A. 什么是寄存器的容量衡量存储器容量的单位是什么
介绍一些最新的RAM技术词汇
CDRAM-Cached DRAM——高速缓存存储器
CVRAM-Cached VRAM——高速缓存视频存储器
DRAM-Dynamic RAM——动态存储器
EDRAM-Enhanced DRAM——增强型动态存储器
EDO RAM-Extended Date Out RAM——外扩充数据模式存储器
EDO SRAM-Extended Date Out SRAM——外扩充数据模式静态存储器
EDO VRAM-Extended Date Out VRAM——外扩充数据模式视频存储器
FPM-Fast Page Mode——快速页模式
FRAM-Ferroelectric RAM——铁电体存储器
SDRAM-Synchronous DRAM——同步动态存储器
SRAM-Static RAM——静态存储器
SVRAM-Synchronous VRAM——同步视频存储器
3D RAM-3 DIMESION RAM——3维视频处理器专用存储器
VRAM-Video RAM——视频存储器
WRAM-Windows RAM——视频存储器(图形处理能力优于VRAM)
MDRAM-MultiBank DRAM——多槽动态存储器
SGRAM-Signal RAM——单口存储器
2.存储器有哪些主要技术指标
存储器是具有“记忆”功能的设备，它用具有两种稳定状态的物理器件来表示二进制数码“0”和“1”，这种器件称为记忆元件或记忆单元。记忆元件可以是磁芯，半导体触发器、MOS电路或电容器等。位(bit)是二进制数的最基本单位，也是存储器存储信息的最小单位，8位二进制数称为一个字节(Byte)，可以由一个字节或若干个字节组成一个字(Word)在PC机中一般认为1个或2个字节组成一个字。若干个忆记单元组成一个存储单元，大量的存储单元的集合组成一个存储体(MemoryBank)。为了区分存储体内的存储单元，必须将它们逐一进行编号，称为地址。地址与存储单元之间一一对应，且是存储单元的唯一标志。应注意存储单元的地址和它里面存放的内容完全是两回事。
根据存储器在计算机中处于不同的位置，可分为主存储器和辅助存储器。在主机内部，直接与CPU交换信息的存储器称主存储器或内存储器。在执行期间，程序的数据放在主存储器内。各个存储单元的内容可通过指令随机读写访问的存储器称为随机存取存储器(RAM)。另一种存储器叫只读存储器(ROM)，里面存放一次性写入的程序或数据，仅能随机读出。RAM和ROM共同分享主存储器的地址空间。RAM中存取的数据掉电后就会丢失，而掉电后ROM中的数据可保持不变。因为结构、价格原因，主存储器的容量受限。为满足计算的需要而采用了大容量的辅助存储器或称外存储器，如磁盘、光盘等。存储器的特性由它的技术参数来描述。
存储容量：存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量。一般主存储器(内存)容量在几十K到几十M字节左右；辅助存储器(外存)在几百K到几千M字节。
存取周期：存储器的两个基本操作为读出与写入，是指将信息在存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为取数时间TA；两次独立的存取操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC。半导体存储器的存取周期一般为60ns-100ns。
存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均故障间隔时间MTBF来衡量。MTBF可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。MTBF越长，表示可靠性越高，即保持正确工作能力越强。
性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容。性能价格比是一个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。对于外存储器，要求容量极大，而对缓冲存储器则要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/价格比是评价整个存储器系统很重要的指标。
SDARM能成为下一代内存的主流吗
快页模式(FPM)DRAM的黄金时代已经过去。随着高效内存集成电路的出现和为优化Pentium芯片运行效能而设计的INTEL HX、VX等核心逻辑芯片组的支持，人们越来越倾向于采用扩展数据输出(EDO)DRAM。EDO DRAM采用一种特殊的内存读出电路控制逻辑，在读写一个地址单元时，同时启动下一个连续地址单元的读写周期。从而节省了重选地址的时间，使存储总线的速率提高到40MHz。也就是说，与快页内存相比，内存性能提高了将近15%～30%，而其制造成本与快页内存相近。但是EDO内存也只能辉煌一时，其称霸市场的时间将极为短暂。不久以后市场上主流CPU的主频将高达200MHz以上。为优化处理器运行效能，总线时钟频率至少要达到66MHz以上。多媒体应用程序以及Windows 95和Windows NT操作系统对内存的要求也越来越高，为缓解瓶颈，只有采用新的内存结构，以支持高速总线时钟频率，而不至于插入指令等待周期。这样，为适应下一代主流CPU的需要，在理论上速度可与CPU频率同步，与CPU共享一个时钟周期的同步DRAM(SYNCHRONOUS DRAMS)即SDRAM(注意和用作CACHE的SRAM区别，SRAM的全写是Static RAM即静态RAM，速度虽快，但成本高，不适合做主存)应运而生，与其它内存结构相比，性能价格比最高，势必将成为内存发展的主流。
SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储体或阵列访问数据的同时，另一个已准备好读写数据。通过两个存储阵列的紧密切换，读取效率得到成倍提高。去年推出的SDRAM最高速度可达100MHz，与中档Pentium同步，存储时间高达5～8ns，可将Pentium系统性能提高140%，与Pentium 100、133、166等每一档次只能提高性能百分之几十的CPU相比，换用SDRAM似乎是更明智的升级策略。在去年初许多DRAM生产厂家已开始上市4MB×4和2MB×8的16MB SDRAM内存条，但其成本较高。现在每一个内存生产厂家都在扩建SDRAM生产线。预计到今年底和1998年初，随着64M SDRAM内存条的大量上市，SDRAM将占据主导地位。其价格也将大幅下降。
但是SDRAM的发展仍有许多困难要加以克服，其中之一便是主板核心逻辑芯片组的限制。VX芯片组已开始支持168线SDRAM，但一般VX主板只有一条168线内存槽，最多可上32M SDRAM，而简洁高效的HX主板则不支持SDRAM。预计下一代Pentium主板芯片组TX将更好的支持SDRAM。Intel最新推出的下一代Pentium主板芯片组TX将更好的支持SDRAM。
SDRAM不仅可用作主存，在显示卡专用内存方面也有广泛应用。对显示卡来说，数据带宽越宽，同时处理的数据就越多，显示的信息就越多，显示质量也就越高。以前用一种可同时进行读写的双端口视频内存(VRAM)来提高带宽，但这种内存成本高，应用受很大限制。因此在一般显示卡上，廉价的DRAM和高效的EDO DRAM应用很广。但随着64位显示卡的上市，带宽已扩大到EDO DRAM所能达到的带宽的极限，要达到更高的1600×1200的分辨率，而又尽量降低成本，就只能采用频率达66MHz、高带宽的SDRAM了。SDRAM也将应用于共享内存结构(UMA)——一种集成主存和显示内存的结构。这种结构在很大程度上降低了系统成本，因为许多高性能显示卡价格高昂，就是因为其专用显示内存成本极高，而UMA技术将利用主存作显示内存，不再需要增加专门显示内存，因而降低了成本。
什么是Flash Memory存储器
介绍关于闪速存储器有关知识近年来，发展很快的新型半导体存储器是闪速存储器(Flash Memory)。它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言，Flash Memory属于EEPROM(电擦除可编程只读存储器)类型。它既有ROM的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写，功耗很小。目前其集成度已达4MB，同时价格也有所下降。由于Flash Memory的独特优点，如在一些较新的主板上采用Flash ROM BIOS，会使得BIOS升级非常方便。Flash Memory可用作固态大容量存储器。目前普遍使用的大容量存储器仍为硬盘。硬盘虽有容量大和价格低的优点，但它是机电设备，有机械磨损，可靠性及耐用性相对较差，抗冲击、抗振动能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬盘的手段。由于Flash Memory集成度不断提高，价格降低，使其在便携机上取代小容量硬盘已成为可能。目前研制的Flash Memory都符合PCMCIA标准，可以十分方便地用于各种便携式计算机中以取代磁盘。当前有两种类型的PCMCIA卡，一种称为Flash存储器卡，此卡中只有Flash Memory芯片组成的存储体，在使用时还需要专门的软件进行管理。另一种称为Flash驱动卡，此卡中除Flash芯片外还有由微处理器和其它逻辑电路组成的控制电路。它们与IDE标准兼容，可在DOS下象硬盘一样直接操作。因此也常把它们称为Flash固态盘。Flash Memory不足之处仍然是容量还不够大，价格还不够便宜。因此主要用于要求可靠性高，重量轻，但容量不大的便携式系统中。在586微机中已把BIOS系统驻留在Flash存储器中。(文章来源：硬件时空)
B. 求芯片储存发展历史
也许是“飞芯”机器的金字招牌越打越响，再加上MD机器在竞争中逐渐没落，MP3市场日渐兴旺，人们纷纷把选择MP3的目光投到“高音质”的节骨眼上，而方案厂商也在此时大力研发和推出性能更强的产品。其中以SIGMATEL3520和飞利浦PNX0102芯片最为突出。
如果说Sigmatel 3420只是Sigmatel 3410的升级版，那么Sigmatel 3520就可以说是让Sigmatel家族的发展迈出了历史性的一大步。Sigmatel 3520不仅继承了3420的MP3硬件解码，而且更改进了以往Sigmatel 3410/1342中音表现一般、高音生硬的缺点，音质清澈，信噪比据说可以达到95dB；增加了对MP3硬件编码、FM收音和USB2。0等功能的支持；Sigmatel 3520比前代产品在处理速度上也有所提升，达到了75MHz(34xx系列为65MHz)。当年国内MP3厂商魅族推出了性价比极高的E2就使用了Sigmatel3520方案，并最终凭借不俗的音质表现、极高的实用性和性价比而大受欢迎。
与此同时，飞利浦也并没有放慢脚步，将主要应用于数字电视、Hi-Fi音响等专业领域PNX系列芯片引入便携随声听的世界。PNX010x系列解码芯片包括PNX0101、PNX0102和PNX0105。PNX0101和PNX0102主要应用于闪存MP3随身听，PNX0105则是针对采用微硬盘为存储介质的多媒体播放器。PNX0101内嵌4Mbit的可编程FLASH，只支持USB1.1。因而所有采用PNX0101芯片MP3所配备的USB2.0接口，都是通过另外增加USB2.0控制芯片来实现的。而PNX0102则内嵌有8Mbit的可编程 FLASH，自身提供了对USB2.0的支持。PNX0105同样支持USB2.0，而且还支持GDMA和IDE(ATA/ATAPI/PC Card)等接口，但它没有内置可编程FLASH。
性能上，PNX系列都内含速度高达80-100MIPS的24位EPICS7B音频DSP，内置了一个16位立体声音频ADC和DAC。PNX0101和 PNX0102芯片采用了32位的主频为60MHzARM7核心的RISC处理器，支持图浏览。PNX0105则是主频高达140MHzARM9核心的RISC处理器，支持视频播放。
虽然PNX0101/0102芯片在性能和功能上都有不错的提高，但在音质上的进步却并不明显。总体而言，0101/0102芯片的音质与SAA7750芯片不分伯仲，甚至更有的用户认为0101/0102芯片的声音还不如7750。这样与其他在音质上有长足进步的芯片比较起来，“飞芯”和其他芯片的差距显得大大缩小。
在这个时期，魅族完全看准了MP3市场逐步壮大的第一步。不仅在中低端市场发布了ME、E2等一系列Sigmatel芯片的产品，打响了国产MP3普及的第一枪，更加在中端市场推出了与进口产品相抗衡的“飞芯”产品E3。这款使用PNX0102芯片的E3配合LifeVibes顶级专业音效，其声音表现在当时算是比较优秀的，再加上了16Mbit 高速RAM和8层PCB版，保证了机器整体的性能和品质。这一切，不仅最终使魅族E3成为了国产机器发展历程中不可或缺的一款经典，更为魅族带来了国产机器中史无前例的关注。
采用炬力ATJ2085的昂达VX909
正当Sigmatel和Philips各自的新方案在MP3全球市场上你争我夺，我国珠海的一家较有实力的集成电路公司炬力也在此时渐渐进入人们的视野。炬力当年采用LQFP64pin封装的ATJ2085芯片，由于集成度高，周边元器件极少，非常利于生产。而且这款支持USB2.0(FS)传输，MP3/WMA/WAV/WMV/ASF等格式媒体播放，支持MTV电影播放，支持JPG、GIF、BMP图片浏览功能的芯片尽管音质一般，FM效果也有待的提高，但其平易近人的价格，也足以使它十分受国内一些MP3厂商支持。
尽管炬力当年准备以ATJ2085、2087、2089三款方案分别从低中高端打入市场，但令它受到业界瞩目的并非由于其产品，而是由于它和Sigmatel之间的官司。2005年3月16日，SigmaTel于当地时间周二向美国国际贸易委员会(ITC)提起诉讼，要求禁止采用珠海炬力产品的商品出口到美国。两个月前，SigmaTel向美国德克萨斯州联邦法院提出诉讼，指控珠海炬力侵犯了该公司用于便携式MP3播放器的多项电源管理专利。而在后来ITC(美国联邦国际贸易委员会)法院珠海炬力不侵犯Sigmatel的专利的一个月后，珠海炬力又向深圳中级人民法院提起诉讼，指控SigmaTel公司的产品，包括STMP 3502、3503、3505、3506、3510和3520等等，侵犯了该公司拥有的一项数字音频处理技术专利。珠海炬力希望法院禁止设计、生产、销售和使用侵权集成电路以及包含SigmaTel侵权集成电路的设备，以终止SigmaTel在中国的侵权行为。一直到了2007年，这场历时长达两年的互告和口水战在长时间的讨价还价后，最终才以双方达成全面和解协议的戏剧性结局而告终。
在一轮纯音播放器的火拼过后，人们在MP3播放器身上投注了更多的期望。于是乎，我们迎来了彩屏，迎来了视频播放。
Telechips是韩国一家着名的MP3芯片厂家，其解码芯片基于ARM架构，无论是性能还是音质都比较优秀，一经面世便获得一致好评，并且在韩国众多厂商的大力支持下成长迅速，是比较有潜力的解码芯片。但由于Telechip对外围电路设计要求比较高，因此在中国市场内的发展得比较低调。而随着彩屏和视频时代的来临，Telechip芯片也伴随着很多优秀的机器的推出而渐渐被人们所认识。其中除了使用了TCC770芯片的iAudio U3、三星K5，还有使用了TCC7801的iAudio D2和使用TCC8200的iRiver Clix2等。
既然提到了扩展能力强大的Telechip主控芯片，就不得不提“双核心架构”了。在与Telechip搭配当中最为人熟悉的就是英国的Wolfman音频芯片了。凭借着采用了TCC770+WM8750S的台电T29和采用了TCC8200+WM8978G的台电T39获得了巨大成功，使得国内众多玩家了解到了T芯的强劲性能，让众多的随身听爱好者感受到了欧胜Wolfman的纯净声音。这不仅为T39奠定了国产MP3音质王者的地位并延续至今，更让Wolfman音频芯片获得了更广阔的市场。
三星电子经过多年发展，已经成为了电子行业中少数掌握了多项基础元件研发及生产技术的龙头企业之一，而且三星也间接的成为了开创MP3产业的始作俑者，然而三星的芯片却一直并没有像它的名字一样来得强势。不过，随着魅族Miniplayer的推出，让人们亲自感受到了三星主控芯片的能耐。而为了延续“飞芯”传统，魅族在Miniplayer身上除了采用了三星基于ARM9TDMI内核主频达到200MHZ的SA58700X07，还进一步去掉了主控自带的Wolfson 8731音频处理器，而采用了飞利浦从UDA1380改进而来的380HN音频编码解码器。事实上，随着视频播放等多功能扩展，“飞芯”的优势早已日益淡化，Miniplayer也在后来改版的SL版本中，迎来了较受欢迎的欧胜WM8987音频芯片。不管如何，综合而言，Miniplayer的各方面设计也都依然是国产MP3的一座里程碑。
使用ADI BF533方案的歌美X750
随着视频需求在随身机器上的日益增长以及闪存芯片的日益普及，体积较大的AVI格式并不能于国内消费者的诉求，由此支持RMVB格式的呼声也日渐增长起来。就在这个时候，美国模拟器件公司(简称ADI)推出的BF533芯片使得RMVB直播取得革命性成果。时至今日，这款芯片依旧是很多厂商RMVB机型的主控芯片。基于Blackfin架构的BF533有主频500MHz和600MHz两种规格兼具了DSP的高速数据处理运算能力和CPU的系统管理能力，因此能够在信号处理和控制处理的过程中都能保证不俗的表现。
性能强大的爱可视605 wifi
与此同时，着名PMP厂商爱可视推出了爱可视605，并采用一向以高性能高规格着称的德州仪器(简称TI)方案，其主控芯片是TI的一款高端芯片——T1320。尽管TI方面一直没有公开芯片的相关参数，但从605的强劲表现看来，这款芯片的性能估计是目前PMP产品中无出其右的。当然，强悍的性能自然也就带来高昂的价格了。
首款RK27芯片播放器蓝魔RM970
不仅国外技术领先的厂商不断进行技术创新，而且国内较有实力的厂商也在技术上不断地作出努力。总部位于福建省福州市的瑞芯微是一家国内专注于数字音视频、移动多媒体芯片研究和开发的芯片设计企业。早在2006年，瑞芯微推出的RK2606A芯片就凭借着自身的低成本优势，让瑞芯微迅速成为国内MP3芯片市场上第一品牌。如今，瑞芯微的支持RMVB的解决方案是它最新的RK27方案，这一采用了DSP内核＋ARM内核“双核联合”的方式，主控芯片频率为400MHz。它除了能够 支持包括RMVB在内的多种视频格式，它还提供了对于APE、FLAC等无损压缩音频格式以及MP3（8Kbps～384Kbps位速范围）、 WMA（32Kbps-320Kbps位速范围）的支持，另外，它可以搭载微软PlayFX音效。相比于之前的TI和ADI的解决方案，由于瑞芯微芯片的成本较低，一个瑞芯微的芯片成本一般只有ADI芯片的一半，因此，瑞芯微的终端产品价格要低廉很多,更加接近大众的消费能力。
在推出了一款ADI芯片的V2000之后，艾诺又推出了一款价格更实惠但功能不变的V2000SE
除了瑞芯微，君正华芯飞也可以说是国内微电子行业的另一匹黑马。华芯飞的RMVB解决方案与其他公司的解决方案略有不同。实际上，这一解决方案是由两家公司完成的，其主控芯片是由北京君正提供，而方案设计则是由华芯飞来完成。而这一解决方案也是目前解决方案中成本最低的方案。华芯飞的RMVB解决方案上，主要采用的主控芯片是由北京君正提供的JZ4740芯片。这一芯片是一款通用型32bit CPU，可以在WINCE或LINUX 操作系统上运行，而且功耗很低，在同等的资源下JZ4740功耗是其他主控芯片的50-70%。成本低、耗能低、性能较好，使得华芯飞在RMVB市场上占取到了一片属于自己的天空。
后话
芸芸十年间，我们从MPman F10走到如今的随身多媒体设备与掌上电脑的结合(COWON Q5W)，在眼花缭乱的产品背后起着支撑作用的，正是微电子技术的蓬勃发展。国产厂商的进步我们有目共睹，但我们思维和技术与世界水平的差距同样不可忽视。十年岁月，机器之多难以概全，方案之繁更难以尽诉。希望，往后的日子里，科技的发展和市场的竞争，能为我们带来更大的惊喜，让我们的生活变得更加多姿多彩。
C. 芯片级存储能给业界带来哪些变化
SOC的核心思想，就是要把整个应用电子系统全部集成在一个芯片中。 对于众志和达科技有限公司(SOUL)来说，他们的SOC是Storage-on-Chip，亦即芯片级存储，就是沿用System-on-Chip的概念，将存储系统的多个功能模块集成到一个芯片中完成。这一技术的核心思想，也是要在单一芯片中嵌入软件来实现多功能和高性能，以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持，同时保证优化后系统的高性能。 一些客户对于存储领域的SOC或许并不熟悉，据北京众志和达信息技术有限公司CTO兼副总经理张衡介绍，存储芯片技术(Storage-on-Chip) 通过带有处理器内核和集成更多存储功能的芯片，大幅提升了系统性能，设计灵活性，降低研发和更新换代的设计成本。这种速度，灵活性和成本优势，为SOUL提供了坚实的技术实现平台，可为不同行业量身定制。此外，由于芯片级存储通过芯片逻辑实现功能优化，不再依赖CPU和内存，是一次架构的革命，使功能优化和高性能一举两得。 北京众志和达信息技术有限公司CTO兼副总经理张衡 变化一，性能与功能的跨越 “芯”架构具有四大优势，这四种优势可以为存储产品带来性能、可靠性以及功能方面的飞跃。 首先，性能的飞跃。芯片级访问速度将单一存储的性能从“百MB/s”提升至“GB/s”，其存储功能由芯片逻辑实现，不会影响性能。其优化的控制器架构，能够提升总线带宽，改善内存交换，并且释放更多的CPU资源，从而使得磁盘组可提供 GB/s 级的吞吐率。 第二，可靠性高。传统的存储系统结构复杂，各子系统繁多，因此出现故障的几率也非常大，故障点多。而存储芯片技术采用一体化硬件集成，结构简单，使得故障点可以大大减少。 第三，灵活敏捷。传统存储系统只能做到软件可定制，而存储芯片技术则采用可编程芯片，实现硬件可定制，带有各种处理器内核和集成更多处理能力的芯片，借助通常被称为“软核处理器—硬件加速器”的FPGA技术，大幅提升系统性能，同时具有最高的设计灵活性，特别适于个性化产品开发。 第四，绿色节能及成本优势。由于SOC灵活的架构，使得其扩展方便，较少受到局限，节省空间，减少电力消耗，从而带来更好的性价比。 变化二，云存储更加集约化 云计算作为一种服务的方式，成本是最具吸引力的因素之一。芯片级存储技术通过一个芯片，经济地实现高性能、多功能、跨平台和高智能，有效地降低了存储的成本。 Storage-on-Chip支持多种硬件、多协议，具有可编程I/O和多处理器芯核设备, 从技术层面上，这就决定了芯片级存储可以使存储功能刀片化,并实现更加智能的存储管理。例如，新一代Storage-on-Chip(芯片级存储)可以同时给NAS(通常用于非结构化、文件级数据)和SAN(通常用于结构化、数据块级数据)提供高性能，同时具有快速(IOPS)和大吞吐量的优势，更为实现统一存储提供了坚实的技术平台。
D. 选用2764 EPROM 存储芯片，设计一个64KB的程序存储器，写出设计步骤…
4.2参见p.106-107
总线操作指的是发生在总线上的某些特定操作，总线周期指的是完成一次特定总线操作所需的时间。对8088而言其典型的总线周期由 4个T状态组成。PC/XT所采用的时钟频率为4.77MHz，每个T状态的持续时间为210ns。如果CLK引脚接5MHz的时钟信号，那么每个T状态的持续时间为200ns。
4.4解答：
当8088进行读写存储器或I/O接口时，如果存储器或I/O接口无法满足CPU的读写时序（来不及提供或读取数据时），需要CPU插入等待状态TW。（在T3前沿检测Ready信号，若无效则插入TW 。）
具体在读写总线周期的T3和T4之间插入TW。
4.6参见p.99，p.110
8088的某些输出线有三种状态：高电平、低电平、悬空(高阻态)，称为三态能力。在高阻状态，CPU放弃其了对该引脚的控制权，由连接它的设备接管。
具有三态能力的引脚有：AD7~AD0，A15~A8，A19/S6~A16/S3，ALE，IO/M*，WR*，RD*，DEN*，DT/R*。
4.11
总线周期 IO/M* WR* RD*
存储器读 低 高 低
存储器写 低 低 高
I/O读 高 高 低
I/O写 高 低 高
4.12 答：
取该指令时引发存储器读总线操作。执行该指令时引发I/O读总线操作。（时序图略）
4.13 8088系统最小组态下，对指令ADD [2000H]，AX （长度3B）。
答：取该指令时需要3个总线周期，均为存储器读周期。
执行该指令时需要4个总线周期，2个为存储器读总线周期（读出字操作数参与运算），2个为存储器写总线周期（保存16位运算结果）。
4.15 参见p.106图
74LS373 的G为电平锁存引脚，控制选通且转为无效时锁存数据。
OE* 输出允许引脚，信号来自ALE。
4.16 参见p.106图
数据收发器74LS245 是8位双向缓冲器，G*控制端为低电平有效，可传输数据；DIR控制导通方向：DIR＝1，A→B；DIR＝0，A←B。
4.17 参见p.111-112
归纳为：1、8086数据总线变为16位，数据地址线复用为AD15~AD0。
2、8086指令队列程度变为6字节长，当有2个字节空才取下一指令。
3、8088引脚IO/M* ，8086变为M/IO*；
4、引脚SS0* 变为BHE*/S7，BHE* 的作用是使D15~D8有效。
5、8086存储器组织为奇偶分块，偶地址取字只要读1次，奇地址取字需要读两次。
6、I/O端口大都采用偶地址，目的是引导8位数据到低8位总线AD7~AD0上，以提高效率。
=========================
5.1
Cache、主存和辅存的作用——参见 p.120～121
虚拟存储器——参见p.121
在CPU看来，访问主存和访问辅存有什么不同？
访问主存：通过存储器访问机器指令，按字随机访问。
访问辅存：通过操作系统，按块顺序访问。
5.2 在半导体存储器中，RAM指的是 随机存取存储器 ，它可读可写，但断电后信息一般会 丢失 ；而ROM指的是 只读存储器 ，正常工作时只能从中 读取 信息，但断电后信息 不会丢失 。以EPROM芯片2764为例，其存储容量为8K×8位，共有 8 条数据线和 13 条地址线。用它组成64KB的ROM存储区共需 8 片2764芯片。
5.4 一个容量为4K×4位的假想RAM存储芯片，他应该有多少根地址线引脚和多少根数据线引脚？如果让你来进行设计，那么它还需要哪些控制引脚？这些引脚分别起什么样的控制作用？
解答：
4K×4的芯片应该有12根地址线引脚和4根数据线引脚。
控制引脚应该有：
读取信号OE*：有效时，表示读取存储单元的数据
写入信号WE*：有效时，表示将数据写入存储单元
片选信号CS*：有效时，表示选中该芯片，可以进行读写操作。
5.7 什么是存储芯片的位扩充和地址扩充?采用静态RAM的芯片2114（1K*4位）或动态RAM的芯片4116（16K*1位）来组成32KB的RAM存储区，请问各需要多少芯片？在位方向和地址方向各需要进行什么样的扩充？
解答：（参见p.140） 使用多个芯片来扩充存储数据位的宽度，称为位扩充。
采用多个芯片在地址方向上进行扩充，称为地址扩充或字扩充。
用SRAM 2114组成32KBRAM存储区：2片为一组，得1KB，所以组成32KB就要32组，共需要64片SRAM 2114。
用DRAM 4116组成32KBRAM存储区：8片为一组，得16KB，所以组成32KB只要2组，共需要16片DRAM 4116。
机床作为机械制造业的重要基础装备，它的发展一直引起人们的关注，由于计算机技术的兴起，促使机床的控制信息出现了质的突破，导致了应用数字化技术进行柔性自动化控制的新一代机床－数控机床的诞生和发展。计算机的出现和应用，为人类提供了实现机械加工工艺过程自动化的理想手段。随着计算机的发展，数控机床也得到迅速的发展和广泛的应用，同时使人们对传统的机床传动及结构的概念发生了根本的转变。数控机床以其优异的性能和精度、灵捷而多样化的功能引起世人瞩目，并开创机械产品向机电一体化发展的先河。 数控机床是以数字化的信息实现机床控制的机电一体化产品，它把刀具和工件之间的相对位置，机床电机的启动和停止，主轴变速，工件松开和夹紧，刀具的选择，冷却泵的起停等各种操作和顺序动作等信息用代码化的数字记录在控制介质上，然后将数字信息送入数控装置或计算机，经过译码，运算，发出各种指令控制机床伺服系统或其它的执行元件，加工出所需的工件。 数控机床与普通机床相比，其主要有以下的优点： 1. 适应性强，适合加工单件或小批量的复杂工件； 在数控机床上改变加工工件时，只需重新编制新工件的加工程序，就能实现新工件加工。 2. 加工精度高； 3. 生产效率高； 4. 减轻劳动强度，改善劳动条件； 5. 良好的经济效益； 6. 有利于生产管理的现代化。 数控机床已成为我国市场需求的主流产品，需求量逐年激增。我国数控机机床近几年在产业化和产品开发上取得了明显的进步，特别是在机床的高速化、多轴化、复合化、精密化方面进步很大。但是，国产数控机床与先进国家的同类产品相比，还存在差距，还不能满足国家建设的需要。 我国是一个机床大国，有三百多万台普通机床。但机床的素质差，性能落后，单台机床的平均产值只有先进工业国家的1/10左右，差距太大，急待改造。 旧机床的数控化改造，顾名思义就是在普通机床上增加微机控制装置，使其具有一定的自动化能力，以实现预定的加工工艺目标。 随着数控机床越来越多的普及应用，数控机床的技术经济效益为大家所理解。在国内工厂的技术改造中，机床的微机数控化改造已成为重要方面。许多工厂一面购置数控机床一面利用数控、数显、PC技术改造普通机床，并取得了良好的经济效益。我国经济资源有限，国家大，机床需要量大，因此不可能拿出相当大的资金去购买新型的数控机床，而我国的旧机床很多，用经济型数控系统改造普通机床，在投资少的情况下，使其既能满足加工的需要，又能提高机床的自动化程度，比较符合我国的国情。 1984年，我国开始生产经济型数控系统，并用于改造旧机床。到目前为止，已有很多厂家生产经济型数控系统。可以预料，今后，机床的经济型数控化改造将迅速发展和普及。所以说，本毕业设计实例具有典型性和实用性。 第二章 总体方案的设计 2.1 设计任务 本设计任务是对CA6140普通车床进行数控改造。利用微机对纵、横向进给系统进行开环控制，纵向（Z向）脉冲当量为0.01mm/脉冲，横向（X向）脉冲当量为0.005mm/脉冲，驱动元件采用步进电机，传动系统采用滚珠丝杠副，刀架采用自动转位刀架。 2.2 总体方案的论证 对于普通机床的经济型数控改造，在确定总体设计方案时，应考虑在满足设计要求的前提下，对机床的改动应尽可能少，以降低成本。 （1）数控系统运动方式的确定 数控系统按运动方式可分为点位控制系统、点位直线控制系统、连续控制系统。由于要求CA6140车床加工复杂轮廓零件，所以本微机数控系统采用两轴联动连续控制系统。 （2）伺服进给系统的改造设计 数控机床的伺服进给系统有开环、半闭环和闭环之分。 因为开环控制具有结构简单、设计制造容易、控制精度较好、容易调试、价格便宜、使用维修方便等优点。所以，本设计决定采用开环控制系统。 （3）数控系统的硬件电路设计 任何一个数控系统都由硬件和软件两部分组成。硬件是数控系统的基础，性能的好坏直接影响整体数控系统的工作性能。有了硬件，软件才能有效地运行。 在设计的数控装置中，CPU的选择是关键，选择CPU应考虑以下要素： 1. 时钟频率和字长与被控对象的运动速度和精度密切相关； 2. 可扩展存储器的容量与数控功能的强弱相关； 3. I/O口扩展的能力与对外设控制的能力相关。 除此之外，还应根据数控系统的应用场合、控制对象以及各种性能、参数要求等，综合起来考虑以确定CPU。在我国，普通机床数控改造方面应用较普遍的是Z80CPU和MCS-51系列单片机，主要是因为它们的配套芯片便宜，普及性、通用性强，制造和维修方便，完全能满足经济型数控机床的改造需要。本设计中是以MCS-51系列单片机，51系列相对48系列指令更丰富，相对96系列价格更便宜，51系列中，是无ROM的8051，8751是用EPROM代替ROM的8051。目前，工控机中应用最多的是8031单片机。本设计以8031芯片为核心，增加存储器扩展电路、接口和面板操作开关组成的控制系统。 2.3 总体方案的确定 经总体设计方案的论证后，确定的CA6140车床经济型数控改造示意图如图所示。CA6140车床的主轴转速部分保留原机床的功能，即手动变速。车床的纵向（Z轴）和横向（X轴）进给运动采用步进电机驱动。由8031单片机组成微机作为数控装置的核心，由I/O接口、环形分配器与功率放大器一起控制步进电机转动，经齿轮减速后带动滚珠丝杠转动，从而实现车床的纵向、横向进给运动。刀架改成由微机控制的经电机驱动的自动控制的自动转位刀架。为保持切削螺纹的功能，必须安装主轴脉冲发生器，为此采用主轴靠同步齿形带使脉冲发生器同步旋转，发出两路信号：每转发出的脉冲个数和一个同步信号，经隔离电路以及I/O接口送给微机。如图2－1所示： 第三章 微机数控系统硬件电路设计 3.1微机数控系统硬件电路总体方案设计 本系统选用8031CPU作为数控系统的中央处理机。外接一片2764EPROM，作为监控程序的程序存储器和存放常用零件的加工程序。再选用一片6264RAM用于存放需要随机修改的零件程序、工作参数。采用译码法对扩展芯片进行寻址，采用74LS138译码器完成此功能。8279作为系统的输入输出口扩展，分别接键盘的输入、输出显示，8255接步进电机的环形分配器，分别并行控制X轴和Z轴的步进电机。另外，还要考虑机床与单片机之间的光电隔离，功率放大电路等。其硬件框图如图3－1所示： 图3－2 8031芯片内部结构图 各引脚功能简要介绍如下： ⒈ 源引脚 VSS：电源接地端。 VCC：＋5V电源端。 ⒉ 输入/输出（I/O）口线 8031单片机有P0、P1、P2、P3 4个端口，每个端口8根I/O线。当系统扩展外部存储器时，P0口用来输出低8位并行数据，P2口用来输出高8位地址，P3口除可作为一个8位准双向并行口外，还具有第二功能，各引脚第二功能定义如下： P3.0 RXD：串行数据输入端。 P3.1 TXD：串行数据输出端 P3.2 INT0：外部中断0请求信号输入端。 P3.3 INT1：外部中断1请求信号输入端。 P3.4 T0：定时器/计数器0外部输入端 P3.5 T1：定时器/计数器1外部输入端 P3.6 WR：外部数据存储器写选通。 P3.7 RD：外部数据存储器读选通。 在进行第二功能操作前，对第二功能的输出锁存器必须由程序置1。 ⒊ 信号控制线 RST/VPD：RST为复位信号线输入引脚，在时钟电路工作以后，该引脚上出现两个机器周期以上的高电平，完成一次复位操作。 8031单片机采用两种复位方式：一种是加电自动复位，另一种为开关复位。 ALE/PROG：ALE是地址锁存允许信号。它的作用是把CPU从P0口分时送出的低8位地址锁存在一个外加的锁存器中。 ：外部程序存储器读选通信号。当其为低电平时有效。
VPP：当EA为高电平且PC值小于0FFFH时CPU执行内部程序存储器中的程序。当EA为低电平时，CPU仅执行外部程序存储器中的程序。 XTAL1：震荡器的反相放大器输入，使用外部震荡器时必须接地； XTAL2：震荡器的反相放大器输出，使用外部震荡器时，接收外围震荡信号； （2）片外三总线结构 单片机在实际应用中，常常要扩展外部存储器、I/O口等。单片机的引脚，除了电源、复位、时钟输入以及用户I/O口外，其余的引脚都是为了实现系统扩展而设置的，这些引脚构成了三总线形式： ⒈ 地址总线AB 地址总线宽度为16位。因此，外部存储器直接寻址范围为64KB。由P0口经地址锁存器提供16位地址总线的低8位地址（A7～A0），P2口直接提供高8位地址（A15～A8）。 ⒉ 数据总线DB 数据总线宽度为8位，由P0口提供。 ⒊ 控制总线CB 控制总线由第二功能状态下的P3口和4根独立的控制线RST、EA、ALE和PSEN组成。其引脚图如图3－3所示： 3.1.2 8255A可编程并行I/O口扩展芯片 8255A可编程并行I/O口扩展芯片可以直接与MCS系列单片机系统总线连接，它具有三个8位的并行I/O口，具有三种工作方式，通过编程能够方便地采用无条件传送、查询传送或中断传送方式完成CPU与外围设备之间的信息交换。8255A的结构及引脚功能： 1、 8255A的结构 8255A的内部结构如图3－4所示。其中包括三个8位并行数据I/O端口，二个工作方式控制电路，一个读/写控制逻辑电路和一个8位数据总线缓冲器。各部分功能介绍如下： （1） 三个8位并行I/O端口A、B、C A口：具有一个8位数据输出锁存/缓冲器和一个8位数据输入锁存器。可编程为8位输入、或8位输出、或8位双向寄存器。B口：具有一个8位数据输出锁存/缓冲器和一个8位输入或输出寄存器，但不能双向输入/输出。C口：具有一个8位数据输出锁存/缓冲器和一个8位数据输入缓冲器，C口可分作两个4位口，用于输入或输出，也可作为A口和B口选通方式工作时的状态控制信号。 （2） 工作方式控制电路 A、B两组控制电路把三个端口分成A、B两组，A组控制A口各位和C口高四位，B组控制B口各位和C口低四位。两组控制电路各有一个控制命令寄存器，用来接收由CPU写入的控制字，以决定两组端口的工作方式。也可根据控制字的要求对C口按位清“0”或置“1”。 （3） 读/写控制逻辑电路 它接收来自CPU的地址信号及一些控制信号，控制各个口的工作状态。 （4） 数据总线缓冲器 它是一个三态双向缓冲器，用于和系统的数据总线直接相连，以实现CPU和8255A之间信息的传送。
E. 存储芯片NAND Flash封装EMI遮蔽技术未来如何走下去
即嵌入式系统（ Embedded Systems） ，是一种以应用为中心、以微处理器为基础，软硬件可裁剪的，适应应用系统对功能、可靠性、成本、体积、功耗等综合性严格要求的专用计算机系统。它一般由嵌入式微处理器、外围硬件设备、嵌入式操作系统以及用户的应用程序等四个部分组成。它是计算机市场中增长最快的领域，也是种类繁多，形态多种多样的计算机系统。嵌入式系统几乎包括了生活中的所有电器设备，如掌上pda、计算器、电视机顶盒、手机、数字电视、多媒体播放器、汽车、微波炉、数字相机、家庭自动化系统、电梯、空调、安全系统、自动售货机、蜂窝式电话、消费电子设备、工业自动化仪表与
F. 请问“RAM芯片的规格所表示的含义”到底是什么规格呢谢谢大家
1.内存的基础知识 RAM技术词汇
CDRAM-Cached DRAM——高速缓存存储器 CVRAM-Cached VRAM——高速缓存视频存储器 DRAM-Dynamic RAM——动态存储器 EDRAM-Enhanced DRAM——增强型动态存储器 EDO RAM-Extended Date Out RAM——外扩充数据模式存储器 EDO SRAM-Extended Date Out SRAM——外扩充数据模式静态存储器 EDO VRAM-Extended Date Out VRAM——外扩充数据模式视频存储器 FPM-Fast Page Mode——快速页模式 FRAM-Ferroelectric RAM——铁电体存储器 SDRAM-Synchronous DRAM——同步动态存储器 SRAM-Static RAM——静态存储器 SVRAM-Synchronous VRAM——同步视频存储器 3D RAM-3 DIMESION RAM——3维视频处理器专用存储器 VRAM-Video RAM——视频存储器 WRAM-Windows RAM——视频存储器(图形处理能力优于VRAM) MDRAM-MultiBank DRAM——多槽动态存储器 SGRAM-Signal RAM——单口存储器
存储器有哪些主要技术指标
存储器是具有“记忆”功能的设备，它用具有两种稳定状态的物理器件来表示二进制数码 “0”和“1”，这种器件称为记忆元件或记忆单元。记忆元件可以是磁芯，半导体触发器、 MOS电路或电容器等。 位(bit)是二进制数的最基本单位，也是存储器存储信息的最小单位，8位二进制数称为一 个字节(Byte)，可以由一个字节或若干个字节组成一个字(Word)在PC机中一般认为1个或2个字节组成一个字。若干个忆记单元组成一个存储单元，大量的存储单元的集合组成一个 存储体(MemoryBank)。为了区分存储体内的存储单元，必须将它们逐一进行编号，称为地址。地址与存储单元之间一一对应，且是存储单元的唯一标志。应注意存储单元的地址和它里面存放的内容完全是两 回事。 根据存储器在计算机中处于不同的位置，可分为主存储器和辅助存储器。在主机内部，直接 与CPU交换信息的存储器称主存储器或内存储器。在执行期间，程序的数据放在主存储器内。各个存储单元的内容可通过指令随机读写访问的存储器称为随机存取存储器(RAM)。另一种存储器叫只读存储器(ROM)，里面存放一次性写入的程序或数据，仅能随机读出。RAM和ROM共同分享主存储器的地址空间。RAM中存取的数据掉电后就会丢失，而掉电后ROM中 的数据可保持不变。因为结构、价格原因，主存储器的容量受限。为满足计算的需要而采用了大容量的辅助存储 器或称外存储器，如磁盘、光盘等.存储器的特性由它的技术参数来描述。
存储容量：存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量。一般主存储器(内存)容量在几十K到几十M字节左右；辅助存储器(外存)在几百K到几千M字节。 存取周期：存储器的两个基本操作为读出与写入，是指将信息在存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为取数时间TA；两次独立的存取操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC。半导 体存储器的存取周期一般为60ns-100ns。 存储器的可*性：存储器的可*性用平均故障间隔时间MTBF来衡量。MTBF可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。MTBF越长，表示可*性越高，即保持正确工作能力越强。 性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可*性三项内容。性能价格比是一个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。对于外存储器，要求容量极大，而对缓冲存储器则要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/价格比是评价整个存储器系统很重要的 指标。
G. 内存条编号和具体意思！
3D RAM(3 DIMESION RAM)： 三维视频处理器专用存储器
CDRAM(Cached DRAM)：高速缓存存储器
CVRAM(Cached VRAM)：高速缓存视频存储器
DRAM(Dynamic RAM)：动态存储器 一种随机存取记忆体 (RAM)，记忆体不会一直保存记忆内容，会随着时间而将内容流失，技术上来说就是，记忆体必须不断的重新的加强 (REFRESHED) 电位差量，否则电位差将降低至无法有足够的能量表现每一个记忆单位处于何种状态。价格较静态记忆体 (SRAM) 便宜，但存取速度较慢，耗电量较大。
EDRAM (Enhanced DRAM)： 增强型动态存储器
EDO RAM(Extended Date Out RAM)：扩展数据模式存储器
EDO SRAM(Extended Date Out SRAM)：扩展数据模式静态存储器
EDO VRAM(Extended Date Out VRAM)：扩展数据模式视频存储器
FPM RAM(Fast Page Mode)：快速页模式DRAM，当一个存取与前一次存取为同一记忆体页 (PAGE) 时，不用传输 ROW 地址以加快存取速度。 由于以页为单位加速，又称为 PAGE MODE MEMORY，存取速度从 120 NS 到 60 NS。 FPM 技术在 EDO DRAM 技术出现之前是最常见的 DRAM 种类。
FRAM(Ferro electric RAM)： 铁电体存储器
MDRAM(Multi Bank DRAM)：多槽动态存储器由 MOSYS 公司所发展的记忆体 (MEMORY) 架构，与传统架构不同的是 MDRAM 将 BANK 的容量缩小，并使每一个 BANK 使用独立的汇流排 (BUS) 输出入端口 (I/O PORT)，这样的结果是 MDRAM 能同时存取数个 BANK，使资料的读写速度加快，并且能够用较小的数量增加记忆体。
NVRAM(Non-Volatile Random Access Memory)：中断电源时仍能保存资料的随机存取记忆体 (RAM)。
SDRAM(Synchronous DRAM)：同步动态存储器:一种能够与处理器 (CPU) 汇流排 (BUS) 同步运作，时脉可达 66,100,133 MHZ 的 DRAM，并能够同时开启两个记忆体页 (PAGE)。
SGRAM(Signal RAM)：单口存储器
SRAM(Static RAM)： 静态存储器:一种随机存取记忆体 (RAM)，存取速度比 PB SRRAM(Pipeline Burst SRAM):一种支援 PIPELINED 与冲刺模式 (BURST) 的DRAM 快，不像 DRAM 需要不停的 REFRESH，但制造成本较高，通常用来作为快取 (CACHE) 记忆体使用
SVRAM(Synchronous VRAM)： 同步视频存储器
VRAM(Video RAM)：视频存储器:专为绘图影像卡 (VIDEO ADAPTER) 所设计的随机存取记忆体 (RAM)，与一般 RAM 不同的是，VRAM 能够使 RAMDAC 能够与影像处理器 (PROCESSOR) 同时存取资料，加速图像的显示。
WRAM(Windows RAM)：视频存储器(图形处理能力优于VRAM)有与 VRAM 类似的特性，但速度表现比 VRAM 更佳。
PC100 PC100内存条
按照Intel的定义
PC100 SDRAM规范包含：内存条上电路的各部分线长最大值与最小值；电路线宽与间距的精确规格；保证6层PCB板制作（分别为：信号层、电源层、信号层、基层、信号层），具备完整的电源层与地线层；具备每层电路板间距离的详细规格；精确符合发送、载入、终止等请求的时间；详细的EEPROM编程规格；详细的SDRAM组成规格；特殊的标记要求；电磁干扰抑制；可选镀金印刷电路板。
凡是时钟周期TCK≤10ns,存取时间TAC≤6ns，主板时钟频率设置在100MHz下，并且在BIOS中Chipset Features Setup选项里SDRAM CASLatency Time（CAS延迟时间）中，CAS可设为2或3并带SPD的SDRAM内存条都是PC100内存条。
从外观上来看，PC100内存条最典型的特征是正面右上角的8脚SOIC封装的小芯片，这就是SPD芯片，如果你没看到这个SPD芯片，板上只留了8个焊点，那么这就不是PC100，但并不是说此内存条无法稳定工作在100MHz.
PC100内存条编号
表示为：PCX-ABC-DEF的形式。
1、X代表工作频率，66MHz或100MHz等
2、A代表最小的CAS Latency数，时钟数一般为2或3
3、B代表最小的tRCD（RAS相对CAS的延时）时间，时钟数一般是2
4、C代表最小tRP（RAS预充电时间），时钟数一般是2
5、D代表最大tAC（Access time from CLK）时间，多为6ns、7ns等数值
6、E代表SPD的版本号V1.2
7、F是一个保留值为0。
PC133 PC133 SDRAM
由台湾VIA威盛公司制定的。133MHz的工作环境下正常工作，在其系统时钟周期tCK(System clock cycle time)的数值的规格部分必须至少为7.5ns，tAC不超过5.4ns,工作频率为133MHz。对于PC133 SDRAM来说，在CAS Latency=3，能正常工作，但在CL=2，外频为133MHz的时并不能保证能正常工作。
PC133 SDRAM 的数据带宽 1.06 GB/s(64 bit/8 x 133 MHz)，比 Direct RAMBUS DRAM 的 1.6 GB/s 低，但PC133 SDRAM是PC100 SDRAM 的延伸。
SPD（串行存在检测）
SPD（串行存在检测）是许多SDRAM DIMM模块所具有的新功能，它使BIOS能够更容易地配置系统以适应SDRAM的性能参数。
，通常是1个8针的SOIC封装（3mm*4mm）型号多为24LC01B，位置一般处在内存条正面的右侧，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压与行、列地址宽等信息。
SPD(Serial Presence Detect串行存在检测)设备是一个8脚的串行EEPROM芯片（Electrically Erasable Programmable ROM电可擦写存储器），其中存储着DIMM模块的容量、速度、电压以及行、列地址带宽等参数信息。BIOS在上电检测阶段读取这些参数，然后自动地调整CMOS有关选项，从而获得最高的性能和可靠性。
没有SPD，在使用EDO DIMM时不会有问题，由于SDRAM以EDO RAM两倍的速度工作,使用没有SPD的SDRAM DIMM时系统无法启动。
带有SPD的DIMM的正面靠右边的地方有一个8脚3mm*4mm的SOIC封装的256字节的EEPROM小芯片。型号以24LC01B居多。带有SPD的DIMM能够用于所有支持SDRAM的主板，有些主板要求SDRAM必须带有SPD。
内存芯片的标识
内存芯片的标识中通常包括：厂商代号、单片容量、芯片类型、工作速度、生产日期等，以及电压、容量系数和特殊标识。
以“??XXX64160AT-10”为例，“??”是厂商的标志代号。
1、厂商代号：
AAA NMB
BM IBM
HM Hitachi日立
HY Hyundai 现代电子
HYB Siemens 西门子
GM LG-Semicon
KM或M Samsung 三星
LH SHARP 夏普
M5M Hitsubishi
MB Fujitsu 富士通
MCM Motorola
MN Matsushita
MSM OKI
MT Micron 美凯龙
NN NPNX
TC或TD Toshiba东芝
TI TMS德州仪器
uPD NEC日电
2、xxx 厂商内部标识
3、64是指64Mbit的容量 注意是bit[位]，而不是Byte[字节]
4、16表示每块小芯片的位数是16位，对于现在64位的总线系统，需4片这样的芯片才能构成可用的SIMM内存条:64Mbit/8*(64/16)=32MB，它就是32MB的内存。如果SIMM内存条上有8片这样的小芯片，当然就是8/4*32=128MB一条的内存。
5、0表示这是一条SDRAM；
6、“-”后的数字表示芯片的系统时钟周期或存取时间。通常在“-”前的第一个数字标示的是内存的类型标识，单数是EDO RAM，双数则是SDRAM。
位组(Byte):，一组二进位 (BINARY) 的位 (BIT) 集合。
通常称 8 个位为一个位组，但是这只是习惯，而大部分的系统也都定义 8 个位为一个位组，其它数目的位组定义也可以使用，只是可能会产生误解。
位组的计量单位有:
1。 KILOBYTE，KB，2 的 10 次方 : 1024 BYTE。
2。 MEGABYTE，MB，2 的 20 次方 : 1048576 BYTE，或 1024 KBYTE。
3。 GIGABYTE，GB，2 的 30 次方 : 1073741824 BYTE，或 1024 MEGABYTE。
4。 TERABYTE，TB，2 的 40 次方 : 1099511627776 BYTE，或 1024 GIGABYTE。
5。 PETABYTE，2 的 50 次方 : 1125899906842624 BYTE，或 1024 TERABYTE。
6。 EXABYTE，2 的 60 次方 : 1152921504606846976 BYTE，或 1024 PETABYTE。
7。 ZETTABYTE，2 的 70 次方 : 1024 EXABYTE。
8。 YOTTABYTE，2 的 80 次方 : 1024 ZETTABYTE。
内存(Memory):记忆体，储存资料的装置，主要分为为 RAM 或 ROM。
SIMM(Single In_Line Memory Mole):一种将记忆体 (MEMORY) 芯片 (CHIP) 焊在表面的电路板模组，使记忆体的安装与拆除较直接安装芯片为容易。SIMM 的资料宽度为 32 位 (BIT)，而一种新技术称为 DIMM 的记忆体模组，资料宽度为 64 位
DIMM (Dual In-Line Memory Mole):将数个记忆体 (MEMORY) 芯片 (CHIP) 装于一块电路板上的记忆体模组，DIMM 的资料信道宽度是 SIMM 的两倍，为 64 位 (BIT)。
ECC (Error-Correcting Code):一种含有特殊电路，能够自我检查错误及更正的记忆体 (MEMORY)。
时钟周期：它代表RAM所能运行的最大频率，这个数字越小说明所能运行的频率就越高。对于一片普通的PC-100 SDRAM来说，它芯片上的标识-10代表了它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHZ的外频下正常工作。
存取时间：代表读取数据所延迟的时间。目前大多数SDRAM芯片的存取时间为7、8或10ns。
CAS的延迟时间。这是纵向地址脉冲的反应时间,也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。如PC133的SDRAM在外频为133MHz时，能运行在CAS Latency = 3，也就是说这时它们读取数据的延迟时间可以是三个时钟周期。