㈠ DDR和SDR哪个好点为什么
ddr是double
data
rate的缩写（双倍数据速率），ddr
sdram内存技术是从几年前主流的pc66，pc100，pc133
sdram技术发展而来。它在工作的时候通过时钟频率的上行和下行都可以传输数据（sdram只能通过下行传输），因此在频率相等的情况下拥有双倍于sdram的带宽。另外ddr内存的dimm是184pins，而sdram则是168pins。因此，ddr内存不向后兼容sdram。
传统的sdr
sdram只能在信号的上升沿进行数据传输，而ddr
sdram却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输，所以ddr内存在每个时钟周期都可以完成两倍于sdram的数据传输量，这也是ddr的意义——double
data
rate，双倍数据速率。举例来说，ddr266标准的ddr
sdram能提供2.1gb/s的内存带宽，而传统的pc133
sdram却只能提供1.06gb/s的内存带宽。
一般的内存条会注明cl值，此数值越低表明内存的数据读取周期越短，性能也就越好，ddr
sdram的cl常见值一般为2和2.5两种。
ddr
ddr是双倍数据速率(double
data
rate)。ddr与普通同步动态随机存储器（dram）非常相象。普通同步dram（现在被称为sdr）与标准dram有所不同。
标准的dram接收的地址命令由二个地址字组成。为接省输入管脚，采用了多路传输的方案。第一地址字由原始地址选通（ras）锁存在dram芯片。紧随ras命令之后，列地址选通（cas）锁存第二地址字。经过ras和cas，存储的数据可以被读取。
同步动态随机存储器（sdr
dram)由一个标准dram和时钟组成，ras、cas、数据有效均在时钟脉冲的上升边沿被启动。根据时钟指示，可以预测数据和剩余指令的位置。因而，数据锁存选通可以精确定位。由于数据有效窗口的可预计性，所以可将存储器划分成4个区进行内部单元的预充电和预获取。通过脉冲串模式，可进行连续地址获取而不必重复ras选通。连续cas选通可对来自相同源的数据进行再现。
ddr存储器与sdr存储器工作原理基本相同，只不过ddr在时钟脉冲的上升和下降沿均读取数据。新一代ddr存储器的工作频率和数据速率分别为200mhz和266mhz，与此对应的时钟频率为100mhz和133mhz。
sdr
dram是动态存储器(dynamic
ram)的缩写sdram是英文synchronousdram的缩写，译成中文就是同步动态存储器的意思。从技术角度上讲，同步动态存储器(sdram)是在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑(一个状态机)，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用sdram不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在功能上，它类似常规的dram，且也需时钟进行刷新。可以说，sdram是一种改善了结构的增强型dram。目前的sdram有10ns和8ns。
㈡ 随机存取存储器有哪些
11其存取存储器有哪些随机存储存取他的比较多的，现在这方面的储存都是很方便的，大家也是非常高兴
㈢ STT-和DRAM固态硬盘哪个好
Enrance：代表器件最大的擦写次数；
STTRAM：自旋扭矩转换随机存储器，物理机制是磁致阻变效应；
SRAM：静态随机存储器，主要用来制造CPU与主板之间的缓存。
优点是速度快（可以看到这种存储器的读写速度是最快的）；
缺点是集成密度低，掉电不能保存数据。
DRAM：动态随机存储器，用途主要在内存上。忆阻器的大部分参数可以和DRAM相比，也可以用来制造内存。
Flash(NAND):闪存。用途：固态硬盘，便携式存储器。
HDD：硬盘。
优点是价格低廉（这种存储器的单位容量所需要的价格是最低的，
缺点也是显而易见的，读写速度比其他存储器低很多数量级。
㈣ SRAM,与DRAM有什么区别哪个好
SRAM是静态随机存储器，DRAM是动态随机存储器。SRAM的速度更快，但比较贵。DRAM便宜一点，但速度就慢一点了。
㈤ 内存条ddr3和ddr4哪个好 有什么区别
ddr是双倍数据速率(double
data
rate)。ddr与普通同步动态随机存储器（dram）非常相象。普通同步dram（现在被称为sdr）与标准dram有所不同。
标准的dram接收的地址命令由二个地址字组成。为接省输入管脚，采用了多路传输的方案。第一地址字由原始地址选通（ras）锁存在dram芯片。紧随ras命令之后，列地址选通（cas）锁存第二地址字。经过ras和cas，存储的数据可以被读取。
同步动态随机存储器（sdr
dram)由一个标准dram和时钟组成，ras、cas、数据有效均在时钟脉冲的上升边沿被启动。根据时钟指示，可以预测数据和剩余指令的位置。因而，数据锁存选通可以精确定位。由于数据有效窗口的可预计性，所以可将存储器划分成4个区进行内部单元的预充电和预获取。通过脉冲串模式，可进行连续地址获取而不必重复ras选通。连续cas选通可对来自相同源的数据进行再现。
ddrⅱ内存中，依然是在时钟上沿和下沿触发传输的。而非一些媒体所说的上下沿各两次传输数据。而ddrⅱ内存和ddr内存的最大差异之处在于ddrⅱ内存内部为4bit预取。所谓的4bit预取事实上是指内存芯片能够在1个周期内提供4倍的传输速度。而之前的ddr内存采用的则是2bit预取。
因为4bit预取的应用，使得ddrⅱ内存的内部工作频率只有i/o触发频率的一半，这样一来ddrⅱ533mhz的内部工作频率变成了266mhz，所以ddrⅱ内存能够轻易地实现等效于667mhz甚至800mhz的传输率。
ddr3内存已经有了，速度两倍于ddrⅱ，目前主要用于对速度要求较高的显卡上，用来作显存。
㈥ 随机存取存储器(RAM)：、只读存储器(ROM)、 高速缓冲存储器(Cache)的区别
●只读存储器（ROM）
ROM表示只读存储器（Read Only Memory），在制造ROM的时候，信息（数据或程序）就被存入并永久保存。这些信息只能读出，一般不能写入，即使机器掉电，这些数据也不会丢失。ROM一般用于存放计算机的基本程序和数据，如BIOS ROM。其物理外形一般是双列直插式（DIP）的集成块。
●随机存储器（RAM）
随机存储器（Random Access Memory）表示既可以从中读取数据，也可以写入数据。当机器电源关闭时，存于其中的数据就会丢失。我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存，内存条（SIMM）就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板，它插在计算机中的内存插槽上，以减少RAM集成块占用的空间。目前市场上常见的内存条有4M／条、8M／条、16M／条等。
●高速缓冲存储器（Cache）
Cache也是我们经常遇到的概念，它位于CPU与内存之间，是一个读写速度比内存更快的存储器。当CPU向内存中写入或读出数据时，这个数据也被存储进高速缓冲存储器中。当CPU再次需要这些数据时，CPU就从高速缓冲存储器读取数据，而不是访问较慢的内存，当然，如需要的数据在Cache中没有，CPU会再去读取内存中的数据。
㈦ 电脑的ram（随机存储器）是多些好还是少些。多有什么好处
多一些好 但是 平常人用4-8G 足够了 系统支持也是有限制的
内存RAM
打个比方
数据大多都在硬盘里边 要用的时候 放到内存里 然后让CPU运算
就像你要做个研究 大量的书（数据） 都在 图书馆里（硬盘） 你要用来写东西
你只能零时取几本书放到桌上（内存） 然后通过思考（CPU） 做研究
你零时那很多书方便做研究 但是太多了也用不着是吧 你也看不过来
㈧ 静态的随机存储器和动态的随机存储器的根本区别是什么它们各有何优缺点各适用于什么场合
楼主给你个专业的回答参考下吧
SRAM静态的随机存储器： 特点是工作速度快，只要电源不撤除，写入SRAM的信息就不会消失，不需要刷新电路，同时在读出时不破坏原来存放的信息，一经写入可多次读出，但集成度较低，功耗较大。SRAM一般用来作为计算机中的高速缓冲存储器(Cache)。
DRAM是动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory)： 它是利用场效应管的栅极对其衬底间的分布电容来保存信息，以存储电荷的多少，即电容端电压的高低来表示“1”和“0”。DRAM每个存储单元所需的场效应管较少，常见的有4管，3管和单管型DRAM。因此它的集成度较高，功耗也较低，但缺点是保存在DRAM中的信息__场效应管栅极分布电容里的信息随着电容器的漏电而会逐渐消失，一般信息保存时间为2ms左右。为了保存DRAM中的信息，必须每隔1～2ms对其刷新一次。因此，采用 DRAM的计算机必须配置动态刷新电路，防止信息丢失。DRAM一般用作计算机中的主存储器。
㈨ SDRAM和DDR SDRAM有什么区别,哪个性能更好
同步动态随机存储器（Synchronous DRAM，SDRAM）：是目前主推的PC 100和PC 133规范所广泛使用的内存类型，它的带宽为64位，3.3V电压，目前产品的最高速度可达5ns。它与CPU使用相同的时钟频率进行数据交换，它的工作频率是与CPU的外频同步的，不存在延迟或等待时间。
双倍速率SDRAM（Dual Date Rate SDRSM，DDR SDRAM）：又简称DDR，由于它在时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输，所以即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到2.128GB/s。DDR不支持3.3V电压的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2标准。它仍然可以沿用现有SDRAM的生产体系，制造成本比SDRAM略高一些，但仍要远小于Rambus的价格，因为制造普通SDRAM的设备只需稍作改进就能进行DDR内存的生产，而且它也不存在专利等方面的问题，所以它代表着未来能与Rambus相抗衡的内存发展的一个方向。
接口动态随机存储器（Direct Rambus DRAM, DRDRAM）：是Intel所推崇的未来内存的发展方向，它将RISC（精简指令集）引入其中，依靠高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量。它具有相对SDRAM较高的工作频率（不低于300MHz），但其数据通道接口带宽较低，只有16位，当工作时钟为300MHz时，Rambus利用时钟的上沿和下沿分别传输数据，因此它的数据传输率能达到300×16×2/8=1.2GB/s，若是两个通道，就是2.4GB/s。它与传统DRAM的区别在于引脚定义会随命令变化，同一组引脚线既可以被定义成地址线也可以被定义成控制线。其引脚数仅为普通DRAM的三分之一。
虚拟通道存储器（Virtual Channel Memory, VCM），是目前大多数最新的主板芯片组都支持的一种内存标准，VCM是由NEC公司开发的一种的“缓冲式DRAM”，该技术将在大容量SDRAM中采用。它集成了所谓的“通道缓冲”，由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输的同时，VCM还维持着与传统SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。VCM与SDRAM的差别在于不管数据是否经过CPU处理都可以先行交于VCM进行处理，而普通的SDRAM就只能处理经CPU处理以后的数据，这就是为什么VCM要比SDRAM处理数据的速度快20%以上的原因。