㈠ 存储周期是指
存储周期：连续启动两次操作所需间隔的最小时间
体现主存的速度 （纳秒ns）
存储器的两个基本操作为读出与写入，是指将信息在存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为取数时间TA；两次独立的存取操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC。内存的存取周期一般为60ns-120ns。单位以纳秒（ns）度量，换算关系1ns=10-3ms=10-6s，常见的有60ns、70ns、80ns、120ns等几种，相应在内存条上标为-6、-7、-8、-120等字样。这个数值越小，存取速度越快，但价格也便随之上升。在选配内存时，应尽量挑选与CPU系统总线时钟周期相匹配的内存条
存储周期，通常用访问周期T（又称存取周期、存取时间等）表示。
存储系统的存储周期与命中率H的关系非常大。
命中率：可以简单地定义为在M1存储器中访问到的概率，它一般用模拟实验的方法得到。选择一组有代表性的程序，在程序执行过程中分别统计对M1存储器的访问次数N1和对M2存储器的访问次数N2，然后代入下面的（3－1）关系式计算。
·······（3－1）
整个存储系统的访问周期可以用M1和M2两个存储器的访问周期T1，T2和命中率H来表示：
T＝H·T1＋(1－H)·T2 （3－2）
当命中率H→1时，T→T1，即存储系统的访问周期T接近于速度比较快的M1存储器的访问周期T1。
㈡ 机器周期 指令周期 存储周期 各什么意思 有何联系
指令周期：取出并执行一条指令的时间。
机器周期：通常用内存中读取一个指令字的最短时间来规定CPU周期。(也就是计算机完成一个基本操作所花费的时间)
时钟周期：处理操作的最基本单位。(CPU的主频)
存储周期：也就是一个访存指令周期。
指令周期、机器周期和时钟周期之间的关系：指令周期通常用若干个机器周期表示，而机器周期时间又包含有若干个时钟周期。
㈢ 存储器读写的工作周期是指什么
存储器是具有“记忆”功能的设备，它用具有两种稳定状态的物理器件来表示二进制数码“0”和“1”，这种器件称为记忆元件或记忆单元。记忆元件可以是磁芯，半导体触发器、MOS电路或电容器等。
位(bit)是二进制数的最基本单位，也是存储器存储信息的最小单位，8位二进制数称为一个字节(byte)。当一个数作为一个整体存入或取出时，这个数叫做存储字。存储字可以是一个字节，也可以是若干个字节。若干个忆记单元组成一个存储单元，大量的存储单元的集合组成一个存储体(MemoryBank)。
为了区分存储体内的存储单元，必须将它们逐一进行编号，称为地址。地址与存储单元之间一一对应，且是存储单元的唯一标志。应注意存储单元的地址和它里面存放的内容完全是两回事。
存储器在计算机中处于不同的位置，可分为主存储器和辅助存储器。在主机内部，直接与CPU交换信息的存储器称主存储器或内存储器。在执行期间，程序的数据放在主存储器内，各个存储单元的内容可通过指令随机访问，这样的存储器称为随机存取存储器(RAM)。另一种存储器叫只读存储器(ROM)，里面存放一次性写入的程序或数据，仅能随机读出。RAM和ROM共同分享主存储器的地址空间。
因于结构、价格原因，主存储器的容量受限。为满足计算的需要而采用了大容量的辅助存储器或称外存储器，如磁盘、光盘等。
存储器的主要技术指标
存储器的特性由它的技术参数来描述。
一、存储容量：存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量。主存储器的容量是指用地址寄存器(MAR)产生的地址能访问的存储单元的数量。如N位字长的MAR能够编址最多达2N个存储单元。一般主存储器(内存)容量在几十K到几M字节左右；辅助存储器(外存)在几百K到几千M字节。
二、存储周期：存储器的两个基本操作为读出与写入，是指将信息在存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为取数时间TA；两次独立的存取操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC。半导体存储器的存储周期一般为100ns-200ns。
三、存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均故障间隔时间MTBF来衡量。MTBF可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。MTBF越长，表示可靠性越高，即保持正确工作能力越强。
四、性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容。性能价格比是一个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。对于外存储器，要求容量极大，而对缓冲存储器则要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/价格比是评价整个存储器系统很重要的指标
㈣ 内存周期是什么意思内存刷新周期 存取周期
所谓的内存周期 就是内存的时序 是内存工作四个过程的单位时间
一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。
㈤ 内存的存储周期是7~70ns. n代表什么
ns是时间单位，纳秒（nanosecond）即一秒的10亿分之一（10的负9次秒），简称ns。
㈥ 对于整个系统而言,内存的读写周期是指什么
存储器是具有“记忆”功能的设备，它用具有两种稳定状态的物理器件来表示二进制数码“0”和“1”，这种器件称为记忆元件或记忆单元。记忆元件可以是磁芯，半导体触发器、MOS电路或电容器等。
位(bit)是二进制数的最基本单位，也是存储器存储信息的最小单位，8位二进制数称为一个字节(byte)。当一个数作为一个整体存入或取出时，这个数叫做存储字。存储字可以是一个字节，也可以是若干个字节。若干个忆记单元组成一个存储单元，大量的存储单元的集合组成一个存储体(MemoryBank)。
为了区分存储体内的存储单元，必须将它们逐一进行编号，称为地址。地址与存储单元之间一一对应，且是存储单元的唯一标志。应注意存储单元的地址和它里面存放的内容完全是两回事。
存储器在计算机中处于不同的位置，可分为主存储器和辅助存储器。在主机内部，直接与CPU交换信息的存储器称主存储器或内存储器。在执行期间，程序的数据放在主存储器内，各个存储单元的内容可通过指令随机访问，这样的存储器称为随机存取存储器(RAM)。另一种存储器叫只读存储器(ROM)，里面存放一次性写入的程序或数据，仅能随机读出。RAM和ROM共同分享主存储器的地址空间。
因于结构、价格原因，主存储器的容量受限。为满足计算的需要而采用了大容量的辅助存储器或称外存储器，如磁盘、光盘等。
存储器的主要技术指标
存储器的特性由它的技术参数来描述。
一、存储容量：存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量。主存储器的容量是指用地址寄存器(MAR)产生的地址能访问的存储单元的数量。如N位字长的MAR能够编址最多达2N个存储单元。一般主存储器(内存)容量在几十K到几M字节左右；辅助存储器(外存)在几百K到几千M字节。
二、存储周期：存储器的两个基本操作为读出与写入，是指将信息在存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为取数时间TA；两次独立的存取操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC。半导体存储器的存储周期一般为100ns-200ns。
三、存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均故障间隔时间MTBF来衡量。MTBF可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。MTBF越长，表示可靠性越高，即保持正确工作能力越强。
四、性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容。性能价格比是一个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。对于外存储器，要求容量极大，而对缓冲存储器则要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/价格比是评价整个存储器系统很重要的指标
㈦ 指令周期，机器周期，时钟周期与存储周期的关系
周期：取决于"晶振频率"，固定。但是因为工艺的关系，每个单元之间会有一定范围内的异同，"超频"就是这个道理，说到底还是"工艺"；数据量：一次存取的最大二进制数据量肯定固定。因为引脚数目肯定是固定的。
参考网络"机器周期"：指令周期（Instruction Cycle）：取出并执行一条指令的时间。总线周期（BUS Cycle）：也就是一个访存储器或I/O端口操作所用的时间。时钟周期（Clock Cycle）：处理操作的最基本单位，晶振频率的倒数。指令周期、总线周期和时钟周期之间的关系：一个指令周期由若干个总线周期组成，而一个总线周期时间又包含有若干个时钟周期。一个总线周期包含一个（只有取址周期）或多个机器周期。
㈧ 内存的读写周期由什么决定的， 请详细说明.
SPD TRC
444 12 16
555 15 20
333 8 12
记忆元件可以是磁芯，半导体触发器、MOS电路或电容器等。
位(bit)是二进制数的最基本单位，也是存储器存储信息的最小单位，8位二进制数称为一个字节(byte)。当一个数作为一个整体存入或取出时，这个数叫做存储字。存储字可以是一个字节，也可以是若干个字节。若干个忆记单元组成一个存储单元，大量的存储单元的集合组成一个存储体(MemoryBank)。
为了区分存储体内的存储单元，必须将它们逐一进行编号，称为地址。地址与存储单元之间一一对应，且是存储单元的唯一标志。应注意存储单元的地址和它里面存放的内容完全是两回事。
存储器在计算机中处于不同的位置，可分为主存储器和辅助存储器。在主机内部，直接与CPU交换信息的存储器称主存储器或内存储器。在执行期间，程序的数据放在主存储器内，各个存储单元的内容可通过指令随机访问，这样的存储器称为随机存取存储器(RAM)。另一种存储器叫只读存储器(ROM)，里面存放一次性写入的程序或数据，仅能随机读出。RAM和ROM共同分享主存储器的地址空间。
因于结构、价格原因，主存储器的容量受限。为满足计算的需要而采用了大容量的辅助存储器或称外存储器，如磁盘、光盘等。
存储器的主要技术指标
存储器的特性由它的技术参数来描述。
一、存储容量：存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量。主存储器的容量是指用地址寄存器(MAR)产生的地址能访问的存储单元的数量。如N位字长的MAR能够编址最多达2N个存储单元。一般主存储器(内存)容量在几十K到几M字节左右；辅助存储器(外存)在几百K到几千M字节。
二、存储周期：存储器的两个基本操作为读出与写入，是指将信息在存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为取数时间TA；两次独立的存取操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC。半导体存储器的存储周期一般为100ns-200ns。
三、存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均故障间隔时间MTBF来衡量。MTBF可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。MTBF越长，表示可靠性越高，即保持正确工作能力越强。
四、性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容。性能价格比是一个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。对于外存储器，要求容量极大，而对缓冲存储器则要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/价格比是评价整个存储器系统很重要的指标
㈨ 存取时间与存取周期的区别存储器带宽的含义是什么
存储器带宽的含义是指单位时间里存储器所存取的信息量。
一、主体不同
1、存取时间：是CPU读或写内存内数据的过程时间。
2、存取周期：连续启动两次独立的“读”或“写”操作（如连续的两次“读”操作）所需的最短时间。
二、原理不同
1、存取时间：从CPU发出指令给内存时，便会要求内存取用特定地址的数据，内存响应CPU后便会将CPU所需要的数据送给CPU，一直到CPU收到数据为止，便成为一个读取的流程。
2、存取周期：将存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔。
三、代表含义不同
1、存取时间：用存取时间的倒数来表示速度。
2、存取周期：为存储器的性能指标之一，直接影响电子计算机的技术性能。
㈩ 什么是存储器的存取时间什么是存取周期两者之间有什么区别
存取时间是每次向内存写入（读出）数据到完成所需要的所有时间，如写入时间是指从存储器接收到数据到写入被选中位置所需要的时间 读出同理
存取周期是值 存储器进行连续两次独立的读（写）操作所需要的最小时间间隔，
通常存取周期大于存取时间