‘壹’ 计算题：用2K×4位/片的存储芯片组成容量为8K×8位的存储器，地址总线A15～A0（低）。
需用8块存储芯片，A9～A0是连入各存储芯片的地址线。
片选信号的逻辑式：CS0 =（ A11 A10 ）、CS1 = （ A11 A10 ）、CS2 =（ A11 A10 ）、CS3 = （ A11 A10 ）
总片数=总容量/(容量/片)
例：存储器容量为8K×8b，若选用2114芯片(1K×4b)，则需要的芯片数为：(8K×8b)/(1K×4b)=16(片)
（1）位扩展
只在位数方向扩展(加大字长)，而芯片的字数和存储器的字数是一致的。即b前面不一样，K前面保持一样。
例：用64K×1b的SRAM芯片组成64K×8b的存储器，所需芯片数为：(64K×8b)/(64K×1b)=8(片)
（2）字扩展
仅在字数方向扩展，而位数不变。即K前面不一样，b前面保持一样。
例：用16K×8b的SRAM组成以64K×8b的存储器，所需芯片数为：(64K×8b)/(16K×8b)=4(片)。
(1)片式存储芯片扩展阅读
存储器地址译码方法
（1）线选法
用高位地址直接作为芯片的片选信号，每一根地址选通一块芯片(无位扩展情况)。
A13-A10作为片选，因为有反向器，所以拿第一块芯片举例，A10取1，经过反向器变为0，再变为1，其他A11-A13都为0。
（2）全译码法
除了将地址总线的低位地址直接与芯片的地址线相连之外，其余高位地址全部接入译码器，由译码器的输出作为各芯片的片选信号。
Y0-Y7都是低电平有效，即=0时才有效。同样，有反向器。
（3）部分译码法
将高位地址线中的一部分进行译码，产生片选信号。该方法适用于不需要全部地址空间的寻址能力，但采用线选法地址线又不够用的情况。
‘贰’ 常用存储器片选控制方法有哪几种它们各有什么优缺点
行选择，部分解码，全部解码。
线路选择电路简单，但会造成地址Z栈、空间利用率低和特定编程不宜编织。
全译码具有较高的芯片利用率和无地址栈，但电路比选线方法复杂得多。
部分译码介于两者之间，也可以产生一定程度的地址栈，但存在一个相对相邻的地址空间。
(2)片式存储芯片扩展阅读
存储器是用来存储程序和各种数据信息的存储器。记忆可分为两类：初级记忆（简称初级记忆或BAI）和辅助记忆（简称辅助记忆或外部记忆）。它是主存，直接与CPU交换信息。
在主存储器中收集存储单元的载体称为存储体。存储器中的每个单元都可以保存由二进制代码表示的一串信息。信息的总比特数称为存储单元的字长。存储单元的地址与存储在其中的信息相对应。存储单元的位置只有一个固定地址，存储在其中的信息可以被替换。
‘叁’ 在对存储器芯片进行片选时，全译码方式、部分译码方式和线选方式各有何特点
若cpu的寻址空间等于存储器芯片的寻址空间，可直接将高低位地址线相连即可，这种方式下，可用单条读写指令直接寻址，寻址地址与指令中的地址完全吻合。
若cpu的寻址空间大于存储器芯片的寻址空间，可直接将高低位地址线相连即可，cpu剩余部分高位地址线，这种方式下，可用单条读写指令直接寻址，未连接的地址线在指令中可以以0或1出现，即有多个地址对应每个存储器空间，可在指令中将这些位默认为零。
若cpu的寻址空间小于存储器芯片的寻址空间，可将其它io口连接剩余存储器高位地址线，寻址前，需设置好这些io口。
当存在多片存储器，且希望节省cpu的io口时，需要外加译码电路。比如说，存储器地址线为13根，共8片存储器，可用74ls138连接cpu的高3位地址线，74ls38的8位输出分别连接8片存储器，读写时，寻址地址与指令中的地址完全吻合。
上一种情况中，若希望简化外围电路，也可用其余端口的8个io分别连接8片存储的片选，其寻址方式与第三种情况类似。
‘肆’ 一片4k的存储芯片,若是SRAM需要多少地址线,若是DRAm(采用地址分两次打入方式)需要多少地址线。在线等。。
2^12 = 4KB，SRAM需要12根地址线。
DRAM地址分两次传送，一次行地址，一次列地址，所以最少要12/2 = 6根，但不一定只有6根，可以是4 8或2 10等。
‘伍’ 存储芯片包括
存储芯片，是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用。因此，无论是系统芯片还是存储芯片，都是通过在单一芯片中嵌入软件，实现多功能和高性能，以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持。按照不同的技术，存储器芯片可以细分为EPROM、EEPROM、SRAM、DRAM、FLASH、MASK ROM和FRAM等。
存储器技术是一种不断进步的技术，随着各种专门应用不断提出新的要求，新的存储器技术也层出不穷，每一种新技术的出现都会使某种现存的技术走进历史，因为开发新技术的初衷就是为了消除或减弱某种特定存储器产品的不足之处。
例如，闪存技术脱胎于EEPROM，它的一个主要用途就是为了取代用于PC机BIOS的EEPROM芯片，以便方便地对这种计算机中最基本的代码进行更新。 尽管目前非挥发性存储器中最先进的就是闪存，但技术却并未就此停步。
生产商们正在开发多种新技术，以便使闪存也拥有像DRAM和SDRAM那样的高速、低价、寿命长等特点。总之，存储器技术将会继续发展，以满足不同的应用需求。就PC市场来说，更高密度、更大带宽、更低功耗、更短延迟时间、更低成本的主流DRAM技术将是不二之选。
而在其它非挥发性存储器领域，供应商们正在研究闪存之外的各种技术，以便满足不同应用的需求，未来必将有更多更新的存储器芯片技术不断涌现。
‘陆’ 存储芯片的介绍
存储芯片是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用。因此，无论是系统芯片还是存储芯片，都是通过在单一芯片中嵌入软件，实现多功能和高性能，以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持。
‘柒’ 片选的存储芯片的片选
存储器往往要是由一定数量的芯片构成的。
CPU要实现对存储单元的访问，首先要选择存储芯片，即进行片选；然后再从选中的芯片中依地址码选择出相应的存储单元，以进行数据的存取，这称为字选。片内的字选是由CPU送出的N条低位地址线完成的，地址线直接接到所有存储芯片的地址输入端，而存储芯片的片选信号则大多是通过高位地址译码后产生的。
线选法：
线选法就是用除片内寻址外的高位地址线直接分别接至各个存储芯片的片选端，当某地址线信息为0时，就选中与之对应的存储芯片。这些片选地址线每次寻址时只能有一位有效，不允许同时有多位有效，这样才能保证每次只选中一个芯片。线选法不能充分利用系统的存储器空间，把地址空间分成了相互隔离的区域，给编程带来了一定困难
全译码法：
全译码法将除片内寻址外的全部高位地址线都作为地址译码器的输入，译码器的输出作为各芯片的片选信号，将它们分别接到存储芯片的片选端，以实现对存储芯片的选择。全译码法的优点是每片芯片的地址范围是唯一确定的，而且是连续的，也便于扩展，不会产生地址重叠的存储区，但全译码法对译码电路要求较高
部分译码法：所谓部分译码法即用除片内寻址外的高位地址的一部分来译码产生片选信号，部分译码法会产生地址重叠。
‘捌’ 已知片存储芯片2764的地址线的连接如图所示，根据连接图分析、回答：
1）2764存储芯片的存储容量是【38】－－8KB。
2）此种连接采用【39】地址译码方式－－全译码。
3）写出该芯片的可用地址范围：
首地址【40】H、－－FC00H；
末地址【41】H。－－FDFFH。
仅供参考。
‘玖’ 内存储器使用的半导体存储芯片有哪些主要类型
◆存储芯片（IC）的分类：
内存储器按存储信息的功能可分为随机存储器RAM(RandomAccess Memory)和只读存储器ROM(Read Only Memory)。 ROM中的信息只能被读出，而不能被操作者修改或删除，故一般用来存放固定的程序，如微机的管理、监控程序，汇编程序，以及存放各种表格等。
还有一种叫做可改写的只读存储器EPROM(ErasaNe Pr。Brsmmable ROM)，和一般的RoM的不同点在于它可以用特殊装置摈除和重写它的内容，一般用于软件的开发过程。
RAM就是我们常说的内存，它主要用来存放各种现场的输入、输出数据，中间计算结果，以及与外存交换信息和作堆栈用。它的存储单元的内容按需要既可以读出，也可以写入或改写。
由于RAM由电子器件组成，只能暂时存放正在运行的数据和程序，一旦关闭电源或掉电，其中的数据就会消失。RAM现在多为Mos型半导体电路，它分为静态和动态两种。
静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；动态RAM是靠Mos电路中的栅极电容来记忆信息的。由于电容上电荷会泄漏，需要定时给予补充，所以动态RAM要设置刷新电路，但它比静态RAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。所以主内存通常采用动态RAM，而高速缓冲存储器(Cache)则使用静态RAM。
●存储IC的特点，具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。
‘拾’ 半导体存储器有几类，分别有什么特点
1、随机存储器
对于任意一个地址，以相同速度高速地、随机地读出和写入数据的存储器（写入速度和读出速度可以不同）。存储单元的内部结构一般是组成二维方矩阵形式，即一位一个地址的形式(如64k×1位)。但有时也有编排成便于多位输出的形式（如8k×8位）。
特点：这种存储器的特点是单元器件数量少，集成度高，应用最为广泛（见金属-氧化物-半导体动态随机存储器）。
2、只读存储器
用来存储长期固定的数据或信息，如各种函数表、字符和固定程序等。其单元只有一个二极管或三极管。一般规定，当器件接通时为“1”,断开时为“0”，反之亦可。若在设计只读存储器掩模版时,就将数据编写在掩模版图形中，光刻时便转移到硅芯片上。
特点：其优点是适合于大量生产。但是，整机在调试阶段，往往需要修改只读存储器的内容，比较费时、费事，很不灵活（见半导体只读存储器）。
3、串行存储器
它的单元排列成一维结构，犹如磁带。首尾部分的读取时间相隔很长，因为要按顺序通过整条磁带。半导体串行存储器中单元也是一维排列，数据按每列顺序读取，如移位寄存器和电荷耦合存储器等。
特点：砷化镓半导体存储器如1024位静态随机存储器的读取时间已达2毫秒，预计在超高速领域将有所发展。
(10)片式存储芯片扩展阅读：
半导体存储器优点
1、存储单元阵列和主要外围逻辑电路制作在同一个硅芯片上，输出和输入电平可以做到同片外的电路兼容和匹配。这可使计算机的运算和控制与存储两大部分之间的接口大为简化。
2、数据的存入和读取速度比磁性存储器约快三个数量级,可大大提高计算机运算速度。
3、利用大容量半导体存储器使存储体的体积和成本大大缩小和下降。