㈠ 内存是电容构成的吗
不是,内存是由易失性CMOS存储寄奇器构成,电子电路中不能实现大容量的电容,所以,内存并不是由内存构成的。
㈡ 按存储内容内存分为哪几种
经常见到的内存按出现的先后为:EDO,SD,DDR,DDR2,DDR3。
而实际上内存种类很多。
根据组成元件的不同,RAM内存又分为以下十八种:
01.DRAM(Dynamic RAM,动态随机存取存储器):
这是最普通的RAM,一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元,DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中,用电容的充放电来做储存动作,但因电容本身有漏电问题,因此必须每几微秒就要刷新一次,否则数据会丢失。存取时间和放电时间一致,约为2~4ms。因为成本比较便宜,通常都用作计算机内的主存储器。
02.SRAM(Static RAM,静态随机存取存储器)
静态,指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。每6颗电子管组成一个位存储单元,因为没有电容器,因此无须不断充电即可正常运作,因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定,往往用来做高速缓存。
03.VRAM(Video RAM,视频内存)
它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中,有效降低绘图显示芯片的工作负担。它采用双数据口设计,其中一个数据口是并行式的数据输出入口,另一个是串行式的数据输出口。多用于高级显卡中的高档内存。
04.FPM DRAM(Fast Page Mode DRAM,快速页切换模式动态随机存取存储器)
改良版的DRAM,大多数为72Pin或30Pin的模块。传统的DRAM在存取一个BIT的数据时,必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。而FRM DRAM在触发了行地址后,如果CPU需要的地址在同一行内,则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的,这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。FPM将记忆体内部隔成许多页数Pages,从512B到数KB不等,在读取一连续区域内的数据时,就可以通过快速页切换模式来直接读取各page内的资料,从而大大提高读取速度。在96年以前,在486时代和PENTIUM时代的初期,FPM DRAM被大量使用。
05.EDO DRAM(Extended Data Out DRAM,延伸数据输出动态随机存取存储器)
这是继FPM之后出现的一种存储器,一般为72Pin、168Pin的模块。它不需要像FPM DRAM那样在存取每一BIT 数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间,然后才能读写有效的数据,而下一个BIT的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。因此它可以大大缩短等待输出地址的时间,其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般应用于中档以下的Pentium主板标准内存,后期的486系统开始支持EDO DRAM,到96年后期,EDO DRAM开始执行。。
06.BEDO DRAM(Burst Extended Data Out DRAM,爆发式延伸数据输出动态随机存取存储器)
这是改良型的EDO DRAM,是由美光公司提出的,它在芯片上增加了一个地址计数器来追踪下一个地址。它是突发式的读取方式,也就是当一个数据地址被送出后,剩下的三个数据每一个都只需要一个周期就能读取,因此一次可以存取多组数据,速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM内存的主板可谓少之又少,只有极少几款提供支持(如VIA APOLLO VP2),因此很快就被DRAM取代了。
07.MDRAM(Multi-Bank DRAM,多插槽动态随机存取存储器)
MoSys公司提出的一种内存规格,其内部分成数个类别不同的小储存库 (BANK),也即由数个属立的小单位矩阵所构成,每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接,一般应用于高速显示卡或加速卡中,也有少数主机板用于L2高速缓存中。
08.WRAM(Window RAM,窗口随机存取存储器)
韩国Samsung公司开发的内存模式,是VRAM内存的改良版,不同之处是它的控制线路有一、二十组的输入/输出控制器,并采用EDO的资料存取模式,因此速度相对较快,另外还提供了区块搬移功能(BitBlt),可应用于专业绘图工作上。
09.RDRAM(Rambus DRAM,高频动态随机存取存储器)
Rambus公司独立设计完成的一种内存模式,速度一般可以达到500~530MB/s,是DRAM的10倍以上。但使用该内存后内存控制器需要作相当大的改变,因此它们一般应用于专业的图形加速适配卡或者电视游戏机的视频内存中。
10.SDRAM(Synchronous DRAM,同步动态随机存取存储器)
这是一种与CPU实现外频Clock同步的内存模式,一般都采用168Pin的内存模组,工作电压为3.3V。 所谓clock同步是指内存能够与CPU同步存取资料,这样可以取消等待周期,减少数据传输的延迟,因此可提升计算机的性能和效率。
11.SGRAM(Synchronous Graphics RAM,同步绘图随机存取存储器)
SDRAM的改良版,它以区块Block,即每32bit为基本存取单位,个别地取回或修改存取的资料,减少内存整体读写的次数,另外还针对绘图需要而增加了绘图控制器,并提供区块搬移功能(BitBlt),效率明显高于SDRAM。
12.SB SRAM(Synchronous Burst SRAM,同步爆发式静态随机存取存储器)
一般的SRAM是异步的,为了适应CPU越来越快的速度,需要使它的工作时脉变得与系统同步,这就是SB SRAM产生的原因。
13.PB SRAM(Pipeline Burst SRAM,管线爆发式静态随机存取存储器)
CPU外频速度的迅猛提升对与其相搭配的内存提出了更高的要求,管线爆发式SRAM取代同步爆发式SRAM成为必然的选择,因为它可以有效地延长存取时脉,从而有效提高访问速度。
14.DDR SDRAM(Double Data Rate二倍速率同步动态随机存取存储器)
作为SDRAM的换代产品,它具有两大特点:其一,速度比SDRAM有一倍的提高;其二,采用了DLL(Delay Locked Loop:延时锁定回路)提供一个数据滤波信号。这是目前内存市场上的主流模式。
15.SLDRAM (Synchronize Link,同步链环动态随机存取存储器)
这是一种扩展型SDRAM结构内存,在增加了更先进同步电路的同时,还改进了逻辑控制电路,不过由于技术显示,投入实用的难度不小。
16.CDRAM(CACHED DRAM,同步缓存动态随机存取存储器)
这是三菱电气公司首先研制的专利技术,它是在DRAM芯片的外部插针和内部DRAM之间插入一个SRAM作为二级CACHE使用。当前,几乎所有的CPU都装有一级CACHE来提高效率,随着CPU时钟频率的成倍提高,CACHE不被选中对系统性能产生的影响将会越来越大,而CACHE DRAM所提供的二级CACHE正好用以补充CPU一级CACHE之不足,因此能极大地提高CPU效率。
17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM,第二代同步双倍速率动态随机存取存储器)
DDRII 是DDR原有的SLDRAM联盟于1999年解散后将既有的研发成果与DDR整合之后的未来新标准。DDRII的详细规格目前尚未确定。
18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
是下一代的主流内存标准之一,由Rambus 公司所设计发展出来,是将所有的接脚都连结到一个共同的Bus,这样不但可以减少控制器的体积,已可以增加资料传送的效率。
㈢ 存储器的基本结构原理
存储器单元实际上是时序逻辑电路的一种。按存储器的使用类型可分为只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM),两者的功能有较大的区别,因此在描述上也有所不同
存储器是许多存储单元的集合,按单元号顺序排列。每个单元由若干三进制位构成,以表示存储单元中存放的数值,这种结构和数组的结构非常相似,故在VHDL语言中,通常由数组描述存储器
结构
存储器结构在MCS - 51系列单片机中,程序存储器和数据存储器互相独立,物理结构也不相同。程序存储器为只读存储器,数据存储器为随机存取存储器。从物理地址空间看,共有4个存储地址空间,即片内程序存储器、片外程序存储器、片内数据存储器和片外数据存储器,I/O接口与外部数据存储器统一编址
存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。存储器可分为主存储器(简称主存或内存)和辅助存储器(简称辅存或外存)两大类。和CPU直接交换信息的是主存。
主存的工作方式是按存储单元的地址存放或读取各类信息,统称访问存储器。主存中汇集存储单元的载体称为存储体,存储体中每个单元能够存放一串二进制码表示的信息,该信息的总位数称为一个存储单元的字长。存储单元的地址与存储在其中的信息是一一对应的,单元地址只有一个,固定不变,而存储在其中的信息是可以更换的。
指示每个单元的二进制编码称为地址码。寻找某个单元时,先要给出它的地址码。暂存这个地址码的寄存器叫存储器地址寄存器(MAR)。为可存放从主存的存储单元内取出的信息或准备存入某存储单元的信息,还要设置一个存储器数据寄存器(MDR)
㈣ U盘Flash存储芯片的存储单元是什么场效应管还还是电容
闪存的基本单元电路,与EEPROM类似,也是由双层浮空栅MOS管组成。
㈤ 16位DRAM,每个存储单元里有多少个电容和多少个晶体管对吗是16个电容和16个晶体管吗
不对!一个存储单元不会只有一个晶体管。存储单元是有暂稳态电路组成,烧丝后变成稳态电路。有反转电路、锁定电路构成,有时还需要跟随器电路,以及门电路。所以,一个存储单元要有十几只晶体管组成,在大规模集成电路中,为了追求稳定性,晶体管放大倍数不可能做的太大,这就需要几十只电路组成,电容主要用于微分、积分电路,也不可能只有一只。
㈥ 存储器是由什么物质组成的
每个存储单元(1bit)由一个电容器和一个晶体管构成,无数个存储单元有构成了一块存储芯片,几块存储芯片又构成了内存
㈦ 电容能不能储存信息
一个电容只能存储一位二进制信息。实际上现在的绝大多数只读存储器都是利用高阻抗元件的结电容来存储信息。
㈧ 电容可以存储电能吗
电容可以存储电能。最常见的应用:电源滤波电路中的滤波电容,在整流二极管导通期,对电容充电(储能);而当整流二极管截止期(放电),释放电能给负载,保证输出的连续性。
㈨ 电容是储存电压的还是储存电流的电感呢
所谓电容,就是容纳和释放电荷的电子元器件。电容的基本工作原理就是充电放电,
当然还有整流、振荡以及其它的作用。另外电容的结构非常简单,主要由两块正负电极和
夹在中间的绝缘介质组成,所以电容类型主要是由电极和绝缘介质决定的。在计算机系统
的主板、插卡、电源的电路中,应用了电解电容、纸介电容和瓷介电容等几类电容,并以
电解电容为主。
纸介电容是由两层正负锡箔电极和一层夹在锡箔中间的绝缘蜡纸组成,并拆叠成扁体
长方形。额定电压一般在63V~250V之间,容量较小,基本上是pF(皮法)数量级。现代纸
介电容由于采用了硬塑外壳和树脂密封包装,不易老化,又因为它们基本工作在低压区,
且耐压值相对较高,所以损坏的可能性较小。万一遭到电损坏,一般症状为电容外表发
热。
瓷介电容是在一块瓷片的两边涂上金属电极而成,普遍为扁圆形。其电容量较小,都
在pμF(皮微法)数量级。又因为绝缘介质是较厚瓷片,所以额定电压一般在1~3kV左右,
很难会被电损坏,一般只会出现机械破损。在计算机系统中应用极少,每个电路板中分别
只有2~4枚左右。
电解电容的结构与纸介电容相似,不同的是作为电极的两种金属箔不同(所以在电解
电容上有正负极之分,且一般只标明负极),两电极金属箔与纸介质卷成圆柱形后,装在
盛有电解液的圆形铝桶中封闭起来。因此,如若电容器漏电,就容易引起电解液发热,从
而出现外壳鼓起或爆裂现象。电解电容都是圆柱形(图1),体积大而容量大,在电容器上
所标明的参数一般有电容量(单位:微法)、额定电压(单位:伏特),以及最高工作温度(单
位:℃)。其中,耐压值一般在几伏特~几百伏特之间,容量一般在几微法~几千微法之
间,最高工作温度一般为85℃~105℃。指明电解电容的最高工作温度,就是针对其电解
液受热后易膨胀这一特点的。所以,电解电容出现外壳鼓起或爆裂,并非只有漏电才出
现,工作环境温度过高同样也会出现。