㈠ 半导体存储器的分类
半导体存储器芯片按照读写功能可分为只读存储器(Read Only Memory,ROM)和随机读写存储器(Random Access Memory,RAM)两大类。
只读存储器电路结构简单,且存放的数据在断电后不会丢失,特别适合于存储永久性的、不变的程序代码或数据(如常数表、函数、表格和字符等),计算机中的自检程序就是固化在ROM中的。ROM的最大优点是具有不易失性。
不可重写只读存储器
1、掩模只读存储器(MROM)
掩模只读存储器,又称固定ROM。这种ROM在制造时,生产厂家利用掩模(Mask)技术把信息写入存储器中,使用时用户无法更改,适宜大批量生产。
掩模只读存储器可分为二极管ROM、双极型三极管ROM和MOS管ROM三种类型。
2、可编程只读存储器(PROM)
可编程只读存储器(Programmable ROM,简称PROM),是可由用户一次性写入信息的只读存储器,是在MROM的基础上发展而来的。
随机读写存储器
1、静态存储器(SRAM)
利用双稳态触发器来保存信息,只要不断电信息就不会丢失。静态存储器的集成度低,成本高,功耗较大,通常作为Cache的存储体。
2、动态存储器(DRAM)
利用MOS电容存储电荷来保存信息,使用时需要不断给电容充电才能保持信息。动态存储器电路简单,集成度高,成本低,功耗小,但需要反复进行刷新(Refresh)操作,工作速度较慢,适合作为主存储器的主体部分。
3、增强型DRAM(EDRAM)
EDRAM芯片是在DRAM芯片上集成一个高速小容量的SRAM芯片而构成的,这个小容量的SRAM芯片起到高速缓存的作用,从而使DRAM芯片的性能得到显着改进。
㈡ 1·静态半导体存储器与动态半导体存储器的主要区别是什么
静态半导体存储器存取速度快,但集成度低,通常当缓存来用。
动态半导体存储器存取速度慢,但集成度高,像内存就是动态半导体存储器。
㈢ 什么是半导体存储器有什么特点
半导体存储器(semi-conctor memory)是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器。 按其制造工艺可分为:双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。 按其存储原理可分为:静态和动态两种。 其优点是:体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。 主要用作高速缓冲存储器、主存储器、只读存储器、堆栈存储器等。 半导体存储器的两个技术指标是:存储容量和存取时间。
采纳哦
㈣ 半导体存储器有几类,分别有什么特点
1、随机存储器
对于任意一个地址,以相同速度高速地、随机地读出和写入数据的存储器(写入速度和读出速度可以不同)。存储单元的内部结构一般是组成二维方矩阵形式,即一位一个地址的形式(如64k×1位)。但有时也有编排成便于多位输出的形式(如8k×8位)。
特点:这种存储器的特点是单元器件数量少,集成度高,应用最为广泛(见金属-氧化物-半导体动态随机存储器)。
2、只读存储器
用来存储长期固定的数据或信息,如各种函数表、字符和固定程序等。其单元只有一个二极管或三极管。一般规定,当器件接通时为“1”,断开时为“0”,反之亦可。若在设计只读存储器掩模版时,就将数据编写在掩模版图形中,光刻时便转移到硅芯片上。
特点:其优点是适合于大量生产。但是,整机在调试阶段,往往需要修改只读存储器的内容,比较费时、费事,很不灵活(见半导体只读存储器)。
3、串行存储器
它的单元排列成一维结构,犹如磁带。首尾部分的读取时间相隔很长,因为要按顺序通过整条磁带。半导体串行存储器中单元也是一维排列,数据按每列顺序读取,如移位寄存器和电荷耦合存储器等。
特点:砷化镓半导体存储器如1024位静态随机存储器的读取时间已达2毫秒,预计在超高速领域将有所发展。
(4)动态半导体依据什么存储扩展阅读:
半导体存储器优点
1、存储单元阵列和主要外围逻辑电路制作在同一个硅芯片上,输出和输入电平可以做到同片外的电路兼容和匹配。这可使计算机的运算和控制与存储两大部分之间的接口大为简化。
2、数据的存入和读取速度比磁性存储器约快三个数量级,可大大提高计算机运算速度。
3、利用大容量半导体存储器使存储体的体积和成本大大缩小和下降。
㈤ 半导体是怎么存储数据的
半导体是通过保持电平存储数据的。
1 电路中用高电平表示1,低电平表示0;
2 同样的在存储介质中,写入电平值,下次读出判断是1/0;
3 存储介质的存储利用的是浮栅和衬底间电容效应:电容充电,读出的值就是高电平。电容放电后,读出的就是低电平。
㈥ 半导体储存器是如何实现数据储存的
利用高低两种不同电位存储数据。
㈦ 半导体是怎样存储信息的
半导体存储器(semi-conctor memory)
是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器。
按其制造工艺可分为:双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。
按其存储原理可分为:静态和动态两种。
其优点是:体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。
主要用作高速缓冲存储器、主存储器、只读存储器、堆栈存储器等。
半导体存储器的两个技术指标是:存储容量和存取时间。半导体是通过保持电平存储数据的。
1 电路中用高电平表示1,低电平表示0;
2 同样的在存储介质中,写入电平值,下次读出判断是1/0;
3 存储介质的存储利用的是浮栅和衬底间电容效应:电容充电,读出的值就是高电平。电容放电后,读出的就是低电平
㈧ 动态ram是依靠什么来存储信息的
动态RAM的存储单元,是一个集成在芯片内部的、体积及其微小的电容器。
写入1,即存入了电荷,电压为高电平;
写入0,即释放了电荷,电压为低电平。
动态存储器的存储密度高,相比静态的,也就是容量大。
但是,这种存储单元容易漏电,必须定时刷新,才能保证其内容稳定不变。
㈨ 半导体存储器sram是靠什么存储信息
按其功能可分为:随机存取存储器(简称RAM)和只读存储器(只读ROM)
RAM包括DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取存储器),当关机或断电时,其中的 信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存(内存的主体部分),SRAM主要用于高速缓存存储器。
ROM 主要用于BIOS存储器。
按其制造工艺
可分为:双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。
按其存储原理
可分为:静态和动态两种。
㈩ 半导体 动态存储器为什么要进行刷新
动态半导体存储器利用电容存储电荷记录。电容会放电,因此必须在电荷流失前对电容充电–刷新