❶ DRAM需要刷新。SRAM不需要刷新。这里的刷新是什么意思
刷新是指给储存数据的电容重新充电，因为sram是用晶体管存数据所以不用刷新
❷ 刷新存储器的容量决定于显示器的分辨率和什么
因为 刷存容量=分辨率×颜色深度×刷新速率
24位=8B
所以 1024×1024×3B=3072KB=3MB
❸ 刷新存储器的重要性能指标是它的带宽，若显示工作方式采用分辨率为1024 ╳ 1024，颜色深度为24位
刷新带宽=分辨率X像素点颜色深度X刷新速率
=1024X1024X（24/8）BX72/S
❹ 动态MOS存储器为什么要刷新常用的刷新方式有哪几种
动态MOS存储单元存储信息的原理，是利用MOS管栅极电容具有暂时存储信息的作用。但由于漏电流的存在，栅极电容上存储的电荷不可能长久保持不变，因此为了及时补充漏掉的电荷，避免存储信息丢失，需要定时地给栅极电容补充电荷，通常把这种操作称作刷新或再生。 常用的刷新方式有三种，一种是集中式，另一种是分散式，第三种是异步式。 集中式刷新：在整个刷新间隔内，前一段时间重复进行读/写周期或维持周期，等到需要进行刷新操作时，便暂停读/写或维持周期，而逐行刷新整个存储器，它适用于高速存储器。 分散式刷新：把一个存储系统周期t c 分为两半，周期前半段时间t m 用来读/写操作或维持信息，周期后半段时间t r 作为刷新操作时间。这样，每经过128个系统周期时间，整个存储器便全部刷新一遍。 异步式刷新：前两种方式的结合。同学们可以自己画画它的刷新周期图。
❺ 动态RAM为什么要刷新这里的刷新是什么概念
RAM中，半导体晶体管中的电荷每1.2微秒会消失，数据也会消失。所以为了保存数据，每1微秒会重新通一次电即刷新一次。
在动态RAM芯片内部，每个内存单元保存一位信息。单元由下面两部分组成：一个晶体管和一个电容器。当然这些部件都非常地小，因此一个内存芯片内可以包含数百万个。电容器保存信息位--0或1（有关位的信息，请参见位和字节）。晶体管起到了开关的作用，能让内存芯片上的控制线路读取电容上的数据，或改变其状态。
电容器就像一个储存电子的小桶。在存储单元中写入1，小桶内就充满电子；写入0，小桶就被清空。这只"桶"的问题在于：它会泄漏。只需大约几毫秒的时间，一个充满电子的小桶就会漏得一干二净。因此，为了确保动态存储器能正常工作，必须由CPU或是由内存控制器对所有电容不断地进行充电，使它们在电子流失殆尽之前保持"1"值。为此，内存控制器会先行读取存储器中的数据，再把数据写回去。这种刷新操作每秒钟会自动进行数千次。
❻ 为什么DRAM需要刷新
DRAM就是动态随机存取存储器，动态随机存取存储器需要刷新是因为DRAM存储信息的特殊性。
DRAM是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的，电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充，时间一长，信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电，按需要补给栅极电容的信息电荷，此过程叫刷新。因此，DRAM需要刷新。
(6)刷新存储器是什么意思扩展阅读：
DRAM是靠其内部电容电位来记录其逻辑值的，但是电容因各方面的技术困难无可避免的有显着的漏电现象（放电现象）而使电位下降，于是需要周期性地对高电位电容进行充电而保持其稳定，这就是刷新。动态MOS存储器采用“读出”方式进行刷新。 有的Dram也支持每个bank刷新的命令，每次同时刷新一个bank的多个行，在一个rank刷新的时候允许bank-level 并行。
❼ 什么是动态存储器的定时刷新
动态刷新是指定期存放“1”的电容重新充电以补充泄路通路放掉的电荷。
也有表达刷新是指周期性的对电容执行读出再写入的操作。
❽ 存储器所有单元刷新一遍需要多少次刷新操作如何理解
静态存储单元（SRAM） ●存储原理：由触发器存储数据 ●单元结构：六管NMOS或OS构成 ●优点：速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低；常用作Cache ●缺点：元件数多、集成度低、运行功耗大 ●常用的SRAM集成芯片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位) 动态存储单元（DRAM） ●存贮原理：利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理，需刷新（早期：三管基本单元；之后：单管基本单元） ●刷新(再生)：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，必须定时给栅极电容补充电荷的操作 ●刷新时间：定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2ms）。 ●优点： 集成度远高于SRAM、功耗低，价格也低 ●缺点：因需刷新而使外围电路复杂；刷新也使存取速度较SRAM慢，所以在计算机中，DRAM常用于作主存储器。尽管如此，由于DRAM存储单元的结构简单，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成为大容量RAM的主流产品。
❾ 存储器的刷新有几种方式何谓“死时间”
1. 集中式刷新：刷新方式为前面的时间一直进行读取操作，后面的时间进行刷新。例如：对64*64的矩阵刷新，存取周期是0.5us，刷新周期为2ms
存取一次的时间=刷新一次的时间，那么刷新完64行需要的时间为：64*0.5=32us，说明这32us里不能进行读写操作
2. 分散式刷新：它扩大了读写周期，也就是说读一次需要时间为0.5us的话，那么一次的读写周期为1us，因为它包含了刷新用的0.5us。
3. 异步式刷新：它将每一行的刷新都分开来，也就是说只要在规定的时间完成对每一行一次的刷新就行了，(2ms/64)间隔进行一次刷新,这里的2ms是规定的，因为DRAM要求，至少2ms更新所有行一次。
不与固定相作用的组分的保留时间。死时间（dead time）,从进样到惰性气体峰出现极大值的时间称为死时间.
❿ 什么是刷新存储器其存储器容量与什么因素有关
将存储器原有内容擦除，写入新的内容，就叫刷新存储器。存储器容量与芯片集成技术发展程度有关。