1. 存储的高密度性是什么意思
一动态随机存取存储器（DRAM）集成电路，包含一确定在一半导体基板内的凹陷区域。此凹陷区域具有自一底面延伸的基本上垂直的边侧。一场效三极管经确定以邻接于该凹陷区域。一包含有下电容器板、电容介电体及上电容器板的电容器结构，确定在该凹陷区域中、该场效三极管上方，借此提供较大的电容器表面。
2. 闪存卡的存储原理是什么
闪存卡存储原理是什么？闪存(Flash Memory)是非挥发存储的一种，具有关掉电源仍可保存数据的优点，同时又可重复读写且读写速度快、单位体积内可储存最多数据量，以及低功耗特性等优点。其存储物理机制实际上为一种新型EEPROM（电可擦除可编程只读存储）。是SCM（半导体存储器）的一种。早期的SCM采用典型的晶体管触发器作为存储位元，加上选择、读写等电路构成存储器。现代的SCM采用超大规模集成电路工艺制成存储芯片，每个芯片中包含相当数量的存储位元，再由若干芯片构成存储器。目前SCM广泛采用的主要材料是金属氧化物场效应管（MOS），包括PMOS、NMOS、CMOS三类，尤其是NMOS和CMOS应用最广泛。RAM（随机存取存储），是一种半导体存储器。必须在通电情况下工作，否则会丧失存储信息。RAM又分为DRAM（动态）和SRAM（静态）两种，我们现在普遍使用的PC机内存即是SDRAM（同步动态RAM），它在运行过程当中需要按一定频率进行充电（刷新）以维持信息。DDR DDR2内存也属于SDRAM。而SRAM不需要频繁刷新，成本比DRAM高，主要用在CPU集成的缓存（cache）上。PROM（可编程ROM）则只能写入一次，写入后不能再更改。EPROM（可擦除PROM）这种EPROM在通常工作时只能读取信息，但可以用紫外线擦除已有信息，并在专用设备上高电压写入信息。EEPROM（电可擦除PROM），用户可以通过程序的控制进行读写操作。闪存实际上是EEPROM的一种。一般MOS闸极(Gate)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide)，而Flash Memory的特色是在控制闸(Control gate)与通道间多了一层称为“浮闸”(floating gate)的物质。拜这层浮闸之赐，使得Flash Memory可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式；就算在不提供电源给存储的环境下，也能透过此浮闸，来保存数据的完整性。 Flash Memory芯片中单元格里的电子可以被带有更高电压的电子区还原为正常的1。Flash Memory采用内部闭合电路，这样不仅使电子区能够作用于整个芯片，还可以预先设定“区块”(Block)。在设定区块的同时就将芯片中的目标区域擦除干净，以备重新写入。传统的EEPROM芯片每次只能擦除一个字节，而Flash Memory每次可擦写一块或整个芯片。Flash Memory的工作速度大幅领先于传统EEPROM芯片。 MSM（磁表面存储）是用非磁性金属或塑料作基体，在其表面涂敷、电镀、沉积或溅射一层很薄的高导磁率、硬矩磁材料的磁面，用磁层的两种剩磁状态记录信息"0"和"1"。基体和磁层合称为磁记录介质。依记录介质的形状可分别称为磁卡存储器、磁带存储器、磁鼓存储器和磁盘存储器。计算机中目前广泛使用的MSM是磁盘和磁带存储器。硬盘属于MSM设备。ODM（光盘存储）和MSM类似，也是将用于记录的薄层涂敷在基体上构成记录介质。不同的是基体的圆形薄片由热传导率很小，耐热性很强的有机玻璃制成。在记录薄层的表面再涂敷或沉积保护薄层，以保护记录面。记录薄层有非磁性材料和磁性材料两种，前者构成光盘介质，后者构成磁光盘介质。ODM是目前辅存中记录密度最高的存储器，存储容量很大且盘片易于更换。缺点是存储速度比硬盘低一个数量级。现已生产出与硬盘速度相近的ODM。CD-ROM、DVD-ROM等都是常见的ODM。
3. ROM和RAM有啥区别
ROM和RAM指的都是半导体存储器。本来的含义是：ROM是Read Only Memory的意思，也就是说这种存储器只能读，不能写。而RAM是Random Access Memory的缩写。这个词的由来是因为早期的计算机曾经使用磁鼓作为内存，而磁鼓和磁带都是典型的顺序读写设备。RAM则可以随机读写，因此得名。
不过这是30年前的概念了。在半导体和计算技术突飞猛进的30年中，它们的含义都发生了一些变化。
现在ROM通常指非挥发的存储器，或者说，不掉电。系统停止供电的时候它们仍然可以保持数据。所以光盘也有CD-ROM或者DVD-ROM的说法。而RAM通常都是没电之后就没有数据的，典型的就象计算机的内存，需要系统重新启动的时候从硬盘重新载入数据。有的时候，如果数据可以擦写，也会借用RAM这个概念，譬如DVD-RAM，其实只是可以擦写的DVD光盘而已，并非真正的半导体存储器。
4. 存储器分类及各自特点有哪些
存储器分类依据不同的特性有多种分类方法。
（1）按工作性质/存取方式分类
•随机存取存储器 (RAM) -每个单元读写时间一样，且与各单元所在位置无关。如：内存。
•顺序存取存储器 (SAM) -数据按顺序从存储载体的始端读出或写入，因而存取时间的长短与信息所在位置有关。例如：磁带。
•直接存取存储器 (DAM) -直接定位到读写数据块，在读写数据块时按顺序进行。如磁盘。
•相联存储器 -按内容检索到存储位置进行读写。例如：快表。
（2）按存储介质分类
半导体存储器：双极型，静态MOS型，动态MOS型
磁表面存储器：磁盘、磁带
光存储器：CD，CD-ROM，DVD
（3）按信息的可更改性分类
读写存储器：可读可写
只读存储器：只能读不能写
（4）按断电后信息的可保存性分类
非易失（不挥发）性存储器：信息可一直保留， 不需电源维持。
易失（挥发）性存储器
（5）按功能/容量/速度/所在位置分类
•寄存器 -封装在CPU内，用于存放当前正在执行的指令和使用的数据 -用触发器实现，速度快，容量小（几~几十个）
•高速缓存-位于CPU内部或附近，用来存放当前要执行的局部程序段和数据 -用SRAM实现，速度可与CPU匹配，容量小（几MB）
•内存储器 -位于CPU之外，用来存放已被启动的程序及所用的数据 -用DRAM实现，速度较快，容量较大（几GB）
•外存储器-位于主机之外，用来存放暂不运行的程序、数据或存档文件 -用磁表面或光存储器实现，容量大而速度慢
5. 什么叫"非挥发"存储器
化肥会挥发
非化肥会非挥发
6. 存储芯片的组成
存储体由哪些组成
存储体由许多的存储单元组成，每个存储单元里面又包含若干个存储元件，每个存储元件可以存储一位二进制数0/1。
存储单元：
存储单元表示存储二进制代码的容器，一个存储单元可以存储一连串的二进制代码，这串二进制代码被称为一个存储字，代码的位数为存储字长。
在存储体中，存储单元是有编号的，这些编号称为存储单元的地址号。而存储单元地址的分配有两种方式，分别是大端、大尾方式、小端、小尾方式。
存储单元是按地址寻访的，这些地址同样都是二进制的形式。
MAR
MAR叫做存储地址寄存器，保存的是存储单元的地址，其位数反映了存储单元的个数。
用个例子来说明下：
比如有32个存储单元，而存储单元的地址是用二进制来表示的，那么5位二进制数就可以32个存储单元。那么，MAR的位数就是5位。
在实际运用中，我们 知道了MAR的位数，存储单元的个数也可以知道了。
MDR
MDR表示存储数据寄存器，其位数反映存储字长。
MDR存放的是从存储元件读出，或者要写入某存储元件的数据（二进制数）。
如果MDR=16,，每个存储单元进行访问的时候，数据是16位，那么存储字长就是16位。
主存储器和CPU的工作原理
在现代计算中，要想完成一个完整的读取操作，CPU中的控制器要给主存发送一系列的控制信号（读写命令、地址译码或者发送驱动信号等等）。
说明：
1.主存由半导体元件和电容器件组成。
2.驱动器、译码器、读写电路均位于主存储芯片中。
3.MAR、MDR位于CPU的内部芯片中
4.存储芯片和CPU芯片通过系统总线（数据总线、系统总线）连接。
7. 试比较RAM和ROM各自具有什么特点
先说说什么是ram、rom。
他们都是存储器，属于半导体存储器，只是从读、写数据（或者说存、取数据）功能上分为ram和rom。
ram是由英文random
access
memory的首字母构成的，意为随机存储器，即在正常工作状态下可以往存储器中随时读写数据。根据存储单元工作原理的不同，ram又可分为静态存储器（sram）和动态存储器(dram)。ram的特点：可读可写；给存储器断电后，里面存储的数据会丢失。我们经常说的内存，比如计算机的内存，手机的内存，包括cpu里用的高速缓存，都属于ram这类存储器。
rom是由英文read
only
memory的首字母构成的，意为只读存储器。顾名思意，就是这样的存储器只能读，不能像ram一样可以随时读和写。它只允许在生产出来之后有一次写的机会，数据一旦写入则不可更改。它另外一个特点是存储器掉电后里面的数据不丢失，可以存放成百上千年。此类存储器多用来存放固件，比如计算机启动的引导程序，手机、mp3、mp4、数码相机等一些电子产品的相应的程序代码。
在微机系统里，ram一般用作内存，rom用来存放一些硬件的驱动程序，也就是固件。
8. 什么是挥发性存储器非挥发性存储器呢
挥发性和非挥发性存储器跟掉电丢失与否有关。前者为掉电数据丢失。
RAM为随机存取存储器，理论上断电后数据全丢失，但是非挥发性RAM内置了一个电源，有个检测系统是否掉电的电路，当监测到掉电时，即接通内部电源以确保时间保持和内存数据不受破坏。这相当于没有掉电，即RAM的数据也没丢失。
9. 介绍存储器
内存(memory)，亦称为存储器，是一种利用半导体技术做成的电子装置，用来储存资料。电子电路的资料是以二进制的方式储存，内存的每一个储存单元称做记忆元或记忆胞(Cell)。
分类
根据储存能力与电源的关系可以分为两类：
挥发性(Volatile)内存：指的是当电源供应中断后，内存所储存的资料便会消失，一般称之为RAM。有两种主要的类型
DRAM：动态随机存取内存
SRAM：静态随机存取内存
非挥发性(Non-Volatile)内存：即使电源供应中断，内存所储存的资料并不会消失，重新供电后，就能够读取内存资料
ROM(Read-Only Memory，唯读内存)
一种只能读取资料的内存。在制造过程中，将资料以一特制光罩(mask)烧录于线路中，其资料内容在写入后就不能更改，所以有时又称为光罩式唯读内存(mask ROM)。此内存的制造成本较低，常用于计算机中的开机启动。
PROM (Programmable ROM，可编程唯读内存)
内部有行列式的镕丝，视需要利用电流将其烧断，写入所需的资料，但仅能写录一次。
EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory，可抹除可编程唯读内存)
利用高电压将资料编程写入，抹除时将线路曝光于紫外线下，则资料可被清空，并且可重复编程使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。
OTPROM(One Time Programmable Read Only Memory，OTP，一次编程唯读内存)
写入原理同EPROM，但是为了节省成本，编程写入之后就不再抹除，因此不设置透明窗。
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，电子式可抹除可编程唯读内存)
类似EPROM 但是抹除的方式是使用高电场来完成，因此不需要透明窗。
Flash memory (闪存)
此内存每一个记忆胞都具有一个控制闸与浮动闸，利用高电场改变浮动闸的临限电压即可进行编程动作。
10. 半导体存储器分哪两类，区别是什么
半导体存储器可区分为挥发性和非挥发性存储器两大类。挥发性的如DRAM和SRAM，若其供应电源关闭，将会丧失所储存的信息。相比之下，非挥发性存储器却能在电源供应关闭时保留所储存的信息。