Ⅰ 在8086最小系统总线上设计16KB的SRAM存储器存储器电路。SRAM芯片选用6264，起始地址
8086最小系统总线上涉及他的一个储存器的重要性电路
Ⅱ 微机原理，关于存储芯片6264的一道题！谢谢解答
6264容量为8KB，即8192Byte, 片内寻址需用13根地址线：
A12～A0为： 0 0000 0000 0000b ～1 1111 1111 1111b,
.
若图中标出的138输出脚是Y6：
A15A14A13A应为110,
6264地址范围：1100 0000 0000 0000b ～1101 1111 1111 1111b
即：C000h ～DFFFh
Ⅲ MCS-51单片机系统采用6264扩展程序存储器,用线选法最多可扩展几片芯片
6264不能当做程序存储器，只能用来扩展数据存储器。
用线选法是利用“高位地址线”直接连接到RAM芯片的片选端。
6264芯片本身要用13条地址线，MCS-51单片机还剩3条高位地址线，所以最多可扩展3片6264。
3块芯片的地址范围分别是：
6000-7FFF
A000-BFFF
C000-DFFF
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楼上说是8片，那是采用了译码法，而不是线选法。
Ⅳ 关于内存储器的问题，典型静态RAM芯片6264内部问题
16根地址线可以确定64Kb的存储空间，13根可以确定8kb的空间。地址范围为0000——1FFF;
1FFF化为十进制为8191，加上起始地址0000共8192个存储单元。
Ⅳ 某8086 系统用2764ROM芯片和6264SRAM芯片构成16KB的内存。其中，RAM的地址范
摘要 很高兴为您解答亲 1 2764ROM芯片的片选是 A19A18A17A16A15A14A13= 0001111
Ⅵ 用 4 片存储器 SRAM6264 芯片构成与 CPU 系统连接，设计出存储器与系统连接图
1）CPU可访问的最大存储空间看地址位数地址总线18条故2^18 2）CPU可提供数据总线8条存储空间为16KB故要拼凑一个16K*8--->（16K*8）/（4K×4 ）=8 3）要求用138译码器实现地址译码应该就是3-8译码器那么有3根地址线做译码输入。
Ⅶ 在8086系统中,用6264芯片组成一个16k的存储器,可用来产生片选信号的地址线
简单说。6264是一种8K×8的静态存储器，本身的地址线就有13根；
A12A11...A0，其寻址范围为 2^13=8192（=8k）；
而8086芯片有20根地址线，如果用低位地址线 A12A11...A0共13根作为6264的寻址数据线，
那么余下的地址线 A19A18...A13 共7根地址线则可用于产生6264的片选信号；
（注意：不是你说的A19A18...A14 6根地址线）
那么在采用自然序列寻址时，则
A19A18...A14=0，A13=0 时作为第一片6264的片选信号，可寻址范围 0--8191；
A19A18...A14=0，A13=1 时作为第二片6264的片选信号，可寻址范围 8192--16383；
将得到唯一的6264片选信号；
Ⅷ 单片机求芯片地址范围
1）图示可知，P0口对应着6264、8255的D0-D7数据口，同时P0则通过373给6264、8255输出地址数据；
因为6264芯片没有地址锁存功能，就是说在访问6264时地址线数据必须保持不变，才能正确读写数据；
对于单片机来说，访问外部存储器是通过P0、P2来提供16位地址数据，P0输出低8位、P2输出高8位地址数据，同时通过时分方式，P0也就同时作为数据接口。那么在访问时要保持地址线数据不变，则高位地址P2可以保持不变，但是低位地址就只能通过373来保持，这样才能释放P0用来传输数据；
2）ALE---地址锁存信号，当地址数据输出后，内部电路自动产生ALE信号，把P0数据锁存到373中，在后续的读写周期中，373与P2的数据是不变的；
3）如图示
Ⅸ 用2114、6116、6264分别组成容量为64K*8位的存储器，各需多少芯片
2114是1K×4的SRAM芯片，需要64×2＝128个芯片，地址需要10位作为片内地址选择线，6位作为芯片选择线。
6116是2K×8的SRAM芯片，需要32个芯片，地址需要11位作为片内地址选择线，5位作为芯片选择线。
6264是8K×8的SRAM芯片，需要8个芯片，地址需要13位作为片内地址选择线，3位作为芯片选择线。
Ⅹ 单片机为什么6264是13根地址线其中芯片容量与地址线之间什么关系
Intel6264芯片使用13根地址线的原因是芯片容量为8KB，需要13根地址线（2^13=8K）才可以完成寻址为8K大小。
Intel 6264的容量为8KB，是28引脚双列直插式芯片，采用CMOS工艺制造。
A12～A0（address inputs）：地址线，可寻址8KB的存储空间。
D7～D0（data bus）：数据线，双向，三态。
OE（output enable）：读出允许信号，输入，低电平有效。
WE（write enable）：写允许信号，输入，低电平有效。
CE1（chip enable）：片选信号1，输入，在读/写方式时为低电平。
CE2（chip enable）：片选信号2，输入，在读/写方式时为高电平。
VCC：+5V工作电压。
GND：信号地。