㈠ 紫外线擦除器擦除的是什么存储器上的东西
这是指的一些eprom
，其芯片顶部中心位置有一方形窗户，
通过紫外线照射，
可将存储的电荷释放，数据全清成0或1，达到删除的目的。
而不是所有存储器都能被紫外线擦除数据。
㈡ EPROM的存储数据可以擦除重写，为什么还叫“只读”存储器
特点
EPROM的编程需要使用编程器完成。编程器是用于产生EPROM编程所需要的高压脉冲信号的装置。编程时将EPROM的数据送到随机存储器中，然后启动编程程序，编程器便将数据逐行地写入EPROM中。
一片编程后的EPROM，可以保持其数据大约10～20年，并能无限次读取。擦除窗口必须保持覆盖，以防偶然被阳光擦除。老式电脑的BIOS芯片，一般是EPROM，擦除窗口往往被印有BIOS发行商名称、版本和版权声明的标签所覆盖。
一些在快闪记忆体出现前生产的微控制器，使用EPROM来储存程序的版本，以利于程式开发；如使用一次性可编程器件，在调试时将造成严重浪费。
工作原理
EPROM是可编程器件,主流产品是采用双层栅(二层poly)结构。
浮栅中没有电子注入时,在控制栅加电压时,浮栅中的电子跑到上层,下层出现空穴.
由于感应,便会吸引电子,并开启沟道.
如果浮栅中有电子的注入时,即加大的管子的阈值电压,
沟道处于关闭状态.这样就达成了开关功能。
EPROM的写入过程，在漏极加高压,电子从源极流向漏极沟道充分开启.在高压的作用下,电子的拉力加强,能量使电子的温度极度上升,变为热电子(hot electrON).这种电子几乎不受原子的振动作用引起的散射,在受控制栅的施加的高压时,热电子使能跃过SiO2的势垒,注入到浮栅中.
在没有别的外力的情况下,电子会很好的保持着.在需要消去电子时,利用紫外线进行照射,给电子足够的能量,逃逸出浮栅。
EEPROM的写入过程,是利用了隧道效应,即能量小于能量势垒的电子能够穿越势垒到达另一边.
量子力学认为物理尺寸与电子自由程相当时,电子将呈现波动性,这里就是表明物体要足够的小.
就pn结来看,当p和n的杂质浓度达到一定水平时,并且空间电荷极少时,电子就会因隧道效应向导带迁移.
电子的能量处于某个级别允许级别的范围称为"带",较低的能带称为价带,较高的能带称为导带.
电子到达较高的导带时就可以在原子间自由的运动,这种运动就是电流。
EEPROM写入过程,如图3所示,根据隧道效应,包围浮栅的SiO2,必须极薄以降低势垒。
源漏极接地,处于导通状态.在控制栅上施加高于阈值电压的高压,以减少电场作用,吸引电子穿越。
㈢ 关于存储器的问题
存储器分为内存储器（简称内存或主存）、外存储器（简称外存或辅存）。外存储器一般也可作为输入/输出设备。计算机把要执行的程序和数据存入内存中，内存一般由半导体器构成。半导体存储器可分为三大类：随机存储器、只读存储器、特殊存储器。
RAM
RAM是随机存取存储器（Random Access Memory），其特点是可以读写，存取任一单元所需的时间相同，通电是存储器内的内容可以保持，断电后，存储的内容立即消失。RAM可分为动态（Dynamic RAM）和静态（Static RAM）两大类。所谓动态随机存储器DRAM是用MOS电路和电容来作存储元件的。由于电容会放电，所以需要定时充电以维持存储内容的正确，例如互隔2ms刷新一次，因此称这为动态存储器。所谓静态随机存储器SRAM是用双极型电路或MOS电路的触发器来作存储元件的，它没有电容放电造成的刷新问题。只要有电源正常供电，触发器就能稳定地存储数据。DRAM的特点是集成密度高，主要用于大容量存储器。SRAM的特点是存取速度快，主要用于调整缓冲存储器。
ROM
ROM是只读存储器（Read Only Memory），它只能读出原有的内容，不能由用户再写入新内容。原来存储的内容是由厂家一次性写放的，并永久保存下来。ROM可分为可编程（Programmable）ROM、可擦除可编程（Erasable Programmable）ROM、电擦除可编程（Electrically Erasable Programmable）ROM。如，EPROM存储的内容可以通过紫外光照射来擦除，这使它的内可以反复更改。
特殊固态存储器
包括电荷耦合存储器、磁泡存储器、电子束存储器等，它们多用于特殊领域内的信息存储。
此外，描述内、外存储容量的常用单位有：
①位/比特（bit）：这是内存中最小的单位，二进制数序列中的一个0或一个1就是一比比特，在电脑中，一个比特对应着一个晶体管。
②字节（B、Byte）：是计算机中最常用、最基本的存在单位。一个字节等于8个比特，即1 Byte＝8bit。
③千字节（KB、Kilo Byte）：电脑的内存容量都很大，一般都是以千字节作单位来表示。1KB＝1024Byte。
④兆字节（MB Mega Byte）：90年代流行微机的硬盘和内存等一般都是以兆字节（MB）为单位。1 MB＝1024KB。
⑤吉字节（GB、Giga Byte）：目前市场流行的微机的硬盘已经达到4.3GB、6.4GB、8.1GB、12G、13GB等规格。1GB＝1024MB。
⑥太字节（TB、Tera byte）：1TB＝1024GB。
（三）输入/输出设备
输入设备是用来接受用户输入的原始数据和程序，并将它们变为计算机能识别的二进制存入到内存中。常用的输入设备有键盘、鼠标、扫描仪、光笔等。
输出设备用于将存入在内存中的由计算机处理的结果转变为人们能接受的形式输出。常用的输出设备有显示器、打印机、绘图仪等。
（四）总线
总线是一组为系统部件之间数据传送的公用信号线。具有汇集与分配数据信号、选择发送信号的部件与接收信号的部件、总线控制权的建立与转移等功能。典型的微机计算机系统的结构如图2-3所示，通常多采用单总线结构，一般按信号类型将总线分为三组，其中AB（Address Bus）为地址总线；DB(Data Bus)为数据总线；CB（Control Bus）控制总线。
（五）微型计算机主要技术指标
①CPU类型：是指微机系统所采用的CPU芯片型号，它决定了微机系统的档次。
②字长：是指CPU一次最多可同时传送和处理的二进制位数，安长直接影响到计算机的功能、用途和应用范围。如Pentium是64位字长的微处理器，即数据位数是64位，而它的寻址位数是32位。
③时钟频率和机器周期：时钟频率又称主频，它是指CPU内部晶振的频率，常用单位为兆（MHz），它反映了CPU的基本工作节拍。一个机器周期由若干个时钟周期组成，在机器语言中，使用执行一条指令所需要的机器周期数来说明指令执行的速度。一般使用CPU类型和时钟频率来说明计算机的档次。如Pentium III 500等。
④运算速度：是指计算机每秒能执行的指令数。单位有MIPS（每秒百万条指令）、MFLOPS（秒百万条浮点指令）
⑤存取速度：是指存储器完成一次读取或写存操作所需的时间，称为存储器的存取时间或访问时间。而边连续两次或写所需要的最短时间，称为存储周期。对于半导体存储器来说，存取周期大约为几十到几百毫秒之间。它的快慢会影响到计算机的速度。
⑥内、外存储器容量：是指内存存储容量，即内容储存器能够存储信息的字节数。外储器是可将程序和数据永久保存的存储介质，可以说其容量是无限的。如硬盘、软盘已是微机系统中不可缺少的外部设备。迄今为止，所有的计算机系统都是基于冯·诺依曼存储程序的原理。内、外存容量越大，所能运行的软件功能就越丰富。CPU的高速度和外存储器的低速度是微机系统工作过程中的主要瓶颈现象，不过由于硬盘的存取速度不断提高，目前这种现象已有所改善。
㈣ 存储器，什么叫可光擦除，什么叫可电擦除
可光擦除存储器：EPROM（Erasable Programmable Read Only Memory）是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，断电后仍能保留数据的计算机储存芯片。
写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的IC卡上的透明视窗的方式来清除掉。这一类芯片比较容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住， 以防止遭到阳光直射。
可电擦除存储器：EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指带电可擦可编程只读存储器，是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。
EEPROM（带电可擦可编程只读存储器）是用户可更改的只读存储器（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。
(4)存储器件擦除失效扩展阅读：
ROM是只读存储器（Read-Only Memory）的简称，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，并且资料不会因为电源关闭而消失。
ROM所存数据，一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变；其结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。
PROM（Programmable read-only memory），又称FPROM，可编程只读存储器，是一种计算机存储记忆芯片，每个比特都由熔丝或反熔丝的状态决定数据内容。
这种存储器用作永久存放程序之用。常用于电子游戏机、电子词典等预存固定数据或程序的各式电子产品之上。PROM与狭义的ROM（Mask ROM）的差别在于前者可在IC制造完成后才依需要写入数据，后者的数据需在制造IC时一并制作在里面。
㈤ 三菱欧蓝德电可擦除只读存储器故障怎么清除
去修理店！连上电脑！一会就解决了！很快
㈥ 单片机中的flash一个扇区达到最大擦除次数后整个flash会失效吗
首先，最大擦除次数只是一个参考数值，它仅仅代表统计学上失效的概率较大、并不意味着某个器件的某个扇区达到这个次数之后真的一定会失效。何况厂家给出的最大擦除次数一般都会留有余量以避免给自己带来法律风险。
其次，即便因为重复擦写导致某个扇区失效，也并不意味着整个Flash芯片会失效，其它扇区仍然是能够正常使用的。当然，如果你编写过针对Flash存储器的文件系统的话，就会尽量避免这种情况发生——通过磨损均衡技术来平衡每一个扇区的擦除次数。
㈦ 有关存储器的问题
动态读写存贮器（DRAM），以其速度快、集成度高、功耗小、价格低在微型计算机中得到极其广泛地使用。但动态存储器同静态存储器有不同的工作原理。它是靠内部寄生电容充放电来记忆信息，电容充有电荷为逻辑1，不充电为逻辑0。欲深入了解动态RAM的基本原理请点击。 动态存储器有多种系列，如61系列、37系列、41系列、21系列等。图示为2164芯片的引脚图。将鼠标指向相应引脚可看到其对引脚功能。它是一个64K 1bit的DRAM芯片，将8片并接起来，可以构成64KB的动态存储器。
每片只有一条输入数据线，而地址引脚只有8条。为了形成64K地址，必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上，借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元，锁存信号也靠着外部地址电路产生。
当要从DRAM芯片中读出数据时，CPU 首先将行地址加在A0-A7上，而后送出RAS 锁存信号，该信号的下降沿将地址锁存在芯片内部。接着将列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS锁存信号，也是在信号的下降沿将列地址锁存在芯片内部。然后保持WE=1，则在CAS有效期间数据输出并保持。
当需要把数据写入芯片时，行列地址先后将RAS和CAS锁存在芯片内部，然后，WE有效，加上要写入的数据，则将该数据写入选中的存贮单元。
由于电容不可能长期保持电荷不变，必须定时对动态存储电路的各存储单元执行重读操作，以保持电荷稳定，这个过程称为动态存储器刷新。PC/XT机中DRAM的刷新是利用DMA实现的。首先应用可编程定时器8253的计数器1，每隔1⒌12μs产生一次DMA请求，该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时，DMA控制 器送出到刷新地址信号，对动态存储器执行读操作，每读一次刷新一行。
只读存贮器（ROM）有多种类型。由于EPROM和EEPROM存贮容量大，可多次擦除后重新对它进行编程而写入新的内容，使用十分方便。尤其是厂家为用户提供了单独地擦除器、编程器或插在各种微型机上的编程卡，大大方便了用户。因此，这种类型的只读存贮器得到了极其广泛的应用。7. RAM的工作时序
为保证存储器准确无误地工作，加到存储器上的地址、数据和控制信号必须遵守几个时间边界条件。
图7.1—3示出了RAM读出过程的定时关系。读出操作过程如下：
欲读出单元的地址加到存储器的地址输入端；
加入有效的选片信号CS；
在 线上加高电平，经过一段延时后，所选择单元的内容出现在I/O端；
让选片信号CS无效，I/O端呈高阻态，本次读出过程结束。
由于地址缓冲器、译码器及输入/输出电路存在延时，在地址信号加到存储器上之后，必须等待一段时间tAA，数据才能稳定地传输到数据输出端，这段时间称为地址存取时间。如果在RAM的地址输入端已经有稳定地址的条件下，加入选片信号，从选片信号有效到数据稳定输出，这段时间间隔记为tACS。显然在进行存储器读操作时，只有在地址和选片信号加入，且分别等待tAA和tACS以后，被读单元的内容才能稳定地出现在数据输出端，这两个条件必须同时满足。图中tRC为读周期，他表示该芯片连续进行两次读操作必须的时间间隔。
写操作的定时波形如图7.1—4所示。写操作过程如下：
将欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端；
在选片信号CS端加上有效电平，使RAM选通；
将待写入的数据加到数据输入端；
在 线上加入低电平，进入写工作状态；
使选片信号无效，数据输入线回到高阻状态。
由于地址改变时，新地址的稳定需要经过一段时间，如果在这段时间内加入写控制信号（即 变低），就可能将数据错误地写入其他单元。为防止这种情况出现，在写控制信号有效前，地址必须稳定一段时间tAS，这段时间称为地址建立时间。同时在写信号失效后，地址信号至少还要维持一段写恢复时间tWR。为了保证速度最慢的存储器芯片的写入，写信号有效的时间不得小于写脉冲宽度tWP。此外，对于写入的数据，应在写信号tDW时间内保持稳定，且在写信号失效后继续保持tDH时间。在时序图中还给出了写周期tWC，它反应了连续进行两次写操作所需要的最小时间间隔。对大多数静态半导体存储器来说，读周期和写周期是相等的，一般为十几到几十ns。
ddr一个时钟周期内穿2次数据
ddr2一个时钟周期传4次
所以相同频率下ddr2的带宽是ddr的2倍
㈧ DVD-RAM光盘擦拭后怎么不能当做USB存储器了
这种可擦写光盘，用刻录软件的擦除功能擦除后，就成了一张空白光盘，就可以重新刻录了。如果擦除后不能再刻录，就可能是光盘的问题。
㈨ 有关存储器的问题~
存储器分为内存储器(简称内存或主存)、外存储器(简称外存或辅存)。外存储器一般也可作为输入/输出设备。计算机把要执行的程序和数据存入内存中，内存一般由半导体器构成。半导体存储器可分为三大类:随机存储器、只读存储器、特殊存储器。
RAM
RAM是随机存取存储器(Random
Access
Memory)，其特点是可以读写，存取任一单元所需的时间相同，通电是存储器内的内容可以保持，断电后，存储的内容立即消失。RAM可分为动态(Dynamic
RAM)和静态(Static
RAM)两大类。所谓动态随机存储器DRAM是用MOS电路和电容来作存储元件的。由于电容会放电，所以需要定时充电以维持存储内容的正确，例如互隔2ms刷新一次，因此称这为动态存储器。所谓静态随机存储器SRAM是用双极型电路或MOS电路的触发器来作存储元件的，它没有电容放电造成的刷新问题。只要有电源正常供电，触发器就能稳定地存储数据。DRAM的特点是集成密度高，主要用于大容量存储器。SRAM的特点是存取速度快，主要用于调整缓冲存储器。
ROM
ROM是只读存储器(Read
Only
Memory)，它只能读出原有的内容，不能由用户再写入新内容。原来存储的内容是由厂家一次性写放的，并永久保存下来。ROM可分为可编程(Programmable)ROM、可擦除可编程(Erasable
Programmable)ROM、电擦除可编程(Electrically
Erasable
Programmable)ROM。如，EPROM存储的内容可以通过紫外光照射来擦除，这使它的内可以反复更改。
特殊固态存储器
包括电荷耦合存储器、磁泡存储器、电子束存储器等，它们多用于特殊领域内的信息存储。
此外，描述内、外存储容量的常用单位有:
①位/比特(bit):这是内存中最小的单位，二进制数序列中的一个0或一个1就是一比比特，在电脑中，一个比特对应着一个晶体管。
②字节(B、Byte):是计算机中最常用、最基本的存在单位。一个字节等于8个比特，即1
Byte=8bit。
③千字节(KB、Kilo
Byte):电脑的内存容量都很大，一般都是以千字节作单位来表示。1KB=1024Byte。
④兆字节(MB
Mega
Byte):90年代流行微机的硬盘和内存等一般都是以兆字节(MB)为单位。1
MB=1024KB。
⑤吉字节(GB、Giga
Byte):目前市场流行的微机的硬盘已经达到4.3GB、6.4GB、8.1GB、12G、13GB等规格。1GB=1024MB。
⑥太字节(TB、Tera
byte):1TB=1024GB。
(三)输入/输出设备
输入设备是用来接受用户输入的原始数据和程序，并将它们变为计算机能识别的二进制存入到内存中。常用的输入设备有键盘、鼠标、扫描仪、光笔等。
输出设备用于将存入在内存中的由计算机处理的结果转变为人们能接受的形式输出。常用的输出设备有显示器、打印机、绘图仪等。
(四)总线
总线是一组为系统部件之间数据传送的公用信号线。具有汇集与分配数据信号、选择发送信号的部件与接收信号的部件、总线控制权的建立与转移等功能。典型的微机计算机系统的结构如图2-3所示，通常多采用单总线结构，一般按信号类型将总线分为三组，其中AB(Address
Bus)为地址总线;DB(Data
Bus)为数据总线;CB(Control
Bus)控制总线。
(五)微型计算机主要技术指标
①CPU类型:是指微机系统所采用的CPU芯片型号，它决定了微机系统的档次。
②字长:是指CPU一次最多可同时传送和处理的二进制位数，安长直接影响到计算机的功能、用途和应用范围。如Pentium是64位字长的微处理器，即数据位数是64位，而它的寻址位数是32位。
③时钟频率和机器周期:时钟频率又称主频，它是指CPU内部晶振的频率，常用单位为兆(MHz)，它反映了CPU的基本工作节拍。一个机器周期由若干个时钟周期组成，在机器语言中，使用执行一条指令所需要的机器周期数来说明指令执行的速度。一般使用CPU类型和时钟频率来说明计算机的档次。如Pentium
III
500等。
④运算速度:是指计算机每秒能执行的指令数。单位有MIPS(每秒百万条指令)、MFLOPS(秒百万条浮点指令)
⑤存取速度:是指存储器完成一次读取或写存操作所需的时间，称为存储器的存取时间或访问时间。而边连续两次或写所需要的最短时间，称为存储周期。对于半导体存储器来说，存取周期大约为几十到几百毫秒之间。它的快慢会影响到计算机的速度。
⑥内、外存储器容量:是指内存存储容量，即内容储存器能够存储信息的字节数。外储器是可将程序和数据永久保存的存储介质，可以说其容量是无限的。如硬盘、软盘已是微机系统中不可缺少的外部设备。迄今为止，所有的计算机系统都是基于冯·诺依曼存储程序的原理。内、外存容量越大，所能运行的软件功能就越丰富。CPU的高速度和外存储器的低速度是微机系统工作过程中的主要瓶颈现象，不过由于硬盘的存取速度不断提高，目前这种现象已有所改善。
㈩ EEPROM属内存储器，可以反复多次擦除及存储对还错
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。 EEPROM（电可擦写可编程只读存储器）是可用户更改的只读存储器（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候是可频繁地重编程的，EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数
肯定是内存储器，可以重复擦写