Ⅰ 存储器芯片为什么要设置片选信号，它与系统总线有那些连接方式这些连接方式各有什么优缺点
1:
a: 因为一个1G芯片，比用8个128M芯片昂贵的多；
b: 假设总寻址空间为1G， 8个128M寻址可以灵活使用sram，sdram，flash等芯片(类似于给你8个插槽让你扩展外设)以满足不同的存储需求，而你做成一个1G的内存插槽。。。其他东西插在那里呢？难道你只需要1G的内存而不需要硬盘吗？
2：
分为并行跟串行，比如接个SDRAM那就是行+列寻址，就是并行接入总线，但也不是完全32位并行，NANDFLASH则是类似于串行接入总线，这跟存储器设计有关～有兴趣可以去查查相关资料，我也只是了解。
3：
优缺点，并行访问速度要快，接入简单（32位直接扔过去，一次性收发），但成本高，而且不适合远距离传输。串行的话，就是要顺序写入当然慢，而且需要传输规则才能通信（你得告诉人家你的数据怎么排列的吧），但是成本低
我就知道这么多～欢迎补充！
Ⅱ 存储器芯片为什么要设置片选信号，它与系统总线有那些连接方式这些连接方式各有什么优缺点
1 TMS320F2812外部接口的特点
TMS320F2812外部接口(XINTF)采用异步非复用模式总线，与C240x外部接口类似，但也作了改进：
① TMS320LF240x系列，程序空间、数据空间和I／O空间都映射在相同的地址(0000～FFFF)，最大可寻址192 KB，对它们的访问是通过不同的指令来区分的，例如可用IN或OUT指令访问外部I／O空间；而在TMS320F2812中，外部接口被映射到5个独立的存储空间XZCS0、XZCS1、XZCS2、XZCS6、XZCS7，每个存储空间具有独立的地址，最多可寻址4 MB。
② TMS320F2812中，有的存储空间共用1个片选信号，如Zone0和Zone1共用XZCS0AND1，Zone6和Zone7共用XZCS6AND7。各空间均可独立设置读、写信号的建立时间、激活时间及保持时间。
对任何外部空间读／写操作的时序都可以分成3部分：建立、激活和保持，时序如图1和图2所示。在建立(lead)阶段，访问存储空间的片选信号变为低电平并且地址被送到地址总线(XA)上。默认情况下该阶段的时间设置为最大，为6个XTIMCLK周期。在激活(active)阶段，对外部设备进行读写，相应的读写信号(XRD和XWD)变为低电平，同时数据被送到数据总线(XD)上。默认情况下读写该阶段的时间均设置为14个XTIMCLK周期。跟踪(trail)阶段是指读写信号变为高电平，但片选信号仍保持低电平的一段时间周期，默认情况下该阶段时间设置为6个XTIMCLK周期。因此，在编程时要根据外部设备的接口时序来设置XINTF的时序，从而正确地对外设读写。
Ⅲ 存储器存储的对象并不全是数据,而是包含了必要的检验码,请问为什么要存这些
存储器要存校验码的原因：
1、存储系统的校验机制是将用户产生的数据进行固化或者网络传输时，对原数据计算校验码并一同传输或固化，在再次使用这部分数据的时候，重新计算校验码并与之前的进行对比以验证数据一致性。
2、一个存储集群中，硬盘往往以很高的密度堆叠在一起，彼此的磁场干扰更是大大增加了异常出现的可能性。为了避免这种情况的发生，硬盘本身都配有自己的校验系统。
3、存储系统有大量的硬盘组成，硬盘由于有了本身的校验机制，出错的概率变得很低，但是当基数大大增加后，这个概率也随之大大增加。
Ⅳ 微机原理 存储器扩展&译码器，有一些疑惑！
1:低位址也有进入6264中，那个A0～A12就是
2:memr跟memw是8086系统对外的读取信号
3:圆圈代表低电平输出，6264有两个片选，一个高电平，一个低电平，两个搭配可以组成很多的组合，在这里高电平就直接接5伏，低电平从A18获得
Ⅳ 8086CPU访问存储器时需利用什么信道的什么电平
8086总线读写时候用到的引脚
包括：要传送地址信息的地址线A0~A19、要传送数据信息的数据总线D0~D15
还有地址锁存允许信号ALE 、控制数据传送方向的读、写控制信号 即RD、WR
还有一个决定是访问I/O接口的 还是访问存储器的选择信号M/IO
2 他们的配合使用
其中要把低16位的地址总线和16位的数据总线传送的地址信息和数据信息分开 把低16位的地址信息依靠地址锁存允许信号ALE 锁存在地址锁存器中；
高位地址线作为存储器和I/O接口芯片的片选信号 可以直接采用线选法或译码器法
当访问存储器时，应使引脚M/IO高电平 选中访问存储器
当访问I/O接口时，应使引脚M/IO低电平 选中访问I/O接口
RD、WR要分别接到相应的存储器或I/O接口芯片上的读写控制引脚 好依靠指令来控制数据的传送方向。
可以到教材上 参考存储器和I/O接口的扩展电路来进行分析！
Ⅵ 8086cpu在最小模式下:当CPU访问存储器时要利用哪些信号
M/IO：存储器，IO选择信号。
BHE：总线高位允许信号
RD：WR：读写信号
ALE：地址锁存信号
DEN：数据允许信号
REDAY：实时准备信号（可用于低速存储器的速度匹配，一般用于IO口）
DT/R：数据传送、接收信号
Ⅶ cpu给存储器靠什么传递读写信号
信息传送是由数据总线。信息寻址是由地址总线，控制是读还是写信息是由控制总线。
数据总线：用于传送数据信息。数据总线是双向三态形式的总线，即它既可以把CPU的数据传送到存储器或输入输出接口等其它部件，也可以将其它部件的数据传送到CPU。数据总线的位数是微型计算机的一个重要指标，通常与微处理的字长相一致。例如Intel8086微处理器字长16位，其数据总线宽度也是16位。
相关如下
地址总线 (Address Bus；又称：位址总线) 属于一种电脑总线 （一部份），是由CPU 或有DMA 能力的单元，用来沟通这些单元想要存取（读取/写入）电脑内存元件/地方的实体位址。
控制总线，简称：CB。控制总线主要用来传送控制信号和时序信号。控制信号中，有的是微处理器送往存储器和输入输出设备接口电路的，如读/写信号，片选信号、中断响应信号等；也有是其它部件反馈给CPU的。
比如：中断申请信号、复位信号、总线请求信号、设备就绪信号等。因此，控制总线的传送方向由具体控制信号而定，一般是双向的，控制总线的位数要根据系统的实际控制需要而定。实际上控制总线的具体情况主要取决于CPU。
Ⅷ 存储器的初始值为什么都是ff
看来你是一个初学者。建议你阅读一下单片机关于选通地址、传递数据方面的叙述。 下面我简略的说一下大概过程，希望对你有所帮助。 第一，单片机采用三总线结构传递数据。地址总线、数据总线、控制总线。传递数据的过程是先寻址，再传递数据。即先送一个地址信息(由微处理器向总线写一个地址信息)，由寄存器（也可能是程序存储器，也可能是数据存储器）根据这个地址，把微处理器要读取的数据写到总线上，微处理器再读取这个数据。整个过程由控制总线控制。所以每次读的数据是针对那个地址对应的寄存器操作的，不会发生混乱。写数据时一样，先寻址，再写数据，数据就写入刚才寻址时的地址对应的那个寄存器里去了。 第二、程序存储器、数据存储器有不同的选通信号，在一个指令周期里，是不同的时间选通的，所以不会混乱。 第三。选通的引脚不同。拿片外数据存储器来说，是P3的第6和第7引脚做选通信号，程序存储器是PSEN做选通信号，他们接在各自器件的选通引脚上，所以不会混乱。 第四，指令不同。拿汇编指令来说。MOV是程序存储器传递数据用，MOVX是数据存储器传递数据用（对片外而言）。 总之，记住三总线传递的方式，先寻址，再传数，由控制总线控制，这个模式，你就容易理解这个了。 单片机的p2和p0分别传递地址的高八位和低八位。同时p0还传递数据。在时序信号的ALE高电平期间，锁定地址信息。/PSEN是选通程序存储器的。在/PSEN低电平期间是向程序存储器传递程序代码，/WR和/RD是选通数据存储器的，即在/WR和/RD（p3的六脚和七脚）低电平期间把数据传递给数据寄存器。而/PSEN和/WR及/RD是在不同时间变为低电平的，没有重叠的部分。也就是说，当/WR及/RD变成低电平时，/PSEN已经恢复高电平了，由P0口传出的数据信息当然只会传到数据存储器里，因为程序存储器已经不再处于选通状态了！！从表面看，都是从p0口传出的，但因为选通器件的时间不同而不会发生混乱。当然我说的是片外程序存储器和数据存储器的的情况，其实对片内也一样，还是三总线的这种控制方式，使它们在不同的时间被选通，而不至于发生冲突。 看看单片机的一个电路图。你会发现p0既跟74LS373连，又跟8155或8255或键盘或数模转换器等等连。而8155或8255或键盘或数模转换器等等对单片机而言是当做数据存储器处理的。74LS373连的多半是程序存储器。那么p0送出的信号不是两者都接受了吗？注意看ALE接74LS373的G接口，锁存地址用，PSEN有时用有时不用。WR和RD接数据存储器的选通接口。因为WR和RD跟ALE的信号在时间上没有重叠部分，所以p0的信号不会被程序存储器和数据存储器同时收到。这是一个举例说明，具体情况要具体分析。我认为你应该下载一个网络Hi，通过它接受信息。或者建一个博客。