存储器光刻胶成分分析

‘壹’ 光刻胶的作用

光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。
光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显影后，曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶将会留在衬底表面，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，而后续的刻蚀、沉积等工艺，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，最后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。
2. 光刻胶应用范围
光刻胶广泛应用于集成电路(IC)，封装(Packaging)，微机电系统(MEMS)，光电子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics)，平板显示器(LED,LCD,OLED)，太阳能光伏(Solar PV)等领域。
3.光刻胶分类及类型
光刻胶按其形成图形的极性可以分为：正性光刻胶和负性光刻胶。
正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子；负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。 短链分子聚合物可以被显影液溶解掉，因此正胶的曝光部分被去掉，而负胶的曝光部分被保留。
①．紫外光刻胶（Photoresist）：
各种工艺：喷涂专用胶，化学放大胶，lift-off胶，图形反转胶，高分辨率胶，LIGA用胶等。
各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。
各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。
②. 电子束光刻胶（电子束抗蚀剂）（E-beam resist）
电子束正胶：PMMA胶，PMMA/MA聚合物， LIGA用胶等。
电子束负胶：高分辨率电子束负胶，化学放大胶（高灵敏度电子束胶）等。
③. 特殊工艺用光刻胶（Special manufacture/experimental sample）
电子束曝光导电胶，耐酸碱保护胶，全息光刻用胶，聚酰亚胺胶（耐高温保护胶）等特殊工艺用胶。
④．配套试剂（Process chemicals）
显影液、去胶液、稀释剂、增附剂（粘附剂）、定影液等。
4.光刻胶成分
光刻胶一般由4部分组成：树脂型聚合物（resin/polymer），溶剂（solvent），光活性物质（photoactive compound，PAC），添加剂（Additive）。 其中，树脂型聚合物是光刻胶的主体，它使光刻胶具有耐刻蚀性能；溶剂使光刻胶处于液体状态，便于涂覆；光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/X射线等感光，并发生相应的化学反应；添加剂是用以改变光刻胶的某些特性，如控制胶的光吸收率/溶解度等。
5.光刻胶的主要技术参数
5.1．灵敏度（Sensitivity）
灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。
5.2．分辨率（resolution）
区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。
光刻胶的分辨率是一个综合指标，影响该指标的因素通常有如下3个方面：
(1) 曝光系统的分辨率。
(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。
(3) 前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。
5.3．对比度（Contrast）
对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度越好，越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。
5.4．粘滞性/黏度 （Viscosity）
衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。
5.5．抗蚀性（Anti-etching）
光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。
5.6．工艺宽容度（Process latitude）
光刻胶的的前后烘温度、曝光工艺、显影液浓度、显影时间等都会对最后的光刻胶图形产生影响。每一套工艺都有相应的最佳的工艺条件，当实际工艺条件偏离最佳值时要求光刻胶的性能变化尽量小，即有较大的工艺宽容度。 这样的光刻胶对工艺条件的控制就有一定的宽容性。
6.特殊光刻胶介绍
6.1. 化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist）
化学放大胶中含有一种叫做"光酸酵母"（PAG, Photo Acid Generator）的物质。在光刻胶曝光过程中，PAG分解，首先产生少量的光酸。在曝光后与显影前经过适当温度的烘烤，即后烘（PEB, Post Exposure Baking）这些光酸分子又发连锁反应，产生更多的光酸分子。大量的光酸使光刻胶的曝光部分变成可溶（正胶）或不可溶（负胶）。 主要的化学反应是在后烘过程中发生的，只需要较低的曝光能量来产生初始的光酸，因此化学放大胶通常有很高的灵敏度。
6.2.灰度曝光（Grey Scale Lithography）
灰度曝光可以产生曲面的光刻胶剖面，是制作三维浮雕结构的光学曝光技术之一。灰度曝光的关键在于灰度掩膜板的制作、灰度光刻胶工艺与光刻胶浮雕图形向衬底材料的转移。传统掩膜板只有透光区和不透光区，而灰度掩膜板的透光率则是以灰度等级来表示的。实现灰度掩膜板的方法是改变掩膜的透光点密度。

‘贰’ 光刻胶是大规模集成电路印刷电路版技术中的关键材料，某一光刻胶的主要成分如图所示，下列有关说法正确的

‘叁’ 光刻胶是否与酸发生反应常见的光刻胶有哪些种类主要成分是什么

光刻胶是有机物，与强氧化性的酸会反应，如：浓HNO3，浓H2SO4。
光刻胶种类：正胶，负胶
成分有三种：溶剂，感光物，催化剂。

‘肆’ 苏州瑞红的RZJ-304(25mp.s)光刻胶是属于哪种类型的光刻胶 成分有什么

http://www.szruihong.com/Proct/Show.aspx?id=352
正性光刻胶

‘伍’ 光刻胶的成分对身体有哪些伤害

网上有人说：光刻胶的危害主要是溶剂，负胶的溶剂是二甲苯毒性很大，而且非水溶性，难
...
不过显影去胶用的是碱液，方便无毒。总之，身体使自己，要好好爱惜！
个人认为光刻胶一般不会有太多的伤害，因为你用的时候不是都戴着手套和口罩吗？皮肤不能接触，它们又具有很强的挥发性，没有什么可怕的！但是毕竟是有机物嘛，所以需要注意一下。但是你放心吧，没有伤害！！！如果有很大的伤害，网上的答案可是会很多很多的！呵呵
纯粹个人观点！因为我一直用

‘陆’ UV光刻胶中的正性和负性胶的区别

最主要的区别就是正胶经曝光显影后可溶与显影液; 负胶经曝光显影后不溶与显影液
同样一块mask， 正胶和负胶曝光显影后图形是相反的

‘柒’ 已知有机物A是光刻胶剥离液的主要成分之一，用于液晶显示器等，也可制高纯度医药制剂，F的最简式与D的分

A水解得到B和C，B能被氧化，则B是醇，C是酸，C能发生显色反应，又能和碳酸氢钠溶液反应，所以C中含有羧基、酚羟基两种官能团；
B能发生连续氧化反应，F为对应的酯，再结合A的分子式及F的最简式与D的分子式相同，所以F是甲酸甲酯，D是甲醛，B是甲醇；
根据原子守恒知，C的分子式为C7H6O5，除去羧基，分子中应该含有3个酚羟基，因为A的部分结构与C相似，A中相同的官能团处于邻位，不同的官能团处于对位，所以A的结构简式为：，因为丁基有4种结构，两个官能团连在同一苯环上有邻、间、对3种结构，所以符合条件的同分异构体有12种，
故答案为：12．

‘捌’ JNC/JSR/KOlon光刻胶的特点与区别OC胶中，JNC/JSR/KOlon光刻胶的特点与区别

摘要 光刻胶的主要成分有光刻胶树脂、感光剂、溶剂和添加剂。光刻胶树脂是一种惰性的聚合物基质，是用来将其它材料聚合在一起的粘合剂；光刻胶的粘附性、胶膜厚度等特性都是由树脂决定的。感光剂是光刻胶的核心部分，它对光形式的辐射能会发生反应，曝光时间、光源所发射光线的强度都和感光剂的特性直接相关。溶剂是光刻胶中容量最大的成分；因为感光剂和添加剂都是固态物质，为了将他们均匀地涂覆，要将它们加入溶剂进行溶解，形成液态物质，使之具有良好的流动性，可以通过旋转方式涂布在晶圆表面。添加剂可以用以改变光刻胶的某些特性，如可以通过添加染色剂来改善光刻胶，使其发生反射。