㈠ 计算机的常用外存有哪些
PC机常见的外存储器有软盘存储器、硬盘存储器、光盘存储器等。磁盘有软磁盘和硬磁盘两种。光盘有只读型光盘CD-ROM、一次写入型光盘WORM和可重写型光盘MO三种。
1、软盘：软磁盘使用柔软的聚酯材料制成原型底片，在两个表面涂有磁性材料。常用软盘直径为3.5英寸，存储容量为1.44MB.软盘通过软盘驱动器来读取数据。
2、U盘：U盘也被称为“闪盘”，可以通过计算机的USB口存储数据。与软盘相比，由于U盘的体积小、存储量大及携带方便等诸多优点，U盘已经取代软盘的地位。
3、硬盘：硬磁盘是由涂有磁性材料额铝合金原盘组成的，每个硬盘都由若干个磁性圆盘组成。
4、磁带存储器：磁带也被称为顺序存取存储器SAM。它存储容量很大，但查找速度很慢，一般仅用作数据后备存储。计算机系统使用的磁带机有3中类型：盘式磁带机、数据流磁带机及螺旋扫描磁带机。
5、光盘存储器：光盘指的是利用光学方式进行信息存储的圆盘。它应用了光存储技术，即使用激光在某种介质上写入信息，然后再利用激光读出信息。光盘存储器可分为:CD-ROM、CD-R、CD-RW、和DVD-ROM等。
(1)外存储器类型及指标扩展阅读：
存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存），辅助存储器又称外存储器（简称外存）。内存储器最突出的特点是存取速度快，但是容量小、价格贵；外存储器的特点是容量大、价格低，但是存取速度慢。
内存储器用于存放那些立即要用的程序和数据；外存储器用于存放暂时不用的程序和数据。内存储器和外存储器之间常常频繁地交换信息。
㈡ 外存储器包括什么
外存储器包括：
软磁盘存储器
硬磁盘存储器
只读光盘(CD-ROM)存储器
大白话说就是硬盘、软盘、光盘、U盘等。
㈢ 外存储器的性能指标
●容量——通常所说的容量是指硬盘的总容量，一般硬盘厂商定义的单位1GB=1000MB,而系统定义的1GB=1024MB,所以会出现硬盘上的标称值大于格式化容量的情况,这算业界惯例,属于正常情况.
●单碟容量就是指一张盘片所能存储的字节数,硬盘的单碟容量一般都在20GB以上.而随着硬盘单碟容量的增大,硬盘的总容量已经可以实现上百G甚至几TB了(商业购买的硬盘容量为1TB的，可能实际只有1000GB，而不是1024GB，真正意义上的1TB=1024GB。)。
●转速——转速是指硬盘内电机主轴的转动速度,单位是RPM(每分钟旋转次数).转速是决定硬盘内部传输率的决定因素之一,它的快慢在很大程度上决定了硬盘的速度,同时也是区别硬盘档次的重要标目前一般的硬盘转速为5400 转和7200转 最高的转速则可达到10000转每分以上.
●最高内部传输速率——这是硬盘的外圈的传输速率,它是指磁头和高速数据缓存之间的最高数据传输速率,单位为MB/s.最高内部传输速率的性能与硬盘转速以及盘片存储密度(单碟容量)有直接的关系.
●平均寻道时间平均寻道时间是指硬盘磁头移动到数据所在磁道时所用的时间,单位为毫秒(ms),硬盘的平均寻道时间一般低于9毫秒.平均寻道时间越短,硬盘的读取数据能力就越高. ● 理论数据读取速度：18MB/s
● 理论数据写入速度： 17MB/s
● 无需安装驱动程序(windows 98除外)
● 无需额外电源，只从usb总线取电
●容量大、品种多
● 带写保护开关，防止文件被抹掉，防病毒
● led指示灯指示工作状态
● 体积小， 重量轻：大约20g
㈣ 存储器有哪些主要技术指标
主存储器的主要有以下技术指标：
1、存储容量：在一个存储器中可以容纳的存储单元总数、存储空间的大小、字数、字节数。
2、存取时间：启动到完成一次存储器操作所经历的时间、主存的速度。
3、存储周期：连续启动两次操作所需间隔的最小时间、主存的速度。
4、存储器带宽：单位时间里存储器所存取的信息量，、数据传输速率技术指标。
主存储器的性能指标主要是存储容量、存取时间、存储周期和存储器带宽。
字存储单元即存放一个机器字的存储单元，相应的地址称为字地址。一个机器字可以包含数个字节，所以一个存储单元也可包含数个能够单独编址的字节地址。
下面列出主存储器的主要几项技术指标：
主存储器的主要几项技术指标指标 含义 表现 单位 存储容量 在一个存储器中可以容纳的存储单元总数 存储空间的大小 字数，字节数 存取时间 启动到完成一次存储器操作所经历的时间 主存的速度 ns 存储周期 连续启动两次操作所需间隔的最小时间 主存的速度 ns 存储器带宽 单位时间里存储器所存取的信息量， 数据传输速率技术指标 位/秒，字节/秒 主存储器的性能指标主要是存储容量、存取时间和存储周期。
存放一个机器字的存储单元，通常称为字存储单元，相应的单元地址叫字地址。而存放一个字节的单元，称为字节存储单元，相应的地址称为字节地址。如果计算机中可编址的最小单位是字存储单元，则该计算机称为按字编址的计算机。如果计算机中可编址的最小单位是字节，则该计算机称为按字节编址的计算机。一个机器字可以包含数个字节，所以一个存储单元也可以包含数个能够单独编址的字节地址。例如，PDP-11系列计算机，一个16位二进制的字存储单元可存放两个字节，可以按字地址寻址，也可以按字节地址寻址。当用字节地址寻址时，16位的存储单元占两个字节地址。
在一个存储器中容纳的存储单元总数通常称为该存储器的存储容量。存储容量用字数或字节数(B)来表示，如64K字，512KB，10MB。外存中为了表示更大的存储容量，采用MB，GB，TB等单位。其中1KB=2B，1MB=2B，1GB=2B，1TB=2B。B表示字节，一个字节定义为8个二进制位，所以计算机中一个字的字长通常为8的倍数。存储容量这一概念反映了存储空间的大小。
存储时间有称存储器访问时间，是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。具体讲，从一次读操作命令发出到该操作完成，将数据读入数据缓冲寄存器为止所经历的时间，即为存储器存取时间。
存储周期是指连续启动两次独立的存储器操作(如连续两次读操作)所需间隔的最小时间。通常，存储周期略大于存储时间，其时间单位为ns
㈤ 常见的外存储器有哪些各有什么特点
磁盘，已淘汰。
光盘，容易存放，价格低，易刮花，容量一般，CD碟600M左右，DVD碟单层4.7G，双层8.5，BRD是新产品，容量更大，价格不菲。光盘有可刻录和只读之分，有一次性刻录和反复刻录之别。必需配置光驱、碟机、刻录机等其中一样设备才能使用。
硬盘，存储、读写比较容易，存储量也较大，价格高，现在市场上几百元元就能买到1T的产品，但是便携性比较差，再就是由于硬盘内部是物理结构器件，有磁盘，磁头，集成电路，电机等器件，也就决定了它的防震性能较差，受到摔打或撞击后容易形成硬伤。
U盘，又称闪存盘，拥有读写速度较快，携带方便，体积小等优点，容量一般，价格一般，现在普遍使用的是2G，4G，8G等产品，当然还有容量更高的16G，32G，64G等产品，但是价格也就不菲了。
闪存卡，又称内存卡，体积小巧，携带方便，存储快，与U盘相似，担体积更小，容量一般，目前常见的1G，2G，4G，价格一般。按材质分为TF卡、MMS卡（又称记忆棒）、SD卡、XD卡、MMC卡等。必须配置读卡器才能使用，现在手机、数码相机等电子设备都内置有读卡器。
㈥ 存储器技术指标有哪四种
存储器是具有“记忆”功能的设备，它用具有两种稳定状态的物理器件来表示二进制数码 “0”和“1”，这种器件称为记忆元件或记忆单元。记忆元件可以是磁芯，半导体触发器、 MOS电路或电容器等。 位(bit)是二进制数的最基本单位，也是存储器存储信息的最小单位，8位二进制数称为一 个字节(Byte)，可以由一个字节或若干个字节组成一个字(Word)在PC机中一般认为1个或2个字节组成一个字。若干个忆记单元组成一个存储单元，大量的存储单元的集合组成一个 存储体(MemoryBank)。为了区分存储体内的存储单元，必须将它们逐一进行编号，称为地址。地址与存储单元之间一一对应，且是存储单元的唯一标志。应注意存储单元的地址和它里面存放的内容完全是两 回事。 根据存储器在计算机中处于不同的位置，可分为主存储器和辅助存储器。在主机内部，直接 与CPU交换信息的存储器称主存储器或内存储器。在执行期间，程序的数据放在主存储器内。各个存储单元的内容可通过指令随机读写访问的存储器称为随机存取存储器(RAM)。另一种存储器叫只读存储器(ROM)，里面存放一次性写入的程序或数据，仅能随机读出。RAM和ROM共同分享主存储器的地址空间。RAM中存取的数据掉电后就会丢失，而掉电后ROM中 的数据可保持不变。因为结构、价格原因，主存储器的容量受限。为满足计算的需要而采用了大容量的辅助存储 器或称外存储器，如磁盘、光盘等.存储器的特性由它的技术参数来描述。 存储容量：存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量。一般主存储器(内存)容量在几十K到几十M字节左右；辅助存储器(外存)在几百K到几千M字节。 存取周期：存储器的两个基本操作为读出与写入，是指将信息在存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为取数时间TA；两次独立的存取操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC。半导 体存储器的存取周期一般为60ns-100ns。 存储器的可*性：存储器的可*性用平均故障间隔时间MTBF来衡量。MTBF可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。MTBF越长，表示可*性越高，即保持正确工作能力越强。 性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可*性三项内容。性能价格比是一个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。对于外存储器，要求容量极大，而对缓冲存储器则要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/价格比是评价整个存储器系统很重要的 指标。
㈦ 外存储器包括什么
外存储器包括：
软磁盘存储器
硬磁盘存储器
只读光盘(CD-ROM)存储器
大白话说就是硬盘、软盘、光盘、U盘等。
㈧ 磁盘存储器的技术指标有哪些
存储器的主要技术指标有：
1、存储器容量：存储器容量是指存储器存放信息的总量。以Byte为单位，读作“字节”。习惯上使用KB(1KB=1024B)、MB(1MB=1024KB)和GB(1GB=1024MB)。
2、存储密度：外存储器软磁盘按存储密度不同分为低密度盘(48TPI)和高密度盘(96TPI)。尺寸为5.25英寸的软盘：低密度盘容量为360KB，高密度盘容量为1.2MB；尺寸为3.5英寸的软盘：低密度盘容量为720KB，高密度盘容量为1.44MB。
3、存取周期：存取周期是指从存储器中取出(或存入)一个字到再能取出(或存入)下一个字所需要的时间。以毫微秒(ns)为单位。
㈨ 微机系统的主要性能指标是什么
微机系统的主要性能指标是：
1、运算速度：
运算速度是衡量计算机性能的一项重要指标；
2、字长：
计算机在同一时间内处理的二进制位数；
3、内存储器的容量：
内存储器，也简称主存，是CPU可以直接访问的存储器，内存储器容量的大小反映了计算机即时存储信息的能力；
4、外存储器的容量：
外存储器容量通常是指硬盘容量（包括内置硬盘和移动硬盘）。外存储器容量越大，可存储的信息就越多；
5、外部设备的配置及扩展能力：
主要指计算机系统配接各种外部设备的可能性、灵活性和适应性。
(9)外存储器类型及指标扩展阅读：
微机保护装置：
微机保护装置采用了国际先进的DSP和表面贴装技术及灵活的现场总线（CAN）技术，满足变电站不同电压等级的要求，实现了变电站的协调化、数字式及智能化。
此系列产品可完成变电站的保护、测量、控制、调节、信号、故障录波、电度采集、小电流接地选线、低周减载等功能，使产品的技术要求、功能、内部接线更加规范化。
产品采用分布式保护测控装置，可集中组屏或分散安装，也可根据用户需要任意改变配置，以满足不同方案要求。
微机保护装置适用于110KV及以下电压等级的保护、监控及测量，可用于线路、变压器、电容器、电动机、母线PT检测、备用电源自投回路及主设备的保护、控制与监视。
单元化的设计使其不但能方便地配备于一次设备，也可以集中组屏、集中控制。规范的现场总线接口支持多个节点协调工作，实现系统级管理和综合信息共适用范围。
网络-微机系统
㈩ 存储器的类型
根据存储材料的性能及使用方法的不同，存储器有几种不同的分类方法。1、按存储介质分类：半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器。
下面我们就来了解一下存储器的相关知识。
存储器大体分为两大类，一类是掉电后存储信息就会丢失，另一类是掉电后存储信息依然保留，前者专业术语称之为“易失性存储器”，后者称之为“非易失性存储器”。
1 RAM
易失性存储器的代表就是RAM（随机存储器），RAM又分SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）。
SRAM
SRAM保存数据是靠晶体管锁存的，SRAM的工艺复杂，生产成本高，但SRAM速度较快，所以一般被用作Cashe，作为CPU和内存之间通信的桥梁，例如处理器中的一级缓存L1 Cashe, 二级缓存L2 Cashe，由于工艺特点，SRAM的集成度不是很高，所以一般都做不大，所以缓存一般也都比较小。
DRAM
DRAM（动态随机存储器）保存数据靠电容充电来维持，DRAM的应用比SRAM更普遍，电脑里面用的内存条就是DRAM，随着技术的发展DRAM又发展为SDRAM（同步动态随机存储器）DDR SDRAM（双倍速率同步动态随机存储器），SDRAM只在时钟的上升沿表示一个数据，而DDR SDRAM能在上升沿和下降沿都表示一个数据。
DDR又发展为DDR2,DDR3,DDR4，在此基础上为了适应移动设备低功耗的要求，又发展出LPDDR(Low Power Double Data Rate SDRAM)，对应DDR技术的发展分别又有了LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4。
目前手机中运行内存应用最多的就是 LPDDR3和LPDDR4，主流配置为3G或4G容量，如果达到6G或以上，就属于高端产品。
2 ROM
ROM(Read Only Memory)在以前就指的是只读存储器，这种存储器只能读取它里面的数据无法向里面写数据。所以这种存储器就是厂家造好了写入数据，后面不能再次修改，常见的应用就是电脑里的BIOS。
后来，随着技术的发展，ROM也可以写数据，但是名字保留了下来。
ROM中比较常见的是EPROM和EEPROM。
EPROM
EPROM(Easerable Programable ROM)是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射IC上的透明视窗的方式来清除掉。这一类芯片比较容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住， 以防止遭到紫外线照射。
EPROM (Easerable Programable ROM)
EPROM存储器就可以多次擦除然后多次写入了。但是要在特定环境紫外线下擦除，所以这种存储器也不方便写入。
EEPROM
EEPROM(Eelectrically Easerable Programable ROM)，电可擦除ROM，现在使用的比较多，因为只要有电就可擦除数据，再重新写入数据，在使用的时候可频繁地反复编程。
FLASH
FLASH ROM也是一种可以反复写入和读取的存储器，也叫闪存，FLASH是EEPROM的变种，与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而FLASH的大部分芯片需要块擦除。和EEPROM相比，FLASH的存储容量更大。
FLASH目前应用非常广泛，U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡等等都属于FLASH，SSD固态硬盘也属于FLASH。
NOR FLAHS & NAND FLASH
Flash又分为Nor Flash和Nand Flash。
Intel于1988年首先开发出Nor Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面；随后，1989年，东芝公司发表了Nand Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。
Nor Flash与Nand Flash不同，Nor Flash更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而Nand Flash更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一样，而且Nand Flash与Nor Flash相比，成本要低一些，而容量大得多。
如果闪存只是用来存储少量的代码，这时Nor Flash更适合一些。而Nand Flash则是大量数据存储的理想解决方案。
因此，Nor Flash型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，Nand Flash型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如U盘、存储卡都是用Nand Flash型闪存。
在Nor Flash上运行代码不需要任何的软件支持，在Nand Flash上进行同样操作时，通常需要驱动程序。
目前手机中的机身内存容量都比较大，主流配置已经有32G~128G存储空间，用的通常就是Nand Flash，另外手机的外置扩展存储卡也是Nand Flash。