❶ 智能电表怎么把数据存储到eeprom
电表作为一个计量用电量的仪器，电表的精度不但与检测芯片的精度有关，更重要与其存储方式有很大的关系，如果检测到的电量数据不能写入存储器或者写入存储器过程出错，电表的精度就大大降低。
以前电表数据的存储方式有2种选择：1）用存储EEPROM数据；2）用NVRAM存储数据。
现在有了第三种选择：用铁电存储器（FRAM）存储数据
❷ 单片机扩展外部存储器，怎么将程序写入，是通过写入软件设置的吗
外部程序存储器的编程一般都需要专用的编程器，数据存储器不需要编程，或者你用单片机写一个程序对外部程序存储器编程也是可以的，数据从串口发出，单片机接收，校验，对存储器编程。
现在单片机一般都很少外扩程序存储器了，你用的是51吧？STC的51单片机FLASH都能达到60K了，程序跟AT89C51完全兼容，别的公司的51有的都有超过64K的程序存储器了！
建议你不要扩展存储器，换个大点的单片机就行了，当然，你要是学习外部存储器的扩展那就另说了，呵呵。
❸ 51单片机外部存储器怎么存程序
外部存储器一般有EPROM，ROM或者EEPROM、FLASH等。前者，一般需要用到编程器将程序烧录进去。后者，一般是具有IAP功能的单片机或者第三方单片机通过I2C（如24CXX系列）或并行接口写入存储器。
❹ 简述存储器读出操作和写入操作的工作过程（用来提交作业的，想要简洁点），谢谢了！
进行写操作时，假定CPU要把数据寄存器（DR）中的内容00100110，即26H写入寄存器08H单元，即：
①CPU的地址寄存器(AR) 先把地址08H放到数据总线上, 经译码器选中08H 单元；
②CPU把数据寄存器中的内容26H放到数据总线上；
③CPU向寄存器发送写控制信号，在该信号的控制下，将内容08H写入被寻址的08H单元。
读操作完成后，04H单元中的内容97H仍保持不变这种特点称为非破坏性读出。因此他允许多次独处同一内容。写入操作将破坏该单元中原来存放的内容，即由新内容26H代替了原内容，原内容被清除。
❺ 单片机里面CPU读写存储器的步骤过程
1)存储器的读操作。例如，若要将存储器40H中的内容50H读出，其过程如下：
①CPU将地址码40H送到地址总线上，经存储器地址译码器选通地址为40H的存储单元：
②CPU发出“渎”信号，存储器读/写控制开关将数据传输方向拨向“读”；
③存储器将地址为40H的存储单元中的内容50H送到数据总线上；
④CPU将数据总线上的数据50H读人指定的某一寄存器。
对存储单元的读操作，不会破坏其原来的内容。相当于复制。
2)存储器的写操作。例如，若要将数据ABH写入存储器地址为CDH的存储单元中，其过程如下： 内容来自单片机之家www.dpj100.com
①CPU将地址码CDH送到地址总线上，经存储器地址译码器选通地址为CDH的存储单元；
②CPU将数据ABH送到数据总线上；
③CPU发出“写”信号，存储器读／写控制开关将数据传送方向拨向“写”；
④存储器将数据总线上的数据ABH送人已被选中的地址为CDH的存储单元中。
❻ 存储器的读写过程是什么样的
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5.1 存储器系统基本知识
作者： 时间： 2008-04-10 来源：
5.1.1存储器的分类
按照存储介质不同，可以将存储器分为半导体存储器、磁存储器、激光存储器。
这里我们只讨论构成内存的半导体存储器。
按照存储器的存取功能不同，半导体存储器可分为只读存储器（Read Only Memory简称ROM）和随机存储器（Random Access Memory简称RAM）
1.只读存储器（ROM）
ROM的特点是把信息写入存储器以后，能长期保存，不会因电源断电而丢失信息。计算机在运行过程中，只能读出只读存储器中的信息，不能再写入信息。一般地，只读存储器用来存放固定的程序和数据，如微机的监控程序、汇编程序、用户程序、数据表格等。根据编程方式的不同，ROM共分为以下5种：
(1)掩模工艺ROM
这种ROM是芯片制造厂根据ROM要存贮的信息，设计固定的半导体掩模版进行生产的。一旦制出成品之后，其存贮的信息即可读出使用，但不能改变。这种ROM常用于批量生产，生产成本比较低。微型机中一些固定不变的程序或数据常采用这种ROM存贮。
(2)可一次性编程ROM（PROM）
为了使用户能够根据自己的需要来写ROM，厂家生产了一种PROM。允许用户对其进行一次编程──写入数据或程序。一旦编程之后，信息就永久性地固定下来。用户可以读出和使用，但再也无法改变其内容。
(3)紫外线擦除可改写ROM（EPROM）
可改写ROM芯片的内容也由用户写入，但允许反复擦除重新写入。EPROM是用电信号编程而用紫外线擦除的只读存储器芯片。在芯片外壳上方的中央有一个圆形窗口，通过这个窗口照射紫外线就可以擦除原有的信息。由于阳光中有紫外线的成分，所以程序写好后要用不透明的标签封窗口，以避免因阳光照射而破坏程序。EPROM的典型芯片是Intel公司的27系列产品，按存储容量不同有多种型号，例如2716（2KB′8）、2732（4KB′8）、2764（8KB′8）、27128（16KB′8）、27256（32KB′8）等，型号名称后的数字表示其存储容量。
(4)电擦除可改写ROM（EEPROM或E2PROM）
这是一种用电信号编程也用电信号擦除的ROM芯片，它可以通过读写操作进行逐个存储单元读出和写入，且读写操作与RAM存储器几乎没有什么差别，所不同的只是写入速度慢一些。但断电后却能保存信息。典型E2PROM芯片有28C16、28C17、2817A等。
(5)快擦写ROM（flash ROM）
E2PROM虽然具有既可读又可写的特点，但写入的速度较慢，使用起来不太方便。而flash ROM是在EPROM和E2PROM的基础上发展起来的一种只读存储器，读写速度都很快，存取时间可达70ns，存储容量可达16MB~128MB。这种芯片可改写次数可从1万次到100万次。典型flash ROM芯片有28F256、28F516、AT89等。
2.随机存储器RAM（也叫读写存储器）
读写存储器RAM按其制造工艺又可以分为双极型RAM和金属氧化物RAM。
(1) 双极型RAM
双极型RAM的主要特点是存取时间短，通常为几到几十纳秒（ns）。与下面提到的MOS型RAM相比，其集成度低、功耗大，而且价格也较高。因此，双极型RAM主要用于要求存取时间短的微型计算机中。
(2) 金属氧化物（MOS）RAM
用MOS器件构成的RAM又分为静态读写存储器（SRAM）和动态读写存储器（DRAM）。
j静态RAM（SRAM）
静态RAM的基本存储单元是MOS双稳态触发器。一个触发器可以存储一个二进制信息。静态RAM的主要特点是，其存取时间为几十到几百纳秒（ns），集成度比较高。目前经常使用的静态存储器每片的容量为几KB到几十KB。SRAM的功耗比双极型RAM低，价格也比较便宜。
k动态RAM（DRAM）
动态RAM的存取速度与SRAM的存取速度差不多。其最大的特点是集成度特别高。其功耗比SRAM低，价格也比SRAM便宜。DRAM在使用中需特别注意的是，它是靠芯片内部的电容来存贮信息的。由于存贮在电容上的信息总是要泄漏的，所以，每隔2ms到4ms，DRAM要求对其存贮的信息刷新一次。
l集成RAM（i RAM）
集成RAM――Integrated RAM，缩写为i RAM，这是一种带刷新逻辑电路的DRAM。由于它自带刷新逻辑，因而简化与微处理器的连接电路，使用它和使用SRAM一样方便。
m非易失性RAM（NVRAM）
非易失性RAM――Non-Volatile RAM，缩写为NVRAM，其存储体由SRAM和EEPROM两部分组合而成。正常读写时，SRAM工作；当要保存信息时（如电源掉电），控制电路将SRAM的内容复制到EEPROM中保存。存入EEPROM中的信息又能够恢复到SRAM中。
NVRAM既能随机存取，又具有非易失性，适合用于需要掉电保护的场合。
5.1.2存储器的主要性能指标
1.存贮容量
不同的存储器芯片，其容量不一样。通常用某一芯片有多少个存贮单元，每个存贮单元存贮若干位来表示。例如，静态RAM6264的容量为8KB′8bit，即它有8K个单元（1K＝1024），每个单元存贮8位（一个字节）数据。
2.存取时间
存取时间即存取芯片中某一个单元的数据所需要的时间。在计算机工作时，CPU在读写RAM时，它所提供的读写时间必须比RAM芯片所需要的存取时间长。如果不能满足这一点，微型机则无法正常工作。
3.可靠性
微型计算机要正确地运行，必然要求存储器系统具有很高的可靠性。内存的任何错误就足以使计算机无法工作。而存储器的可靠性直接与构成它的芯片有关。目前所用的半导体存储器芯片的平均故障间隔时间（MTBF）大概是（5′106∽1′108）小时左右。
4.功耗
使用功耗低的存储器芯片构成存储器系统，不仅可以减少对电源容量的要求，而且还可以提高存贮系统的可靠性。
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❼ 有关存储器的问题~
存储器分为内存储器(简称内存或主存)、外存储器(简称外存或辅存)。外存储器一般也可作为输入/输出设备。计算机把要执行的程序和数据存入内存中，内存一般由半导体器构成。半导体存储器可分为三大类:随机存储器、只读存储器、特殊存储器。
RAM
RAM是随机存取存储器(Random
Access
Memory)，其特点是可以读写，存取任一单元所需的时间相同，通电是存储器内的内容可以保持，断电后，存储的内容立即消失。RAM可分为动态(Dynamic
RAM)和静态(Static
RAM)两大类。所谓动态随机存储器DRAM是用MOS电路和电容来作存储元件的。由于电容会放电，所以需要定时充电以维持存储内容的正确，例如互隔2ms刷新一次，因此称这为动态存储器。所谓静态随机存储器SRAM是用双极型电路或MOS电路的触发器来作存储元件的，它没有电容放电造成的刷新问题。只要有电源正常供电，触发器就能稳定地存储数据。DRAM的特点是集成密度高，主要用于大容量存储器。SRAM的特点是存取速度快，主要用于调整缓冲存储器。
ROM
ROM是只读存储器(Read
Only
Memory)，它只能读出原有的内容，不能由用户再写入新内容。原来存储的内容是由厂家一次性写放的，并永久保存下来。ROM可分为可编程(Programmable)ROM、可擦除可编程(Erasable
Programmable)ROM、电擦除可编程(Electrically
Erasable
Programmable)ROM。如，EPROM存储的内容可以通过紫外光照射来擦除，这使它的内可以反复更改。
特殊固态存储器
包括电荷耦合存储器、磁泡存储器、电子束存储器等，它们多用于特殊领域内的信息存储。
此外，描述内、外存储容量的常用单位有:
①位/比特(bit):这是内存中最小的单位，二进制数序列中的一个0或一个1就是一比比特，在电脑中，一个比特对应着一个晶体管。
②字节(B、Byte):是计算机中最常用、最基本的存在单位。一个字节等于8个比特，即1
Byte=8bit。
③千字节(KB、Kilo
Byte):电脑的内存容量都很大，一般都是以千字节作单位来表示。1KB=1024Byte。
④兆字节(MB
Mega
Byte):90年代流行微机的硬盘和内存等一般都是以兆字节(MB)为单位。1
MB=1024KB。
⑤吉字节(GB、Giga
Byte):目前市场流行的微机的硬盘已经达到4.3GB、6.4GB、8.1GB、12G、13GB等规格。1GB=1024MB。
⑥太字节(TB、Tera
byte):1TB=1024GB。
(三)输入/输出设备
输入设备是用来接受用户输入的原始数据和程序，并将它们变为计算机能识别的二进制存入到内存中。常用的输入设备有键盘、鼠标、扫描仪、光笔等。
输出设备用于将存入在内存中的由计算机处理的结果转变为人们能接受的形式输出。常用的输出设备有显示器、打印机、绘图仪等。
(四)总线
总线是一组为系统部件之间数据传送的公用信号线。具有汇集与分配数据信号、选择发送信号的部件与接收信号的部件、总线控制权的建立与转移等功能。典型的微机计算机系统的结构如图2-3所示，通常多采用单总线结构，一般按信号类型将总线分为三组，其中AB(Address
Bus)为地址总线;DB(Data
Bus)为数据总线;CB(Control
Bus)控制总线。
(五)微型计算机主要技术指标
①CPU类型:是指微机系统所采用的CPU芯片型号，它决定了微机系统的档次。
②字长:是指CPU一次最多可同时传送和处理的二进制位数，安长直接影响到计算机的功能、用途和应用范围。如Pentium是64位字长的微处理器，即数据位数是64位，而它的寻址位数是32位。
③时钟频率和机器周期:时钟频率又称主频，它是指CPU内部晶振的频率，常用单位为兆(MHz)，它反映了CPU的基本工作节拍。一个机器周期由若干个时钟周期组成，在机器语言中，使用执行一条指令所需要的机器周期数来说明指令执行的速度。一般使用CPU类型和时钟频率来说明计算机的档次。如Pentium
III
500等。
④运算速度:是指计算机每秒能执行的指令数。单位有MIPS(每秒百万条指令)、MFLOPS(秒百万条浮点指令)
⑤存取速度:是指存储器完成一次读取或写存操作所需的时间，称为存储器的存取时间或访问时间。而边连续两次或写所需要的最短时间，称为存储周期。对于半导体存储器来说，存取周期大约为几十到几百毫秒之间。它的快慢会影响到计算机的速度。
⑥内、外存储器容量:是指内存存储容量，即内容储存器能够存储信息的字节数。外储器是可将程序和数据永久保存的存储介质，可以说其容量是无限的。如硬盘、软盘已是微机系统中不可缺少的外部设备。迄今为止，所有的计算机系统都是基于冯·诺依曼存储程序的原理。内、外存容量越大，所能运行的软件功能就越丰富。CPU的高速度和外存储器的低速度是微机系统工作过程中的主要瓶颈现象，不过由于硬盘的存取速度不断提高，目前这种现象已有所改善。
❽ 存储卡上是用什么原理来读写数据的
动态读写存贮器（DRAM），以其速度快、集成度高、功耗小、价格低在微型计算机中得到极其广泛地使用。但动态存储器同静态存储器有不同的工作原理。它是靠内部寄生电容充放电来记忆信息，电容充有电荷为逻辑1，不充电为逻辑0。欲深入了解动态RAM的基本原理请点击。 动态存储器有多种系列，如61系列、37系列、41系列、21系列等。图示为2164芯片的引脚图。将鼠标指向相应引脚可看到其对引脚功能。它是一个64K 1bit的DRAM芯片，将8片并接起来，可以构成64KB的动态存储器。
每片只有一条输入数据线，而地址引脚只有8条。为了形成64K地址，必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上，借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元，锁存信号也靠着外部地址电路产生。
当要从DRAM芯片中读出数据时，CPU 首先将行地址加在A0-A7上，而后送出RAS 锁存信号，该信号的下降沿将地址锁存在芯片内部。接着将列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS锁存信号，也是在信号的下降沿将列地址锁存在芯片内部。然后保持WE=1，则在CAS有效期间数据输出并保持。
当需要把数据写入芯片时，行列地址先后将RAS和CAS锁存在芯片内部，然后，WE有效，加上要写入的数据，则将该数据写入选中的存贮单元。
由于电容不可能长期保持电荷不变，必须定时对动态存储电路的各存储单元执行重读操作，以保持电荷稳定，这个过程称为动态存储器刷新。PC/XT机中DRAM的刷新是利用DMA实现的。首先应用可编程定时器8253的计数器1，每隔1⒌12μs产生一次DMA请求，该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时，DMA控制 器送出到刷新地址信号，对动态存储器执行读操作，每读一次刷新一行。
只读存贮器（ROM）有多种类型。由于EPROM和EEPROM存贮容量大，可多次擦除后重新对它进行编程而写入新的内容，使用十分方便。尤其是厂家为用户提供了单独地擦除器、编程器或插在各种微型机上的编程卡，大大方便了用户。因此，这种类型的只读存贮器得到了极其广泛的应用。7. RAM的工作时序
为保证存储器准确无误地工作，加到存储器上的地址、数据和控制信号必须遵守几个时间边界条件。
图7.1—3示出了RAM读出过程的定时关系。读出操作过程如下：
欲读出单元的地址加到存储器的地址输入端；
加入有效的选片信号CS；
在 线上加高电平，经过一段延时后，所选择单元的内容出现在I/O端；
让选片信号CS无效，I/O端呈高阻态，本次读出过程结束。
由于地址缓冲器、译码器及输入/输出电路存在延时，在地址信号加到存储器上之后，必须等待一段时间tAA，数据才能稳定地传输到数据输出端，这段时间称为地址存取时间。如果在RAM的地址输入端已经有稳定地址的条件下，加入选片信号，从选片信号有效到数据稳定输出，这段时间间隔记为tACS。显然在进行存储器读操作时，只有在地址和选片信号加入，且分别等待tAA和tACS以后，被读单元的内容才能稳定地出现在数据输出端，这两个条件必须同时满足。图中tRC为读周期，他表示该芯片连续进行两次读操作必须的时间间隔。
写操作的定时波形如图7.1—4所示。写操作过程如下：
将欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端；
在选片信号CS端加上有效电平，使RAM选通；
将待写入的数据加到数据输入端；
在 线上加入低电平，进入写工作状态；
使选片信号无效，数据输入线回到高阻状态。
由于地址改变时，新地址的稳定需要经过一段时间，如果在这段时间内加入写控制信号（即 变低），就可能将数据错误地写入其他单元。为防止这种情况出现，在写控制信号有效前，地址必须稳定一段时间tAS，这段时间称为地址建立时间。同时在写信号失效后，地址信号至少还要维持一段写恢复时间tWR。为了保证速度最慢的存储器芯片的写入，写信号有效的时间不得小于写脉冲宽度tWP。此外，对于写入的数据，应在写信号tDW时间内保持稳定，且在写信号失效后继续保持tDH时间。在时序图中还给出了写周期tWC，它反应了连续进行两次写操作所需要的最小时间间隔。对大多数静态半导体存储器来说，读周期和写周期是相等的，一般为十几到几十ns。
ddr一个时钟周期内穿2次数据
ddr2一个时钟周期传4次
所以相同频率下ddr2的带宽是ddr的2倍
❾ 一些简单芯片中的数据是如何写入的（如玩具中的芯片）
我这里给你举个简单的例子，事实上存储器的构造是多种多样的，并不是唯一的结构。数据都是以二进制码的形式存储的，比如说0000 1111，这就是一个八位二进制码，存储的时候也由8位存储器集合而成，每个都是一个一个电阻，当写入数据的时候，我们把表示0的电阻通以强电流将其熔断，而表示1的电阻则保留下来，因此我们下载通电存储器的时候输出的的电流分位表示就是0000 1111了，然后再通过译码器翻译，最后无数多个这个简单的存储器中的数据就构成了一个完整的数据了。比如说一首歌，一个控制程序等等。（里面设计到一些电路和控制逻辑部件我就省略了，这些都比较难些，不好理解）
❿ 计算机存储器中的ROM存储器是不是只能读出数据不能写入数据
是的
rom存储器只能读出数据不能写入数据