㈠ STM32单片机闪存存储器里存储的是哪些内容
先看rom也就是flash（0x0800 0000-0x0807 ffff）512k，这个空间就是用户存放程序的地方，用户以后自己写boot loader的时候，也是存放在这个空间里的，system memory这个空间是2k大小，是st公司在生产完片子的时候，就固化好的isp代码，用户之所以能用上位机软件烧程序就是靠这部分的代码，用户更改不了这个区域，想了解这个区域就看AN2606文档，option bytes这个区域是16个字节，是控制flash区域的寄存器，想了解这些寄存器看STM32F10xxx闪存编程参考手册，SRAM这个区域的其实地址始终是0x2000 0000，终止地址就得根据你的SRAM的大小来进行计算了，这个区域就是程序运行时的临时变量区，什么堆栈都在这里面
㈡ #define RCC ((RCC_TypeDef *) RCC_BASE) STM32部分程序求解
1.这个宏定义是把RCC宏定义到stm32RCC寄存器的分配的存储器单元的首地址上，其中RCC_TypeDef是stm32f10x_map.h中定义的结构体，用来表述RCC所有寄存器构成的。
2.这个是给RCC这个指针变量赋值的，从实际运行效果来讲没什么不同，这主要stm32固件库的一种编程风格。stm32f10x_lib.c包含了所有外设的声明头文件，里面有多个编译开关来选择相关外设。至于最后一小问，不好意思我用得是IAR编译环境，对mdk不熟悉。
另外，建议你好好研究一下，stm32的数据手册和固件库手册！如果英文不过关的话，可以分别下载中文手册学习。如果需要帮助可以访问我的空间，留言或是邮件联系我。
㈢ stm32f4 如何往外部存储sram写数据
STM32控制器芯片内部有一定大小的SRAM及FLASH作为内存和程序存储空间，但当程序较大，内存和程序空间不足时，就需要在STM32芯片的外部扩展存储器了。STM32F4系列芯片可以扩展外部SRAM用作内存。
__TM32芯片扩展内存与给PC扩展内存的原理是一样的，只是PC上一般以内存条的形式扩展，而且内存条实质是由多个内存颗粒(即SDRAM芯片)组成的通用标准模块，而STM32扩展时，直接与SRAM芯片连接。
_蔡婊娲⑵? SRAM的存储单元以锁存器来存储数据。这种电路结构不需要定时刷新充电，就能保持状态(当然，如果断电了，数据还是会丢失的)，所以这种存储器被称为“静态(Static)”RAM。
_栽谑导视τ贸‘现校_RAM 一般只用于 CPU 内部的高速缓存(Cache)，而外部扩展的内存一般使用 DRAM。
㈣ 最近学习STM32，发现一个奇怪的问题，32位的系统，存储器地址空间应该是2的32次方bit，怎么计算，都是4Gbit
你的算法没问题,你的理解有问题！32位的操作系统理论上最多支持4GBytes是没问题的。
1Bytes（字节）=8bits(字位)也是没问题的。你存在概念性错误，你的计算方案应该是以CUP的32位数来计算就只有2^32bits= 512MByte，然而2^32Byte=4GB。
首先你要区分32位操作系统和32位的处理器（cpu）的区别和联系。
（一）32位CPU每次可以处理32个字位，即32bits=4Bytes。每一个字节都有一个地址，其中包含了8个字位。32位CPU有32跟地址线，地址线决定了寻址范围的能力。每一根线都决定0和1两个地址，那么两根线就会决定00，01，10,11这四个地址，依次类推，32根线总共会决定出2^32次方个位置。这样计算是没有问题的。每一个位置都是1Byte,这是内存的基本单位，所以32位操作系统配32位CPU，理论上可以寻找4GB的地址。由于硬件等原因，系统显示会不到4G。
（二）32位操作系统与64位CPU的搭配。64位CPU有64根地址总线，理论支持2^32/1024^3 G的内存，这是一个很大的数字，但是实际上我们市场的电脑目前远远达不到这个理论内存的万分之一。目前64位也就是能支持120G的内存。但是如果64位CPU和32位操作系统搭配，也仅仅会支持4G的内存。因为在32位系统下，仅有32根地址线工作。
（三）寻址范围是由地址线个数确定的，而不是CPU位数确定的。CPU的地址总线根数决定了能找到多少个字节(Byte)，数据总线的宽度决定了能够一次传送多少个二进制位(bit) 。希望你能明白其中的关系，不要把地址线直接和字位（bit)联系在一起。
㈤ stm32 pvd 掉电储存 怎么有时候行有时不行
要有足够的电容。。然后在稳压前级就有个直接检测电源掉电的，一般是用个大电阻降压后直接接个光耦，然后光耦输出，接到STM32同时设置为外部中断，当收到此中断后，STM32就知道外部已经断电，立刻开启写FLASH或外存储器。最好有个效验，以便每次上电，检测上次是否写入正确。如果正确继续，不正确说明上次可能没写完，你在增大电容或是其他方式争取让他写入完成。