A. 海力士内存条是海外版的吗
海力士内存条不是海外版的。海力士是韩国品牌，主要生产内存的，原名是大名鼎鼎的，没听说过其有SSD产品，不过SSD的核心也是闪存。
海力士内存条是韩国知名品牌海力士旗下的经典系列产品，它最为突出的优势就是在于产品自身所具有特性以及质量参数和实际使用评测板块的内容，并且除此之外，关于更进一步的选购介绍板块的技巧和知识。
内存条的组成
一个完整的存储器模块由PCB板、SPD芯片和存储器颗粒组成，其中存储器颗粒是最重要的，存储器的容量和频率由存储器颗粒决定。能生产内存颗粒的主要厂商有韩国的三星、海力士。
美国的美光镁日本的NEC恩义、日立、ELPIDA由NEC、日立内存部门合并，台湾的南亚南亚、温邦、PSC力晶，德国的西门子、英飞凌由西门子内存重组、奇梦达由英飞凌内存重组等。
B. 海力士哪个部门轻松
刚入职的新员工，被分配到安全部门，可以暂时先干着，以后再调动
C. 海力士的发展过程
2013年11月15日海力士在无锡增资25亿美元，此次签约的五期项目将从29纳米提升至25纳米级,并争取提升 至10纳米级,预计到2016年完成该项技术升级。
2013年09月4日下午3:30左右，无锡Hynix厂房起火，原因未知。
2012年02月韩国第三大财阀SK集团入主Hynix，更名SKhynix。
2009年05月 成立中国无锡市后续工程合作社
04月 世界最先开发低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM
03月 世界最先发表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 产品认证
02月世界最先开发44nm DDR3 DRAM
01月 世界最先获得关于以服务器4GB ECC UDIMM用模块为基础的超高速DDR3的英特尔产品认证。
2008年 12月 世界最先开发2Gb Mobile DRAM
11 月引进业界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM
08月 清州第三工厂的300mm组装厂竣工
世界最先推出使用MetaRAMtm 技术的16 GB 2-Ran kR-DIMM
为引进崭新而创新性NAND闪存存储器产品及技术的Numonyx及海力士的努力扩大
05月 与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案
04月 为撤回对海力士DRAM的相计关税的EU理事会的措施表示欢迎开发出世界最高速Mobile LPDDR2
02月 引进2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
01月 签署关于在对下一代不挥发性存储器技术的共同R&D程序上进行合作的合同
2008年发表00MHz、1GB/2GB UDIMM 产品认证
2007年12月成功发行国际可兑换券(global convertible notes)
11月WTO做出判决海力士进口芯片相关报复性关税一案，日本败诉。与SiliconFile公司签署CIS事业合作协议，获得对 1Gb DDR2 DRAM的英特尔产品认证，业界最先开发1Gb GDDR5 DRAM
10月与Ovonyx公司签署关于PRAM的技术及许可证合同与环境运动联合(韩国)签署关于在环境管理上进行合作的合同
09月以24层叠芯片(stacked chips)，世界最先开发NAND闪存MCP
08月开发出业界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM
07月发表企业中长期总体规划
05月业界最先获得关于DDR3 DRAM的英特尔产品认证
04月DOC H3开始大量生产在韩国清州300mm设施开工实现最高水平的营业利润率
03月开发出世界最高速ECC Mobile DRAM发表“生态标记(ECO Mark)”与Toshiba签署半导体特许商户许可证及供应合同
与SanDisk就特许商户许可证合同达成协议及签署关于对x4技术建立合作公司的谅解备忘录(MOU)金钟甲就任新任 代表理事、社长
01月开发出以“晶圆级封装(Wafer Level Package)”技术为基础的超高速存储器模块
2006年创下最高业绩及利润
2006年12月业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模块，开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM
10月创下创立以来最高业绩，通过海力士ST半导体(株)的竣工，构建国际性生产网络
09月300mm研究生产线下线
03月业界最先获得英特尔对80nm 512Mb DDR2 DRAM的产品认证
01月发表与M-Systems公司的DOC H3共同开发计划(闪存驱动器内置的新型DiskOnChip)
2005年12月 世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM
11月 业界最先推出JEDEC标准8GB DDR2 R-DIMM
07月 提前从企业重组完善协议中抽身而出
04月 海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼
03月 发布2004年财务报表，实现高销售利润
01月 与台湾茂德科技签订战略性合作伙伴协议
2004年11月 与意法半导体公司（STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协议
08月 与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协议
07月 获得公司成立以来最大的季度营业利润
06月 签订非内存事业营业权转让协议
03月 行业首次开发超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM获得Intel的认证
02月 成功开发NAND闪存
2003年12月 宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU
08月 宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世。
07月 宣布在世界上首次发表DDR500
06月 512M DDR400产品在DRAM业内首次获得因特尔的认证
05月 采用0.10微米工艺技术投入生产，超低功率256Mb SDRAM投入批量生产
04月 宣布与STMicroelectronics公司签定协议合作生产NAND闪存
03月 发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM
2002年11月 出售HYDIS， TFT-LCD业务部门
10月 开发0.10微米、512MB DDR
08月 在世界上首次开发高密度大宽带256MB的DDR SDRAM
06月 在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户
03月 开发1G DDR DRAM模块
2001年08月 开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM
08月 完成与现代集团的最终分离
07月 剥离CDMA移动通信设备制造业务‘Hyundai Syscomm’
05月 剥离通信服务业务‘Hyundai CuriTel’
剥离网络业务‘Hyundai Networks’
03月 公司更名为“Hynix半导体有限公司”
2000年08月 剥离显示屏销售业务‘Hyundai Image Quest’
04月 剥离电子线路设计业务‘Hyundai Autonet’
1999年10月 合并LG半导体有限公司，成立现代半导体株式会社
03月 出售专业的半导体组装公司（ChipPAC）
1998年09月 开发64M的DDR SDRAM
1997年05月 在世界上首次开发1G SDRAM
1996年12月 公司股票上市
1989年11月 完成FAB III
09月 开发4M的DRAM
1988年11月 在欧洲当地设立公司（HEE）
01月 开发1M的DRAM
1986年06月 举行第一次员工文化展览会“Ami Carnical”
04月 设立半导体研究院
1985年10月 开始批量生产256K的DRAM
1984年09月 完成FAB II-A
1983年02月创立现代电子株式会社，公司概要展望商业领域主要历程可持续经营，持续经营报告书伦理经营，伦理经营宣言伦 理纲领组织介绍实践体系产业保安方针在线举报公司标志
D. 海力士是做什么的
当然是做半导体的
E. 无锡海力士最好的部门
你好，你是要问无锡海力士最好的部门是哪个吗？无锡海力士最好的部门是品质管理部门。海力士是做内存芯片的。品质管理部门还是不错的，工资很高,和行政部门不在一栋楼,工作很轻松也和做行政工作差不多了都是坐办公室的，有机会能进去就好好把握哦
F. 海力士什么部分技术好
海力士半导体存储器技术好
海力士的成功一方面得益于其对半导体存储器技术的专注，另外一方面则跟其“逆向发展思维”有比较大的关系。同时在市场发展之中，海力士与三星电子保持了比较好的协同，这才有了其在最近几年内赚得盆满钵满的情况出现。对于众多的国产科技企业而言，海力士的发展之路、发展思维还是非常值得学习和借鉴的。“师夷之技以制夷”，希望在未来几年时间之内，国内能出现很多的超越海力士的科技企业。
G. 海力士最毒的部门
制造部。
1、无锡海力士有制造部，制造技术，装备，良率，四大部门。
2、海力士公司的制造部是制造有毒化学品，厂区周边气味刺鼻，所以最毒的部门就是制造部。
H. 海力士内存怎么样
海力士内存就是韩国现代内存 Hynix , 目前也属于全球前五大内存厂商，产品在品质，可靠性等方面在三星，MT,ELPIDA 之下，但还是很不错的。
I. 无锡海力士都有什么部门啊 都是搞什么任务的
位于无锡高新技术开发区内的海力士-意法
半导体有限公司是一家韩国独资企业,也是目前江苏省最大的外商投资项目,投资规模20亿美元。2005年2月,海力士(无锡)公司获国务院批准筹建,计划在2006年建成8英寸、12英寸晶圆生产线各一条,从事记忆芯片制造、封装和测试。去年4月在新区正式开工建设以来,8英寸晶圆已进入全面试生产阶段,今年6月底12英寸生产厂房也将按时完工。目前该公司的新员工正在接受上岗培训.
J. 海力士半导体DA是什么部门
摘要 Hynix 海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。