⑴ 三星双核运行内存512的手机。软件经常升级，手机会变得越来越慢吗
尊敬的三星用户您好：
根据您的描述，手机若有了新的固件，会有推送更新通知，固件升级可以对机器的部分功能进行优化、完善手机系统，使手机系统更稳定、更流畅。建议您按照以下方法参考尝试：
1.通过FOTA升级：手机里设定--关于设备--系统更新--更新，以下是三星官网FOTA的升级方法供您参考：http://www.samsung.com/cn/support/skp/faq/1022762
2.通过KIES连接电脑来更新固件，以下是三星官网kies软件升级的方法供您参考：
http://www.samsung.com/cn/support/skp/faq/1034500
3.若通过以上方法不能升级，也可以带好购机发票、包修卡和机器送到三星服务中心，由工程师检查机器并升级处理。三星服务中心具体位置请点击以下链接：http://support-cn.samsung.com/support/ServiceLocations.asp
三星企业知道，为您提供优质的解决方案，用心解答您的问题，希望能够得到您的满意评价。
⑵ 64层3D MLC 三星860 PRO 512GB SSD评测
【IT168 评测】三星在3D NAND上算得上先行者，其早在2014年就推出了消费级市场中首款应用3D闪存的SSD——850 PRO/EVO。时隔近4年之后，三星终于拿出了850 PRO/EVO的升级产品——860 PRO/EVO，闪存颗粒的堆叠层数也进化到了64层，今天我们就来聊聊512GB的860 PRO。
一、外观/内部解析
860 PRO在包装上依然延续了三星SSD一贯的设计风格，正面右侧是产品图，左侧下方印有860 PRO的产品型号、SATA 6Gb/s的接口速度以及V-NAND的字样，右上角标有512GB的容量。
860 PRO的本体，外形是我们非常熟悉的2.5英寸大小，正面只有三星和SSD的全称字样，并没有产品型号，下面有一个红色的方块，右侧还有一个箭头用来指明接口方向。
SSD的背面，这里和产品相关的信息就比较多了，型号、容量、生产日期、工作电压电流等都非常详细。我们手上的这块512GB的860 PRO是在2017年11月生产的。
一般来说SSD背面的固定螺丝孔都是和背面一体的（也就是在背面挖个孔），而860 PRO背面的螺丝孔是和侧面的螺丝孔一体成型的，并且在表面进行了抛光处理。这种固定方式显然比在背面直接开孔更加稳固，当然这对SSD正面壳体的强度也有更高的要求。
硬盘接口部分，左侧7针的是SATA 3.0接口，理论带宽6Gb/s，右侧15针的是供电接口。
860 PRO的顺序读写速度最高可达560MB/s和530MB/s，随机读写速度最高可以达到100K IOPS和90K IOPS，这个速度放在SATA硬盘里也并不出众，毕竟SATA 3.0的接口带宽摆在那里。
小心拧下背面的三颗螺丝就可以把背面取下了（有两颗在铭牌贴纸下面），需要注意的是860 PRO的固定螺丝是不太常见的五角梅花螺丝，如果没有合适的螺丝头可以用一字代替。
取下背面之后你会发现860 PRO的PCB居然这么小，大约只有2.5英寸硬盘面积的1/3，说实话笔者在拆开后也被震惊了。
PCB正面由一颗主控+一颗缓存+一颗闪存颗粒组成，还有许多密密麻麻的电容。
PCB背面只有一颗闪存颗粒，加上正面的一颗，两颗一共组成512GB。在这么小的PCB上竟然可以装下500GB的文件，想想都觉得不可思议。
主控颗粒是三星自家的MJX控制器，关于这颗主控的核心数量、制造工艺等信息目前还不清楚，只知道它增加了对LPDDR4缓存的支持。
缓存颗粒为512MB的LPDDR4。
闪存颗粒为三星自家64层堆栈的3D MLC V-NAND，这也是三星的第四代3D NAND，单颗容量256GB，写入寿命600TBW，也就是约1200次全盘写入。
去年就已经有一些厂商推出了应用64层闪存颗粒的SSD了，比如西数的蓝盘3D NAND SSD、东芝的TR200，860 PRO和他们最大的区别就是使用了MLC的闪存颗粒。
二、基准性能测试
测试平台如下表：
测试环境、软件如下表：
测试平台是英特尔的第八代酷睿i7-8700K，搭配微星的Z370主板，两条金士顿骇客神条内存，主硬盘是英睿达的MX300 750GB，其余配置请看上表。
测试软件则是大家非常熟悉的AS SSD、ATTO、CDI、CDM、TxBENCH、PCMark 8以及三星自家的魔术师软件。
首先用CrystalDiskInfo看一下硬盘信息，确认当前的传输模式为SATA 3.0（6Gb/s），另外可以看到硬盘的通电次数只有2次，非常新。
熟悉AS SSD的朋友都知道，在所有硬盘跑分软件中它的分数是最低的，和官方标称值差距最大，我们手上的这块860 PRO 512GB的顺序读写速度分别能够达到524MB/s和488MB/s，单线程下的4K随机读写速度为45MB/s和119MB/s。
在切换到IOPS后，64线程下的读写速度分别可以达到97K IOPS和87K IOPS，和标称值有一些差距，但也在合理的范围内。
在ATTO的测试中，860 PRO 512GB的最高顺序读写速度分别有559MB/s和524MB/s，和官方值很接近了。
再来看CDM的测试，Q32T1下的顺序读写速度分别有558 MB/s和518MB/s，读取速度和ATTO的成绩基本一致。Q1T1下的随机读写速度为48MB/s和139MB/s。
在TxBENCH的测试中，554MB/s、510MB/s的顺序读写速度同样很接近官方标称值，单队列深度下的随机读写速度为47MB/s和122MB/s，这和前几款测试软件的成绩也是相符的。
再来看PCMark 8的存储测试，总分4979分，带宽285.35MB/s，这个成绩在SATA SSD中算比较高的了，但是如果你仔细对比过下面的每一个测试项的话，你会发现SATA SSD之间只有在进行重度Photoshop处理的时候才有比较明显的差距，其余测试项的差距基本都在一两秒以内。
最后再来看看三星自家魔术师软件的测试成绩，顺序读写分别有557MB/s和523MB/s，随机读写分别有96K IOPS和85K IOPS，顺序读写速度和ATTO的非常接近。
三、评测总结
在西数、东芝相继推出64层3D闪存颗粒的SSD之后，三星也终于拿出了同属64层堆栈的3D NAND SSD——860 PRO/EVO，新品正是基于自家V-NAND技术的第四代3D NAND，两者之间就是MLC和TLC的区别。
经过我们的测试，860 PRO 512GB的顺序读写速度基本在550MB/s和510MB/s以上，单线程下的4K随机读写速度基本在45MB/s和120MB/s以上。尽管SATA SSD之间的速度相差不大，但是凭借600TBW的总写入量（1200次的全盘写入次数），860 PRO无疑有着更加可靠的品质。
⑶ 求三星的这个内存芯片是多大的 k4B4G1646D-BCMA 有图
单芯片4Gb DDR3-1866MHz，512MB的
⑷ 512k*8的RAM芯片需要多少条地址线进行寻址，需要多少条数据线具体过程
19条地址线，8条数据线，512K为2的19次方，K代表2的10次方，512为2的9次方，后面的8条数据线。
比如：
将8个RAM芯片以并联方式通过PCB走线连接，可以组成一个8Kx8bit存储器。要完成所有的寻址最少需要13条地址线。完成PBANK片选需要3条地址线。
128根芯片组选择地址线，其中两个512*4的RAM芯片共用一根芯片组选择地址线。芯片组选择地址线即共用的片选线。
(4)三星512存储芯片扩展阅读：
在地址位多处理器协议中（ADDR/IDLEMODE位为1），最后一个数据位后有一个附加位，称之为地址位。数据块的第一个帧的地址位设置为1，其他帧的地址位设置为0。地址位多处理器模式的数据传输与数据块之间的空闲周期无关（参看图在SCICCR寄存器中的位3——ADDR/IDLE MODE位）。一根地址线只能表示1和0。
⑸ 512G固态硬盘哪个品牌的好
固态硬盘的话，不得不承认还是三星的好，
毕竟三星是自己做存储芯片并自己生产的，
所以在性能和品质方面都是有保障的，
这也是为什么三星的价格比其他品牌的要贵一些的原因。
512G的可以考虑下三星的（SAMSUNG）970 PRO SSD固态硬盘 M.2接口(NVMe协议) 笔记本台式机硬盘 512GB 五年质保，
如果是SATA接口的固态硬盘可以考虑SATA3.0接口 860 PRO（MZ-76P512B）
⑹ 三星内存卡512g实际内存多少
三星512g内存卡实际有490g左右。原因是产品标称是按照1MB等于1000KB来计算的，而实际检测是采用1MB等于1024KB的标准，因此会有些不一样。例如标称为512MB，实际容量是512×1000×1000＝512000000B，如果按照1MB＝1024KB来计算。
那么512000000÷1024÷1024约等于490左右。
三星手机寿命
一般三星手机寿命是三到四年，但是现在很多人用手机一年甚至是两年就不用了，手机的款式更新换代太快了，因此现在很多人一年换一部手机也是并不奇怪的。对于手机的使用寿命，可能很多人都觉得越贵的手机质量越好，那么手机使用的时间肯定也越长，其实并不是这样。
但是尽管现在的人换手机换的这个频繁，大部分人在选手机的时候还是很注意手机的质量问题，比如认定一个品牌的手机，一般都是信任它的质量。
⑺ 三星galaxys21ultra5G16GB+512手机测评打游戏发热厉害吗
1月18日，全新三星Galaxy S21 5G系列智能手机在国内正式发布，这一备受大家期待的系列共包括三星Galaxy S21 5G、三星Galaxy S21+ 5G和三星Galaxy S21 Ultra 5G三款机型。众所周知，三星手机一直以来都是性能的代名词，凭借着行业领先的强劲手机性能，获得了游戏玩家的青睐。而最新的三星Galaxy S21 5G系列更是全系搭载了骁龙888处理器，配合最高16GB内存，至高5000mAh电池，120Hz自适应刷新率，动态AMOLED屏幕，游戏助推器2.0，智能电池管理等等给用户带来极致游戏体验，助力游戏玩家决战巅峰游戏赛场，一战成名，且续航持久。
三星Galaxy S21 5G系列搭载了三星Galaxy系列迄今为止最强大的智能手机芯片高通骁龙888，这颗芯片采用了业界最先进的5nm制程工艺，全新的8核设计中包括一个2.84GHz的ARM Cortex-X1超大核、三个2.4GHz的A78中核以及四个1.8GHz的A55小核，CPU性能直接起飞，在GPU方面图形核心则升级至Adreno 660，性能提升35%。所有的这些升级使得三星Galaxy S21 5G系列在运行速度、计算能力与能效等方面都有了大幅跃升，面对各种游戏都能够轻松驾驭，搭配游戏助推器2.0，更是将游戏体验做到了极致，全新推出“沉浸模式”玩家只需要尽情享受畅快的游戏体验就完事了。
三星Galaxy S21 5G系列中的最大杯三星Galaxy S21 Ultra 5G搭载了16GB+512GB内存组合，进一步保障游戏体验，16GB的内存让你完全不用担心在多任务下游戏会闪退以及被清后台的问题，卡顿和延迟也都通通不存在，享受更加沉浸的体验，给足了游戏运行空间，512GB的存储可以让你将主流游戏全部安装在手机内，想玩哪个就点哪个。
续航能力也是保障游戏体验的一个重要因素，三星Galaxy S21 5G系列还内置了更具智能的电池，利用三星的AI技术，将性能与功耗进一步平衡，以实现全天候持久续航。在三星Galaxy S21 Ultra 5G上搭载了一块5000mAh的大电池，这个容量无论是对重度使用用户还是游戏玩家都让人很安心，长时间游戏也能持久发力，续航长久，在这个电池容量基础上，可以让骁龙888尽情释放它的游戏性能。同时三星Galaxy S21 5G系列具有25W的快速充电功能，算是一个还不错的水平，在电量耗尽时也能够快速回血。
好的屏幕也在一定程度会提升游戏体验。三星Galaxy S21 5G系列都采用了第二代动态AMOLED屏幕，三款机型均支持120Hz自适应屏幕刷新率，让玩家在游戏过程中能享受到丝般顺滑、栩栩如生的画质。其中三星 Galaxy S21 Ultra 5G是三星首款可以同时支持120Hz自适应刷新率和2K高分辨率的机型，带来的极致游戏视觉享受。
三星 Galaxy S21 Ultra 5G凭借着强大的整体游戏性能以及屏幕和续航方面的优秀表现，被中国泰尔实验室授予了多项五星证书，包括“游戏高性能”五星证书、“手机屏幕”五星证书、“移动智能终端续航性能”五星续航能力证书，当之无愧是一款能够带来极致游戏体验的手机，能够获得如此多证书，实至名归。
总结：
搭载骁龙888+16GB内存+5000mAh电池+120Hz高刷+动态AMOLED屏幕，为用户提供了旗舰级的游戏平台，带来了全方位的极致流畅游戏体验，配合智能电池管理还拥有持久的续航能力，获得多项五星证书认证的三星 Galaxy S21 Ultra 5G更是代表了绝对的巅峰游戏实力，如果你是一名手机游戏极客玩家，想体验到高配置、高性能带来的绝佳沉浸式游戏体验，那三星Galaxy S21 5G系列智能手机一定是你的不二选择，拥有它，将助力你决战巅峰游戏赛场！
⑻ 三星I8000rom是512，ram是256，还有2G，8G，16G的，请问这三者到底有什么区别
RAM是由英文Random Access Memory的首字母构成的，意为随机存储器，即在正常工作状态下可以往存储器中随时读写数据。根据存储单元工作原理的不同，RAM又可分为静态存储器（SRAM）和动态存储器(DRAM)。RAM的特点：可读可写；给存储器断电后，里面存储的数据会丢失。我们经常说的内存，比如计算机的内存，手机的内存，包括CPU里用的高速缓存，都属于RAM这类存储器。 ROM是由英文Read only Memory的首字母构成的，意为只读存储器。顾名思意，就是这样的存储器只能读，不能像RAM一样可以随时读和写。它只允许在生产出来之后有一次写的机会，数据一旦写入则不可更改。它另外一个特点是存储器掉电后里面的数据不丢失，可以存放成百上千年。此类存储器多用来存放固件，比如计算机启动的引导程序，手机、MP3、MP4、数码相机等一些电子产品的相应的程序代码。 综上所述，RAM指的是手机的内存，ROM指的是存放手机固件代码的存储器，比如手机的操作系统、一些应用程序如游戏等！
rom和刷机rom类似电脑xp，和xp安装盘！2G是机身容量！有时候有些经销少也把手机支持内存卡容量也这么写是误导人的
⑼ 三星840pro ssd固态硬盘512g 2.5行业版841 mlc芯片mz7pd512 850 怎么样
速度快的是采用PCI-E接口采用NVMe协议的SSD，这些产品为家用旗舰版的顶级，例如intel 750、三星的950pro，速度可达到2G/S以上。但这些接口的SSD由于启动过程中需要加载驱动，实际开机速度并不比高端SATA3.0接口的SSD快，启动后使用中的数据读写速度确实高。
SATA3.0接口的高端产品有intel 730 480G，三星850pro 256G以上，浦科特M6P 256G以上等，，再低一些档次的有浦科特M6P、闪迪至尊超极速、东芝Q300PRO等。
耐用方面：采用MLC颗粒的盘基本在正常使用条件下很难在保修期内把颗粒寿命写完。所以除非作为服务器（在服务器上使用建议还是选择企业版的）或单纯写入测试用，否则不用考虑耐用问题。另一耐用指标是意外断电的掉盘，这个无法避免，哪个品牌都有可能出现，相对来说具有掉电保护功能的SSD能降低挂盘的几率，如INTEL 730系列，但也有掉盘的。
所以目前家用如果选择PCI-E NVMe协议的盘，推荐INTEL 750 400G或1.2TB，但需要注意的是要主板支持启动才可以。选择SATA3.0接口的盘高端推荐intel 730 480G（240G版本写入偏低），三星850Pro 256G以上。
普通使用也需要较好性能的可选闪迪至尊超极速和东芝Q300pro，再低一点的有浦科特M6S 、Q200 EX、镁光MX200、OCZ ARC 100、闪迪加强版，最好选择240G以上的。