Ⅰ 三菱FX5U的CPU存储器初始化怎么操作
咨询记录 · 回答于2021-10-21
Ⅱ xilinx ram coe初始化读取
coe文件是你定制RAM的时候初始化文件，FPGA上电就加载在RAM 里面了，如果想要读数据，你只需要给地址和读信号就可以了。
不过，RAM是随机存取存储器，可以修改存储中的数据，所以它可以读，也可以写。
那个idata是写有效的时候，送入ram的信号。读操作时不用考虑。
如果你不想修改储存数据（只读不写），可以使用ROM的IP核。
Ⅲ 什么是存储器的读操作什么是存储器的写操作
是把值存在寄存器里吧，然后可以从寄存器里读，类似于使用变量
Ⅳ 只读存储器怎么可以写入文件
ROM不能写入文件。
Ⅳ 求nios II ide 的使用方法 我在网上找不到啊
Nios Development Board Reference Manual, Stratix II Edition
在使用Nios II SDK Shell试运行./restore_my_flash时，发现restore_my_flash会区分目录名的大小写，因此使用Nios II SDKShell时最好注意大小写一致。
restore_my_flash.pl为perl脚本，可以直接修改后直接执行。
restore_my_flash不能正常取得命令行参数，但这不影响恢复出厂设置的操作，因为restore_my_flash可以不依靠命令行参数来 执行。
最好不要移动NiosII的安装目录，例如restore_my_flash就会从目录名中提取内容生成需要的文件名。
恢复出厂设置需 要.sof和.flash两个文件，估计.sof用于生成最小的nios系统，以便将.flash文件下载到Flash中。 (restore_my_flash提示使用J24 JTAG连接器，该连接器是用于配置StratixII器件的。)
Creating Multiprocessor NiosII Systems Tutorial
在standard设计的基础上修改了Nios II系统，又添加了两个Nios II处理器及各自的定时器、共享互斥锁、消息缓冲区。编译、运行和调试了hello_world_multi程序。
给我的感觉是：
SOPC Builder中设置的NiosII的Reset和Exception地址很重要；
QuartusII生成的编程文件中包含有NiosII处理器的 复位地址；
NiosII IDE的编译会生成绝对地址的代码和数据；
NiosII IDE通过NiosII处理器中的jtag_debug_mole重定向程序的执行地址；
上电或复位后，NiosII处理器从复位地址(通常指 向Flash)处执行Boot Loader，将程序拷贝到Ram中并在Ram中执行；
Exception地址确定了程序拷贝到Ram中的位置，Exception地址的低位总是 0x20，NiosII处理器跳转到Ram执行时先执行低位地址为0x00的指令(用于初始化指令cache)，之后执行低位地址为0x20处的系统启动代码。
Nios II多处理器设计的注意点：
不支持SMP(对称多处理)，只支持不对称的(每个处理器执行不同的程序)；
处理器之间可以不共享资源；
同一程序存储器中的各处理器的代码空间不能重合(通过Reset和Exception地址实现)；
共享数据存储器最好用硬件共享互斥锁 结合软件操作的方式来实现，不支持纯硬件的共享方式(如果软件不使用硬件互斥锁，仍然会有访问冲突)，纯软件的共享方式有使用限制并且较复杂；
软件 共享互斥锁只适用于同一处理器的不同进程之间共享资源；
Nios II HAL library不支持共享外设(涉及中断处理、外设输入数据的处理等)，Altera建议由固定的处理器管理相应的外设，其他处理器要使用该外设可以通过 消息缓冲区的方式；
不同于单处理器设计，多处理器设计一定要明确规定每个组件的总线连接点；
只要由不同的处理器访问，两个组件可以有相同的地址；
由设计人员保证各处理器使用的代码空间是足够的、不发生覆盖的；
多处理器的软件的运行、调试可以一起或分别启动、终止，NiosII 5.0暂不支持一起暂停、再继续，“一起”不是“同时”。
Nios II Flash Programmer User Guide
关键点在于：
Quartus II的Programmer只支持FPGA和配置器件；
Flash Programmer只支持CFI接口的Flash或EPCS配置器件，但可烧入配置文件、软件代码和任意数据；
使用Flash Programmer需要生成Target Board及生成Flash Programmer可编程逻辑设计，并在实际项目SOPC Builder流程中指定该Target Board；
Boot-Copier Program是Nios II IDE自带的，当软件代码位于Flash或EPCS中时由Flash Programmer自行使用，不同的是对Flash而言Boot-Copier Program放在Flash中，对EPCS而言Boot-Copier Program放在EPCS serial flash controller包含的on-chip ROM中；
上电或复位时，Nios II从Boot-Copier Program开始执行(不论是Flash或EPCS)，这要求SOPC Builder流程中指定复位地址为Flash或EPCS serial flash controller。
Simulating Nios II Embedded Processor Designs
仿真NiosII设计包括三种方式：“NiosII IDE Debugger + Signal Tap II + 物理板”的软硬件联调方式；“NiosII IDE Debugger +指令集仿真器ISS”的软件调试方式(ISS可对部分组件建模)；使用ModelSim-Altera进行的RTL级的功能仿真方式(可以调试处理器及其 外设之间的交互情况)。本文针对RTL级仿真方式。
存储器的初始化：含有软件代码的存储器都应被初始化，不论是片上还是片外存储器；软件代码相关的存储器初始化文件由NiosII IDE编译软件时生成。
JTAG UART和PIO在SOPC Builder中都可设置仿真选项，ModelSim-Altera还可根据仿真选项调出UART交互终端窗口。
需要在SOPC Builder中设置ModelSim的路径和使能Simulation，之后SOPC Builder会生成仿真用的ModelSim项目文件、ModelSim宏命令、UART等组件的初始化文件。
需要在Nios II IDE中为System Library属性打开“ModelSim only,no hardware support”开关，这样在编译软件时才会生成代码相关的存储器初始化文件，但生成的代码不含启动代码(指令和数据Cache没有初始化、BSS段也不清除)，以便加速仿真。因此，如果要下载代码到硬件板，必须关掉“ModelSim only,no hardware support”开关并且重编译，以便生成完整的代码。
在Nios II IDE中以NiosII ModelSim方式运行(需设置ModelSim的路径)，将使ModelSim编译setup_sim.do并接管后续的仿真运行工作。
较重要的ModelSim宏(SOPC Builder生成)：s、w、jtag_uart_drive。
一定要从Nios II IDE运行ModelSim，jtag_uart_drive宏才能正常运行。其他仿真步骤都可单独使用ModelSim打开该项目，在执行完setup_sim.do后运行。
应该可以在SOPC Builder生成TestBench文件后修改该文件，以便进行Nios II和片上其他逻辑的联合仿真。(因为是SOPC Builder生成的TestBench文件，并没有在Quartus II中生成，所以不一定是完整的片上设计的TestBench文件。)
Avalon总线
NIOS和NIOS II都使用了Avalon总线，这是一种交换式架构的片内总线；
该总线形式和PCI、ISA等板间互连总线的最大区别在于：主从设备之间有紧密耦合关系。Avalon总线架构中，由硬件设计人员通过SOPC Builder规定互连的主从设备(包括数据、控制信号、片选、地址的互连)，不连接的设备之间是互相看不到的。
每个Avalon主设备端有多路复用器，用来从多个从设备的数据总线中选择当前要访问的数据——这也是“交换”的含义所在。可见多路复用器的接口引 线相当多，这只能在连线资源丰富的FPGA内实现。所以说，Avalon总线架构是适用FPGA设计的。片外的交换式总线也有，但都是串行接口的，主要是 为了降低PCB布线难度，如：PCI Express、以太网等。由于，Avalon总线架构中所有设备没有实现全互连，也就不存在“全交换”。但即使这样，不同的主设备访问不同的从设备也是 可以同时的、并发的。
每个Avalon从设备都有仲裁器，仲裁各主设备的访问，确保访问周期的完整性和正确性。我们可以认为访问周期是“原子”的，即不被其他主设备破坏的。
软件对共享资源的访问，通常要求一个序列的多个访问不能被其他CPU打断，这不是“原子”级的访问周期设计能保证的，这也是SOPC Builder中提供了硬件共享互斥锁的由来。
各CPU上运行的软件都可对某个硬件共享互斥锁进行SET和TEST操作，以争取对资源的占用能力。由于对硬件共享互斥锁的访问周期是“原子”，所以硬件共享互斥锁能保证多CPU设计中软件级别的共享资源互斥访问。
NIOS II设计的灵活性是我感兴趣的主要原因。只要有足够的逻辑资源余量，NIOS II的设计是可以不断更新的，设计人员不用为自己的设计能力、CPU版本的升级担心，这放开了我们的“思维”约束。
Ⅵ 存储器对文件是怎样存储的机制是什麽
存储器分为内存储器（简称内存或主存）、外存储器（简称外存或辅存）。外存储器一般也可作为输入/输出设备。计算机把要执行的程序和数据存入内存中，内存一般由半导体器构成。半导体存储器可分为三大类：随机存储器、只读存储器、特殊存储器。
RAM
RAM是随机存取存储器（Random Access Memory），其特点是可以读写，存取任一单元所需的时间相同，通电是存储器内的内容可以保持，断电后，存储的内容立即消失。RAM可分为动态（Dynamic RAM）和静态（Static RAM）两大类。所谓动态随机存储器DRAM是用MOS电路和电容来作存储元件的。由于电容会放电，所以需要定时充电以维持存储内容的正确，例如互隔2ms刷新一次，因此称这为动态存储器。所谓静态随机存储器SRAM是用双极型电路或MOS电路的触发器来作存储元件的，它没有电容放电造成的刷新问题。只要有电源正常供电，触发器就能稳定地存储数据。DRAM的特点是集成密度高，主要用于大容量存储器。SRAM的特点是存取速度快，主要用于调整缓冲存储器。
ROM
ROM是只读存储器（Read Only Memory），它只能读出原有的内容，不能由用户再写入新内容。原来存储的内容是由厂家一次性写放的，并永久保存下来。ROM可分为可编程（Programmable）ROM、可擦除可编程（Erasable Programmable）ROM、电擦除可编程（Electrically Erasable Programmable）ROM。如，EPROM存储的内容可以通过紫外光照射来擦除，这使它的内可以反复更改。
特殊固态存储器
包括电荷耦合存储器、磁泡存储器、电子束存储器等，它们多用于特殊领域内的信息存储。
此外，描述内、外存储容量的常用单位有：
①位/比特（bit）：这是内存中最小的单位，二进制数序列中的一个0或一个1就是一比比特，在电脑中，一个比特对应着一个晶体管。
②字节（B、Byte）：是计算机中最常用、最基本的存在单位。一个字节等于8个比特，即1 Byte＝8bit。
③千字节（KB、Kilo Byte）：电脑的内存容量都很大，一般都是以千字节作单位来表示。1KB＝1024Byte。
④兆字节（MB Mega Byte）：90年代流行微机的硬盘和内存等一般都是以兆字节（MB）为单位。1 MB＝1024KB。
⑤吉字节（GB、Giga Byte）：目前市场流行的微机的硬盘已经达到4.3GB、6.4GB、8.1GB、12G、13GB等规格。1GB＝1024MB。
⑥太字节（TB、Tera byte）：1TB＝1024GB。
（三）输入/输出设备
输入设备是用来接受用户输入的原始数据和程序，并将它们变为计算机能识别的二进制存入到内存中。常用的输入设备有键盘、鼠标、扫描仪、光笔等。
输出设备用于将存入在内存中的由计算机处理的结果转变为人们能接受的形式输出。常用的输出设备有显示器、打印机、绘图仪等。
（四）总线
总线是一组为系统部件之间数据传送的公用信号线。具有汇集与分配数据信号、选择发送信号的部件与接收信号的部件、总线控制权的建立与转移等功能。典型的微机计算机系统的结构如图2-3所示，通常多采用单总线结构，一般按信号类型将总线分为三组，其中AB（Address Bus）为地址总线；DB(Data Bus)为数据总线；CB（Control Bus）控制总线。
（五）微型计算机主要技术指标
①CPU类型：是指微机系统所采用的CPU芯片型号，它决定了微机系统的档次。
②字长：是指CPU一次最多可同时传送和处理的二进制位数，安长直接影响到计算机的功能、用途和应用范围。如Pentium是64位字长的微处理器，即数据位数是64位，而它的寻址位数是32位。
③时钟频率和机器周期：时钟频率又称主频，它是指CPU内部晶振的频率，常用单位为兆（MHz），它反映了CPU的基本工作节拍。一个机器周期由若干个时钟周期组成，在机器语言中，使用执行一条指令所需要的机器周期数来说明指令执行的速度。一般使用CPU类型和时钟频率来说明计算机的档次。如Pentium III 500等。
④运算速度：是指计算机每秒能执行的指令数。单位有MIPS（每秒百万条指令）、MFLOPS（秒百万条浮点指令）
⑤存取速度：是指存储器完成一次读取或写存操作所需的时间，称为存储器的存取时间或访问时间。而边连续两次或写所需要的最短时间，称为存储周期。对于半导体存储器来说，存取周期大约为几十到几百毫秒之间。它的快慢会影响到计算机的速度。
⑥内、外存储器容量：是指内存存储容量，即内容储存器能够存储信息的字节数。外储器是可将程序和数据永久保存的存储介质，可以说其容量是无限的。如硬盘、软盘已是微机系统中不可缺少的外部设备。迄今为止，所有的计算机系统都是基于冯·诺依曼存储程序的原理。内、外存容量越大，所能运行的软件功能就越丰富。CPU的高速度和外存储器的低速度是微机系统工作过程中的主要瓶颈现象，不过由于硬盘的存取速度不断提高，目前这种现象已有所改善。
Ⅶ 求verilog语言分别编写一个8位的ram和rom存储器
ROM = read only memory
RAM = Random Access Memory
这两个都是做存储用的。
FPGA上面应该都有分布式RAM和块RAM，直接声明就可以用了。
楼主是意思是写一个接口？还是就用verilog去描述一个RAM和ROM？
我明白你的意思了。你要写一个基于FPGA的存储器，对于RAM，在开发板上应该是有的，这个是现成的东西，你所要做的是，设计一定的接口电路，使其能和外部进行数据的接受和发送。如果非要说，用verilog描述ram，这个东西就是一堆寄存器组。所以你要根据ram和rom的时序要求、带宽要求来写一个interface，使得能够和外部交互。谢谢
Ⅷ quartus如何写一个256位的存储器
首先你得有一个mif文件 （HEX也可以）在创建IP的时候在倒数第二个选项有个输入你把MIF加载进去就行了。 如果是自己些Mif的话，你在quartus中点新建文件，选择其他的有mif文件创建是一个EXERL形式的电子表格，输入数据，或者导入EXERL也可以。
Ⅸ 存储器怎样储存信息
手机存储卡的原理和闪存原理相同.
而闪存的原理和EEPROM的原理类似.
而EEPROM的原理和EPROM类似,所以,下面从EPROM讲起,你才能看懂.
EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路（存储细胞），常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（譬如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0。若浮空栅极不带电，则不形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。
EEPROM基本存储单元电路的工作原理与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压，强使第一级浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。
闪存的基本单元电路与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。 到后来，随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管（1T）的设计，主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅，
在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电子为1。
闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。
写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。
读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。