Ⅰ 随机存取存储器的存储单元
静态存储单元（SRAM）
●存储原理：由触发器存储数据
●单元结构：六管NMOS或OS构成
●优点：速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低；常用作Cache
●缺点：元件数多、集成度低、运行功耗大
●常用的SRAM集成芯片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)
动态存储单元（DRAM）
●存贮原理：利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理，需刷新（早期：三管基本单元；之后：单管基本单元）
●刷新(再生)：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，必须定时给栅极电容补充电荷的操作
●刷新时间：定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2ms）。
●优点： 集成度远高于SRAM、功耗低，价格也低
●缺点：因需刷新而使外围电路复杂；刷新也使存取速度较SRAM慢，所以在计算机中，DRAM常用于作主存储器。
尽管如此，由于DRAM存储单元的结构简单，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成为大容量RAM的主流产品。
Ⅱ 存储器芯片6116、6264的地址线和数据线分别有几根
存储器芯片6116、6264的地址线和数据线分别有8根和16根。
存储容量为16kb，没有说明几位。如果是8位，就是14条地址线，8条数据线。rom芯片的容量为8k×8位，这个地址线13位，数据线8位。SRAM芯片的存储容量为64k*16位，该芯片的地址线是16根，数据线是16根。
主存的工作方式
是按存储单元的地址存放或读取各类信息，统称访问存储器。主存中汇集存储单元的载体称为存储体，存储体中每个单元能够存放一串二进制码表示的信息，该信息的总位数称为一个存储单元的字长。存储单元的地址与存储在其中的信息是一一对应的，单元地址只有一个，固定不变，而存储在其中的信息是可以更换的。
Ⅲ 用2114、6116、6264分别组成容量为64K*8位的存储器，各需多少芯片
2114是1K×4的SRAM芯片，需要64×2＝128个芯片，地址需要10位作为片内地址选择线，6位作为芯片选择线。
6116是2K×8的SRAM芯片，需要32个芯片，地址需要11位作为片内地址选择线，5位作为芯片选择线。
6264是8K×8的SRAM芯片，需要8个芯片，地址需要13位作为片内地址选择线，3位作为芯片选择线。
Ⅳ 用2114，6116，6264组成容量为 64Kx8的存储器，求逻辑图
这是个6264组成容量为64Kx8的存储器，根据这个图，其他就都会了
Ⅳ 计算机的dram和sram是什么 有什么区别
按照存储信息的不同，随机存储器分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。
静态存储单元（SRAM）
●存储原理：由触发器存储数据
●单元结构：六管NMOS或OS构成
●优点：速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低；常用作Cache
●缺点：元件数多、集成度低、运行功耗大
●常用的SRAM集成芯片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)
动态存储单元（DRAM）
●存贮原理：利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理，需刷新（早期：三管基本单元；现在：单管基本单元）
●刷新(再生)：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，必须定时给栅极电容补充电荷的操作
●刷新时间：定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2ms）。
●优点： 集成度远高于SRAM、功耗低，价格也低
●缺点：因需刷新而使外围电路复杂；刷新也使存取速度较DRAM慢，所以在计算机中，SRAM常用于作主存储器。
尽管如此，由于DRAM[1]存储单元的结构简单，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成为大容量RAM的主流产品。
Ⅵ Intel存储器RAM是怎么命名的,比如2116、2114、6164、6116、6264、62256、628128等，
16就是2k*8位
64就是8k*8位
前两位数表示是62系列的。后面两位数表示存储器的容量。
16表示为16Kbit ，一个字节是8 bit ，所以是2KByte，即容量是2KB的。
同理，64/8=8KB。
Ⅶ 计算机的“dram”和“sram”分别是什么意思，有什么区别
按照存储信息的不同，随机存储器分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。
静态存储单元（SRAM）
●存储原理：由触发器存储数据
●单元结构：六管NMOS或OS构成
●优点：速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低；常用作Cache
●缺点：元件数多、集成度低、运行功耗大
●常用的SRAM集成芯片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)
动态存储单元（DRAM）
●存贮原理：利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理，需刷新（早期：三管基本单元；现在：单管基本单元）
●刷新(再生)：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，必须定时给栅极电容补充电荷的操作
●刷新时间：定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2ms）。
●优点： 集成度远高于SRAM、功耗低，价格也低
●缺点：因需刷新而使外围电路复杂；刷新也使存取速度较DRAM慢，所以在计算机中，SRAM常用于作主存储器。
尽管如此，由于DRAM[1]存储单元的结构简单，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成为大容量RAM的主流产品。
Ⅷ 6116存储器的存储空间有多大,可不可以让存储空间增大,最多增大几倍,如何实现
6116是2k×8bit的静态RAM芯片。
如果想获得更大的存储空间，就需要增加更多的6116，并且通过合理的片选设计（需要增加逻辑电路或者译码电路）使得它们的空间不发生重叠。
Ⅸ 用6116和6264分别组成容量为64kb的存储器，各需要多少芯片
6116是2K*8位的静态随机存储器芯片。
6264是高速超低功耗静态随机存储器，容量为8KB。
如果全用6264，需要8块，如果全用6116，需要32块，如果是组合，可以自行选择组合。