A. 计算机原理里面，有关动态存储器的刷新问题
刷新一行所用的时间就是一个读写周期，连续刷新32行要用16微秒，而一个读写周期只需一个存取周期，所以刷新一行只用一个存取周期
B. 动态RAM为什么要刷新这里的刷新是什么概念
RAM中，半导体晶体管中的电荷每1.2微秒会消失，数据也会消失。所以为了保存数据，每1微秒会重新通一次电即刷新一次。
在动态RAM芯片内部，每个内存单元保存一位信息。单元由下面两部分组成：一个晶体管和一个电容器。当然这些部件都非常地小，因此一个内存芯片内可以包含数百万个。电容器保存信息位--0或1（有关位的信息，请参见位和字节）。晶体管起到了开关的作用，能让内存芯片上的控制线路读取电容上的数据，或改变其状态。
电容器就像一个储存电子的小桶。在存储单元中写入1，小桶内就充满电子；写入0，小桶就被清空。这只"桶"的问题在于：它会泄漏。只需大约几毫秒的时间，一个充满电子的小桶就会漏得一干二净。因此，为了确保动态存储器能正常工作，必须由CPU或是由内存控制器对所有电容不断地进行充电，使它们在电子流失殆尽之前保持"1"值。为此，内存控制器会先行读取存储器中的数据，再把数据写回去。这种刷新操作每秒钟会自动进行数千次。
C. 半导体 动态存储器为什么要进行刷新
动态半导体存储器利用电容存储电荷记录。电容会放电,因此必须在电荷流失前对电容充电–刷新
D. 什么是动态存储器的定时刷新
动态刷新是指定期存放“1”的电容重新充电以补充泄路通路放掉的电荷。
也有表达刷新是指周期性的对电容执行读出再写入的操作。
E. 动态MOS存储器为什么要刷新常用的刷新方式有哪几种
动态MOS存储单元存储信息的原理，是利用MOS管栅极电容具有暂时存储信息的作用。但由于漏电流的存在，栅极电容上存储的电荷不可能长久保持不变，因此为了及时补充漏掉的电荷，避免存储信息丢失，需要定时地给栅极电容补充电荷，通常把这种操作称作刷新或再生。 常用的刷新方式有三种，一种是集中式，另一种是分散式，第三种是异步式。 集中式刷新：在整个刷新间隔内，前一段时间重复进行读/写周期或维持周期，等到需要进行刷新操作时，便暂停读/写或维持周期，而逐行刷新整个存储器，它适用于高速存储器。 分散式刷新：把一个存储系统周期t c 分为两半，周期前半段时间t m 用来读/写操作或维持信息，周期后半段时间t r 作为刷新操作时间。这样，每经过128个系统周期时间，整个存储器便全部刷新一遍。 异步式刷新：前两种方式的结合。同学们可以自己画画它的刷新周期图。
F. 动态随机存储器为什么要进行刷新
dram的存储单元是用的电容的充放电来表示01的，如果电容有点表示为1，没有电表示为0.但是因由于电容会通过电阻放电，随着时间推移会造成1变成0，因此刷新的工作是将数据读出来再写进去，相当于重复给电容重复充电，保证数据不丢失。
G. 动态RAM的刷新间隔是多少以什么为单位进行刷新
刷新间隔主要是根据栅极电容上电荷的泄放速度来决定的，一般选定的最大刷新间隔为2ms。
刷新通常是以存储体矩阵中的一行为单位进行的
H. 为什么DRAM需要刷新
DRAM就是动态随机存取存储器，动态随机存取存储器需要刷新是因为DRAM存储信息的特殊性。
DRAM是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的，电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充，时间一长，信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电，按需要补给栅极电容的信息电荷，此过程叫刷新。因此，DRAM需要刷新。
(8)刷新动态存储器扩展阅读：
DRAM是靠其内部电容电位来记录其逻辑值的，但是电容因各方面的技术困难无可避免的有显着的漏电现象（放电现象）而使电位下降，于是需要周期性地对高电位电容进行充电而保持其稳定，这就是刷新。动态MOS存储器采用“读出”方式进行刷新。 有的Dram也支持每个bank刷新的命令，每次同时刷新一个bank的多个行，在一个rank刷新的时候允许bank-level 并行。
I. 简要说明动态RAM的各种刷新方式及其特点
dram的刷新方式
常用刷新方式：
教科书p84图3.14
①
集中式---正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。
特点：存在一段停止读/写操作的死时间
适用于高速存储器
②
分散式---将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。
特点：不存在停止读/写操作的死时间
但系统运行速度降低
③
异步式---前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。
J. 半导体动态存储器为什么要刷新刷新的主要方式有哪三种
动态存储器依靠电容电荷存储信息，时间一长，电荷可能泄放，因此要定期刷新。 刷新方式有集中刷新、分散刷新、异步刷新。