电子学与固体电子学教授(2000年- )。

复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室副主任(1998年- )。

复旦大学微电子学系副系主任(2001年- )。

国际专用集成电路年会分会主席及程序委员(ASICON 1996/1998/2001/2003年)。

中-葡双边固态电路专题研讨会分会主席(2000年)。

电机与电子工程协会(IEEE)会员及固态电路上海分会教育主委(2000年- )。

上海市科学技术委员会科学技术专家。

电子学报、半导体学报等专业期刊评审人。

研究兴趣:

1.高频、低功耗、低电压CMOS模拟集成电路。

低功耗、高速或高精度模数转换器(百兆赫兹、8-10比特中等分辨率)
低抖动锁相环(带宽自适应或吉赫兹高频)及低相位噪声频率综合器
低电压轨至轨CMOS运算放大器、可变增益放大器、高精度基准电路等
2.用于移动通信的CMOS射频前端电路。

低噪声放大器、混频器
分数-N频率综合器
S-D调制器等
3.宽带数据通信中的数模混合信号电路。

针对双绞线的百兆、千兆以太网物理层(10/100/1000Bsase-T)
针对光纤的千兆以太网物理层(1.25GHz-3.125GHz SERDES)
4.新一代无线多媒体数字通信芯片的VLSI设计。

HDTV信道芯片设计
OFDM调制解调方法
射频前端模拟电路设计
5.与集成电路设计相关的物理问题。

CMOS系统中的同步开关噪声(SSN)
CMOS系统中的静电击穿泄流(ESD)

主持、承担的主要项目

1.1990年-2000年完成13项。其中:

8项国家“八五”、“九五”科技攻关项目,如“人工电子耳蜗中的多道电子刺激接收器专用电路”等。通过验收或鉴定。
4项上海市重大科技项目,如“基于8位CPU的专用存储器电路技术”、“CMOS系统中的SSN效应及相关电路设计研究”、“基于单元库和IP宏核的自动化设计技术及其推广应用”等。通过验收或鉴定。
1项教育部骨干教师基金项目“低功耗低电压大动态范围CMOS运算放大器设计”,已结题。
2.2000年-2003年完成11项。其中:

1项国家科技部863计划超大规模集成电路设计(SoC)重大专项课题“千兆比以太网IP核开发”。通过验收。
6项上海市科委重大项目“CMOS RF IC设计方法研究”、“针对GSM的CMOS射频前端及相关IP核”、“无锡上华0.6微米CMOS单元库”、“高速以太网物理层及相关IP核”、“125兆赫兹8比特高速ADC”、“用于千兆比以太网的数字均衡和数据恢复算法”等;通过验收或鉴定。
4项工业界合作项目:“吉赫兹CMOS SERDES”、“用模拟技术实现的高速以太网PHY”、“用于GSM移动电话的专用DSP技术方案研究”、“用于通信系统的新型混沌调制解调方法研究”等。
3.2003年以来在研4项。其中:

国家科技部863计划超大规模集成电路设计(SoC)重大专项课题“高性能以太网交换机及网络接口卡核心芯片开发”。(2003年-2005年)
上海市信息委整机与集成电路联动重大项目“GSM/GPRS/WCDMA射频收发器”。(2004年-2006年)
上海市科委AM基金项目“低相位噪声CMOS分数-N频率综合器”(2003年-2004年)。
工业界合作项目“多端口低功耗百兆以太网物理层”(2004年-2005年)

相关研究成果:

1.1998年度国家科技进步二等奖“1-0.35微米CMOS基本单元库”,达到90年代中期国际先进水平。

2.2001年度上海市科技进步三等奖“基于单元库和IP宏核的自动化设计方法及其推广应用”,2000年通过鉴定,处于国内领先水平。

3.“百兆赫兹中等分辨率CMOS高速模数转换器”,2004年通过鉴定,达到2003年国际先进水平。

4.通信集成电路方面的11项发明专利申请得到受理。包括高速模数/数模转换、以太网物理层的模拟接收/数字均衡/数据与时钟恢复/高速数据对准、高速线缆传输模型、混沌调制解调方法等。

5.发表论文约50余篇。其中:

在电子学报、半导体学报、通信学报等国内权威、核心期刊发表30余篇。
在IEEE电路与系统年会(美国)、IEEE非线性电子系统研讨会(瑞士)、IEEE通信电路与系统年会(俄罗斯),亚太地区设计自动化年会(日本),专用集成电路年会(中国)等国际会议上发表论文20余篇。

相关教学和研究生培养:

1995年- :指导硕士、博士研究生共27名。其中,在读12名,毕业15名。
1995年- :担任本科生和研究生的专业基础课程教学。主要有:《数字集成电路设计原理》,《低功耗VLSI电路设计方法》等。

综合奖励:

获得1999-2000年度“上海市高校优秀青年教师”称号
获得2004年度“复旦大学优秀研究生导师”称号
联系方式:

复旦大学张江校区专用集成电路与系统国家重点实验室

上海浦东新区张衡路825号,邮编201203

电话:+86-21-51355223

电子邮件:[email protected]

4. 请帮我详细介绍下复旦电子科学与技术专业

复旦大学信息科学与工程学院本科专业:电子信息科学与技术专业


电子信息科学与技术是一门与生产实践关系密切、适应面广、发展迅速的学科。它研究如何应用信息论、电路与系统理论和电子学技术及计算机技术、获取、传输和处理信息,设计电子信息系统的基本理论和方法。要求学生熟悉计算机应用技术,有较强的科学研究能力和一定的解决实际问题的能力。本科生毕业后可在通信、广播电视、自动控制、计算机工程、生物医学工程等电子领域从事科学研究、教学和应用技术工作。


研究生专业:电子科学与技术


5. 中国科学家开创新存储技术如何

科研人员称,基于二维半导体的准非易失性存储器可在大尺度合成技术基础上实现高密度集成,将在极低功耗高速存储、数据有效期自由度利用等多领域发挥重要作用。

这项科学突破由复旦大学科研团队独立完成,复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室为唯一单位。该项工作得到国家自然科学基金优秀青年项目和重点研究项目的支持。

6. 报考复旦大学微电子研究生考哪几门课,求解,了解的回答,务必详细

英语、政治、数学一、专业课:(881)电子线路与集成电路设计
复旦大学2005年入学研究生《 电子线路与集成电路设计 》专业课程考试大纲

本复习大纲是为了便于考生对《 电子线路与集成电路设计 》课程进行复习而制定。大纲提供了一些参考书目录,考生可以根据自己的实际情况选择合适的参考书。

第一部分 模拟电路

考试题型:问答题,分析计算题。

参考书:①童诗白等,模拟电子技术基础(第三版),高等教育出版社,2001年

②谢嘉奎等,电子线路线性部分(第四版),高等教育出版社,1999年

③蓝鸿翔,电子线路基础,人民教育出版社,1981年

总分:50分

一、电路分析 (③的第一章 或 其他电路分析教材)

基本电路定律与定理:

掌握基尔霍夫电压与电流定律;等效电压源定律;等效电流源定律;叠加原理。

能够运用节点电压法求解线性电路网络。

线性电路的一般分析方法:

能够写出线性电路网络的传递函数。

了解稳态分析和瞬态分析的基本概念。

掌握线性网络幅频特性、相频特性的基本概念。

能够利用波特(Bode)图进行频率特性分析。

二、半导体器件 (① 或 ②)

了解PN结的结构与原理,掌握PN结的伏安特性。

掌握半导体二极管的特性曲线和特性参数及其基本应用:整流、限幅、钳位。

双极型晶体管:

了解双极型晶体管的结构和放大原理;

掌握双极型晶体管的伏安特性;晶体管的基本模型,掌握双极型晶体管的交流小信号等效电路,并能计算其中的各个参数。

场效应晶体管:

掌握场效应晶体管的结构和工作原理,分清6种类型场效应管的区别;

掌握场效应晶体管的交流小信号等效电路,并能计算其中的各个参数。

三、基本放大电路 (① 或 ②)

放大电路的性能指标:

增益(放大倍数)、输入阻抗、输出阻抗,掌握它们的概念与计算方法。

晶体管共射放大电路:

分清直流通路与交流通路;

用近似估算法确定放大电路的直流工作点;

用小信号等效电路方法估算放大电路的性能指标:增益、输入阻抗、输出阻抗;

用图解法确定输出动态范围以及输出波形失真情况。

晶体管共基和共集放大电路:

了解上述两种电路的工作原理和电路特点;

能够简单估算上述两种放大电路的性能指标:增益、输入阻抗、输出阻抗;

熟悉三种接法的放大电路性能指标的异同,能够在不同场合正确选择合适的电路;

了解三种接法的放大电路在频率特性方面的异同。

场效应管共源放大电路:

能够根据场效应晶体管的伏安特性确定放大电路的直流工作点;

用小信号等效电路方法估算放大电路的性能指标。

差分放大电路:

熟悉差分放大电路的工作原理和电路特点;

掌握差分放大电路的性能指标估算方法。

互补输出电路:

熟悉互补输出电路的工作原理和电路特点;

了解互补输出电路中产生交越失真的原因以及消除方法。

多级放大电路:

掌握多级放大电路的增益、输入阻抗、输出阻抗的估算方法。

四、放大电路中的负反馈 (① 或 ②)

反馈的基本概念:

正确理解开环
正反馈与负反馈、直流反馈与交流反馈、电压反馈与电流反馈、串联反馈与并联反馈等概念;

能够正确运用瞬时极性法判断反馈的极性。

负反馈放大电路的组态:

正确判断四种不同的负反馈组态;

掌握四种不同负反馈组态的电路特点以及对电路性能产生的各种影响的异同;

能够根据需要在电路中引入合适的反馈形式。

深度负反馈放大电路的分析:

掌握深度负反馈放大电路的计算方法。

负反馈放大电路的自激振荡及消除方法:

了解负反馈放大电路自激振荡产生的原因,了解消除振荡的方法。

五、集成运算放大器及其应用基础 (① 或 ②)

熟悉集成运算放大器的性能参数:

差模增益、共模增益、共模抑制比、输入失调、单位增益带宽、转换速率等。

基于集成运放构成的线性电路的基本分析方法:

掌握理想运放电路的基本分析方法:虚短路虚开路法;

能够写出用集成运放构成的线性电路的传递函数。

基于集成运放构成的典型应用电路分析:

基本运算电路分析;

电流源电路;

有源负载放大电路分析;

直接耦合的多级放大电路分析;

互补输出级电路分析;

集成运放电路的工作原理及分析方法。

一阶、二阶有源滤波器电路分析;

RC振荡电路分析:振荡频率与起振条件;

基于集成运放的串联型稳压电源分析;

基于集成运放与互补电路的功率放大电路分析;

集成运放构成的其他应用电路。

第二部分 数字电路

考试题型:问答题,分析计算题。

参考书:①陈光梦,数字逻辑基础,复旦大学出版社,2004年

②雍新生,集成数字电路的逻辑设计,复旦大学出版社,1987年

总分:50分

一、逻辑代数

掌握逻辑代数的基本运算、基本定理、基本定律、基本法则;

利用逻辑代数和卡诺图对逻辑函数进行转换与化简:

掌握各种形式的逻辑函数的相互转换方法:

与、或、与非、或非、与或非、异或、同或。

掌握卡诺图化简方法;

掌握不完全确定的逻辑函数的化简方法;

掌握多输出逻辑函数的化简方法。

二、门电路组合逻辑电路 (① 或 ②)

掌握门电路的基本输入输出特性:

TTL门电路、CMOS门电路;

三态门、集电极(漏极)开路门。

掌握组合逻辑电路的分析方法;

熟悉常用组合逻辑电路模块的结构和逻辑功能:

编码器和译码器;

运算电路;

数值比较器;

多路选择器;

多路分配器。

掌握组合逻辑电路的设计过程:

基于门电路的设计;

基于常用组合逻辑电路模块的组合逻辑电路设计。

了解组合逻辑电路中的冒险现象及其消除方法。

三、触发器及时序逻辑电路

1. 触发器及其简单应用电路 (① 或 ②)

掌握触发器的四种基本类型及其状态的描写:

RS型、JK型、D型、T型。

掌握触发器类型的相互转换方法。

掌握触发器的简单应用:

寄存器、行波计数器。

2. 同步时序电路的分析和设计 (② 与 ①)

了解时序电路的描述
方法:

两种时序电路的模型:Milly模型与Moore模型;

两种模型的异同;

两种模型的转换。

掌握同步时序电路的分析方法:

状态转换表和状态转换图、时序图。

熟悉常用同步时序电路模块的结构和逻辑功能:

移位寄存器;

同步计数器。

掌握时序电路的状态化简方法:

完全描述状态表的化简;

不完全描述状态表的化简。

掌握同步时序电路的设计过程:

基于触发器的同步时序电路设计(状态机设计);

带有冗余状态的状态机设计;

基于触发器的同步计数器设计;

基于计数器模块的同步计数器设计;

同步时序电路设计中的自启动问题。

3. 异步时序电路的分析和设计 (② 与 ①)

了解异步时序电路的两种类型:

基本型异步时序电路;

脉冲型异步时序电路。

掌握异步时序电路的分析方法。

了解基本型异步时序电路中的冒险、竞争现象及其消除方法:

临界竞争和非临界竞争的区别;

通过状态流程表寻找临界竞争的方法;

临界竞争的消除方法;

异步时序电路中的冒险现象。

四、阵列化逻辑电路 (②)

ROM的基本原理及其在组合逻辑中的应用。

PLA的基本原理及其在组合逻辑中的应用。

第三部分 集成电路设计

考试题型:问答题,分析计算题。

参考书:①虞惠华等译,专用集成电路(第1、2、3、5章),电子工业出版社,2004年

②Jan M. Rabaey,Digital Integrated Circuits,Prentice Hall,1999年

③拉扎维着,模拟CMOS集成电路设计,西安交通大学出版社,2003年

总分:50分

一、模拟集成电路设计

1. CMOS模拟集成电路设计导论

2. MOS器件物理基本概念

3. 单级放大器分析

? 分析电路的增益、线性度、电压摆幅、功耗、输入/输出阻抗等。

? 共源级, 源跟随器, 共栅级, 共源共栅级。

4. 差分放大器

? 基本的差分对的分析

? MOS负载的差分放大器

? CMOS差分放大器

5. 单级放大器的频率响应

? 共源级,源跟随器,共栅级,共源共栅级,差分放大器的频响分析

6. 偏置电路

? 基本电流源

? Cascode电流源、低电压Cascode电流源。

? 和电源无关的, 和温度无关的偏置电路

7. CMOS运放

? CMOS运放的性能参数

? 一级CMOS运放和Gain Boosting

? 二级CMOS运放:一般结构、输入范围、共模反馈、压摆率和频率补偿
二、数字集成电路设计

1 集成电路器件

1.1 PN二极管(理想特性和二级效应)

1.2 MOS场效应晶体管(理想特性和二级效应)

2 CMOS反相器

2.1 静态特性及参数

2.2 动态特性及参数

2.3 功耗特性

3 CMOS组合逻辑

3.1 静态互补CMOS逻辑

3.2 比例CMOS逻辑(准NMOS结构)

3.3 传输晶体管逻辑

3.4 动态CMOS

4 CMOS时序逻辑

4.1 静态锁存器、寄存器

4.2 动态锁存器、寄存器

4.3 非双稳态时序电路

三、有关专用集成电路设计的基本知识

1、ASIC基本概念

1.1 ASIC类型及特点

1.2 IC的设计和制造过程

1.3 ASIC技术现状和发展趋势

2、ASIC设计流程和设计方法

2.1 Top-Down和Bottom-Up设计流程

2.2 硬件描述语言及设计描述

2.3 设计方法

逻辑综合、行为级验证、动态和静态时序验证,版图验证和版图后仿真等

3、ASIC测试方法

3.1 组合电路的测试方法

3.2 时序电路的测试方法

3.3 可测性设计

4、常用设计工具

5、有关FPGA的基本知识

7. 复旦大学电子信息

....又是你....首先复旦工科不强是现实,在找和专业契合度较高的工作时会有一些弱势(相对于同样水平的高校,比如同济、交大)。但是首先你不一定会找这方面的工作,向这里发展,你之前提过什么转经济类什么的。第二,待遇不是看你从哪里出来,而是看你进哪里去;而你进哪里去,一是看你从什么地方出来,二是看你的成绩,三是看你的专业,四是看你个人的素养。

建议你先不要考虑待遇问题,对你而言太早了。个人认为高考填报志愿时候所谓的什么热门专业啊,发展前景什么的都太绝对化。第一,热门不一定高薪;第二,就算高薪也只是高那些有才华的人;第三,发展前景好不一定等于自己喜欢;第四,大学所学的具体东西在工作时候真正用上的很少,它培养的是一个人做人做事的几样基本功:素养,思维,习惯。

与其现在烦恼,不如趁现在的时间多看看些感兴趣的东西。急于求成是现在年轻人的通病,呵呵,虽然我也是这样~~~

8. 复旦大学研发什么新型存储技术

近日,复旦大学某团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技术,解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。

目前半导体电荷存储技术主要有两类,第一类是易失性存储,例如计算机的内存,可在几纳秒左右写入数据,但掉电后数据会立即消失;第二类是非易失性存储,例如U盘,需要几微秒到几十微秒才能把数据保存下来,但在写入数据后无需额外能量可保存10年。

这项研究创新性地选择了二硫化钼、二硒化钨、二硫化铪、氮化硼等多重二维材料堆叠构成了半浮栅结构晶体管,制成阶梯能谷结构的范德瓦尔斯异质结。其中一部分如同一道可随手开关的门,电子易进难出;另一部分则像一面密不透风的墙,电子难以进出。对“写入速度”与“非易失性”的调控,就在于这两部分的比例。这一重要突破,从技术定义、结构模型到性能分析的全过程,均由复旦大学科研团队独立完成。