⑴ 笔记本拓展好选择 闪迪至尊高速 M.2 3D固态硬盘评测
伴随着QLC 3D NAND技术的成熟，目前固态硬盘正式进入大容量TB时代，不论是新发布的笔记本电脑、还是台式整机，1TB以上容量的固态硬盘配置已经开始普及，近期闪迪推出了针对广大消费级用户的闪迪至尊高速 M.2 NVMe 3D固态硬盘，性能出众，并且单面颗粒排布的形式更加适合笔记本电脑升级。
今天我们就来和大家一起来评测一下这款固态硬盘，首先我们来看一下这款SSD的外观。
第三款软件是ATTO Disk Benchmark，最终我们看到这款软件，这款固态硬盘的顺序读取成绩为2440MB/S，顺序写入成绩为1959MB/S，这样的成绩表现出色。
写在最后：闪迪至尊高速 M.2 NVMe 3D固态硬盘 1TB采用2280标准规格，兼容目前绝大部分的DIY主板和笔记本电脑，并且单面单颗1TB容量的设计让这款固态硬盘非常的轻薄，非常适合空间紧张的笔记本电脑升级，并且2400MB/S的速度，基本达到目前主流的NVMe协议固态硬盘的水准，在日常应用中能够带来更快速度的应用打开速度和游戏载入速度，对于广大主流的用户来讲，不足千元的亲民价格非常值得选购。
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⑵ 3D NAND闪存市场 长江存储如何破围而出
继续创新，努力发展。中国产一直是物美价廉的标志，特别是在长江存储发布128层QLC 3D NAND闪存以后，确实有了可以和进口一较高低的能力，但是需要虚心前行，脚踏实地。
⑶ 如何评价英特尔 Intel 660P 系列固态硬盘
英特尔固态盘 660p 系列是英特尔首款采用先进 QLC（四层单元）NAND 技术的固态盘。它旨在提供诸如网上冲浪、办公和居家工作以及媒体娱乐等客户端平台使用所需的性能。
随着闪存颗粒技术的不断进步，市场顺利从SLC、MLC成功跳跃至TLC，几年来的事实证明，TLC的稳定性和性能表现令人满意，足以应付主流消费者需求，为接下来的QLC普及开了好头。
在2018全球闪存技术峰会上，intel（英特尔）推出旗下第一款QLC存消费级SSD——SSD 660P，是600P的升级版，定位介于600p及700p之间，能满足主流玩家市场需求。
全新SSD 660P有512GB、1TB、2TB三种容量，均提供5年质保。intel 660P采用M.2 2280规格，主控未知，基于高密度3D QLC NAND 颗粒，提供512GB/1TB/2TB三种容量。
走PCI-E 3.0 x4通道，支持NVMe 1.3协议，最高连续读取可达1800MB/s，写入1100MB/s，4K随机读写为150K IOPS。
此次所搭载的是64层3D QLC颗粒，相比TLC容量增加了33%，单颗粒最高可达到256GB或512GB。
关于QLC最关心的寿命问题，官方表示该64层3D QLC颗粒P/E循环约为1000次左右，比TLC略少一些，面向主流一般市场。
这类产品主要是依靠大容量和高性价比来抢占主流市场，可以预见接下来市场中高容量QLC SSD将进一步渗透。
⑷ MLC、TLC和QLC三种不同的SSD怎么选
mlc的一般买不起，qlc的便宜但寿命不太好，tlc的有不错的，西数sn550，sn750，三星pm981a等等是买得起的不错的，中端与高端的。低端的话，紫光p100，SATA接口的，相对便宜的多，国产存储芯片。
⑸ 联芸科技上市了吗
联芸科技上市了。
联芸科技(Maxio)作为国产SSD主控芯片重要生产商，陆续推出了多种控制芯片优质解决方案，并上市后得到了市场的广泛认可。
而这次联芸科技也将继续与海康存储合作，推出搭载MAP1202主控芯片的固态硬盘CC500。海康存储作为海康威视存储业务的高端品牌，旨在打造高性价比的存储类产品。
联芸科技是全球固态存储控制芯片产业的标杆企业之一，也是为数不多掌握NAND Flash控制芯片核心关键技术企业之一，其致力于为固态存储领域提供业界领先的高性能存储解决方案。
对NAND Flash特性的持续深度研究，联芸科技独特的闪存自适配专利技术处于全球领先地位，支持Intel、Kioxia 、Micron、Samsung、SK Hynix、WD、YMTC（按照英文字母先后顺序排列）推出的全部NAND Flash闪存颗粒，包括MLC/TLC/QLC产品。
联芸科技成立于2014年11月，总部位于杭州滨江，已发展成为全球三大固态硬盘控制芯片及解决方案提供商，产品已在中国大陆、中国台湾、北美、南美、欧洲、非洲、俄罗斯、日本、韩国、印度以及东盟等在内的全球市场获得规模商用，可广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。
⑹ 中国攻克最先进128层闪存：它到底强在哪何时能跟三星掰手腕
芯片分为存储芯片和非存储芯片，其中存储芯片的种类很多，按用途可分为主存储芯片和辅助存储芯片。前者又称内存储芯片（内存），可以与CPU直接交换数据，速度快、容量小、价格高。后者为外存储芯片（外存），指除内存及缓存以外的储存芯片。此类储存芯片一般断电后仍然能保存数据，速度慢、容量大、价格低。
⑺ QLC要来了，固态硬盘将如何发展
QLC = Quad-Level Cell架构，即4bit/cell，支持16充电值，速度最慢寿命最短，目前中技术上在研发阶段，但是intel、三星电子等厂商都已经取得了不错的进展。但在SSD应用中目前仍不现实 。
需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大。下面是SLC、MLC、TLC、QLC闪存芯片的区别：
SLC = Single-Level Cell，即1bit/cell，利用正、负两种电荷，一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。速度快，寿命长，价格贵（约MLC 3倍以上的价格）。
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约5000-10000次擦写寿命。速度一般，寿命一般，价格一般。
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命。也有Flash厂家叫8LC，速度慢，寿命短，价格便宜。
QLC = Quad-Level Cell，即4bit/cell。
相对于SLC来说，MLC的容量
大了100%，寿命缩短为SLC的1/10。相对于MLC来说，TLC的容量大了50%，寿命缩短为MLC的1/20。
东芝是NAND闪存的发明人，还是最早开发3D NAND闪存的，同时也是闪存芯片公司中第一个讨论QLC闪存的。东芝的QLC闪存规格西数的是一样——准确来说是西数的QLC闪存跟东芝一样的，使用的都是东芝的BiCS 4技术，96层堆栈，这次的QLC闪存核心容量是1.33Tb，比之前美光、英特尔公布的1Tb核心大了33%。
基于1.33Tb核心的QLC闪存，东芝已经开发出了16核心的单芯片闪存，一颗闪存的容量就有2.66TB，现在QLC闪存的帮助下单芯片封装实现了2.66TB的容量，是之前的5倍多。
西数目前已经出样，今年量产，首发于闪迪SSD硬盘中，但东芝比西数慢一些，今年9月份才开始出样给SSD硬盘及主控厂商，用于评估及开发，2019年才开始批量生产。
⑻ 现在市场上流行固态硬盘，单你知道固态硬盘里芯片的类型么 查询下SLC MLC TLC QLC的区
固态硬盘共有三种闪存类型，分别为SLC、MLC以及TLC；
SLC全称为Single-LevelCell，单层单元闪存。SLC为NAND闪存架构，其每一个单元储存一位数据，但是SLC生产成本较高，晶片可重复写入十万次。SLC的特点是成本高、容量小、速度快
MLC全称为Multi-Level Cell，多层单元闪存，MLC通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两位数据，数据密度比较高。MLC的特点是容量大成本低，但是速度相较于SLC更慢。
TLC全称为Triple-cell-per-bit，由于采用三层存储单元，因此可以以较低的成本实现更大的容量。现主流的SSD多数都采用最新的3D NAND闪存堆叠技术，基于该技术可打造出存储容量比同类NAND技术高达数倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升。东芝已研发96层3D BiCS FLASH存储单元。
为什么SLC速度快寿命更长呢？SLC架构由于每Cell仅存放1bit数据，故只有高和低2种电平状态。而MLC架构每Cell需要存放2个bit，即电平至少要被分为4档，TLC则为8档，QLC则为16档。
SLC每Cell只有开和关两种状态,非常稳定,就算其中一个Cell损坏,对整体的性能也不会有影响。而MLC有四种状态，意味着MLC存储时要更精确地控制每个存储单元的充电电压,读写时就需要更长的充电时间来保证数据的可靠性，而且一旦出现错误，就会导致2倍及以上的数据损坏。
而SLC价格更贵的原因在于SLC的一个Cell只存1bit数据，MLC、TLC、QLC的一个Cell却能存2bit或者更多的bit数据，但芯片的体积并没增加，等于压缩存储了数据，这样的结果就是相同的一块芯片存储的容量变大，因此，MLC、TLC、QLC的自然价格就便宜了。
目前，SLC在消费电子领域几乎绝迹，MLC也越来越少，TLC已经成为主流。Intel发布QLC闪存的660P SSD，则吹响了QLC进攻的号角。